Electrnica

Analgica 1
Laboratorio 2: Transistores

Profesores: Ivan Nomdedeu, Gustavo Gelardi

Alumnos: Matas German Quevedo, Joaqun Gonzlez

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Analgica 1
TRANSISTOR FUNCIONANDO COMO LLAVE

1. INTRODUCCION:
En este trabajo analizaremos la funcin de cada componente asociado, el clculo de las
resistencias en base a las tensiones de trabajo, simulacin con Proteus del circuito y la
comparacin con los datos experimentales.
El modo ms sencillo para activar un rel con un circuito electrnico de control (tensiones
de entrada) es a travs de un transistor NPN conectado como se ve en la figura. El
transistor, conectado de este modo, cierra el circuito poniendo a masa el terminal de la
bobina mientras que el otro terminal se encuentra conectado a positivo.
Esta modalidad de conexin (contacto hacia masa) tiene la ventaja de permitir el uso de
rels con tensiones de alimentacin de la bobina diferentes respecto a la tensin de trabajo
del circuito de control.

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2. COMO FUNCIONA EL CIRCUITO:

INPUT =
0V
Fig.
1

En la figura 1, el circuito funciona de este modo: cuando la salida del circuito de control es
baja (0V, conexin a tierra) lo ser tambin la base del transistor (en corto) y por lo tanto
este no dejar pasar corriente entre emisor y colector para activar la bobina del rel.
Cuando la salida del circuito de control es alta (3V, 5V, 12V, por ejemplo), se supera la
tensin de umbral de la base del transistor (0,7V) y por lo tanto, empieza a circular una
corriente entre base y masa (ver figura 2). Esta corriente lleva el transistor al estado de
conduccin (entre colector y emisor) cerrando el circuito de la bobina del rel y por lo tanto
activndolo. En este caso, el transistor funcionara como si fuese un interruptor cerrado (ver
figura 3).
Para obtener una correcta activacin del rel es necesario que el transistor se encuentre
"saturado", es decir, que permita pasar toda la corriente posible como si fuera un simple
interruptor cerrado. Para obtener esto, la corriente de la base debe ser suficientemente
grande y esto dependera del valor de la resistencia de base. Los transistores no son ideales y
un poco de tensin cae entre el colector y el emisor, sin embargo, en los casos que estamos
analizando, los valores son muy pequeos (0,2V por ejemplo) y podemos no considerarla.

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INPUT =
3V

Fig.
2

Fig.
3

Como hemos visto, basta una tensin superior de 0,7V en la base para que el transistor
conduzca. Por lo tanto, este circuito puede ser usado con niveles lgicos de control de 12V,
5V, 3V.
Como la tensin de control es independiente de la tensin con la que alimentamos el rel
podemos trabajar con tensiones separadas para la parte de control y para el rel. Esto es
muy til porque nos da libertad de conectar distintos tipos de rel sin necesidad de
modificar la parte de control. Adems, podemos evitar interferencias generadas por la
bobina del rel sobre el circuito de control (las bobinas generan picos de tensin cuando
son conmutadas que se propagan a travs de las lneas de alimentacin).
3. QUE FUNCION CUMPLE EL DIODO EN LA BOBINA:
Cuando a travs del transistor desactivamos el rel, interrumpiendo la corriente que pasa
por la bobina, el campo magntico presente en ella induce en la misma, por un breve
momento, una tensin muy elevada de polaridad opuesta en sus terminales. Este pico de
tensin conocido como "extra tensin de apertura" (o "extra corriente de apertura") puede
daar el transistor de control.
Para resolver este problema, la solucin ms simple es la de conectar en paralelo con la
bobina un diodo rectificador inversamente polarizado en modo tal que este absorba estos
pico de tensin de polaridad opuesta.

