Introduccin
INTRODUCCIN
La tarea de la electrnica de potencia es controlar el flujo de potencia por medio de
la conformacin de los voltajes de la red pblica utilizando dispositivos semiconductores
de potencia. En los ltimos aos, el campo de la electrnica de potencia ha experimentado
un gran crecimiento debido a la confluencia de varios factores. Ha habido avances
revolucionarios en los mtodos de fabricacin en la microelectrnica, lo cual ha permitido
el desarrollo de circuitos integrados lineales y procesadores digitales de seales los cuales
son usados como controladores en sistemas de electrnica de potencia. Adicionalmente,
estos avances en la tecnologa de fabricacin han hecho posible un mejoramiento
significativo de las especificaciones de corriente y voltaje de los dispositivos
semiconductores, a la vez que se ha incrementado su velocidad de conmutacin. Tambin
ha habido una expansin significativa del mercado relacionado con la electrnica de
potencia.
Esta demanda expandida del mercado tiene varias dimensiones. Hay un incremento
en la demanda de controles de velocidad variable para motores de compresores y bombas
utilizados en el control de procesos. Por otra parte los robots utilizados en la fbricas
automatizadas son controlados por servo motores con los servo controles apropiados. Debe
notarse que la disponibilidad de computadores apropiados para los procesos es un factor
de significativa importancia en la factibilidad para controlar un proceso o automatizar una
industria. Los avances en la tecnologa de fabricacin de la microelectrnica han llevado
al desarrollo de computadoras, sistemas de comunicacin y electrnica de consumo,
sistemas que requieren fuentes de alimentacin reguladas y con frecuencia fuentes de poder
ininterrumpidas (UPS). Si se considera el aumento constante del costo de la energa
elctrica, es evidente la casi obligatoriedad del uso eficiente de dicha energa. Por esto, los
sistemas de electrnica de potencia ofrecen un mejor costo-efectivo para el usuario.
En los sistemas electrnicos lineales, los dispositivos semiconductores son
utilizados en su regin de operacin lineal (activa), donde se comportan como una
FIE-UTP
-1-
resistencia variable.
Introduccin
energtica, la cual puede ser tolerada debido a que los niveles de potencia son usualmente
bajos, estando en el orden de unas pocas decenas de vatios.
En las aplicaciones de electrnica de potencia, la potencia es convertida de forma
controlada, en un rango que va desde unos pocos vatios hasta varios cientos de megavatios.
Por lo tanto, y en contraste con los sistemas electrnicos lineales, los dispositivos
semiconductores en los sistemas de electrnica de potencia operan como interruptores,
estando completamente encendidos o completamente apagados, lo cual da como resultado
una eficiencia energtica sustancialmente elevada. Este aumento en la eficiencia es
extremadamente importante debido al costo de la energa gastada y a la dificultad de
remover el calor generado por dicha energa.
Comercial
Industrial
Detalle
Refrigeracin y congelacin
Calefaccin
Acondicionamiento de aire
Cocina
Iluminacin
Electrnica (computadores personales, otros equipos de
entretenimiento)
Calefaccin, ventilacin y Acondicionamiento de aire
Refrigeracin central
Iluminacin
Equipo de oficina y computadoras
Fuentes ininterrumpidas de energa UPS
Elevadores
Bombas
Compresores
Secadores y ventiladores
Mquinas de herramientas
Hornos de arco y hornos de induccin
Iluminacin
Lser industrial
Calentamiento por induccin
Soldadura
FIE-UTP
-2-
Transporte
Redes elctricas
Aeroespacial
Telecomunicaciones
Introduccin
FIE-UTP
-3-
Introduccin
FIE-UTP
-4-
INTERRUPTORES ELECTRNICOS
DE POTENCIA
El incremento de las capacidades, facilidad de control y costo reducido de los
dispositivos semiconductores de potencia modernos comparados a los existentes hace
algunos aos atrs, ha hecho que los convertidores aparezcan en un gran nmero de
aplicaciones y ha abierto las puertas para la creacin de nuevas topologas para las
aplicaciones de electrnica de potencia. Con miras a entender la viabilidad de las nuevas
topologas y aplicaciones, es esencial que las caractersticas de los dispositivos de potencia
disponibles sean puestas en perspectiva. Con este fin se presentar un resumen de las
caractersticas de los dispositivos de potencia, como voltaje, corriente, velocidad de
conmutacin, entre otras.
La realizacin del anlisis de los convertidores de potencia se hace mucho ms fcil
si se pueden considerar los dispositivos semiconductores de potencia como interruptores
ideales. Con este enfoque se le resta atencin a los detalles de operacin de los dispositivos,
con lo cual se facilita la observacin de la operacin bsica del circuito. De esta forma, las
caractersticas importantes del convertidor pueden ser entendidas con ms claridad.
Los dispositivos semiconductores de potencia actuales pueden ser clasificados en
tres grupos de acuerdo a su grado de controlabilidad. Estos grupos son:
1. Diodos (rectificadores): el disparo y el bloqueo est determinado por el circuito de
potencia.
2. Tiristores: son disparados por una seal de control pero su bloqueo depende del
circuito de potencia. Slo se excepta el GTO.
3. Interruptores controlables: el disparo y el bloqueo se da mediante seales de
control. (Transistores de potencia y GTO)
FIE-UTP
-5-
2.1 DIODOS
En la figura 2.1 se muestra el smbolo del diodo sus caractersticas i-v en estado
estable. Cuando el diodo es polarizado en directa, ste conduce presentando una pequea
cada de voltaje, la cual est en el orden de 1V y depende en cierto grado de la corriente
que atraviesa el dispositivo y de la temperatura de su juntura. Cuando el diodo es
polarizado en reversa, slo se presenta una pequea corriente de fuga, la cual es de valor
despreciable y fluye por el dispositivo hasta que se alcance el voltaje de ruptura inverso.
En operacin normal el voltaje de ruptura inverso no debe ser alcanzado porque se
compromete al dispositivo.
FIE-UTP
-6-
Figura 2.2
FIE-UTP
-7-
FIE-UTP
-8-
Figura 2.4
FIE-UTP
-9-
fabricante
muestra
la
potencia
de
la
corriente
promedio
FIE-UTP
-10-
FIE-UTP
-11-
Especificaciones trmicas
Las resistencias trmicas definen la facilidad con que el dispositivo puede deshacerse del
calor generado en la juntura por la disipacin de potencia. En el siguiente captulo se revisar el
clculo de la potencia disipada en los dispositivos semiconductores de potencia, as como el
clculo del disipador de calor y los mtodos de reduccin de estrs.
FIE-UTP
-12-
4920 A. Ntese que para estos niveles de corriente ya no se utilizan los encapsulados de
plstico.
que
maneja
el
En este caso se
Otro diodo al que hacemos referencia es el SD6000C, que puede manejar hasta
6690 A, el cual es un valor bastante elevado. Las caractersticas principales de este diodo
se muestran en la siguiente tabla, junto al encapsulado del mismo.
FIE-UTP
-13-
En esta ltima grfica se presenta la dependencia que existe entre la cada de voltaje
en directa y la corriente maneja por el diodo. Observe como la cada llega a alcanzar
valores de hasta 3V para corrientes instantneas superiores a los 30000 A.
FIE-UTP
-14-
FIE-UTP
-15-
con
las
caractersticas
del
FIE-UTP
-16-
Cuando se comparan estos parmetros con los del diodo anterior, se nota
inmediatamente la diferencia. Para una corriente mayor, en este caso 30 A, el tiempo de
recuperacin es de 77ns. Obsrvese que el aumento de la temperatura de la juntura degrada
el desempeo del diodo, ya que para temperaturas mayores el diodo como buen
semiconductor presenta una mayor conductividad y es ms difcil su recuperacin.
