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Instituto Politcnico Nacional

Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniera y


Tecnologas Avanzadas

Transistor BJT
Sabik Fernando Portillo Villalobos
David Alejandro Toro Sandoval
Alfredo Snchez Hernndez
Electrnica de potencia
Germn Escoto Mora
4MM2
31/03/16

Objetivos

Desarrollar nuestros conocimientos relacionados con los transistores BJT en aplicaciones de electrnica de
potencia, de tal manera que el conocimiento se reconstruya y expanda en otros sentidos de la ingeniera adems
de los simplemente electrnicos.
Desarrollar las competencias necesarias para poder disear un circuito de potencia capaz de activar o desactivar
un foco de 12V y un relay, mismo que puede conectarse con casi cualquier dispositivo por su acoplamiento
mecnico.
Identificar las diferentes propiedades fsicas principalmente trmicas relacionadas con el tipo de empaquetado
del transistor ya que el calentamiento puede modificar las propiedades del circuito
Propiciar un entorno de diseo con fundamentos matemticos apropiados provenientes de la teora
correspondiente a las distintas configuraciones del transistor BJT utilizado.

Desarrollo
Experimento 1
Este experimento consisti en conectar 2 transistores BJT NPN con diferentes encapsulados en un mismo circuito, para
identificar las propiedades y caractersticas elctricas de los mismos. El circuito es una configuracin simple de transistor
como conmutador en emisor comn, esta configuracin invierte las seales capturadas en la base. Esta seal de control
se encarga de saturar al transistor y permitir el flujo de corriente entre el colector y el emisor. Siendo as como el foco
(no instalado en la simulacin) se activa o desactiva.
tip41 con foco

Figura 1.- Muestra el circuito esquemtico realizado en la prctica


con un transistor BJT NPN TIP41C al que se le conecta un generador
de funciones y un osciloscopio. Muestra adems una resistencia de
330 ohms en su base.

Figura 2.- Muestra el circuito realizado en la prctica con un


transistor BJT NPN TIP41C en el momento en el que el foco esta
prendido.

Figura 3.- Muestra las seales de entrada (amarillo) y salida (azul)


cuyos valores pico son de 5V y 12V respectivamente. Muestra
adems que existe una inversin en la seal como se esperara al
conectase la salida en el colector del transistor.

Figura 4.- Muestra el circuito esquemtico realizado en la prctica


con un transistor BJT NPN 2N2222 al que se le conecta un generador
de funciones y un osciloscopio. Muestra adems una resistencia de
330 ohms en su base y una resistencia de 33 ohms en el colector.

Figura 5.- Muestra las seales de entrada (amarillo) y salida (azul)


cuyos valores pico son de 5V y 12V respectivamente. Muestra
adems que existe una inversin en la seal como se esperara al
conectase la salida en el colector del transistor.

Tabla de resultados
Transistor/Atributo

2n2222 TO92

Tip 31 TO220

VBEsat (V)

0.8

0.78

IBsat (A)

0.02

0.02

ICsat

(A)

0.43

0.43

VCEsat (V)
VCE0 (V)

0.18
11.98

0.19
11.98

En esta tabla se concentran todo los resultados del experimento 1 que coincidiran en su mayora con los valores
obtenidos en los experimentos posteriores dos y tres.

Experimento 2
Esta conserva la misma configuracin del transistor que el experimento 1 pero incorpora un relay en vez de un foco, esto
con la intencin de apreciar el efecto inductivo que presenta la bobina del relay al ser activada y como se aprecia en la
seal de salida. Al mismo tiempo se construye una fase de potencia apta para la activacin diversos circuitos.
2.1 tip41 con relay

Figura 6.- Muestra el circuito esquemtico realizado en la prctica con un


transistor TIP41A al que se le conecta un inductor en representacin del
que se encuentra al interior del relay. Muestra adems una resistencia de
820 ohms en su base y una resistencia de 100 ohms en el colector.

Figura 7.- Muestra las seales de entrada (amarillo) y salida (azul)


cuyos valores pico son de 5V y 12V respectivamente. Se pueden
apreciar los picos debido a la demanda de corriente por el inductor
al polarizarse.
2.2 2n2222 con relay

Figura 8.- Muestra el circuito esquemtico realizado en la prctica con un


transistor 2n2222A al que se le conecta un inductor en representacin del
que se encuentra al interior del relay. Muestra adems una resistencia de
820 ohms en su base y una resistencia de 100 ohms en el colector.

