2014
1
Capitulo 1 - Introduccin
NDICE
CAPTULO 1 ........................................................................................................... 4
1.1
Introduccin ............................................................................................................. 4
1.2
1.2.1
1.2.2
1.2.3
1.2.4
1.2.5
CAPTULO 2 ........................................................................................................... 9
2.1
El tomo .................................................................................................................. 9
2.7.1
2.7.2
2
Capitulo 1 - Introduccin
2.7.3
2.7.4
CAPTULO 3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.8
Anisotropa ............................................................................................................ 75
CAPTULO 4
4.1
3
Capitulo 1 - Introduccin
4
Capitulo 1 - Introduccin
CAPTULO 1
INTRODUCCIN
1.1 Introduccin
El hombre, los materiales y la ingeniera han evolucionado en el transcurso del
tiempo y continan hacindolo. El mundo actual es de cambios dinmicos y los materiales
no son la excepcin. A travs de la historia, el progreso ha dependido de las mejoras de
los materiales con los que se trabaja. El trabajo del hombre prehistrico estaba limitado a
los materiales disponibles en la naturaleza como la piedra, madera, huesos y pieles. Con
el transcurso del tiempo, pasaron de la Edad de Piedra a las nuevas edades de cobre
(bronce) y de hierro. Debe mencionarse que este adelanto no sucedi de manera uniforme
ni simultnea en todas partes De acuerdo con el diccionario, los materiales son
sustancias con las que algo est compuesto o hecho. Aunque esta definicin es amplia,
cubre casi todas las situaciones de las que trata este curso.
Callister en su texto menciona la siguiente pregunta con su respuesta:
Por qu se estudian los materiales?
Muchos cientficos tcnicos o ingenieros, sean mecnicos, civiles, qumicos o
elctricos, en alguna ocasin se encontrarn con un problema de diseo en el cual
intervengan materiales. Los ejemplos pueden ser: El engranaje de una transmisin, la
superestructura de un edificio, el componente de una refinera de petrleo o el chip de
un circuito integrado.
A menudo el problema que se presenta es la eleccin del material ms idneo de
entre los muchos miles de materiales disponibles. Existen varios criterios en los cuales se
basa normalmente la decisin final. En primer lugar, deben caracterizarse las condiciones
en que el material prestar servicio, y se anotarn las propiedades requeridas por el
material para dicho servicio. En raras ocasiones un material rene una combinacin ideal
de propiedades, por lo que, muchas veces, habr que reducir una en beneficio de otra. El
ejemplo clsico lo constituyen la resistencia y la ductilidad (trminos tratados en clase);
generalmente, un material con alta resistencia tiene ductilidad limitada. En estas
5
Capitulo 1 - Introduccin
Materiales Metlicos
6
Capitulo 1 - Introduccin
Adems los Materiales metlicos suelen tener dos sub-clasificaciones, esta son
Materiales metlicos Ferrosos (incluimos las aleaciones de este tipo) y materiales
metlicos no Ferrosas (igual que el caso anterior incluimos las aleaciones de este tipo)
A. Metales No Ferrosos: Fundamentalmente se usan aleaciones, que son
combinaciones de un metal base o matriz, que tienen en solucin slida
elementos de aleacin metlicos o no metlicos. Las ms comunes suelen
ser las siguientes:
A1) Aleaciones de cobre: Utilizadas en aplicaciones en que se requiere una moderada
resistencia a la corrosin. Por ejemplo:
- Latones
: Cu + Zn
- Bronces
: Cu + Sn
- Cupronqueles: Cu + Ni
A2) Aleaciones de aluminio: Utilizadas en aplicaciones en las que se requiere poco peso y
una moderada resistencia a la corrosin. Por ejemplo:
Al + Mg
Al + Si
Al + Cu (duraluminios): usadas ampliamente en la fabricacin de fuselajes y
estructuras de aviones.
A3) Aleaciones de Nquel: Usadas principalmente en aplicaciones en las que se requiere
de alta resistencia a la corrosin y/o a temperaturas elevadas. Ej.: Hastelloy.
B. Aleaciones Ferrosas: Fundamentalmente son aleaciones de hierro y
carbono, conteniendo, adems, alrededor de 1% de Mn.
B1) Fundiciones de Fe: Conocidas tambin como hierros fundidos, se usan ampliamente
en la Minera en tapas de molinos, corazas de chancadores, y una gran cantidad de
componentes. Tienen del orden de 4% de C, Mn, Si y otros elementos de aleacin en
menores cantidades. La mayora son extremadamente frgiles.
B2) Aceros: El metal base es el hierro, conteniendo hasta 2% de carbono, alrededor de
1% de Mn y otros elementos de aleacin tales como Cr, Ni, Mo, Ti, V, etc.
7
Capitulo 1 - Introduccin
Materiales Cermicos
Materiales Polmeros
Materiales compuestos
8
Capitulo 1 - Introduccin
Semiconductores
9
Captulo 2
CAPTULO 2
Algunas de las propiedades ms importantes de los materiales slidos dependen
de disposicin geomtrica de los tomos y de las interacciones que existen entre los
tomos y las molculas constituyentes.
En este captulo se considerarn conceptos fundamentales tales como:
Estructura atmica
Tabla peridica
Tipos de enlaces primarios y secundarios que mantienen unidos a los tomos que
forman los slidos.
2.1 El tomo
2.1.1
Estructura Atmica
El ncleo constituye casi toda la masa del tomo y contiene protones y neutrones.
Un protn tiene una masa de 1.673 10-24 gramos (g) y una carga unitaria de
10
Captulo 2
Definiciones
11
Captulo 2
1
=1
( )
*Se debe tener en cuenta que esta definicin es bsica, pero de utilidad para este curso.
Ejemplos
Ejemplo 1:
A. Cul es la masa en gramos de un tomo de Cobre?
B. Cuantos tomos de cobre hay en 1 gramo de cobre?
Respuesta A:
De la tabla peridica tenemos que la masa atmica del cobre es 63,54 g/mol. Dado que en
63,54 g e cobre hay 6,02 E 23 tomos, el nmero de gramos de cobre es:
=
=
6,02 1023 /
1
63,54
Despejando y resolviendo:
=
63,54
6,021023 /
12
Captulo 2
Respuesta B
Procediendo en forma similar, tenemos que el nmero de tomos de cobre en 1 gramo de
cobre es:
6,02 1023 /
=
1
63,54
Resolviendo
Ejemplo 2
6,02 1023 /
63,54
=
23
6,02 10 /
1
196,96655
Respuesta B:
196,96655
6,02 1023 /
6,02 1023 /
196,96655
13
Captulo 2
6,021023 /
196,96655
El revestimiento (capa exterior) de la moneda de 50 pesos est formado por una aleacin2
de 75% en peso de cobre y 25% en peso de nquel. Cules son los porcentajes atmicos
de Cu y Ni que contiene este material?