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4. CORRIENTE DE LA BOBINA:
Se mide la corriente que pasa por el Rel ya que esta ser la corriente de colector. Si la
corriente de la bobina no se encuentra indicada en la hoja tcnica podemos medirla
directamente con un tester en corriente y usando una fuente de alimentacin para
alimentarlo (en nuestro caso, usamos un Rel de 6V y la corriente que medimos fue de 18,6
mA).
Dependiendo de la corriente que haya dado se usara un transistor en particular; es decir, si
la tensin de trabajo de la bobina es baja, por ejemplo 5V, la corriente que el rel necesitar
ser mayor mientras que con tensiones ms altas como 12V o ms aun, la corriente ser
mucho menor. Vale la siguiente regla: mayor es la tensin de trabajo de la bobina, menor
ser la corriente necesaria para activarla. Por ejemplo, un rel de 24V con la misma
capacidad de conmutacin de uno de 12V necesitar una corriente aproximadamente de la
mitad respecto al de 12V. Por el contrario, un rel de 5V necesitar ms del doble de la
corriente respecto al de 12V (por este motivo se aplica un valor de seguridad del %25 en la
corriente colector).
5. CALCULO DE LA RESISTENCIA DE BASE:
Para controlar un rel nos sirve saber solamente que la base del transistor debe superar los
0,7V para que este entre en conduccin y que la corriente que el transistor dejar pasar
entre emisor y colector puede depender de la corriente que entra por la base multiplicado
por la ganancia en continua caracterstica del transistor (HFE). Esta sera la frmula para
obtener la resistencia de base:

RB

VIn 0,7 H FE
I REL

La ganancia en continua de un transistor (HFE) depende del modelo de transistor y puede

ser entre 50 y 300. Existen transistores con ganancias ms bajas (generalmente los de alta
potencia) y con ganancias muy altas (conocidos como Darlington). Si usamos transistores
comunes podemos considerar razonable una ganancia de 100.
Por lo tanto, idealmente, si la bobina de nuestro rel consume 50mA y nuestro transistor
gana 100, la corriente que entrar por la base ser de 50mA / 100 = 0,5mA. Esta ser la
corriente que deber entregar nuestro circuito lgico para controlar el rel. En nuestro caso,
de la hoja de datos del transistor 2N3904 usamos un HFE de 30, (el mnimo porque si elijo
la mxima me voy ms a la zona de saturacin, uso la peor condicin).

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Si aumentramos la corriente de la base, la corriente que pasa por nuestro rel no aumentar
ms porque una vez que nuestro transistor se encuentra en conduccin plena (saturacin) la
corriente que pasa por l no depender ms del transistor sino de la carga, en nuestro caso
la bobina de rel que no dejar pasar ms de la corriente necesaria. Este punto es muy
importante porque significa que si la corriente por la base no es suficiente, el transistor no
dejar pasar toda la corriente necesaria para activar el rel mientras que una vez alcanzada
la corriente de base necesaria, posteriores aumentos de esta no cambiarn nada. Y aqu nos
conectamos con el mtodo del "peor caso" que mencionaba antes, nuestro circuito debe
funcionar correctamente en todos los casos, es decir, si usamos transistores con mucha
ganancia o con poca ganancia, si usamos rels pequeos o grandes. Debemos calcular una
corriente de base que nos garantice el correcto funcionamiento.
6. LA RESISTENCIA A MASA:
Aunque no es imprescindible, es una buena costumbre agregar una resistencia entre la base
del transistor y masa como se ve en la figura 1 y 2. Sirve fundamentalmente para evitar que
el transistor pueda activar en modo errtico el rel si nuestra entrada de control se encuentra
en un estado indefinido. Esta situacin se puede crear cuando un microcontrolador est en
fase de inicializacin y sus salidas no se encuentran todava mapeadas (y por lo tanto en
alta impedancia). Con una resistencia a masa logramos garantizar que la base del transistor
se encuentra siempre con un nivel de tensin bien definido. Su valor no es crtico pero
conviene que sea bastante grande para no alterar el clculo de la resistencia de base.
Podemos usar valores de 10K o 100K por ejemplo.
7. PASOS HECHOS EN EL LABORATORIO:
a) Se mide el voltaje y la corriente que pasa por el Rel, esa es la corriente de
colector.
Voltaje medido = 6V
Ic = Irel = 18,6 mA
b) Ic con valor de seguridad del 25%.
Ic = 18,6 mA 25

Ic = 23,25 mA

c) Se considera la ecuacin Ic = HFE x Ib.

d) Se busca Ib que sea alta porque el transistor est en saturacin.
e) Teniendo en cuenta los tems c) y d) se elige el valor mnimo de HFE.
HFE = 30
6

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f) Se halla Ib.
Ib = Ic/HFE = 0,77 mA
g) Se buscan las resistencias de base en funcin de las tensiones de entrada (Fig. 4).

