Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Defensa

Universidad Nacional Politcnica Experimental de la Fuerza Armada Nacional
(U.N.E.F.A)
Arquitectura del Computador

Arquitectura del Computador

Profesor:
Israe Sanabria

Integrantes:
Lameda Alexis C.I: 20.006.310
Hernandez Merillen C.I: 24334332
Machado Josefa C.I: 10298530
Otver Castillo C.I: 20560333

Marzo de 2016

LOGICADE TRANSITA TRANSISTOR (ITL)

El transistor es un dispositivo electronico semiconductor utilizado para
entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se
los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario:
radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de
microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes
de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes,
equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Funcionamiento
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades
especficas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que emite portadores,
el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las
dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las
vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores, e
inductores que son elementos pasivos.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segn el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y
varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de
base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc.
Los tres tipos de esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica

de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Los
transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran
escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por
centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

CLASIFICACIN. Los transistores se clasifican por:

Material semiconductor: germanio, el silicio, arseniuro de galio, el carburo de
silicio, etc.
Estructura: BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, "otros tipos".
Polaridad: NPN, PNP en los BJTs; N-canal, P-canal en los FETs.
Potencia mxima calificacin: bajo, medio, alto.
Frecuencia mxima de funcionamiento: bajo, medio, alto, la frecuencia de
radio (RF), de microondas, etc.
Aplicacin: cambiar, de propsito general, audio, de alta tensin, super-beta,
par.
Fsica embalaje: a travs de agujeros de metal, a travs de agujeros de
plstico, montaje en superficie, la bola de la red matriz, mdulos de potencia.
Factor de amplificacin Hfe.
As, un transistor puede describirse como: silicio, de montaje superficial, BJT,
NPN, de baja potencia, el interruptor de alta frecuencia, de propsito general.
ESTRUCTURAS DE LOS TRANSISTORES
BJT. El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente
a travs de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en
electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital
como la tecnologa TTL (Del acrnimo en Ingls de Transistor-Transistor Logic

o "Lgica Transistor a Transistor") o BICMOS. Un transistor de unin bipolar

est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por
el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca
recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee
tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de
actividad.

JFET. El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto

de campo de unin) es un circuito que, segn unos valores elctricos de
entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las
tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G
(puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva
caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones
definidas: corte, hmica y saturacin.
Fsicamente, un JFET de los denominados canal n est formado por una
pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de
salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en
las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una
tensin negativa (en inversa) VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a
su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID)
queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa un

valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el
paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A
ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET canal p las zonas p y n se
invierten, y las VGS y Vp son positivas, cortndose la corriente para tensiones
mayores que Vp.
As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para
tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y
una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la
ID en funcin de la VGS vienen dados por una grfica o ecuacin denominada
ecuacin de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una
salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensin entre el
drenador y la fuente VDS. A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos
variables se le denomina ecuacin de salida, y en ella es donde se distinguen
las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y saturacin.

IGFET. Transistor de efecto de campo con electrodo de control aislado o

"Insulated Gate FET" (IGFET), se caracteriza por tener el gate aislado del canal
por una capa de oxido de silicio.
Actualmente se fabrican entre otros, los siguientes dispositivos IGFET:
MOSFET o "MOS" ("Metal Oxide Semiconductor FET"), cuyo nombre deriva de
los tres materiales que aparecen al realizar un corte vertical en su estructura,
segn puede observarse en la figura.
Hasta hace poco los trminos IGFET y MOS eran sinonimos.
SILICON GATE FET, difiere de MOS en que el gate es de silicio policristalino,
en lugar de ser metlico. Se consigue as controlar la conductividad del canal a
partir de tensiones de gate mas bajas.
SOS("Silicon On Saphire FET"), en el cual el canal semiconductor de silicio
esta depositado sobre un sustrato aislante de zafiro, en lugar de un sustrato

