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CAPITULO 1

Metales: Buena conductividad elctrica y trmica, una resistencia relativamente alta, una alta rigidez,
ductilidad y resistencia al impacto.
Cermicos: baja conductividad elctrica y trmica, son fuertes y duros, muy frgiles y quebradizos.
Polmeros: baja conductividad elctrica y trmica, resistencia reducida, buena ductilidad y conformabilidad.
Polmeros termoplsticos: las cadenas largas no estn conectadas de manera rgida.
Polmeros termoestables: son ms resistentes pero ms frgiles porque las cadenas estn fuertemente
enlazadas.
Semiconductores: son muy frgiles, buena conductividad elctrica.
Materiales compuestos: son formados por la unin de dos o ms materiales, que mediante dicha aleacin
podemos obtener propiedades que no se consiguen en otras propiedades solas en particular.
RELACION ESTRUCTURA-PROPIEDADES-PROCESAMIENTO
PROPIEDADES MECANICAS: describe la forma en que el material responde a una fuerza aplicada,
incluyen resistencia, rigidez y ductilidad, tambin estas propiedades determinan la facilidad con la que un
material se deforma hasta llegar a una forma til.
PROPIEDADES FISICAS: Incluyen el color, el comportamiento elctrico, magntico, ptico, trmico,
elstico y qumico.
ESTRUCTURA: debe considerarse la disposicin de los electrones que rodean al ncleo de los tomos pues
afectan comportamiento elctrico, magntico, trmico y ptico.
Se debe tomar en cuenta el arreglo de los tomos por ejemplo metales, semiconductores, cermicos y algunos
polmeros tiene lo que se denomina una estructura cristalina.
Otros materiales cermicos y muchos polmeros no tienen organizacin ordenada se denominan materiales
amorfos o vtreos y su comportamiento es diferente al de las estructuras cristalinas.
Ejem: polietileno vtreo es transparente y el polietileno cristalino es traslucido.
En mayor parte los metales de los semiconductores y de los cermicos se encuentra una estructura granular.
Un cristal es un material que contiene un solo grano.
El control del tipo tamao, distribucin y cantidad de estas fases dentro del material son formas de controlar
las propiedades.
PROCESAMIENTO
Produce la forma deseada de un componente a partir de un material inicialmente si forma.
EFECTOS AMBIENTALES SOBRE EL COMPORTAMIENTO DE LOS MATERIALES
La relacin estructura-propiedades-procesamiento se modifica por el medio al cual est sujeto el material
incluyndola alta temperatura y la corrosin.
CORROSION
A altas temperaturas la mayor parte de los metales y los polmeros reaccionan ante el oxigeno, producto a esto
los metales y los cermicos pueden desintegrarse y los polmeros se pueden volver frgiles.