Obsrvese tambin que la corriente de recuperacin reversa es de valor inferior a las
presentadas por el diodo anterior.
FIE-UTP
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Aplicaciones
Pequeo Vf
Bajo perfil
Montaje directo en
disipador de calor
Baja resistencia
termica
Soldadura
UPS
Fuente
conmutadas
Controles para
motores
Encapsulado
Diagrama
FIE-UTP
-18-
Esta nueva estructura permite que estos transistores puedan comportarse de forma
algo diferente a los transistores de seal, hecho que queda de manifiesto al observar su
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-19-
caracterstica de salida, donde aparece una nueva regin llamada regin de cuasisaturacin. Debido a que el objetivo principal del uso de los transistores en electrnica
de potencia es hacerlos operar como interruptores, los mismos no operan en forma
permanente en la regin de activa, slo la atraviesan para pasar del estado de corte a la
saturacin y viceversa.
Cuando se analiza la operacin de un convertidor slo se estudian los circuitos
cuando el transistor est conduciendo y cuando el transistor est abierto, o sea, se
desprecian los estados intermedios.
FIE-UTP
-20-
a bajas frecuencias (menores a 5kHz). Estos transistores tienen ganancias de corriente que
no superan las 10 unidades, motivo por el cual el circuito de comando de la base debe ser
un circuito robusto y con cierta capacidad de manejo de corriente.
Con el propsito de poder utilizar los BJT de potencia en los convertidores de
potencia se fabrican los transistores Darlington. Los Darlington utilizados, cuyo circuito
es similar al mostrado en la figura 2.7, pueden ser de dos o tres etapas. Obsrvese la
presencia del diodo D1, el cual permite extraer la carga acumulada en transistor principal
(M).
Con este arreglo se pueden lograr ganancias superiores a las 100 unidades,
M D M D
(2.1)
Figura 2.7. Circuito para un Darlington de potencia de 2 etapas. El diodo D2 es til para
aplicaciones en convertidores de puente H.
FIE-UTP
-21-
FIE-UTP
-22-
Figura 2.9 Smbolo y Estructura bsica del MOSFET de potencia. Observe que las tres
caractersticas mencionadas para los transistores de potencia estn presentes en
esta estructura.
FIE-UTP
-23-
PON RDS ON I D2
(2.2)
FIE-UTP
-24-
o Darlington de potencia. Sin embargo, para elevados valores de voltajes las prdidas se
haran inmanejables, por lo tanto, no se consiguen MOSFET de potencia para altos voltajes
y corrientes.
Hojas de datos
A continuacin se presenta los datos principales del MOSFET IRF2204 de
International Rectifier. Este dispositivo soporta un voltaje mximo entre drenaje y fuente
de 40V y puede manejar una corriente promedio de 210 A, con una resistencia de encendido
de 3.6m.
Mximos absolutos
FIE-UTP
-25-
Caractersticas trmicas
En la tabla anterior se muestran los valores para los tiempos de conmutacin para
un punto de operacin especfico, lo que deja en evidencia que los tiempos de conmutacin
no son parmetros constantes para el dispositivo. En este caso los retardos (td) estn
relacionados principalmente con la carga y descarga de la capacitancia de entrada. El
tiempo de subida (tr) en este caso alcanza los 140ns y el tiempo de cada (tf) los 110ns.
FIE-UTP
-26-
Esta
Observe que la resistencia de encendido est normalizada a 25C, valor para el cual
el factor obtenido de la curva es 1. Sin embargo, para la temperatura mxima el factor
obtenido llega a 2.1, con lo cual la potencia disipada se habr duplicado.
FIE-UTP
-27-
Es importante
IRF3415
FIE-UTP
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IRFP360
IRFPG50
ID
RDS(ON)
tr
tf
IRF2204
IRF3415
IRFP360
IRFPG50
FIE-UTP
-29-
Tambin debe aclararse que aunque los tiempos de cambio para la corriente y el
voltaje durante la conmutacin sean diferentes, en las datas de fabricante slo se definen
los tiempos para las corrientes, por lo tanto, si se requieren los tiempos para los voltajes
debern aproximarse a los tiempos de las corrientes.
Como punto final debe acotarse que los MOSFET de potencia pueden operar a
frecuencias tan altas como 100KHz, esto claro, dependiendo de la carga y el circuito de
comando de la compuerta. Por ejemplo, para el ltimo dispositivo la suma de los tiempos
de conmutacin es de 220ns. Si se considera que este tiempo no debera ser mayor al 5%
del perodo, entonces el perodo mnimo sera de 4.4s, lo que da como resultado una
frecuencia mxima de 225kHz.
FIE-UTP
-30-
debe conectarse directamente a un circuito integrado, sino que debe utilizarse un circuito
de comando como interfaz.
(d)
Figura 2.11
FIE-UTP
-31-
Figura 2.12
FIE-UTP
-32-
Hojas de datos
Las hojas de datos de los IGBT no aportan elementos nuevos a nuestro anlisis,
pero debe mencionarse que a pesar de que los IGBT no poseen un diodo en antiparalelo
como los MOSFET, algunos fabricantes le aaden este dispositivo para facilitar su uso en
el control de velocidad para motores elctricos.
A continuacin se presentarn algunos de los parmetros del IGBT IRG4P254S
de International Rectifier, el cual es un dispositivo de 250V y 55A, corriente para la
que presenta una cada de voltaje entre drenaje-fuente de 1.32V.
Mximos absolutos
De los valores mximos del dispositivo se puede resaltar la degradacin de la
potencia disipada con el aumento de temperatura, tambin observe que la temperatura
mxima de la juntura slo llega a 150C.
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Resistencia trmica
FIE-UTP
-34-
hara
que
su
voltaje
se
FIE-UTP
-35-
En el caso de la
corriente de 55 A, no es perceptible el
efecto de la temperatura.
PREGUNTAS:
1. Por qu el semiconductor en contacto con los terminales principales de los
dispositivos de potencia est altamente dopado?
2. Qu potencia puede disipar el MOSFET IRF2204 cuando la temperatura del
encapsulado es de 100C?
3. Para qu el fabricante provee el valor de la resistencia trmica entre juntura y
ambiente?
4. Por qu los BJT de potencia no son utilizados en circuitos de medias potencias?
5. Por qu un MOSFET de potencia a pesar de ser controlado por voltaje no puede ser
manejado directamente por un circuito integrado.
6. Explique con sus palabras y haciendo referencia al diagrama de la estructura del
MOSFET de potencia, por qu la resistencia de encendido aumenta con el voltaje
mximo que pueden soportar.
7. Por qu es necesario aplicar un voltaje negativo a la base de los BJT de potencia
cuando se quiere apagarlos, en circuitos de electrnica de potencia.
8. Por qu la barrera de potencial en un diodo Schottky es menor que en un diodo
estndar?
9. Para qu aplicaciones se prefiere un IGBT en lugar de un MOSFET y por qu?
10. Cul es el valor del voltaje de encendido en un IRG4P254S que conduce 50A, y
diga si este valor depende de la temperatura de juntura.
11. Dibuje el diagrama de un Darlington de tres etapas, considerando la necesidad de
retirar la carga acumulada en la base de los transistores.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-36-
12. Dibuje el diagrama de un circuito de antisaturacin para un BJT que no permita que
el voltaje de colector-emisor disminuya por debajo de 2.1V.
13. Por qu razn la ganancia de corriente en los BJT de potencia presenta valores tan
bajos? (entre 5 y 10 unidades). Su respuesta debe relacionarse con la estructura
fsica del dispositivo.
14. A qu se debe que los MOSFET de potencia presenten una eleva resistencia de
encendido RDS-ON, cuando son diseados para soportar altos voltajes.