Respuesta:
En este caso tomamos como base 100 g de la aleacin de 75% en peso de Cu y 25% en
peso de Ni, tiene 75 g de Cu y 25 g de Ni.
1ro calculamos el nmero de tomos en 75 gramos de cobre:
=
75
6.02 10
63,54
23
= 7.1 1023
25
6.02 10
58,69
23
= 2.56 1023
7.11023
9.661023
2.561023
9.661023
(100%) = 73,5%
(100%) = 26,5 %
14
Captulo 2
Al igual que el ejemplo 3 tomamos como base 100 g de la soldadura que contiene 52% en
peso de estao y 48% en peso de plomo, tiene 52 g de Sn y 42 g de Pb.:
1ro calculamos el nmero de tomos en 52 gramos de estao:
=
52
6.02 10
118.71
23
= 2.63 1023
48
6.02 10
207.2
23
= 1.39 1023
2.631023
4.021023
1.391023
4.021023
(100%) = 65,42%
(100%) = 34.58 %
= = (0.0303 ) 19.3
= 0.59
15
Captulo 2
196,96655
A finales del siglo XIX se constat que muchos fenmenos que implicaban
electrones en los slidos no se podan explicar en trminos de la mecnica clsica. Por
este motivo, para explicar el comportamiento de entidades atmicas y subatmicas, se
estableci un conjunto de principios y leyes conocido como mecnica cuntica. La
comprensin del comportamiento de los electrones en tomos y slidos cristalinos implica
necesariamente la discusin de conceptos de la mecnica cuntica. Sin embargo este
para este curso los detalles de la mecnica cuntica escapan a los objetivos, por lo cual se
detalla en forma simplificada algunos conceptos necesarios y tiles.
Una primera consecuencia de la mecnica cuntica fue el modelo atmico de Bohr
simplificado, donde se supone que los electrones giran alrededor del ncleo atmico en
orbitales discretos, y la posicin de un electrn particular se define, con mayor o menor
precisin, en trminos de su orbital, tal como se muestra en la figura 2.2.
Otro importante principio de la mecnica cuntica estipula que las energas de los
electrones estn cuantizadas; es decir, los electrones slo pueden tener valores
especficos de energa. Un electrn puede cambiar de energa, pero al hacerlo deber
16
Captulo 2
17
Captulo 2
Figura 2.3.- Comparacin de los Modelos atmicos (a) segn Bohr (b) Mecanica Ondulatoria, en funcin de la
distribucin electrnica
Nmeros cunticos
Empleando la mecnica ondulatoria, cada electrn de un tomo se caracteriza por
cuatro parmetros, llamados nmeros cunticos.
El tamao, la forma y la orientacin espacial de la densidad de probabilidades de
un electrn estn determinados por tres de estos nmeros cunticos.
Adems, los nmeros cunticos separan los niveles energticos de Bohr en subniveles e indican el nmero de estados de cada subnivel.
18
Captulo 2
Figura 2.4.- Figura del tomo y sus niveles de energa, en donde se indican la cantidad de electrones que
soporta cada nivel.
Figura 2.5.- Niveles de energa del tomo, donde se muestra el nmero cuntico principal
19
Captulo 2
Nmero de
l=
l=
10
14
denominacin
Letra de denominacin
Cantidad mxima de
electrones
La tabla 2.3 muestra en forma resumida los niveles de energa (primer nmero
cuntico), el subnivel (segundo nmero cuntico) y el nmero de estados (tercer nmero
cuntico), adems de presentar el nmero de electrones mximo permitido por niveles y
subniveles.
20
Captulo 2
21
Captulo 2
Figura 2.8.-Regla en que los electrones ocupan los niveles y subniveles de energa
22
Captulo 2
23
Captulo 2
sistemticamente,
desplazndose
24
Captulo 2
25
Captulo 2
Figura 2.9. La Tabla peridica de los elementos. El peso atmico es del istopo
ms estable.
Los elementos colocados en el Grupo 0, el grupo ms a la derecha, son los gases
inertes, que tienen los niveles llenos de electrones y por lo tanto poseen una
configuracin electrnica estable.
A los elementos del Grupo VIIA y VIA les faltan uno y dos electrones en la capa
de valencia, respectivamente, para tener estructuras electrnicas estables.
Los elementos del Grupo VIl A (F, CI, Br, I y At) se denominan halgenos.
Los metales alcalinos y alcalinos trreos (Li, Na, K, Be, Mg. Ca. etc.) estn
clasificados como Grupo IA y IIA y tienen, respectivamente, uno y dos electrones en
exceso, respecto de las estructuras estables.
Los elementos de los tres perodos largos, Grupos IIIB a lIB, se denominan
metales de transicin y tienen los estados electrnicos d parcialmente llenos y, en algunos
casos, uno o dos electrones en el nivel energtico superior.
Los Grupos lIlA, IVA y VA (B. Si, Ge, As. etc.) Presentan, en virtud de la
estructura de electrones de valencia, caractersticas intermedias entre metales y no
metales.
Al observar la tabla peridica se aprecia que la mayora de los elementos se
clasifican como metales. Estos elementos se denominan electropositivos, porque pueden
perder electrones y cargarse positivamente, ionizndose. Los elementos situados a la
derecha de la tabla son electronegativos, ya que pueden aceptar fcilmente electrones y
cargarse negativamente, ionizndose, o, a veces, pueden compartir electrones con otros
tomos.
La Figura 2.10 muestra los valores de electronegatividades asignados a los
elementos ordenados en la tabla peridica. Generalmente la electronegatividad aumenta
de izquierda a derecha y de abajo a arriba.
26
Captulo 2
2.3.1
27
Captulo 2
fuerzas sobre el otro. Estas fuerzas son de dos tipos, atractivas y repulsivas; la magnitud
de cada una de estas fuerzas vara en funcin de la separacin o distancia interatmica. El
origen de la fuerza atractiva FA depende de! tipo de enlace particular que existe entre los
dos tomos. Esta magnitud, como se esquematiza en la Figura 210 a, vara con la
distancia interatmica. Finalmente, los niveles ms externos de los tomos empiezan a
solaparse y aparece una fuerza repulsiva Fr elevada. La fuerza resultante FN entre los dos
tomos es la suma de los componentes repulsivo y atractivo:
= +
En sistemas atmicos
= +
EN= EA+ER
donde EN, EA y FR son las energas resultante, atractiva y repulsiva para dos
tomos vecinos aislados.
28
Captulo 2
Figura 2.10.- a) Dependencia de las fuerzas repulsiva, atractiva y resultante con la distancia
resultante entre dos tomos aislados. b) Dependencia de las energas repulsiva, atractiva y potencial
resultante con la distancia interatmica entre dos tomos aislados
29
Captulo 2
dos tomos, E0. Corresponde a la energa en este punto mnimo y representa la energa
necesaria para separar estos dos tomos una distancia infinita.