CAPITULO II
ENLACE METALICO: es cuando los centros cargados positivamente se mantienen unidos mediante la
atraccin mutua con los electrones. En consecuencia los metales tienden a ser dctiles y tener buena
conductividad elctrica y trmica.
ENLACE COVALENTE: Ocurren cuando se comparten 2 o ms electrones entre dos tomos. Para que se
formen enlaces covalentes los tomos deben organizarse de manera que tengan una relacin direccional.
Aunque los enlaces covalentes son fuertes los materiales enlazados de esta manera poseen poca ductilidad y
mala conductividad elctrica y qumica.
Muchos materiales cermicos, semiconductores y polmeros estn total o parcialmente enlazados
covalentemente lo que explica que el vidrio se rompe cuando se cae y porque los ladrillos son buenos
materiales aislantes.se encuentra en cermicos semiconductores y polmeros
ENLACE IONICO: es la unin de un catin y de un anin cuando estos se atraen se forma el enlace inico, se
encuentra en muchos cermicos, estos materiales tienden a ser frgiles y malos conductores.
ENLACES DE VAN DER WAALS: Estos enlaces son formados por la unin de molculas o grupos de
tomos debido a una atraccin electrosttica dbil. Muchos polmeros termoplsticos cermicos y otros
materiales estn polarizados de manera permanente lo que genera enlaces de este tipo. Por ejemplo el PVC
fuera muy frgil pero cuenta con molculas muy largas en forma de cadena y esto promueve la aparicin de
enlaces de este tipo.
ESPACIO INTERATOMICO: Se debe a un equilibrio de fuerzas de atraccin y repulsin.
MODULO DE ELASTICIDAD: Es aquella condicin que me permite calcular la deformacin de un material
al aplicarle una fuerza.
COEFICIENTE DE EXPANSION TERMICA: Es el termino que me determinara cuanto se expande o cuanto
se contrae un material al modificar su temperatura.
CAPITULO III
ORDEN DE CORTO ALCANCE COMPARADO CON ORDEN DE LARGO ALCANCE
SIN ORDEN: es cuando los tomos no tienen orden y llenan de de manera aleatoria el espacio en el que se
encuentra.
ORDEN DE CORTO ALCANCE: Se muestra cuando el arreglo especial de los tomos se extiende solo a los
vecinos ms cercanos de dicho tomo. Una situacin similar a esto ocurre en los vidrios cermicos. Adems
los cermicos y polmeros que solo tienen este orden son materiales amorfos y a menudo tienen propiedades
nicas. Unos cuantos materiales semiconductores especialmente preparados solo poseen orden de corto
alcance
ORDEN DE LARGO ALCANCE: Los metales, semiconductores, muchos cermicos e incluso algunos
polmeros muestran un arreglo especial que se extiende por todo el material.los tomos forman un patrn
repetitivo, regular en forma de rejilla o de red.
RED: conjunto de puntos conocidos como puntos de red que estn organizados siguiendo un patrn peridico
de forma en que cada punto de red es idntico. Uno o ms tomos estn asociados a cada punto de red. La red
difiere de un material a otro tanto en tamao como en forma dependiendo del tipo de enlace y del tamao del
tomo.
ESTRUCTURA CRISTALINA: Se refiere al tamao, la forma y la organizacin atmica dentro de la red.
CELDAS UNITARIAS: Es la subdivisin de la red cristalina que sigue conservando las caractersticas
generales de toda la red.

*se denominan celdas unitarias o redes de bravais, adems se identifican 14 tipos de estas.
PARAMETROS DE RED: Describen el tamao y la forma de la celda unitaria, incluyen las dimensiones de
los costados de la celda unitaria y los ngulos entre sus costados.
La longitud de los costados de una celda unitaria se mide mediante el parmetro de red Ao: [=] nm o
NUMERO DE ATOMOS POR CELDA: Las esquinas contribuyen con 1/8 de un punto las caras con 1/2 y las
posiciones en el centro con 1 [=] pto red/celda unit
Para el clculo de nmeros de tomos por celda unitaria se efecta el producto del nmero de tomos por
punto por el nmero de puntos de red.
RADIO ATOMICO COMPARADO CON EL PARAMETRO DE RED: Las direcciones en la celda unitaria a
lo largo de las cuales los tomos estn en contacto continuo son las direcciones compactas. Estas direcciones
se usan para calcular la relacin entre el tamao aparente del tomo y el tamao de celda unitaria.
PARAMETRO Ao PARA CS CC Y CCC
CS: Ao=2*R
CC: Ao=4*R/ (SQRT (3))
CCC: Ao=4*R/ (SQRT (2))
NUMERO DE COORDINACION: Indican que tan estrecha y eficazmente empaquetados estn los tomos.
FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO: Es fraccin de espacio ocupada por tomos, suponiendo que los
tomos son esferas solidas.
FE= (#tomos/celda)*(volumen c/tomo)/volumen de celda
DENSIDAD= (tomo/celda)*(masa tomo c/tomo)/ (vol. celda unitaria)*Navog
TRANSFORMACION ALOTROPICAS O POLIMORFICAS: La alotropa se aplica para elementos puros,
en tanto el polimorfismo es un trmino ms general. El principio de estos trminos es para definir que los
materiales pueden tener ms de una estructura cristalina.
Por ejemplo muchos materiales cermicos son polimrficos, esta transformacin puede venir acompaada de
un cambio de volumen y tambin puede hacer que el material se agriete y falle.
PUNTOS, DIRECCIONES Y PLANOS EN LA CELDA UNITARIA
PLANOS EN LA CELDA UNITARIA: los metales se deforman a lo largo de aquellos planos de tomos que
estn empaquetados ms estrechamente.
Comportamiento isotrpico y anisotrpico: Un material es anisotrpico si el valor de sus propiedades depende
de la direccin cristalogrfica a lo largo de la cual se mide la propiedad.
Si los valores de las propiedades son idnticos en todas las direcciones entonces el cristal es isotrpico.
DISTANCIA INTERPLANAR: La distancia entre dos planos de tomos paralelos adyacentes con los mismos
ndices de Miller se conoce como distancia interplanar.