15. Qu es el fenmeno de segunda ruptura, cuando puede presentarse y que puede
hacerse para evitarlo.
16. Para qu condiciones de aplicacin se hara necesario utilizar un GTO en lugar de
un IGBT.
17. Para un IGBT con la curva de Ic vs Vge igual a la presentada en la pgina 35, que
maneja una corriente de carga de 37A, cuanta corriente pasar por este dispositivo
si el voltaje de entrada (Vge) es de 7.5V para una temperatura de juntura de 150C.
FIE-UTP
-37-
Prdidas y Snubbers
CLCULO DE PRDIDAS Y
CIRCUITOS DE AYUDA A LA
CONMUTACIN
En este captulo se presentar el procedimiento para el clculo de las prdidas de
potencia en un transistor, paso esencial para el clculo del disipador de calor apropiado
para que la juntura del dispositivo no sobrepase el mximo especificado, ya que de ser as,
la vida til del dispositivo se ve comprometida. Tambin se analizarn los circuitos de
ayuda a la conmutacin (snubber), para el disparo y para el bloqueo, los cuales tienen
como funcin reducir las prdidas en los transistores, modificando la trayectoria de la
conmutacin, y adems reducen los estrs de voltaje y corriente sobre el transistor, los que
pueden llevarlo a una falla por segunda ruptura.
FIE-UTP
-38-
Prdidas y Snubbers
PON VCE ON I O D
(3.1)
PON RDS ON I O2 D
(3.2)
b. MOSFET de potencia
FIE-UTP
-39-
Prdidas y Snubbers
Figura 3.1
FIE-UTP
-40-
Prdidas y Snubbers
Analizando las curvas, podemos ver que para el caso inductivo, la corriente y el
voltaje en el transistor no evolucionan a la vez, como sucede en el caso resistivo, y esto se
debe exclusivamente al diodo colocado en antiparalelo con la carga. Ntese tambin que
existen tiempos tdON y tdOFF, los cuales estn relacionados con la colocacin y remocin
de la carga del transistor. Por otra parte, los tiempos asociados con la subida y cada del
voltaje y la corriente no son iguales, sin embargo, en las hojas de especificaciones no se
dan los valores para ambas variables, slo se definen los relacionados a la corriente.
Como se aprecia en la figura 3.1, la energa asociada a cada conmutacin depende
de los valores de corriente y voltaje de la carga y de los tiempos de conmutacin. Sin
embargo, como nuestro inters es el clculo de la potencia, estos valores deben sumarse y
multiplicarse por la frecuencia de conmutacin, dando como resultado la siguiente
ecuacin:
PS 12 VO I O f S t ri t fv t rv t fi
(3.3)
Cuando se considera que las hojas de datos no presentan todos los parmetros
necesarios, se hace obligatorio aproximar los tiempos de conmutacin de corriente y voltaje
a los presentados en la hoja de especificacin y obtener la siguiente ecuacin.
PS VO I O f S t r t f
(3.4)
FIE-UTP
-41-
Prdidas y Snubbers
(3.5)
Figura 3.2
FIE-UTP
-42-
Prdidas y Snubbers
vCE Vd L
diC
dt
(3.6)
FIE-UTP
-43-
Prdidas y Snubbers
vCS
I Ot 2
2CS t fi
(3.7)
Esto funciona adecuadamente para el fin deseado, pero al inicio del siguiente
perodo el capacitor se descargar sobre el transistor provocando un pico de corriente que
no es deseable.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-44-
Figura 3.4
Prdidas y Snubbers
Para evitar esto, se coloca una resistencia en serie con el capacitor, pero slo una
resistencia aumentara mucho la constante de tiempo durante el bloqueo, y la frecuencia de
conmutacin podra verse afectada. Para tener dos constantes de tiempo diferentes se
coloca un diodo en paralelo con la resistencia, lo cual permite que el capacitor se cargue a
travs del diodo durante el bloqueo y se descargue a travs de la resistencia durante el
disparo. El valor del capacitor CS1 puede determinarse a travs de la siguiente ecuacin.
FIE-UTP
-45-
Prdidas y Snubbers
CS1
I O t fi
2Vd
(3.8)
El valor de la resistencia serie, as como su potencia, pueden ser calculados por las
siguientes ecuaciones
Vd
0.2 I O
RS
(3.9)
C SVd2
PR
fS
2
(3.10)
FIE-UTP
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Prdidas y Snubbers
Las frmulas apropiadas para el clculo de los elementos del snubber son las
siguientes:
VCE
LS I O
t ri
PR
LS I O2
fS
2
(3.11)
(3.12)
(3.13)
FIE-UTP
-47-
Figura 3.6
Prdidas y Snubbers
FIE-UTP
-48-
Prdidas y Snubbers
que en la regin que pareca no tener luz visible haba ms energa que en la regin roja
del especro.
La termografa ha evolucionado por decenas de aos desde las primeras cmaras que
necesitaban enfriamiento del sensor infrarrojo a temperturas por debajo de -100C, hasta
las cmaras actuales que no requieren refrigeracin en absoluto. En la actualidad se pueden
encontrar cmaras muy econmicas que sirven para realizar inspecciones sencillas (por
menos de B/. 2,000.00) hasta cmaras que permiten ver fugas de hidrocarburos en
estaciones petroleras (por encima de B/. 100,000.00). Aunque existen muchos fabricantes
de equipos infrarrojos, la mayora se queda en la fabricacin de equipos de gama baja o
media.
Frecuencia: No tiene que ver con la red elctrica, sino con la velocidad de
trabajo de la cmara. Una cmara de 9Hz puede ser algo lenta.
FIE-UTP
-49-
Prdidas y Snubbers
Las cmaras termogrficas pueden ser utilizadas para muchas aplicaciones, entre ellas
tenemos:
Componentes electrnicos
FIE-UTP
-50-
Prdidas y Snubbers
Para el buen uso de estos equipos hay que tener algunos cuidados, ya que por tratarse de
imgenes se pueden cometer algunos errores al aplicar la lgica. A continuacin algunos
datos que debe considerar para que pueda medir la temperatura del encapsulado y del
disipador sin mayores problemas.
1. La cmara debe estar configurada adecuadamente con los parmetros ms
importantes: emisividad, temperatura reflejada y distancia.
2. Mientras mayor la emisividad mejor se puede realizar la termografa, pero su valor
debe ser el correcto y depende del objeto. Para el transistor se puede utilizar 0.95
pero el disipador es diferente. Si el aluminio est pintado tambin puede intentar
con un valor elevado como 0.9, pero si est sin pintar podra trabajar con 0.7.
3. La temperatura reflejada debe ser medida con un procedimiento especfico,
utilizando un trozo de papel de aluminio arrugado. Pero si se encuentra en un saln
de laboratorio puede utilizar un valor aproximado de 25C.
4. Si la cmara le pide la distancia del objeto debe poner la distancia correcta,
probablemente 1 metro.
5. Cuando tome la imagen los colores ms claros indican los puntos ms calientes en
la mayora de los casos. Esto depende de la paleta de color seleccionada. Algunas
cmaras tienen las paletas hierro, lava y arcoris.
6. Asegurese de que el objeto est bien enfocado y luego tome la imagen.
7. Transfiera su imagen a un software de anlisis. La facultad de Ingeniera Elctrica
cuenta con dos cmaras flir.
Existe un software gratuito que
puede descargar de la pgina
www.flir.com, FLIRTOOLS.