VIn I B RB VBE 0

RB VIn

VIn 0,7
IB

RB VIn

VIn 0,7 k
0,77

Fig.
4

Vin (V)

RB (k)

RB (k) 25%

12

14,67

18,34

5,58

2,98

3,73

Redondeado a dos decimales.

TRABAJO EN CASA, SIMULASION CON PROTEUS:

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Fig.
5 que sea acorde al valor medido en el laboratorio
Se mide la corriente del Rel para verificar

y se configura la resistencia interna y el voltaje.

Ahora se va dejar la resistencia de base de 10K y con la corriente medida de colector y las
tensiones de entrada se procura hallar las resistencias de base adecuadas para que el
transistor funciones como un interruptor.
En la Fig. 6, para la tensin de entrada de 0 V (a masa) el transistor est en circuito abierto
(en corto).

En las imgenes siguientes con las entradas

Fig. de 3V, 5V y 12V el transistor no est en corto, y
6 de cero; con ella se podr hallar la corriente de
por el Rel circula una corriente distinta
8

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colector y, por lo tanto la resistencia de base para que el transistor funcione en la zona de
saturacin.

Fig.
7

Fig.
8

Fig.
9

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RB VIn

VIn 0,7

HFE = 30, Irel = Ic,

IB
Ic = HFE x Ib

Ic (mA)

Ic (mA)
25%

Ib (mA)
25%

Vin (V)

Rb (k)

RB (k) 25%

Ib (mA)

16,8

21

0,7

3,28

4,1

0,56

16,9

21,125

0,70417

6,10

7,63

0,563

17

21,25

0,7084

12

15,95

19,93

0,566

A medida que aumenta Rb (resistencia de base) y manteniendo el voltaje de entrada fijo, la

corriente de base disminuye y aumenta si disminuye Rb.
Sin embargo, cuando aumenta el voltaje de entrada y la resistencia, la corriente de base
aumenta pero de manera despreciable.
En el caso de las resistencias, se ve que hay una diferencia aprox. de 1ohm con los datos de
laboratorio.
ESPEJO DE CORRIENTE:
La forma ms simple de una fuente de corriente es la basada en un espejo de corriente. El
espejo de corriente est constituido por una asociacin de dos transistores idnticos que
tienen la misma tensin VBE tal como se muestra en la figura a. El transistor Q1 est
operando en modo diodo (colector y base cortocircuitada) y por ello en numerosas
ocasiones se puede ver representado segn el esquema de la figura b. Ambos circuitos se
comportan como una fuente de corriente de valor Io.

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En un espejo de corriente las tensiones VBE de Q1 y Q2 son iguales y, al ser transistores
idnticos, IS1=IS2.
Por consiguiente, la ecuacin de Ebers-Moll indica que ambas intensidades de colector
deben ser iguales IC1=IC2=Io. De ah el nombre de espejo de corriente: la corriente de
colector de ambos transistores es la misma, de forma que si vara la corriente de uno de
ellos tiene reflejo en el otro. En la base de estos transistores se verifica que
(1)
y como la corriente de colector es idntica en ambos transistores y dado que operan en la
regin lineal (IC=IB), se puede despejar IC1 de la ecuacin anterior resultando que

(2)

siendo
(3)

En el caso de que >> 1, la ecuacin (2) se reduce a

(4)
La ecuacin (4) se cumple siempre que Q1 y Q2 sean transistores idnticos con las mismas
caractersticas elctricas. En general, no es posible conseguir un buen espejo de corriente
utilizando transistores discretos debido a la dispersin de parmetros que tienen estos
dispositivos. Los mejores resultados se obtienen en circuitos integrados cuando se fabrican
situando a los transistores muy prximos entre s con idntica geometra.
CARGA ACTIVA:
Una fuente de corriente adems de actuar como circuito de polarizacin posee una
impedancia interna de alto valor que puede ser utilizada como elemento de carga de
amplificadores. Con ello se consigue obtener cargas de un alto valor resistivo con un rea
de ocupacin muy inferior con respecto a las resistencias de difusin de ese mismo valor.
En la figura a se presenta un ejemplo de un amplificador constituido por el transistor