semiconductor de silicio. De esta manera se alcanzan velocidades de

conmutacin mas altas.
DMOS (MOS de Doble Difusin), que presenta un canal de corta longitud para
permitir muy altas velocidades de conmutacin, gracias al breve tiempo de
transito de los portadores por el citado canal.
Una segunda clasificacin tiene en cuenta la conductancia del canal cuando al
gate no se le aplica ninguna tensin. Asi se tiene:
FET de Canal Normalmente Conductor o de "vaciamiento" ("Depletion FET"),
que permite en las condiciones mencionadas el pasaje de corriente entre los
extremos drain y source del canal, cuando entre los mismos se aplica tensin.
Los JFET solo admiten este tipo de funcionamiento, que tambin puede darse
en los IGFET. Se representa este FET por una lnea llena entre los terminales
D y S que simboliza la continuidad citada.
FET de Canal Normalmente Abierto, o no conductor, o de "enriquecimiento"
(enhancement FET): en este FET sin tensin en el gate no circula
prcticamente corriente entre los terminales drain y source al aplicrseles
tensin. Se simboliza con una lnea de trazos entre drain y source. La manera
de representarlos es la siguiente:
Por ltimo, por la naturaleza del canal conductor, los transistores de efecto de
campo pueden ser de dos tipos:
FET de Canal P: Los portadores mayoritarios que circulan por el canal son
lagunas.
FET de Canal N: Los portadores que circulan por el canal son electrones.
Un MOS de canal P o "PMOS" se indica con una flecha dirigida hacia el
sustrato, sealando que el mismo es de tipo N, aunque el canal ser de tipo P.
Del mismo modo, un MOS tipo N o "NMOS" se indica con una flecha saliendo
del sustrato.
En los circuitos digitales integrados se emplean los IGFET, que renen las
propiedades

enunciadas.

En

conmutacin

se

prefiere

el

FET

de

"enriquecimiento", que conduce corriente solo cuando la tensin aplicada al

gate supera cierto nivel. Con referencia a la velocidad de conmutacin, los
NMOS son mas rpidos que los PMOS, puesto que la movilidad de los
electrones es mas que el doble de la de las lagunas.
IGBT. El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate
Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica
como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de
baja saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para
la entrada e control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras
que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en
particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en
maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da
y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso:
automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico,
televisin, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida, etc.
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y
medias energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y
cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos
dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del
orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor darlington hbrido. Tiene la
capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente
de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes
transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En
aplicaciones de electronica de potencia es intermedio entre los tiristores y los

mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo
inverso respecto a los primeros.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La
tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de
controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy
dbil en la puerta.
POLARIDAD DE LOS TRANSISTORES
NPN. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las
letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares
usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado
P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la
salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y
apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.
PNP. El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y
"N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado
N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son
comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa.
Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente
mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la

direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
TIPOS DE TRANSISTOR. Los transistores mas comunes son:

Transistor de punta de contacto.

Transistor de unin bipolar

Pero tambin existen otros como:

Transistor de Heterojunction bipolar.

Transistor de Aleacin cruce.

Transistor Tetrode.

Transistor Pentode.

Transistor de Superficie barrera.

Transistor de Micro aleacin.

Transistor de micro aleacin difusa.

Transistor Drift-campo.

Transistores de unifunccion

Transistor de contacto puntual. Llamado tambin transistor de punta de

contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en
1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobrexidode cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se
basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar
(las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin debido a su mayor
ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar. El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus

siglas del ingls bipolar junction transistor) se fabrica sobre un monocristal de
material semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio,
cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor ectrico y las de
un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada
tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones,
como el arsnico o e fsforol que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores
de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo

contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el

emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de
dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico
de la unin.

Transistor de efecto de campo. El transistor de efecto de campo de unin

(JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una
barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la
barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una
puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta
al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de
drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que
llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transitor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la
corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una

unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la

compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa

Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y
est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor.

Los

fototransistores

son

sensibles

la

radiacin

electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto

su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Transistores y electrnica de potencia. Con el desarrollo tecnolgico y

evolucin de la electnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores
para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su
uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son
empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y
llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso
est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

MATERIALES DE FABRICACIN
Materiales semiconductores. Las primeras BJTs fueron hechas de germanio
(Ge) y algunos tipos de alta potencia todava estn hechos con este material,
otros tipos son de Silicio (Si), pero actualmente predominan ciertos materiales
avanzados de microondas de alto rendimiento y las versiones ahora emplean el
compuesto material semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleacin
de semiconductores de silicio y germanio (SiGe). Siendo estos materiales
elementales para fabricacin de semiconductores (Ge y Si).
Caractersticas de los materiales semiconductores:
NOMENCLATURA. Todos los semiconductores tienen serigrafiados nmeros y
letras que especifican y describen de que tipo de dispositivo se trata. Existen
varias nomenclaturas o cdigos que pretenden darnos esta preciada
informacin. De todas destacan tres:

PROELECTRON (Europea).

JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council) (Estados Unidos).

JIS (Japanese Industrial Standards) (Japon).

PROELECTRON. Consta de dos letras y tres cifras para los componentes

utilizados en radio, televisin y audio o de tres letras y dos nmeros para
dispositivos industriales. La primera letra precisa el material del que est hecho
el dispositivo y la segunda letra el tipo de componente