8. Utilizando las herramientas de
anlisis como puntos, lneas y
reas
podemos
comportamiento
evaluar
trmico
el
del
componente
FIE-UTP
-51-
Prdidas y Snubbers
PROBLEMAS RESUELTOS
PROBLEMA 1:
Se utiliza un MOSFET de potencia para controlar una carga
de 24V/100 A, la cual puede conmutarse a 2.5kHz (modo econmico) o a 25kHz
(modo silencioso). La relacin cclica para el control de la carga puede variar
entre 0.2 y 0.75 y la temperatura ambiente vara entre 23 y 42C.
Determine el valor mximo de la resistencia trmica del disipador de calor?
Solucin : Para seleccionar el MOSFET a utilizar en nuestra aplicacin se consulta
la DATA de fabricante del dispositivo, y se debe verificar que su VDSS(Voltaje mximo
que soporta entre drenaje- fuente) sea mayor que el voltaje requerido por la carga.
De igual forma la ID (Corriente de drenaje promedio que soporta el dispositivo) sea
mayor que la corriente que requiere la carga. Tomando en cuenta stas disposiciones
seleccionamos el MOSFET IRF2204, ya que el mismo soporta 40V y 210A. De la
data del fabricante anotamos los siguientes valores que son necesarios para la solucin
del problema:
RDS(on) = 3.6m @ 25 C
TJmax = 175 C
PT Pon PS
Al calcular PT es importante tener en cuenta que deseamos calcular la mxima
RSA( tamao mnimo del disipador) por lo cual debemos disear para las
peores condiciones de operacin dadas en el problema. Esto es ms alta
frecuencia de operacin, ms tiempo de encendido (ciclo de trabajo, D, mayor)
y temperatura ambiente ms elevada.
FIE-UTP
-52-
Prdidas y Snubbers
PS 15W
Potencia Total
PT Pon PS
PT 47 .25W 15W
PT 62 .25W
TJ Ta
RJC RCS
PT
FIE-UTP
-53-
Prdidas y Snubbers
140 42
0.45 0.5
62.25
RSA 0.62 C / W
RSA
PROBLEMA 2:
Se controla una carga inductiva de 90V y 30A con un
MOSFET. El ciclo de trabajo vara entre 0.1 y 0.90 y la frecuencia de operacin
puede ser de 8kHz 30kHz. Encuentre el valor de la resistencia trmica del
disipador de calor. La temperatura ambiente vara entre 30 y 42C.
Solucin:
Para satisfacer los requerimientos de corriente y voltaje de la
carga inductiva el MOSFET adecuado es el IRF3415.
VDSS = 150V
ID = 43 A
De la data del fabricante tenemos
RDS(on) = 0.042 @ 25 C
TJmax = 175 C
tr = 55 ns
tf = 69 ns
JMax
JC
CS
SA
=175 grados
=0.75 Grados/watt
=0.5 Grados/watt
= ?
T =42 grados
a
FIE-UTP
-54-
Prdidas y Snubbers
PS 90 30 30 10 3 55 10 9 69 10 9
PS 10 .04W
Potencia Total
PT Pon PS
PT 88.45W 10 .04W
PT 98 .49W
Resistencia trmica del disipador
TJ Ta
RJC RCS
PT
175 42
RSA
0.75 0.5
98.49
RSA 0.1004 C / W
RSA que acabamos de calcular es el valor mximo que da el tamao mnimo del
disipador. Si RSA hubiera sido negativa se tendra que bajar la Ta o disminuir
la frecuencia de operacin. Si aun as sigue negativa se procede a cambiar el
transistor.
RSA
PROBLEMA 3: Se desea conmutar una carga de 180 VDC y 37A a una frecuencia
de 10kHz. El ciclo de trabajo puede ser ajustado entre 0.1 y 0.9. La temperatura
ambiente oscila entre 27 y 42 C.
a) Determine el tamao mnimo del disipador de calor.
b) Disee el snubber de bloqueo si CS=CS1.
c) Calcule Nuevamente el disipador de calor.
d) Disee el snubber de disparo si:
VCE=0.45Vd
VCemx = 0.12Vd
e) Calcule el nuevo Disipador
FIE-UTP
-55-
Prdidas y Snubbers
Solucin:
Como primer paso verificamos los requerimientos de la carga
para luego seleccionar el dispositivo que vamos a utilizar. Para las
condiciones de la carga de corriente, voltaje y frecuencia el dispositivo
indicado para este problema es un IGBT IRG 4P254S
VCES = 250V
IC = 55 A
De la hoja de datos
VCE(on) = 1.32V @ 55A
TJmax = 150 C
tr = 45 ns @ 150C
tf = 940 ns @ 150C
Pon 43 .956W
PS VO I O f S t r t f
PS 180 37 10 10 3 45 10 9 940 10 9
PS 65 .60W
PT 43.956W 65 .60W
PT 109 .557W
TJ Ta
RJC RCS
PT
150 42
RSA
0.64 0.24
109.557
RSA 0.1057 C / W
RSA
C S1
C S1
37 * 940 10 9
2 *180
9.66 10 8 F
RS
Vd
0.2 I o
180
0.2 * 37
RS 24 .32
RS
FIE-UTP
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Prdidas y Snubbers
1
1
PRS CSVd2 f S 96.6 10 9 1802 10 103
2
2
PRS 15 .65W
2
2
37 940 10 9 10 10 3
I o2 t 2f f s
24 9.66 10 8
24C S1
PQ 5.22W
Debemos recordar que las prdidas de conmutacin, sin la
utilizacin de Snubbers, estn compuestas por las prdidas en
el disparo y el bloqueo del dispositivo, esto es
PS Pdisparo Pbloqueo ,
PS
.
2
Al colocar el snubber de bloqueo las prdidas de potencia en
el bloqueo cambian, se reducen y estn terminadas por PQ.
P
Las prdidas en el encendido siguen siendo Pdisparo S ya que
2
no hay snubber de disparo
por ende Pdisparo Pbloqueo
PT 81 .976W
c) Nuevo Disipador de Calor
ste disipado se calcula utilizando PT 81 .976W
RSA
RSA
TJ Ta
RJC RCS
PT
150 42
0.64 0.24
81.976
RSA 0.437 C / W
FIE-UTP
-57-
Prdidas y Snubbers
VCE
LS I O
, entonces
tr
VCE t r 0.45180 45 10 9
Io
37
Ls
Ls 98 .51nH
VCE max RLS I o , de aqu que
RLS
Io
37
R LS 0.58
2
L S I o2
98.51 10 9 37
PR
fs
10 10 3
2
2
PR 0.67W
VCE = 180V
IO = 37A
VCE = 81V
99 V
tr = 45ns
ic
Io
tr
PQ
1
TS
PQ
VCE I O t r2 VCE I O t r
fS
TS t r 2
2
tr
VCE
IO
tdt
tr
FIE-UTP
-58-
Prdidas y Snubbers
PQ 0.824W
Para el clculo de la nueva PT debemos considerar los efectos de ambos
Snubbers.
Disparo
on
RSA
RSA
Bloqueo
TJ Ta
RJC RCS
PT
150 42
0.64 0.24
50.00
RSA 1.28 C / W
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1: Se utiliza un MOSFET para conmutar una carga de 24 V y 100A
a una frecuencia de 50kHz. Calcule la potencia total disipada por el transistor.
El ciclo de trabajo vara entre 0.2 y 0.8.
Pon 60 .48W
PS 30W
PT 90 .48W
FIE-UTP
-59-
Prdidas y Snubbers
a.)
Pon 54 .88 W
PS 19 .64 W
Disipador de calor
RSA 0.454 C / W
FIE-UTP
-60-
c.)
Prdidas y Snubbers
Snubber de Bloqueo
C S 1 9.487 nF
RS 18 .18
PRS 2.732 W
PQ 0.9108 W
Snubber de Disparo
Ls 120 nH
R LS 0.3636
PR 2.6136 W
d.)
Nuevo Disipador
PQ 1.742 W
RSA 0.957 C / W
e) Seleccin del disipador de calor.