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Q1 en configuracin E-C que tiene una fuente de corriente simple basada en un espejo de
corriente de transistores PNP como carga activa. Al estar el colector de Q1 conectado al de
Q2, uno de los problemas de este amplificador consiste en asegurar que ninguno de los
transistores entra en saturacin. En pequea seal Q1 ve como carga la resistencia de
salida Zo (=hoe21) del transistor Q2 que corresponde a la resistencia de salida de un
espejo de corriente. La expresin de la ganancia en tensin se obtiene a partir del modelo
de pequea seal de este amplificador (se desprecia hre) indicado en la figura b y su valor
es

(5)

Las resistencias de carga en este tipo de circuitos son elevadas lo que se traduce en una alta
ganancia de tensin. Por ello, con una o dos etapas amplificadoras de estas caractersticas
se logran ganancias del orden de 100.000 a 1.000.000, impensable con elementos resistivos.

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FUENTE REGULADA CON ZENER:
El circuito de la figura 10 es un sencillo regulador de tensin construido mediante un
transistor bipolar como elemento de control, y una referencia de tensin que proporciona la
tensin de referencia y controla a ese transistor. El funcionamiento de este circuito es el
siguiente: si la tensin de salida (Vo) decrece, aumenta la tensin VBE del transistor e
incrementa su corriente lo que permite restaurar la tensin de salida. Por el contrario, si Vo
aumenta, la disminucin en la tensin VBE hace disminuir a su vez la corriente del
transistor cuyo efecto es intentar reducir la tensin de salida hasta restaurar Vo al valor
deseado.

Fig. 10. Regulador de tensin simple

en serie

INVESTIGACION:
1. FABRICANTES DE TRANSISTORES
a) Nombre del fabricante: Diodes Incorporated
b) Descripcin del transistor: TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
Ic,max = 200 mA; Vce,max = 150V; PDm = 200 mW ; hfe = 60
c) Encapsulado:

d) Cdigo digikey: MMDT5401-FDITR-ND

a) Nombre del fabricante: Panasonic Electronic Components
b) Descripcin del transistor: TRANS 2PNP 50V 0.1A MINI6
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Ic,max = 100 mA; Vce,max = 50V; PDm = 300 mW ; hfe = 210
c) Encapsulado:

d) Cdigo digikey: DMA204010RTR-ND

a) Nombre del fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
b) Descripcin del transistor: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Ic,max = 500 mA; Vce,max = 50V; PDm = 1,31 mW ; hfe = 100
c) Encapsulado:

d) Cdigo digikey: ULN2803AFWGCELTR-ND

2. SALIDAS DE COLECTOR ABIERTO

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Los rels tienen la gran ventaja de un total aislamiento entre la carga y nuestro
circuito, aparte de que visualmente se puede comprobar su estado, pero tienen el
problema de que no pueden funcionar a frecuencias muy elevadas. Para hacer
salidas rpidas, e incluso para las normales, se suelen utilizar salidas en colector
abierto. Estas salidas se basan en que el circuito que conmuta la salida no es un rel,
sino un transistor. Por ello la velocidad de conmutacin puede ser rapidsima,
aunque las tensiones y corrientes que se pueden conmutar no suelen ser muy
elevadas. Con una resistencia y un transitor podemos realizar una salida en colector
abierto aumentando la capacidad de corriente de la salida. La salida puede ser del
tipo PNP o del tipo NPN. El esquema adjunto muestra una salida del tipo NPN (la
nomenclatura viene dada por el tipo de transistor de salida. En este caso, la carga se
conecta entre alimentacin, normalmente 24 VDC y el colector del transistor. La
resistencia R1 debe ser tal que le transistor est en saturacin cuando conduzca, para
que as la tensin VCE sea muy baja, aproximadamente 0.2 V. En este caso, y
suponiendo que la corriente en la carga pueda llegar a ser de hasta 1 A, y la del
transistor sea de 100, Ic< * IB. Por lo tanto IB>10 mA. Haremos que IB = 20 mA.
Para ello R = (5-0.7)/20 = 0.215 K. Pondremos 200 y seguro que cumplimos.
Con una resistencia menor aseguraramos que para ms rango de corriente en la
salida el circuito funcionara correctamente, pero la corriente de salida del micro
sera ms grande.
La potencia disipada en el transistor es P=I*V. Si est saturado V=0,2. Si no est
saturado la tensin puede ser mucho mayor y la potencia disipada en el transistor
muy grande.
Salida colector abierto PNP. La salida en colector abierto tipo NPN es mucho ms
sencilla que la salida tipo PNP, pero activar una salida con un nivel bajo resulta en
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muchos casos engorrosa. Por ello, la salida tipo PNP es ms utilizada en la industria.
En esta salida cuando la tensin de salida es alta, la salida se activa.
Otra ventaja que tiene es que al haber 2 transistores, la corriente de salida del micro
se ve amplificada 2 veces, por lo sale menos corriente del micro. El circuito es ms
complejo, aqu vemos un ejemplo diseado para que pueda suministrar 10 A con
una de al menos 100 en cada transistor. Hay que tener en cuenta que el transistor
de salida debe soportar la corriente exigida, 10 A en este caso, y la potencia
disipada, 0.2 V x10 A = 2 W. Con corrientes elevadas la tensin
colector-emisor de saturacin suele ser algo mayor.

RESISTENCIAS PULL-UP Y PULL-DOWN:

A la hora de realizar proyectos electrnicos tenemos componentes que necesitamos que
funcionen en dos estados, HIGH o LOW. Pero aunque necesitemos estos dos valores para
determinar como actuar es posible que debido a diferentes factores como el ruido elctrico
o variaciones en la fuente de alimentacin el valor caiga a un rango indefinido y nos sea
imposible determinar si el estado es HIGH o es LOW. Para solucionar esto se utilizan las
resistencias Pull-Down y Pull-Up.

RESISTENCIA PULL-DOWN:

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Como se ve en el esquema la resistencia Pull-Down se conecta a tierra (GND), de esta

manera cuando el interruptor este abierto la corriente se dirigida hacia la resistencia
dejando un valor 0 en Vout y si el interruptor est cerrado la corriente se mover hacia Vout
dejando un valor lgico HIGH.
RESISTENCIA PULL-UP:

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En este caso es lo contrario, cuando el interruptor est abierto la corriente va desde la
fuente de alimentacin al Vout dando un valor lgico HIGH y cuando el interruptor est
cerrado la corriente se mueve hacia tierra (GND) dejando un 0 en Vout.
VALOR DE LA RESISTENCIA:
Las resistencias que se suelen usar para estos casos son resistencias con un valor de 10K,
un valor lo suficientemente alto para no influir en el circuito. No tiene porque ser
exactamente 10K, puede ser ms o menos.
CONCLUSIONES:
En este primer trabajo de transistores vimos como relacionar lo digital con lo analgico.
El transistor, con valores de resistencias de base adecuadas puede funcionar como un
interruptor activando un rel. Los voltajes de entrada y salida pueden ser interpretados
como 0s y 1s lgicos. La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los
circuitos e integrados lgicos, all se mantienen trabajando los transistores entre corte o en
saturacin, en otro campo se aplican para activar y desactivar rels, en este caso como la
carga es inductiva (bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la
"patada inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se debe hacer una proteccin
con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.
En la parte de Simulacin hubo confusin, porque no se saba que comparar, dejando la
resistencia de base de la gua de laboratorio (10k) se procedi hallar las corrientes de
colector y luego recalcular las resistencias de base.
Del circuito b. punto 1 se habl poco porque se careca de datos del laboratorio.
BIBLIOGRAFIA:
http://server-die.alc.upv.es/asignaturas/PAEEES/Puertos_de_entrada_y_salida_digitales.pdf
http://ovtoaster.com/resistencias-pulldown-y-pullup/
http://www.digikey.com/product-search/en/discrete-semiconductor-products/transistors-bjtarrays/1376378&prev=search
http://www.inventable.eu/controlar-rele-con-transistor/
Electrnica Bsica para Ingenieros, Gustavo A. Luis Robredo

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