d=Ao / sqrt (h2+k2+l2)

DIFRACCION DE RAYOS X: Cuando un haz monocromtico del mismo orden de magnitud que el
espaciamiento atmico del material lo golpea, los rayos X se dispersan en todas direcciones. La mayor parte
de la radiacin dispersa por un tomo anula la dispersada por otros tomos. Este fenmeno se conoce como
difraccin.
Los rayos X han sido refractados cuando las condiciones satisfacen la ley de Bragg.
Sen = /2*d
Donde:
: Es la mitad del ngulo entre el haz difractado y la direccin original del haz.
: Longitud de onda de los rayos X
d: distancia interplanar entre los planos.

CAPITULO IV
DISLOCACIONES: Son imperfecciones lineales en una red que de otra forma seria perfecta. Generalmente
se introducen en la red durante el proceso de solidificacin del material o al deformarlo.
Incluyendo los materiales cermicos y los polmeros, son de particular utilidad para explicar la deformacin y
el endurecimiento de los metales.
DISLOCACION DE TORNILLO: Se representa mediante un corte parcial perfecto, torcindolo y
desplazndolo un lado del corte sobre el otro.
El vector que se requiere para cerrar la trayectoria se conoce vector de Burgers. Dicho vector es paralelo a la
dislocacin del tornillo.
DISLOCACION DE BORDE: Se ilustra haciendo un corte parcial a travs de un cristal perfecto, separndolo
y rellenando parcialmente el corte de un plano de tomos adicional. En este caso el vector de Burgers el
perpendicular a la dislocacin.
DISLOCACIONES MIXTAS: Tienen componentes tanto de borde como de tornillo, con una regin de
transicin entre ambas.
DESLIZAMIENTO: Podramos trasladar el vector de Burgers del circuito a la dislocacin de borde. Es un
proceso mediante el cual se mueve una dislocacin causando que se deforme un material.
La direccin en la cual se mueve la dislocacin, la direccin de deslizamiento, es la direccin del vector de
Burgers para las dislocaciones de borde. Adems durante el deslizamiento, la dislocacin de borde barre el
plano formado por el vector de Burgers esto se conoce como plano de deslizamiento.
La combinacin de direccin de deslizamiento y plano de deslizamiento se denomina sistema de
deslizamiento.
El esfuerzo Peierls-Nabarro es el esfuerzo requerido para mover la dislocacin de una localizacin de
equilibrio a otra.
t=c*exp (-kd/b)
t: esfuerzo cortante requerido para mover la dislocacin.
d: distancia interplanar entre plano de deslizamiento.
b: es el vector de Burgers

DEFECTOS PUNTUALES: Son discontinuidades que se presentan en una red, donde se involucran 1 o mas
tomos. Estos efectos se presentan cuando se introducen impurezas a travs de las aleaciones.
VACANCIAS: Se produce cuando falta un tomo en un sitio normal. Las vacancias se crean en el cristal
durante la solidificacin a altas temperaturas o como consecuencia de daos por radiacin.
NV= n * exp (-Q/RT)
N: Nmero de puntos de red por cm3
Q: energa requerida para producir una vacancia.
T: Temperatura
DEFECTOS INTERSTICIALES: Se forma cuando se inserta un tomo adicional en una posicin
normalmente desocupada.
DEFECTOS SUSTITUCIONALES: Se crea cuando se reemplaza un tomo por otro de distinto tipo