El tratamiento anterior corresponde a una situacin ideal referida slo a dos
tomos, pero en los materiales ocurren condiciones similares aunque ms complejas,
puesto que deben considerarse interacciones con muchos tomos que originan fuerzas y
energas. No obstante, una energa de enlace, anloga a la anterior E0, puede asociarse a
cada tomo. La magnitud de esta energa de enlace y la forma de la grfica de la energa
frente a la separacin interatmica varan de un material a otro, y ambas variables
dependen del tipo de enlace atmico. Las substancias slidas se caracterizan por poseer
valores elevados de energa de enlace, mientras que en el estado gaseoso estos valores
son bajos; en el estado lquido las energas de enlace tienen valores intermedios.
Generalmente la temperatura de fusin y las propiedades cohesivas reflejan la magnitud
de la energa de enlace de los materiales slidos.
En los slidos existen tres tipos de enlace qumico o primario: inico, covalente y
metlico. En todos ellos, el enlace implica a los electrones de valencia; por otra parte, la
naturaleza del enlace depende de la estructura electrnica de los tomos constituyentes.
Cada uno de estos tres tipos de enlace surge de la tendencia de los tomos a adquirir la
configuracin electrnica estable, correspondiente al gas inerte, llenando completamente
de electrones el nivel energtico ms externo, tambin llamado nivel de valencia.
En muchos materiales slidos existen energas y fuerzas fsicas o secundarias,
que son ms dbiles que las primarias, pero que no influyen en las propiedades fsicas de
algunos materiales.
En si los enlaces atmicos primarios, en los cuales intervienen grandes fuerzas
interatmicas, pueden subdividirse en las tres clases siguientes:
1. Enlaces inicos. En este tipo de enlace intervienen fuerzas interatmicas
relativamente grandes debidas a la transferencia de un electrn de un tomo a otro
producindose iones que se mantienen unidos por fuerzas culombianas (atraccin de
iones cargados positiva y negativamente). El enlace inico es un enlace no direccional
relativamente fuerte.
2. Enlaces covalentes. Corresponden a fuerzas interatmicas relativamente
grandes creadas cuando se comparten electrones para formar un enlace con una
direccin localizada.
30
Captulo 2
31
Captulo 2
Figura 2.13.- (a) Empaquetamiento regular de Iones de Na+ y Cl- en el NaCl slido. En la Figura es indicada
la naturaleza no direccional del enlace Ionico
32
Captulo 2
Considere un par de iones con carga opuesta (por ejemplo, un par inico Na+ Cl)
que se aproximan entre s desde una gran distancia con separacin a. A medida que los
iones se acercan, sern atrados entre s por fuerzas culombianas. Esto significa que el
ncleo de un ion atraer la carga de la nube electrnica del otro y viceversa. Cuando los
iones se aproximen an ms, a la larga, sus dos nubes electrnicas interaccionarn y
aparecern fuerzas de repulsin. Cuando las fuerzas atractivas igualen a las fuerzas de
repulsin, no habr fuerza neta entre los iones y stos permanecern a una distancia de
equilibrio, la distancia interinica a0.
Con
= +
1 2 2
=
40 0 2
0 +1
33
Captulo 2
Y la energa neta es
1 2 2
+ +1
2
0
40 0
1 2 2
+
1
40 0
0
Figura 2.14.-Representacion de la fuerza neta de enlace para NaCl con una distancia de enlace de equilibrio
de a0=0.28nm
34
Captulo 2
Figura 2.15.- Comparacin de las Curvas de Fuerza y Energa de enlaces para el NaCl
2.4.2
NMERO DE COORDINACIN
35
Captulo 2
Dureza
Fragilidad
Elctrica y trmicamente aislantes
36
Captulo 2
Figura 2.16.- Ejemplo de Enlace covalente de un tomo de Carbono con 4 tomos de hidrogeno (Metano
CH4)
37
Captulo 2
uno de los cuatro tomos de hidrgeno, tiene un solo electrn de valencia. Cada tomo de
hidrgeno adquiere la configuracin electrnica del He (dos electrones de valencia ls), ya
que comparte un electrn con el tomo de carbono. As, el carbono tiene ocho electrones,
cuatro de los cuales son los electrones adicionales compartidos, uno de cada hidrgeno, y
la configuracin electrnica del nen. El enlace covalente tal como ya se menciono es
direccional, esto es : existe entre tomos especficos y slo en la direccin que hay
electrones compartidos.
2.5.1
Figura 2.17.- Enlace covalente en molculas de a) flor (enlace simple), b) oxgeno (enlace doble) y c) nitrgeno (enlace
triple). El par electrnico de enlace covalente entre los tomos se muestra a la izquierda con notacin de punto-electrn
y a la derecha con notacin de lnea recta.
38
Captulo 2
2.5.2
Figura 2.18.- Hibridacin de los orbitales de carbono para la formacin de enlaces covalentes sencillos.
39
Captulo 2
Figura 2.19.- Un tomo de carbono con cuatro orbitales sp3 equivalentes dirigidos simtricamente hacia los vrtices de
un tetraedro. El ngulo entre los orbitales es 109.5.
Figura 2.20.- Enlaces covalentes sp3 en la estructura del diamante. Cada zona sombreada representa un enlace
covalente de un par de electrones
40
Captulo 2
En general los enlaces covalentes pueden ser muy fuertes, como en el caso del
diamante, que es un material muy duro y tiene una temperatura de fusin muy elevada.
Tf> 3550C (6400F), pero tambin pueden ser muy dbiles, como es el caso de los
enlaces del bismuto, que funde a 270C (518F)
En realidad, muy pocos compuestos tienen enlaces inicos o covalentes puros,
sino que tienen enlaces interatmicos parcialmente inicos y parcial mente covalentes.
Figura 2.21.- Enlace metlico, consistente en una nube o gas de electrones. Se muestra un corte imaginario a travs de
la cara frontal de la estructura cristalina del cobre, que revela la existencia de ncleos de ion Cu2* enlazados entre s
mediante los electrones de valencia deslocalizados.
41
Captulo 2
Figura 2.22.- Disposicin atmica en un cristal de cobre metlico. Cada tomo de cobre se coordina con otros 12 tomos
de cobre y crea una estructura cristalina llamada estructura cbica centrada en las caras. Los tomos se mantienen
juntos por un gas o nube electrnica de electrones de valencia deslocalizados y b) Diagrama esquemtico
bidimensional de tomos enlazados metlicamente. Los crculos con signos positivos en su interior representan ncleos
de iones positivos y las nubes de carga en torno a los ncleos inicos representan los electrones de valencia dispersos.
Se ha visto que la naturaleza de los enlaces qumicos entre tomos del mismo
elemento depende de la transferencia o comparticin de electrones entre tomos
adyacentes. El qumico estadounidense Linus Pauling defini de forma sistemtica la
electronegatividad como la capacidad de un tomo para atraer electrones hacia s. La
Figura 2.9 resume los valores de electronegatividades de Pauling para los elementos de la
tabla peridica. En general los valores de electronegatividades aumentan de izquierda a
derecha en la tabla peridica, siendo el cesio y el francio (grupo I A) los que tienen los
valores ms bajos (0.7) y el flor (en el grupo VII A) el que posee un valor ms alto (4.0).