Para seleccionar el disipador solo observe la figura y escoja el disipador con una
resistencia trmica ligeramente menor a la obtenida en nuestros clculos.
FIE-UTP
-61-
Tiristores
TIRISTORES
Los tiristores son dispositivos que se diferencian de los transistores principalmente
por tener cuatro capas bsicas en su estructura interna.
FIE-UTP
-62-
Tiristores
FIE-UTP
-63-
Tiristores
Es importante sealar que al adquirir un SCR su voltaje VDRM o VBO debe ser mayor
al voltaje mximo de la aplicacin. Por ejemplo, si se utilizar el SCR en un circuito
de 120Vrms, se debe considerar que el voltaje mximo es de 169.7V, por lo que el SCR
debe ser por lo menos de 200V.
FIE-UTP
-64-
Tiristores
Con el circuito anterior se puede variar el momento en que se aplican los valores de
corriente y voltaje de compuerta necesarios para la conduccin del SCR (IGT, VGT). Esto
se consigue mediante la variacin de R2.
El tiempo transcurrido desde el cruce por cero de la seal de voltaje de corriente
alterna y el momento en que se da la corriente necesaria para la conduccin, se conoce
como ngulo de disparo y normalmente se denota con la letra griega . Para el circuito
FIE-UTP
-65-
Tiristores
mostrado en la figura 4.3, slo puede ser aumentado hasta un lmite de 90, ms all de
este valor no se tiene control sobre el ngulo de disparo.
Pregunta:
Explique por que razn no se pueden conseguir ngulos de disparo mayores con este
circuito.
Figura 4.4.
FIE-UTP
-66-
Figura 4.5
Tiristores
En la figura 4.6 se muestra un circuito con dos SCR, el cual permite utilizar ambos
semiciclos de la seal de voltaje de corriente alterna. En la parte b) se observa la forma de
onda rectificada y el ngulo de disparo. En esta figura no se hace nfasis en el circuito de
control del ngulo de disparo, pero este puede ser similar a los mostrados anteriormente o
puede ser algo ms complejo, inclusive puede ser una seal generada por un
microcontrolador y aplicada al SCR a travs de un optoacoplador.
NOTA:
La mayora de los circuitos de control para los SCR y TRIAC permite el control del
ngulo de disparo entre 30 y 150, lo que a primera vista puede parecer el resultado
de un control con poca precisin, al pensar que no se tiene control sobre un tercio de
la seal total (180). Ahora bien, si se piensa en el objetivo del circuito, que es
controlar la potencia aplicada a la carga y se recuerda que la potencia es funcin del
cuadrado del voltaje, se tendr una situacin muy particular. La onda de voltaje es
senoidal y si se grafica el seno2 se tendr que la potencia aplicada a la carga es
proporcional al rea bajo esta curva. Durante los primeros 30 y los ltimos 30 grados
de la seal seno2, el rea bajo la curva es realmente mnima, menor al 5%, por lo tanto
FIE-UTP
-67-
Tiristores
Figura 4.6
Hojas de datos
A continuacin se presentar informacin sobre el SCR 50RIA de International
Rectifier, el cual puede manejar hasta 50 A y tiene un tiempo de bloqueo de 110s
soportando un amplio rango de voltajes, dependiendo del dispositivo.
FIE-UTP
-68-
Tiristores
En las curvas
adjuntas se
FIE-UTP
-69-
Tiristores
ST3230C
Caractersticas
Enfriamiento de doble lado
Alta capacidad contra transitorios
Libre de fatiga
Aplicaciones tpicas
Control de motores DC
Fuentes de energa DC
Controladores AC
FIE-UTP
-70-
Tiristores
FIE-UTP
-71-
Tiristores
El GTO mantiene la estructura bsica de cuatro capas y los perfiles de dopaje del
SCR, pero presenta tres diferencias fundamentales.
FIE-UTP
-72-
Tiristores
FIE-UTP
-73-
Figura 4.8
Tiristores
FIE-UTP
-74-
Tiristores
FIE-UTP
-75-
Figura 4.10
Tiristores
Hojas de datos
A continuacin se presentan algunas de las caractersticas del TRIAC MAC16D
de Motorola.
FIE-UTP
-76-
Tiristores
FIE-UTP
-77-
Tiristores
necesitndose
menos
FIE-UTP
-78-
Figura 4.11
Tiristores
FIE-UTP
-79-
Tiristores
Operativamente los terminales del UJT no tienen ninguna relacin con los terminales de
un transistor bipolar.
El smbolo, modelo y curva caracterstica del UJT se muestran en la figura 4.12.
En el modelo se puede observar que no existe ninguna juntura entre B2 y B1, por lo tanto
el semiconductor se comporta de forma resistiva entre estos terminales. El valor de esta
resistencia comnmente oscila entre 6 y 10k.
El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: cuando se aplica un voltaje
entre las bases se define un voltaje en el ctodo del diodo el cual podra ser calculado por
divisor de voltaje, si se conoce el valor de ambas resistencias. Mientras el voltaje en el
emisor (el nodo del diodo) sea menor que el voltaje en el ctodo, el dispositivo no
conducir. Cuando el voltaje en el emisor sea mayor que el voltaje en el ctodo ms el
voltaje de umbral del diodo (0.6V tpicamente), el dispositivo comenzar a conducir; a este
voltaje se le conoce como voltaje pico (Vp). Los portadores de carga que ingresan a la
regin de la base 1, disminuirn su resistencia elctrica y el voltaje en el dispositivo caer
rpidamente hasta llegar al valor conocido como voltaje valle (Vv). En este momento si la
corriente que atraviesa el emisor es mayor que la corriente valle Iv, el dispositivo
continuar conduciendo, si la corriente es menor el dispositivo se apagar.
A partir del modelo del UJT, se puede definir la relacin intrnseca en funcin de
sus resistencia internas. A partir de este valor se puede definir el valor del voltaje pico para
el cual el dispositivo conducir.
VEB1 VD
rB1
VB 2 B1
rB1 rB 2
rB1
r
B1
rB1 rB 2 rBB
V P VS V D
(4.1)
(4.2)
(4.3)
FIE-UTP
-80-
Tiristores
FIE-UTP
-81-
Tiristores
Oscilador de relajacin
En la figura 4.13 se muestra el circuito y las formas de onda de un oscilador de
relajacin con UJT. La salida de este circuito est en la base 1, punto que puede ser
utilizado para el disparo de un SCR o TRIAC. En este circuito el capacitor se cargar de
la fuente DC a travs de la resistencia RE. Cuando el voltaje de emisor alcance el valor de
Vp el dispositivo empezar a conducir, siempre que la corriente que pasa por RE sea mayor
que la corriente pico, caso contrario el capacitor continuar cargndose hasta llegar a VS y
el circuito no oscilar.
De lo anterior se desprende que RE tiene un valor mximo que est definido por VP,
IP y VS, esta relacin puede observarse en la siguiente ecuacin.
RE _ max
VS VP
IP
(4.4)
FIE-UTP
-82-
Tiristores
RE _ min
VS VV
IV
(4.5)
Para definir el valor de R1 debe considerarse la forma de onda del voltaje en esta
resistencia, en la cual se generan picos de voltaje en el momento que el UJT conduce, y
permanece un voltaje residual cuando el mismo est apagado. Los tiristores slo deben ser
disparados por los picos de voltaje y nunca por seales de ruido que se sumen al voltaje
residual. Por esta razn el voltaje residual debe mantenerse alrededor de 0.3V, algo alejado
del voltaje de disparo de los tiristores (0.6V). Si se considera que los voltajes tpicos en
estos circuitos, as como los valores de resistencia interbase, se tendr como resultado una
corriente en R1 cercana a los 3mA. Para que el voltaje en R1 no supere los 0.3V, dicha
resistencia no debe superar los 100.
bidireccional en voltaje, el UJT no funciona para voltajes negativos, motivo por el cual se
utiliza un diodo zener.