Figura 9.- Muestra las seales de entrada (amarillo) y salida (azul) cuyos
valores pico son de 5V y 12V respectivamente. Se pueden apreciar los
picos debido a la demanda de corriente por el inductor al polarizarse.
Estos son mas significativos que los equivalentes en el circuito del tip41

Figura 10.- Imagen real de los picos en el circuito antes descrito


generados por efectos inductivos cada rising edge

Experimento 3
Este es una variante del experimento 2 que incorpora adems un diodo rectificador en inversa sobre el inductor del relay, esto con
la intencin de minimizar al mximo los picos del efecto inductivo y suavizar el cambio en los distintos puntos crticos de la seal
3.1 tip41 con relay y diodo

Figura 11.- Circuito esquemtico realizado en la prctica con un transistor


NPN al que se le conecta un inductor y un diodo en polarizacin inversa
con la intensin de atenuar los picos de efecto inductivo.

Figura 12.- Muestra las seales de entrada (amarillo) y salida (azul). Se


pueden apreciar los picos atenuados debido al diodo 1n4001 colocado en
inversa sobre el inductor.

Figura 13.- Circuito esquemtico realizado en la prctica con un transistor


NPN 2n2222 al que se le conecta un inductor y un diodo en polarizacin
inversa con la intensin de atenuar los picos de efecto inductivo.

Figura 14.- Al igual que el Tip41 el 2n2222 presenta picos mas


atenuados y menos significativos debido al diodo 1n4001 colocado en
inversa sobre el inductor.

Experimento 4
En este experimento se implementa una configuracin Darlington con transistores NPN (BC547) y un transistor PNP (TIP42) para
crear un conmutador parecido al de los experimentos anteriores. Una de las ventajas de esta configuracin es que la corriente
requerida en la base activadora es mucho menor al de una configuracin normal, la amplificacin del transistor se ve incrementada
y es ms fcil entonces saturarlo. El experimento se desarroll conectando un foco a la terminal del emisor del segundo transistor
(No mostrado en la simulacin).
Las formulas a continuacin fueron utilizadas para el clculo de las resistencias en las bases de los dos transistores en la
configuracion Darlington
"# =

&& "(# )(*+,/ #

"- =

12 "("#

Figura 15.- Circuito real de una configuracin Darlington realizado en la


prctica con un transistor al que se le conecta un relay y un diodo en
polarizacin inversa con la intensin de atenuar los picos de efecto
inductivo.

Figura 16.- Circuito esquemtico de una configuracin Darlington realizado en


la prctica en donde se tienen resistencias de base con valores de 33k y 680k

Figura 17.- Seales de entrada y salida del circuito en configuracin


Darlington para prender un foco. Donde se muestran las mismas tensiones
que se observaron en los experimentos anteriores

Experimento 5
En este experimento se implementa una configuracin Darlington con transistores PNP TIP32 y NPN BC547 exactamente igual que
el experimento 4. Es importante considerar que ahora la terminal del emisor del transistor 1(tip42) es ahora la que se conecta a
Vcc

Figura 18.- Circuito esquemtico de una configuracin Darlington realizado en


la prctica en donde se tienen resistencias de base con valores de 82k y 1.8k.
Donde se conecto un inductor en representacin del que se encuentra dentro del
relay y su diodo para atenuar picos.

Figura 19.- Imagen real de la salida del circuito anterior que atena casi
al 100% los picos generados por el inductor del relay,

Conclusiones

El uso de transistores BJT como fases de potencia otorgan al sistema en cuestion la corriente necesaria para
funcionar dependiendo unicamente de una seal activadora con caracteristicas minimas de tal manera que
pueden emplearse dispositivos programables o de baja corriente de salida para activar o desactivar sistemas de
alta corriente.
Es importante considerar los puntos de corte y saturacion de los transistores para poderlos utilizar de la manera
apropiada. Pues al no conocerse estos puntos lmite, el trasistor puede caer un una etapa de amplificacin o de
transicin en donde no se obtienen los resultados deseados.
El calculo de la corriente de base siempre tiene que estar en funcion de la corriente que pretendemos hacer
pasar por el colector, por lo que es importante determinar esta primero antes de hacer cualquier clculo posterior
Lo encapsulados del mismo circuito integrado varian principalmente en su capacidad de disipacin de potencia,
especficamente, la corriente soportada en el circuito. Es indispensable seleccionar un encapsulado apropiado
para la aplicacin en cuestin y evitar el sobrecalentamiento y el posible fallo del transistor.
Para el uso de Relays es importante considerar los picos debido a las inductancias generadas en la bobina del
mismo. Para esto, es recomendable utilizar diodos rectificadores de proteccin que se encargan de absorver
dichos pichos y facilitar una seal mas fiel a la seal generadora.

Bibliografa

Robert L. Boylestad, Electrnica: Teora de Circuitos y dispositivos electrnicos, Pearson, Dcima edicin
Floyd, Dispositivos Electrnicos, Prentice Hall, Octava edicion