Claramente los elementos metlicos tienden a tener los valores de electronegatividad ms
bajos, y los elementos no metlicos los valores ms elevados.
42
Captulo 2
Figura 2.23. Ilustracin esquemtica del enlace de tipo Van der Waals entre dos dipolos.
Figura 2.24. Representacin esquemtica de: (a) tomo electrnicamente simtrico y b) dipolo atmico
inducido.
43
Captulo 2
2.7.1
44
Captulo 2
Figura 2.25. Representacin esquemtica de una molcula polar de cloruro de hidrgeno (HCI).
2.7.3
Tambin existen fuerzas de Van der Waals entre molculas polares adyacentes.
Las energas de enlace asociadas son significativamente mayores que las de los enlaces
entre dipolos inducidos.
El tipo de enlace secundario ms fuerte, el enlace por puente de hidrgeno, es un
caso particular del enlace de molcula polar. Tiene lugar entre molculas con el hidrgeno
unido covalentemente al flor (como en el HF), al oxgeno (como en el H2O) y al nitrgeno
(como en el NH3) Para cada enlace HF, HO o NH, el electrn solitario del hidrgeno
es compartido con otro tomo. De este modo, el extremo hidrgeno del enlace es
esencialmente un simple protn cargado positivamente, sin electrones que lo apantallen.
Este extremo de la molcula cargado ms positivamente es capaz de generar una elevada
fuerza de atraccin con el extremo negativo de una molcula adyacente, como se muestra
en la Figura 2.26 para el HF. En esencia, este simple protn forma un puente entre dos
tomos cargados negativamente. La magnitud del enlace por puente de hidrgeno es
generalmente mayor que la asociada a otros tipos de enlaces secundarios A consecuencia
del en lace por puente de hidrgeno, las temperaturas de fusin y ebullicin del fluoruro de
hidrgeno (HF) y del agua H son normalmente altas, comparadas con sus pesos
moleculares.
Figura 2.26.-. Representacin esquemtica del enlace de hidrgeno en el fluoruro de hidrogeno (HF).
45
Captulo 2
2.7.4
Tabla 2.5.- Comparacin entre las temperaturas de fusin de algunos de los materiales ms representativos
del Captulo 2.
46
Captulo 2
Hasta ahora se han visto los cuatro tipos principales de enlace atmico, tres
enlaces primarios (inico, covalente y metlico) y el enlace secundario. Por tradicin se
distinguen tres materiales estructurales fundamentales (metales, cermicos y polmeros),
que estn relacionados directamente con los tres tipos de enlace primario (metlico, inico
y covalente, respectivamente). Se trata de un concepto muy til, aunque que los polmeros
deben su comportamiento a la existencia de enlaces covalentes y secundarios al mismo
tiempo. Los cermicos ms importantes presentan un fuerte carcter inico y covalente a
la vez. En la Tabla 2.6 se resume el carcter del enlace asociado con los cuatro tipos
fundamentales de materiales para ingeniera, junto con algunos ejemplos representativos.
Debe tenerse en cuenta que el carcter mixto del enlace en los cermicos hace referencia
a la doble naturaleza, inica y covalente a la vez, de un determinado enlace (por ejemplo,
SiO), mientras que el carcter mixto del enlace en el caso de los polmeros se refiere a la
existencia de enlaces de diferente naturaleza dentro de un mismo material, covalente (por
ejemplo, CH) y secundario (por ejemplo, entre cadenas moleculares). La contribucin
relativa de los diferentes tipos de enlace se puede representar grficamente en la forma de
un tetraedro de tipos de enlace (Figura 2.27), en el que cada vrtice del tetraedro
corresponde a un tipo puro de enlace.
Tabla 2.6.- Carcter del enlace de los cuatro tipos fundamentales de materiales para ingeniera
47
Captulo 2
Figura 2.27.- En el tetraedro de la figura se ha tratado de representar la contribucin relativa de los diferentes
tipos de enlace a cada una de las cuatro categoras fundamentales de materiales para ingeniera (los tres tipos
estructurales y los semiconductores).
CAPTULO 3
Estructura Cristalina
48
Captulo 2
49
Captulo 2
Figura 3.1.- Varias unidades estructurales que describen esquemticamente la estructura cristalina. La unidad
estructural ms simple es la celda unidad.
50
Captulo 2
51
Captulo 2
Figura 3.3.- La red cbica simple se convierte en la estructura cristalina cbica simple cuando se sita un
tomo en cada punto reticular.
52
Captulo 2
53
Captulo 2
Cantidad de tomos por Celda unitaria: Cada una de las celdas unitarias
est definida por un nmero especfico de puntos de red. Por ejemplo las
54
Captulo 2
55
Captulo 2
FEA =
Tabla 3.3.- Relacin entre el tamao de la celda unidad (longitud de la arista) y el radio atmico para las
estructuras metlicas comunes.
nA
VcNa
Donde
n:
nmero de tomos asociados a cada celdilla unidad
A:
peso atmico
Vc: volumen de la celdilla unidad
Na: nmero de Avogadro (6,023 x 1023 tomos/mol)
56
Captulo 2
Ejemplos:
Calcular el volumen de la celdilla unidad FCC en funcin del radio atmico R.
SOLUCIN
En la celdilla unidad esquematizada, cada tomo contacta con el vecino a lo largo
de la diagonal, cuya longitud es 4R. Ya que la celdilla unidad es un cubo, su volumen es a
donde a es la longitud de la arista. Del tringulo rectngulo de la cara
a 2 + a 2 = (4R )
Vc = a 3 = 2 R 2
= 16 R 3 2
Ejemplo 2
Demostrar que el factor de empaquetamiento atmico para la estructura cristalina
FCC es 0,74.
SOLUCIN
El FEA se define como la fraccin de volumen de esferas rgidas en una celdilla
unidad:
57
Captulo 2
FEA =
V
Volumen total esferas
= s
volumen total celdilla unidad Vc
4
16
Vs = (4 ) R 3 = R 3
3
3
Del ejemplo 1. se deduce que el volumen total de la celdilla unidad vale:
Vc = 16 R 3 2
Por lo tanto, el factor de empaquetamiento atmico es
16 3
R
Vs 3
= 0,74
FEA =
=
Vc 16 R 3 2
Ejemplo 3
Calcular la densidad del cobre y compararla con la densidad experimental,
sabiendo que tiene un radio atmico de 0,128 nm (1,28 ), estructura cristalina FCC y un
peso atmico de 63,5 g/mol.
SOLUCIN
Para solucionar este problema se utiliza la ecuacin de densidad. Puesto que la
estructura cristalina es FCC el nmero de tomos por celdilla unidad n es 4. El peso
atmico Cu es 63,5 g/mol. El volumen de la celdilla unidad Vc para FCC se determin
en el ejemplo 1 como 16 R3 2 donde R, el radio atmico, mide 0,128 nm.