Ejemplo de aplicacin
El funcionamiento del circuito de la figura 4.13 puede describirse de la siguiente forma:
1. Durante el semiciclo positivo el voltaje de entrada aumenta rpidamente hasta
alcanzar el valor del voltaje zener.
2. En este momento el zener fija el voltaje para el circuito de oscilacin y la resistencia
Rd soporta el voltaje excedente.
3. El capacitor CE se carga a travs de las resistencia de emisor, esta carga durar ms
o menos, dependiendo de los valores fijados en las resistencias.
4. Cuando el voltaje en el capacitor alcance el valor de Vp el UJT conducir y el
capacitor se descargar a travs del UJT.
5. Durante la descarga del capacitor se presentar un pico de voltaje en R1. Dicho
voltaje ser utilizado para el disparo del SCR.
FIE-UTP
-83-
Tiristores
Figura 4.13
FIE-UTP
-84-
Tiristores
de utilizar, ya que si no se cuenta con las curvas del fabricante es muy probable que no se
pueda definir el rango correcto de valores de RE para los cuales el dispositivo oscila.
En la figura 4.14 se muestra el smbolo del dispositivo, as como su curva
caracterstica, la cual no difiere mucho de la curva del UJT. En la figura 4.15 se presenta
un oscilador de relajacin con PUT, para este caso la resistencia equivalente ser el paralelo
de 16k y 27k, o sea 10k. El voltaje equivalente o Vs se puede obtener del divisor de
voltaje, siempre y cuando se conozca el voltaje de la fuente. Suponga que la fuente es de
10V, entonces Vs ser igual a 6.28V.
Figura 4.15
Oscilador de relajacin con PUT. El voltaje de salida puede ser utilizado para
el disparo de un SCR o TRIAC.
FIE-UTP
-85-
Tiristores
La ventaja del oscilador de relajacin con PUT, mostrado en la figura 4.15, con
relacin al oscilador con UJT es su inmunidad al ruido. Esto se debe a que antes de que el
dispositivo conduzca, la corriente que lo atraviesa es aproximadamente cero, y el voltaje
residual en el resistor de 20 es prcticamente cero.
A continuacin se presentan algunos datos de la hoja de especificaciones del PUT
2N6027 de Motorola. Este dispositivo puede soportar hasta 40V entre nodo y ctodo y
puede manejar una corriente promedio de 150mA en el nodo. Su disipacin de potencia
es de 300mW y decrece a razn de 4mW por cada grado centgrado de aumento en la
temperatura del encapsulado.
PUT 2N6027
FIE-UTP
-86-
Tiristores
FIE-UTP
-87-
Tiristores
desarrollada y comn hoy en da, los segundos son los que pueden absorber ms energa y
los ltimos los que reaccionan ante voltajes menores.
Estadsticamente podemos hablar de que existen una 2000 tormentas simultaneas
en el planeta y caen cerca de 100 rayos por segundos, lo que nos lleva a 4000 tormentas y
9 millones de rayos cada da, matando alrededor de 1000 personas cada ao. Otro motivo
de preocupacin es que Panam tiene un clima que hace propicia la formacin de tormentas
elctricas, y aunque no existen estadsticas oficiales de afectaciones se sabe que las
descargas elctricas han causados muchas prdidas directas e indirectas a industrias y
comercios y tambin en el sector residencial.
FIE-UTP
-88-
Tiristores
cuando
se
compran
soluciones
comerciales como los provistos por la marca APT (Advance Protection Technologies INC).
La forma en que estos dispositivos operan es bastante sencilla, lo que hacen es que
al presentarse un voltaje mayor al umbral de activacin, su resistencia disminuye
drsticamente por lo que prcticamente entran en corto. Esto provee un camino de baja
impedancia hacia tierra, para el evento de alta energa que provoca el sobrevoltaje. Lo
anterior quiere decir que de nada nos sirven los supresores de sobrevoltajes si la instalacin
no tienen un sistema de aterrizaje apropiado.
Por ltimo, en la actualidad los supresores se definen como supresores de tipo 1,
tipo 2 y tipo 3, como se muestra en la siguiente imagen, siendo el tipo 1 el supresor que
puede ser colocado en cualquier parte de la instalacin sin peligro alguno. Como se
muestra, la idea es hacer una coordinacin entre los diferentes tipos de supresores para
reducir paso a paso el evento de sobrevoltaje hasta niveles manejables por los equipos.
FIE-UTP
-89-
Tiristores
PROBLEMAS RESUELTOS:
PROBLEMA 1:
Para el circuito mostrado:
a.) Calcule el valor de R2 que causar un retardo de disparo de 90.
b.) Si R2 = 2.5 k, calcule el ngulo de conduccin y el ngulo de retardo de
disparo.
Rcarga
R1
1k
SCR1
SCR
115 Vrms
60Hz
R2
GT
=35mA
Solucin
a)
IGT = 35mA
R1 R2
162.63
4.65 k
35 10 3
R2 4.65 1 3.65 k
b)
VS 115 2 sin
122.5
48.87
115 * 2
180 48 .87 131 .13
sin 1
conducin
FIE-UTP
-90-
Tiristores
PROBLEMA 2:
El siguiente circuito de control es usado con una fuente
conmutada de voltaje CD de 60 V. La IGT del SCR es 10 mA.
a.) Si la fuente de CD es encendida repentinamente, para los valores mostrados
en el esquema de circuito. Cunto tiempo transcurre antes del disparo del
SCR?
b.) Qu valor de C causar un retardo de tiempo de 70 ms entre el cierre del
interruptor y el disparo del SCR.
Rcarga
S1
R1
1k
R2
60V
2.5k
R3
1k
D1
SCR1
SCR
C
0.5uF
Solucin:
a.)
VC VS 1
3
11 .3 601 1.7510
11 .3 60 1
FIE-UTP
-91-
Tiristores
1 0.1883
70103
7010
ln 0.811667 ln
70 10 3
0.208665
335.5 ms
C
R1 R2
335.5 10 3
95.86 F
3.5 10 3
Fuente de
Voltaje
R2
1 2 V 2
d
T 1 R
FIE-UTP
-92-
Tiristores
donde:
220 2
16
sin 2 d
b.)
c.)
3 3
3
P 481.44sin cos sin
cos
4
4
4
FIE-UTP
-93-
Tiristores
Rcarga
PROBLEMA 4:
En el siguiente
circuito:
R1
a)Si C = 0.47F , encuentre los tamaos
adecuados de R1 y R2 para un rango
amplio de ajuste del ngulo de retardo Fuente de
R2
Voltaje
de disparo.
R3
b)Si R1= 4.7k y R2 =100k, escoja un
tamao aproximado de C que permita
C
que el ngulo de retardo de disparo sea
ajustado muy tarde.
Solucin: Para ste tipo de circuito se ha establecido que la constante de tiempo
1 R1 R2 C de estar entre 1 y 30 ms para un amplio rango de ajuste del ngulo
de retardo de disparo. Basndonos en este enunciado de la teora para circuitos de
disparo RC para SCR se calculan los valores deseados.
b.
R F 120
c.
d.
El valor del ngulo de disparo mnimo?