Sustituyendo los varios parmetros,
58
Captulo 2
[16
nACu
nACu
=
VcNa 16 R 3 2 N A
](
23
= 8,89 g / cm 3
El valor de la densidad experimental del cobre es 8,94 g/cm3 valor muy prximo al
resultado
59
Captulo 2
Figura 3.6.- Estructura cbica centrada en el cuerpo (bcc) en metales, mostrndose (a) la disposicin de los
puntos reticulares en una celda unidad; (b) el empaquetamiento real de los tomos (representados como esferas rgidas)
dentro de una celda unidad; y (c) la estructura bcc repetida, equivalente a muchas celdas unidad adyacentes.
La Figura 3.7 muestra la estructura cbica centrada en las caras (fcc, face
centered cubic), que corresponde a la red de Bravais cbica centrada en las caras, con un
tomo en cada punto reticular. Hay medio tomo (es decir, un tomo compartido por dos
celdas unidad) en el centro de cada cara de la celda unidad, y un octavo de tomo en
cada uno de los vrtices de la celda unidad, lo que hace un total de cuatro tomos en cada
celda unidad fcc. El factor de empaquetamiento atmico para esta estructura es 0.74, un
valor ligeramente mayor que el de 0.68 correspondiente a los metales bcc. De hecho, un
APF de 0.74 es el mayor posible que puede obtenerse al llenar el espacio agrupando
esferas rgidas del mismo tamao. Debido a esto, a veces la estructura fcc se conoce
como cbica de empaquetamiento compacto (ccp, cubic close packed). Los metales
tpicos que presentan esta estructura son el Fe- (estable entre los 912 y los 1394 C), Al,
Ni, Cu, Ag, Pt y Au.
60
Captulo 2
Figura 3.7.- Estructura cbica centrada en las caras (fcc) en metales, mostrndose (a) la disposicin de los
puntos reticulares en una celda unidad; (b) el empaquetamiento real de los tomos dentro de una celda unidad; y (c) la
estructura fcc repetida, equivalente a muchas celdas unidad adyacentes
La estructura hexagonal compacta (hcp, hexagonal close packing) (Figura 3.8) hay
dos tomos asociados a cada punto de la red de Bravais. Hay un tomo centrado dentro
de la celda unidad y varias fracciones de tomos en los vrtices de la celda unidad (cuatro
1/6 tomos y cuatro 1/12 tomos), lo que proporciona un total de dos tomos por celda
unidad. Como indica el trmino compacto, esta estructura es tan eficiente, desde el punto
de vista de empaquetamiento de esferas, como la estructura fcc. Las dos estructuras, hcp
y fcc, tienen un factor de empaquetamiento atmico de 0.74. Entre los metales tpicos con
una estructura hcp se incluyen el Be, Mg, Ti-a, Zn y Zr.
61
Captulo 2
Figura 3.8.- Estructura hexagonal compacta (hcp) en metales que muestra (a) la disposicin de los centros de
los tomos relativa a los puntos reticulares para una celda unidad. Hay dos tomos por punto reticular (ntese el ejemplo
a trazos discontinuos), (b) El empaquetamiento real de los tomos dentro de la celda unidad. Se aprecia cmo el tomo
situado en el plano medio se extiende ms all de los lmites de la celda unidad, (c) La estructura hcp repetida,
equivalente a muchas celdas unidades adyacentes.
Debido a que suele presentar confusin la figura 3.8, para un mejor entendimiento
se ha agregado la figura 3.9
Figura 3.9.- Estructura cristalina HCP: a) esquema de la estructura cristalina, b) modelo de esfera dura y c) esquema de
celda unitaria aislada
62
Captulo 2
63
Captulo 2
Figura 3.10.- Formas cristalinas alotrpicas del hierro entre distintos rangos de temperatura a presin
64
Captulo 2
Figura 3.11 Celdilla unidad con los ejes de coordenadas x, y y z mostrando las longitudes de las
aristas (a, b y c) y los ngulos interaxiales (, y ).
3.5.1
DIRECCIONES CRISTALOGRFICAS
Una direccin cristalogrfica se define por una lnea entre dos puntos o por un
vector. Se utilizan las siguientes etapas para determinar los ndices de las tres
direcciones.
1. En el origen de coordenadas del sistema se traza un vector de longitud
conveniente. Todo vector se puede trasladar a travs de la red cristalina sin
alterarse, si se mantiene el paralelismo.
2. Se determina la longitud del vector proyeccin en cada uno de los tres ejes; en
funcin de las dimensiones a, b y c de la celdilla unidad.
3. Estos tres nmeros se multiplican o se dividen por un factor comn para reducirlos
al valor entero menor.
4. Los tres ndices, sin separacin, se encierran en un corchete, as: [uvw]. Los
nmeros enteros u, v y w corresponden a las proyecciones reducidas a lo largo
de los ejes x, y y z, respectivamente.
Para cada uno de los tres ejes existen coordenadas positivas y negativas. Los
ndices negativos tambin son posibles y se representan mediante una lnea sobre el
ndice.
65
Captulo 2
Ejemplo, la direccin 111 tiene un componente en la direccin - y. Cambiando
los signos de todos los ndices se obtiene una direccin anti-paralela; por ejemplo, 111 ,
significa la direccin directamente opuesta a 111 .
Si en una estructura cristalina particular se deben especificar una direccin o un
plano, conviene, para mantener la coherencia, que la conversin positiva-negativa no se
cambie una vez establecida. Las direcciones [100], [110] y [111] son nicas y estn
dibujadas en la celdilla unidad mostrada en la Figura 3.12.
Figura 3.12.- Las direcciones [100], [110] y [111] en una celda unidad.
Ejemplo 4.
Determinar los ndices de la direccin mostrada en la figura adjunta.
66
Captulo 2
SOLUCIN
El vector dibujado pasa por el origen del sistema de coordenadas y por lo tanto, no
necesita traslacin. Las proyecciones de este vector en los ejes x, y y z son,
respectivamente, a/2, b y 0c, que se convierten en 1/2. 1 y 0 en trminos de los
parmetros de la celdilla unidad (por ejemplo, cuando a, b y c desaparecen). La reduccin
de estos nmeros al menor de los enteros se consigue multiplicando cada uno de ellos por
el factor 2. El conjunto de estos enteros 1, 2 y 0 se encierra dentro de un parntesis como
[120]
Este procedimiento se puede resumir as:
Ejemplo 5
Dibujar una direccin 11 0 dentro de una celdilla unidad cbica.
SOLUCIN
En primer lugar se dibuja una celdilla unidad adecuada y el sistema de ejes
coordenados. En la figura adjunta la celdilla unidad es cbica y el punto O, origen del
sistema de coordenadas, est localizado en un vrtice del cubo.