FIE-UTP
-94-
Tiristores
Carga
Rd
5k
24v
R2
25k
R4
1k
PNP
D2
60 Hz
RF
8k
C1
0.5uF
n=0.58
. T2
SCR1
SCR
Solucin:
dvC
dv
i
vc I c
de aqu que c c , entonces
.
dt
dt
C
t
C
Con esto vemos que es necesario calcular IC. Es importante notar que estamos
asumiendo que IB = 0 y que IC IE
24 8
VB
14.77 V
13
VR 2
8.53
3.412 mA I C
R2 2.5 103
vc I c 3.41 10 3
6.82 V ms
t
C 0.5 10 6
vc VP
6.82
t
t
14.52
t
2.13 ms
1 ms
6.82
180 2.13 10 3
t
,
3
8.33 10
8.33 ms equivale al T/2 de una onda de 60 Hz
VP
FIE-UTP
-95-
Tiristores
46
c.
RF 120 ?
180 8.33 ms
120 t
8.33 120
t
5.55 ms
180
vc VP
t
t
**
Ic C
vc
0.5 10 6 2.616 V ms 1.308 mA I E
t
24 VRF
3.97
794 A
5k
5 103
RF
VRF
20.03
I RF 0.794 10 3
RF 25 .2 k
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1
En el circuito de la figura 4.15 se mide el voltaje en el capacitor Cc con un osciloscopio
para observar la forma de onda, o sea, la carga y descarga del capacitor, sin embargo, slo
se observa un valor constante de 12V, que es el mismo valor de alimentacin VB.
a) Qu sucedi con el PUT y que habra que hacer para que el circuito pueda oscilar.
b) Conteste la pregunta anterior si el voltaje visto en el osciloscopio fuera igual al
voltaje de valle.
PROBLEMA 2
El siguiente circuito tiene como funcin autorregular el voltaje que se le aplica al foco de
manera que la iluminacin se mantenga constante aunque se presente variaciones en el
voltaje de alimentacin. Indique como este circuito regula el voltaje aplicado a la lmpara
partiendo de un supuesto aumento en el voltaje de alimentacin de CA:
FIE-UTP
-96-
Tiristores
PROBLEMA 3
Para el siguiente circuito responda lo siguiente:
a. Qu dispositivo es el encargado de limitar la corriente que le llega a la carga.
b. Por qu el transformador de pulsos muestra la polaridad indicada.
c. En que cuadrantes es disparado el TRIAC
d. Son iguales los ngulos de disparo en los semiciclos positivo y negativo, por qu?
e. Cul es la funcin de R2.
f. Si se retira el SUS se puede garantizar que los ngulos de disparo en ambos
semiciclos sean iguales?
PROBLEMA 4
Utilice el circuito mostrado abajo para disear un generador de diente de sierra con un
voltaje mximo de 10V y una frecuencia de 10Hz. Adems:
a. Determine la amplitud mxima que puede ser generada con este circuito.
b. Por qu la carga del capacitor no es de tipo exponencial, sino lineal?
c. Cmo nos aseguramos de que el circuito en realidad est oscilando?
NOTA: Puede cambiar el valor de los elementos excepto el de las resistencias del
transistor. Utilice las curvas para el PUT presentadas en este folleto.
FIE-UTP
-97-
Tiristores
PROBLEMA 5
Cul es el error en el circuito del ltimo problema de los problemas resueltos?
PROBLEMA 6
El circuito siguiente muestra seales en un oscilador de relajacin con UJT el cual se
alimenta de una fuente de 20V.
a. Determine los parmetros del UJT(Vv, Vp, )
b. Dibuje el circuito del oscilador. C=0.1nF.
FIE-UTP
-98-
Tiristores
PROBLEMA 7
Encuentre el valor y la potencia del resistor que determina la corriente en el emisor
para la activacin de un MOC3011. La resistencia se encuentra en serie con el
diodo emisor y con un transistor que trabaja en las regiones de saturacin y corte
(VCEON=0.2V). Escoja el voltaje de alimentacin segn los datos de la hoja de
especificaciones.
PROBLEMA 8
Investigue el diagrama de potencia de un arrancador suave para motores de
corriente alterna y explique cmo piensa usted que funciona?
FIE-UTP
-99-
Circuitos Rectificadores
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Los circuitos rectificadores o convertidores AC-DC estn presentes en todas las
aplicaciones electrnicas que toman energa de la red de alimentacin pblica y tienen
circuitos electrnicos. Existen muchos circuitos utilizados para la rectificacin de la
corriente alterna, pero el objetivo de este captulo es el estudio de estos circuitos para
determinar su voltaje de salida y cmo estos circuitos afectan la calidad de la energa
disponible en la red pblica.
Dependiendo del tipo de dispositivo utilizado, los rectificadores pueden ser
no-controlados o controlados, esto es, si estn compuestos por diodos o por SCRs. En
ambos casos el factor de potencia y la distorsin armnica total de la lnea se ven afectados,
motivo por el cual se presentarn algunos criterios relacionados con este fenmeno.
FIE-UTP
-100-
Circuitos Rectificadores
Figura 5.1. Rectificador monofsico a diodos. a) circuito, b)formas de onda sin el capacitor
de filtro Cd.
FIE-UTP
-101-
Circuitos Rectificadores
Definiciones bsicas
Mediante el anlisis de Fourier, la corriente de lnea puede ser expresada en
trminos de la corriente fundamental ms los otros componentes armnicos. Si se asume
que el voltaje de entrada es una senoide pura, entonces slo la componente fundamental de
la corriente contribuye al flujo de potencia real, tal como se muestra en la siguiente
ecuacin.
P VS I S 1 cos 1
(5.1)
FIE-UTP
-102-
Circuitos Rectificadores
S VS I S
(5.2)
power _ factor _ PF
PF
P
S
(5.3)
VS I S1 cos1 I S1
. cos1
VS I S
IS
(5.4)
PF
I S1
.DPF
IS
(5.5)
El valor rms de la corriente de lnea puede ser calculado por medio de la raz media
cuadrtica de la forma de onda de iS utilizando la siguiente ecuacin.
1 T
I S is2 t . dt
T 0
(5.6)
I S I S21 I sh2
h2
(5.7)
I dis I I
2
S
2
S1
I sh2
h2
(5.8)
FIE-UTP
-103-
Circuitos Rectificadores
%THD 100
I dis
I S1
(5.9)
2.
Factor _ de _ cresta
I s , pico
IS
(5.10)
Se puede definir otra cantidad llama Factor de forma, la cual relaciona la corriente
rms de la entrada con la corriente directa de la salida.
Factor _ de _ Forma
Figura 5.4
IS
Id
(5.11)
En las figuras 5.4 y 5.5 se muestran curvas desarrolladas para los rectificadores
monofsicos, donde se muestra la relacin de los factores mencionados con un parmetro
FIE-UTP
-104-
Circuitos Rectificadores
normalizado, el cual permite utilizar dichas curvas para muchas condiciones de operacin
diferentes.
alimentacin de 230Vrms, el interruptor debe abrirse para que trabaje como rectificador
normal quedando C1 y C2 en serie. En cada semiciclo la corriente pasa por ambos
capacitores cargndolos al mismo tiempo. En caso de que el voltaje de entrada sea de
115Vrms, el interruptor debe estar cerrado para que el capacitor C1 se cargue durante el
semiciclo positivo y el capacitor C2 se cargue durante el semiciclo negativo. En la
FIE-UTP
-105-
Circuitos Rectificadores
actualidad este circuito puede ser encontrado en la mayora de las fuentes conmutadas
utilizadas para computadoras personales.
a)
Figura 5.6
b)
FIE-UTP
-106-
Circuitos Rectificadores
mnimo de este inductor, necesario para garantizar una corriente continua, est definido
por la siguiente ecuacin:
Ld ,min
0.013VLL
I d
(5.12)
Figura 5.8. Formas de onda para un rectificador trifsico sin capacitor de filtro ni corriente
de carga.