67
Captulo 2
direcciones que tienen los mismos ndices, sin tener en cuenta orden o signo, son
equivalentes; por ejemplo, [123] y 213 .
68
Captulo 2
Planos cristalogrficos
1. Si el plano pasa por el origen, se traza otro plano paralelo con una adecuada
traslacin dentro de la celdilla unidad o se escoge un nuevo origen en el vrtice de
otra celdilla unidad.
2. El plano cristalogrfico o bien corta, o bien es paralelo a cada uno de los tres ejes.
La longitud de los segmentos de los ejes se determina en funcin de los parmetros
de red h, k y l.
3. Se escriben los nmeros recprocos de estos valores. Un plano paralelo a un eje se
considera que lo corta en el infinito y, por lo tanto, el ndice es cero.
4. Estos tres nmeros se multiplican o dividen por un factor comn.
5. Finalmente, se escriben juntos los ndices enteros dentro de un parntesis: (hkl)
69
Captulo 2
Una interseccin en el sentido negativo del origen se indica mediante una barra o
un signo menos sobre el ndice. Adems, cambiando el signo de todos los ndices se
obtiene un plano paralelo opuesto a una distancia equivalente del origen. En la Figura 3.14
se han representado varios planos con ndice bajo.
Una caracterstica nica e interesante de los cristales cbicos es que los planos y
las direcciones que tienen los mismos ndices son perpendiculares entre s. Sin embargo,
esta relacin geomtrica entre planos y direcciones que tienen los mismos ndices no
existe en otros sistemas cristalinos.
70
Captulo 2
Figura 3.14.- Representaciones de planos cristalogrficos correspondientes a las series (a) (001), (b) (110) y
(c) (111).
Ejemplo 6.
Determinar los ndices de Miller del plano mostrado en la figura adjunta (a).
SOLUCIN
71
Captulo 2
Finalmente se escriben entre parntesis 0 1 2 .
Ejemplo 7.
Dibujar un plano 0 11 dentro de una celdilla unidad cbica
SOLUCIN
El procedimiento para solucionar este problema puede ser el inverso del problema
anterior. En primer lugar se elimina el parntesis de los nmeros y se escriben los
recprocos , -1 y 1. Esto significa que el plano es paralelo al eje x, mientras que corta a
los ejes y y z en -b y c respectivamente como indica la figura (a). Este plano se ha
dibujado en la figura (b). El plano se indica mediante segmentos que representan sus
intersecciones con las caras de la celdilla unidad o sus prolongaciones. Por ejemplo en la
figura, el segmento ef es la interseccin entre el plano 0 11 y la base superior de la
72
Captulo 2
celdilla unidad el segmento gh representa la interseccin entre este mismo plano 0 11 y
73
Captulo 2
3.6 Monocristales
Cuando la disposicin atmica de un slido cristalino es perfecta, sin
interrupciones, a lo largo de toda la muestra, el resultado es un monocristal. Todas las
celdillas unidad estn entrelazadas o unidas del mismo modo y tienen la misma direccin.
Los monocristales existen en la naturaleza, pero tambin se pueden generar
artificialmente. El crecimiento de estos ltimos es, por lo general, difcil, ya que el medio se
debe controlar cuidadosamente.
Si los extremos de un monocristal crecen sin impedimentos externos, el cristal
adquiere una forma geomtrica regular con caras planas, como las que presentan algunas
piedras preciosas.
74
Captulo 2
Figura 3.16.- Esquemas de varias etapas de la solidificacin de un material poli cristalino; las cuadrculas
representan celdillas unidad. (a) Ncleos de cristalizacin. (b) Crecimiento de los cristales pequeos. Tambin se
observa que algn cristal obstruye el crecimiento de su vecino. (c) Al terminar la solidificacin aparecen granos de
formas irregulares. (d) Bajo el microscopio, la estructura de los granos aparece con lneas oscuras en los lmites de
grano.
75
Captulo 2
3.8 Anisotropa
Las propiedades fsicas de algunos monocristales dependen de la direccin
cristalogrfica tomada para su medida.
Por ejemplo, el mdulo elstico, la conductividad elctrica y el ndice de
refraccin pueden tener diferentes valores en la direccin [100] y en la [111]. La
direccionalidad de las propiedades se denomina anisotropa y est relacionada con la
variacin de la distancia atmica o inica segn la direccin cristalogrfica.
Las substancias cuyas propiedades son independientes de la direccin de la
medida se denominan isotrpicas.
La extensin y la magnitud de los efectos anisotrpicos en materiales
cristalinos son funcin de la simetra de la estructura cristalina. El grado de anisotropa se
incrementa al disminuir la simetra estructural: normalmente las estructuras triclnicas
tienen la mayor anisotropa. En la Tabla 3.5 se dan valores del mdulo elstico en las
orientaciones [100], [110] y [111] de varios materiales.
En la mayora de los materiales policristalinos, las orientaciones cristalogrficas
de los granos individuales son completamente al azar. En estas circunstancias, aunque
cada grano sea anisotrpico, la probeta compuesta de un conjunto de granos, se
comporta isotrpicamente. Tambin la magnitud de la propiedad medida significa el
promedio del valor direccional. Existen tcnicas destinadas a producir materiales
policristalinos cuyos granos tienen una orientacin cristalogrfica preferente. Estas
tcnicas se utilizan cuando interesa obtener caractersticas anisotrpicas.
Tabla 3.5. Valores del mdulo de elasticidad de varios metales y en distintas
orientaciones cristalograficas.
76
Captulo 2
Tabla 3.5.- Valores del mdulo de Elasticidad de varios materiales en diferentes direcciones cristalograficas
3.15.
SLIDOS NO CRISTALINOS
77
Captulo 2
78
Captulo 2
CAPTULO 4
79
Captulo 2
Figura 4.1.- Defectos de Puntos: (a) Vacancia (b) tomo intersticial, (c) tomo de Sustitucin
Pequeo, (d) tomo de sustitucin Grande, (e) Defecto de Frenkel, (f) Defecto de Schottky; Todos estos
defectos perturban el arreglo perfecto en los tomos que los rodea
4.1.1
Vacancias:
80
Captulo 2
material slido, en especial en los metales puros. En el captulo de Difusin se ver esto
en ms detalle en el curso.
En los materiales cermicos tambin pueden aparecer vacancias durante su
procesamiento. Por ejemplo, las cermicas de titanato de bario (BaTiO3) se usan para
fabricar capacitores de cermica. El proceso de fabricacin de los capacitores es un
tratamiento trmico llamado sintetizado (~ 1300 C), El sinterizado es el proceso mediante
el cual se forma una masa densa calentando materiales pulverizados compactados, El
proceso puede significar la formacin de un lquido. Normalmente, este tratamiento
trmico para el BaTiO3 se efecta en el aire. Si se hace en una atmsfera reductora o
inerte (por ejemplo, de hidrgeno o nitrgeno), algunos de los iones oxgeno del BaTiO3
dejaran el material en forma de oxgeno gaseoso. Esto causar la formacin de vacancias
de ion oxgeno. La formacin de vacancias de ion oxigeno causar a su vez otros cambios
en el BaTiO3, por ejemplo, convertirlo en un semiconductor. Esto no es bueno si estamos
fabricando capacitores para almacenar carga elctrica. En algunos casos, se pueden
introducir vacancias en determinados sitios inicos para aumentar el movimiento de los
iones en los materiales cermicos, lo que puede contribuir a la sinterizacin a menores
temperaturas. En otras aplicaciones ms, se usan las vacancias creadas en un material
cermico para afinar sus propiedades elctricas. Esto se hace en muchas cermicas que
se usan como xidos conductores y transparentes, como el xido de indio y estao y en
los sensores de zirconio para oxgeno.
A temperatura ambiente (298 K aproximadamente), la concentracin de
vacancias es pequeas, pero aumente en forma exponencial al aumentar la temperatura.
Qv
Nv = N exp
kT
En esta expresin, N es el nmero total de lugares ocupados por tomo, Q es la
energa de activacin (energa vibracional requerida para la formacin de una vacante), T
es la temperatura absoluta, en grados kelvin y k es la constante Boltzmann o de los gases.
El valor de k es 1,38 x 1023 J/tomos K, o 8,62 x 10-5 eV/tomo-K, dependiendo de las
unidades de Qv. De este modo, el nmero de vacantes crece exponencialmente con la
81
Captulo 2
N=
(6,023 *10
23
)(
N A
ACu
)(
N= 8,0*1028 tomos/m3
As, el nmero de vacantes a 1000C (1273 K) es igual a
82
Captulo 2
Qv
N v = N exp
kT
(0,9eV )
N v = 8,0 * 10 28 tomos / m 3 exp
5
8,62 * 10 eV / K (1273K )
N v = 2,2 * 10 25 vacantes / m 3
4.1.2
Defectos Intersticiales:
Defectos Sustituciones
83
Captulo 2
84
Captulo 2
Figura 4.2.- Cuando un catin divalente reemplaza a otro monovalente, tambin se debe quitar un segundo
catin monovalente, con lo que se crea una vacancia.
4.2 Dislocaciones
Las dislocaciones son imperfecciones lineales de un cristal que de otra manera
seria perfecto, al igual que los defectos puntuales. Se suelen introducir en el cristal durante
la solidificacin del material o cuando el material se deforma permanentemente. Aunque
en todos los materiales, incluyendo cermicos y polmeros, hay dislocaciones, son
especialmente tiles para explicar la deformacin y el endurecimiento de los materiales
metlicos. Cabe mencionar que la existencia de las dislocaciones fue postulada 25 aos
antes de los primeros informes sobre su observacin.
Se pueden identificar tres tipos de dislocaciones, de tornillo o helicoidal, de borde
y mixta.
85
Captulo 2
4.2.1
Figura 4.3 El cristal perfecto (a) se corta y ranura una distancia atmica (b) y (c). La lnea a lo largo de la cual
se hace el corte es una dislocacin de tornillo. Se requiere un vector de Burgers b para cerrar un ciclo de distancia
atmicas iguales en torno a la dislocacin de tornillo.
86
Captulo 2
Figura 4.4 Dislocacin Helicoidal. El apilamiento es espiral de los planos cristalinos hace que el vector de
Burgers sea paralelo a la lnea de dislocacin.
4.2.2
Una dislocacin de borde figura 4.5 se puede ilustrar haciendo un corte parcial en
un cristal perfecto, abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de
tomos. La orilla inferior de este plano insertado representa la dislocacin de borde. Si se
describe un circuito en torno a la dislocacin de borde, en sentido de las manecillas del
reloj comenzando en el punto x y recomiendo una cantidad igual de distancias atmicas en
cada direccin, se terminar en el punto y, a una distancia atmica del punto de partida. El
vector necesario para cerrar el circuito es de nuevo, el vector de Burgers. En este caso, el
vector de Burgers es perpendicular a la dislocacin. Al introducir la dislocacin, los tomos
que estn arriba de la lnea de dislocacin estn muy comprimidos entre s, mientras que
los de abajo estn Tensionados. La regin vecina del cristal se ha perturbado por la
presencia de la dislocacin. A diferencia de una dislocacin de borde o arista, una de
torillo no se puede visualizar como un semiplano adicional de tomos. A menudo un
smbolo "" se usa a menudo para referirse a una dislocacin de borde. El eje longitudinal
de los puntos "" hacia el semiplano adicional.
87
Captulo 2
Figura 4.5.- El cristal perfecto en (a) se corta y se intercala un plano adicional de tomos (b). El borde inferior
del plano adicional es una dislocacin de borde (c). Se requiere un vector de Burgers b para cerrar el circuito de
distancias atmicas iguales en torno a la dislocacin de borde.
Figura 4.6.- Dislocacin de borde o de arista. El defecto lineal viene representado por el borde de un
semiplano extra de tomos.
4.2.3
Dislocaciones Mixtas
88
Captulo 2
Figura 4.7.- Dislocacin Mixta. La dislocacin de tornillo en la cara frontal del cristal cambia en forma gradual a
dislocacin de borde en el lado derecho del cristal
4.2.4
Esfuerzos
Movimiento de Dislocaciones
89
Captulo 2
90
Captulo 2
Figura 4.8 (a) Cuando un esfuerzo cortante se aplica a la dislocacin en (a), los tomos se desplazan, (b)
causando que la dislocacin se mueva un vector de Burgers en la direccin de deslizamiento. (c) El movimiento
continuado de la dislocacin eventualmente crea un paso (d), y el cristal se deforma. (e) El movimiento de una oruga es
anlogo al movimiento de una dislocacin.
4.2.6
Deslizamiento
91
Captulo 2
92
Captulo 2
debe tener una distancia pequea de repeticin o una alta densidad lineal. Las
direcciones de empaquetamiento compacto en los metales y las aleaciones
satisfacen este criterio y son las direcciones normales de deslizamiento.
2. El esfuerzo necesario para hacer que la dislocacin se mueva disminuye en forma
exponencial al aumentar la distancia interplanar de los planos de deslizamiento. El
deslizamiento es ms fcil entra tomos que son lisos (que tiene cumbres y valles
ms suaves en la superficie) y entre planos que estn alejados entre s o que tiene
una distancia interplanar relativamente grande. Los planos con una gran densidad
planar llenan ente requisito. En consecuencia, los planos de deslizamiento suelen
ser los de empaquetamiento compacto o los que tengan un empaquetamiento lo
ms compacto posible. Los sistemas comunes de deslizamiento en varios
materiales se muestran en la tabla 4.1
3. Las dislocaciones no se mueven can facilidad en materiales como el silicio o los
polmeros. que tienen enlaces covalentes. Debido a la fuerza y la direccionalidad de
los enlaces, esos materiales suelen fallar por. fractura frgil antes de que la fuerza
sea suficientemente grande como para causar un deslizamiento apreciable. Se
debe tener en cuenta que en muchos polmeros diseados, las dislocaciones
representan un papel relativamente pequeo en la deformacin, Como se describi
la mayora de los polmeros contienen fracciones apreciables de volumen que son
amorfas. En muchos polmeros, es posible una deformacin apreciable sin fractura
porque, cuando se aplica un esfuerzo, las cadenas de polmero se enredan.