FIE-UTP
-107-
Circuitos Rectificadores
Vd
Ad
3 2
V 1.35VLL
/3
LL
(5.13)
FIE-UTP
-108-
Circuitos Rectificadores
obtener un voltaje de salida negativo, con lo cual se puede transferir energa de la parte DC
a la parte AC, convirtiendo al circuito en un inversor.
Es importante aclarar que estos circuitos pueden trabajar en modo inversor, si y slo
si, existe una fuente de energa de corriente alterna. Estos circuitos tampoco pueden
invertir el sentido de circulacin de la corriente ya que estn compuestos por SCRs, los
cuales son unidireccionales en corriente.
En la figura 5.10 se muestra el concepto bsico del rectificador controlado cuando
su carga de salida es una fuente de voltaje de corriente directa. En esta figura se observa
que el inicio de la conduccin depende de dos factores; uno de ellos es que el voltaje de
entrada sea mayor que el voltaje de salida, dada esta condicin har falta el pulso de
corriente de compuerta. Dependiendo de la energa almacenada en el inductor L, la
corriente del rectificador se extinguir antes o despus, al alcanzar el ngulo 4.
Figura 5.10. Circuito equivalente y formas de onda para un rectificador controlado con una
fuente de voltaje como carga. Caso ms prximo a la realidad.
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Circuitos Rectificadores
momento en que la seal diente de sierra se hace mayor que la seal de referencia se genera
un pulso de corriente para el SCR respectivo.
180.
vcontrol
Vst
(5.14)
El voltaje del lado DC del rectificador queda entonces definido por el ngulo de
disparo y el valor del voltaje de lnea.
Vd
3 2
(5.15)
Vd
3 2
VLL cos
3LS
Id
(5.16)
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Circuitos Rectificadores
Figura 5.12
cos( u ) cos
2LS
2VLL
Id
(5.17)
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Circuitos Rectificadores
Ejemplo:
Un rectificador trifsico controlado se utiliza en modo inversor. El valor del voltaje de
entrada es de 460V a 60Hz, el valor de la fuente de corriente directa es de 550V, y la
inductancia de la fuente es de 0.5mH. La potencia entregada por la fuente DC es de 55kW.
Calcule el ngulo de disparo (), el ngulo de conmutacin (u) y el ngulo de conduccin
().
Solucin:
Id
P 55x103
100 A
E
550
100 E 550
+u=156
u=7 o 0.324ms
= 180 - (+u) = 24
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Circuitos Rectificadores
5.3 MEDICIONES.
Bsicamente, hay disponibles dos clases de medidores de tipo pinzas: los de
respuesta promedio y los de rms verdadero. Las unidades que trabajan con una
respuesta promedio son ampliamente utilizadas y normalmente son de menor costo. Estas
unidades proporcionan una lectura correcta para cargas lineales, tales como: motores de
induccin estndar, calentadores resistivos, y luces incandescentes. Pero cuando se trata
de cargas no-lineales, las cuales normalmente contienen semiconductores, los medidores
de respuesta promedio, tpicamente leen un valor inferior al verdadero.
Los peores casos cuando se trata de cargas no-lineales incluyen, controles de
velocidad ajustable para pequeos motores (5Hp o menos) conectados 480V entre dos
fases, calentadores controlados con electrnica de potencia conectados a una fase de 240V,
o computadoras conectadas a 120V.
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Circuitos Rectificadores
medir su corriente rms y entonces comparar este valor con el valor especificado en el
dispositivo en cuestin.
Si el medidor de corriente especifica en sus caractersticas que responde al valor
rms-verdadero de la corriente, esto significa que internamente el circuito calcula el calor
generado utilizando la frmula para valores rms.
Tipo de
multmetro
Respuesta a
una seal
senoidal
Repuesta a
una seal
cuadrada
Respuesta a un
rectificador
monofsico
Respuesta a un
rectificador
trifsico
Correcta
10% mayor
40% menor
5-30% menor
Correcta
Correcta
Correcta
Correcta
Respuesta
promedio
RMSverdadero
Figura 5.11 Respuestas a diferentes tipos de formas de onda para ampermetros de tipo rmspromedio y rms-verdadero.
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Circuitos Rectificadores
Figura 5.12 Medicin de un mismo ramal con un ampermetro rms-promedio (izq) y uno
rms-verdadero (der). Observe que la diferencia es de un 32%.
Existen muchos tipos de ampermetros para la medicin de corriente y voltaje rmsverdadero, aunque normalmente la distorsin en el voltaje es mnima, para la medicin de
corrientes si deben utilizarse instrumentos TRUE-RMS. Marcas como FLUKE cuentan
con una gran variedad de instrumentos como el Fluke 41B, adems de analizadores de
calidad de energa como las serie 434 y 435. Otras marcas menos conocidas como la marca
eslovena METREL est en el mercado desde 1950 y provee equipos clase A, como el 2892
el cual cuesta casi la mitad de lo que cuestan otros equipos pero cuenta con una gran
variedad de funciones, incluyendo comunicacin remota y una memoria que puede
expandirse hasta 64GBytes.
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Circuitos Rectificadores
Figura 5.13. Algunos equipos como el Metrel 2892 le permiten al usuario la conexin remota
al instrumento a travs de un puerto IP. Con esta funcin se puede observar y
controlar el equipo, pudiendo hasta descargar la data registrada.
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Circuitos Rectificadores
Figura 5.14. Cmo medir los parmetros relacionados con la energa en una carga trifsica
en estrella. Observe como debe calcularse la energa total.
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Circuitos Rectificadores
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Convertidores DC-DC
PROBLEMAS
1. Para un rectificador no controlado con una corriente de carga de 60A y un voltaje
de alimentacin de 120Vrms, con una inductancia de fuente de 0.1mH, determine:
a. El factor de potencia y el desplazamiento del factor de potencia.
b. El Factor de cresta y el factor de forma.
c. La corriente pico en los diodos y la corriente rms.
d. La distorsin armnica total.
e. Si midiese la corriente de entrada con un ampermetro de valor promedio,
cul sera probablemente el valor ledo?
2. Para un rectificador trifsico con un voltaje de alimentacin de 208Vrms, determine
los valores del ngulo de disparo(en grados) y de conmutacin(en microsegundos),
si el voltaje de salida debe ser de 250V para una corriente de 45A. El valor de la
inductancia de la fuente es de 0.58mH.
3. Los valores de las corrientes y voltajes medidos en el secundario de un
transformador son los mostrados en la siguiente tabla. Calcule:
a. La corriente de distorsin
b. El %THD de corriente
c. El voltaje de distorsin
d. El %THD de voltaje
e. Cul es el valor de la corriente en el neutro.
Armnico(h)
1
3
5
7
9
11
13
15 17
19
21 23
Vrms (V)
277
12 10
7
5
2
1.5
Irms (A)
67
12 21 18
9
14 12.5 6
8
7.5
4
2
4. Un control de velocidad para un motor de corriente alterna est compuesto por un
rectificador (a la entrada) un capacitor y un inversor (a la salida). Responda lo
siguiente:
a. Qu tipo de ampermetro debe utilizarse para medir la corriente de entrada?
b. Si la corriente rms real en cada fase es de 121.5A, qu valor debe esperarse
si se mide con un ampermetro de valor promedio.
5. Cules son las condiciones necesarias para que un rectificador trifsico controlado
trabaje en modo inversor?
6. Para un rectificador trifsico de 230Vrms que alimenta una carga de 36A, cul debe
ser el valor del inductor DC para que el factor de potencia sea igual a 0.9.
7. Por qu un ampermetro de valor promedio, no puede leer el valor correcto de la
corriente rms cuando hay distorsin en la forma de onda de la misma.
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Convertidores DC-DC
72
56
40
24
-8
20:59
21:00
21:01
21:02
21:03
21:04
21:05
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