4. Los materiales con enlazamiento Inico, Incluyendo muchos cermicos como el
MgO, tambin son resistentes al deslizamiento, El movimiento de una dislocacin
interrumpe el balance de cargas en torno a los aniones y los cationes, y se requiere
romper los enlaces entre aniones y cationes. Durante el deslizamiento, los iones
con carga igual tambin deben pasar cerca uno de otros, causando repulsin. Por
ltimo la distancia de repeticin a lo largo de la direccin de deslizamiento, o el
vector de Burgers., es mayor que en los metales y aleaciones. De nuevo, suele
presentarse la fractura frgil del material cermico a causa de la presencia de
imperfecciones como pequeos agujeros (poros) antes de que el valor del esfuerzo
aplicado sea suficiente para hacer que las dislocaciones se muevan. Se puede
obtener ductilidad en los materiales cermicos mediante algunas tcnicas, se deja
la inquietud al alumno para que investigue por su cuenta estas tcnicas.
93
Captulo 2
Estructura Cristalina
Plano de Deslizamiento
Direccin de
Deslizamiento
{110}
Metales BCC
{112}
(111)
{123}
{111}
(110)
{0001}
(111)
{112 0}*
(111)
(111)
{111 1}
Silicio (Covalente)
Metales FCC
Metales HCP
(111)
{110}
(110)
{111}
(110)
4.2.7
En primer lugar, las dislocaciones tienen gran importancia en los metales y las
aleaciones porque proporcionan un mecanismo para la deformacin plstica, mecanismo
que es el efecto acumulado de numerosas dislocaciones. La deformacin plstica es una
deformacin o cambio de forma irreversible que se presenta cuando se retira la fuerza o el
esfuerzo que la caus. Esto se debe a que el esfuerzo aplicado causa el movimiento de
dislocaciones, el cual, a su vez causa la deformacin permanente. El trmino "deformacin
plstica" significa que est causada por el movimiento de dislocaciones. Sin embargo, hay
otros mecanismos que causan deformacin permanente: Se debe distinguir la deformacin
plstica de la deformacin elstica, que es un cambio temporal de forma que sucede
mientras una fuerza o un esfuerzo se aplica a un material En la deformacin elstica, el
cambio de forma lo causa la elongacin de los enlaces interatmicos: sin embargo, no hay
movimiento de dislocaciones- El deslizamiento se puede presentar en algunos cermicos y
94
Captulo 2
algunos polmeros. Sin embargo, hay otros factores (por ejemplo, porosidad de los
cermicos o enredo de cadenas en los polmero, etc.) que dominan en el comportamiento
mecnico de polmeros y cermicos. Los materiales amorfos, como los vidrios de silicato,
no tienen un arreglo peridico de iones y, por consiguiente, no contienen dislocaciones. En
consecuencia el proceso de deslizamiento tiene especial importancia para comprender el
comportamiento mecnico de los metales. En primer lugar, el deslizamiento explica por
qu la resistencia de los metales es mucho menor que el valor deducido a partir del enlace
metlico. Si se presenta el deslizamiento, solamente se necesita romper una fraccin
diminuta de todos los enlaces metlicos a travs de la interfaz en cualquier momento, y la
fuerza que se requiere para deformar al metal es pequea. Se puede demostrar que la
resistencia real de los metales es de 103 a 104 veces menor que la esperada a partir de la
resistencia de los enlaces atmicos.
En segundo lugar, el deslizamiento proporciona ductilidad a los metales. Si no
hubiera dislocaciones, una barra de acero sera frgil y los metales no se podran moldear
en formas tiles con los procesos de trabajo propios de ellos, como la forja, por ejemplo.
En tercer lugar, se controlan las propiedades de un metal o una aleacin
interfiriendo con el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido en el cristal
evita que una dislocacin se deslice, a menos que se apliquen fuerzas mayores. As, la
presencia de dislocaciones ayuda a endurecer los materiales metlicos.
En los materiales se encuentran cantidades enormes de dislocaciones. La
densidad de dislocaciones o longitud total de dislocaciones por unidad de volumen es lo
que suele usarse para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Las densidades
de dislocacin de 106 cm/cm3 son normales en los metales ms suaves, mientras que al
deformar el material se pueden alcanzar densidades hasta de 1012 cm/cm3.
Las dislocaciones tambin influyen sobre las propiedades electrnicas y pticas de
los materiales Por ejemplo, la resistencia del cobre puro aumenta al aumentar la densidad
de dislocaciones. La resistividad del cobre puro depende mucho de pequeas
concentraciones de impurezas. De igual forma, la velocidad con la que los portadores de
carga, como los electrones, pueden moverse en el silicio depende de la densidad de
dislocaciones. Es preferible usar cristales de silicio donde esencialmente no hay
dislocaciones, porque esto permite el movimiento ms rpido de los portadores de carga,
como son los electrones. Normalmente, la presencia de dislocaciones tiene un efecto
perjudicial sobre la eficiencia de los fotodetectores, los diodos emisores de luz, los lseres
95
Captulo 2
Figura 4.10.- (a) En un sistema de deslizamiento se produce un esfuerzo cortante resuelto ( nota: + no
tiene que ser necesariamente 90), (b) El movimiento de dislocaciones en el sistema de deslizamiento deforma el
material, (c) Resolucin (descomposicin) de la fuerza
96
Captulo 2
donde
=
=
97
Captulo 2
superficie exterior tambin puede ser muy spera, contener muescas diminutas y ser
mucho ms reactiva que el interior del material.
4.4.2
Lmites de grano
Figura 4.11 (a) los tomos cercanos a los lmites de los tres granos no tiene una distancia o arreglo en
equilibrio. (b) Granos y lmites de granos en una muestra de acero inoxidable
4.4.3
98
Captulo 2
superficie es menor que la de un lmite de grano normal, los lmites de grano con ngulo
pequeo no son tan eficientes para bloquear los deslizamientos. Los lmites de grano con
tamao pequeo que se forman por las dislocaciones de borde se llaman lmites
inclinados; los que se forman por dislocaciones de tornillo se llaman lmites de giro.
Figura 4.12.- Limite de grano de ngulo pequeo se produce con un conjunto de dislocaciones que causan un
des-alineamiento angular () entre las redes cristalinas a ambos lados del lmite.
4.4.4
Fallas de Apilamientos
Lmites de Macla
99
Captulo 2
Figura 4.13 La aplicacin de un esfuerzo a un cristal perfecto (a) puede causar un desplazamiento de los
tomos, (b) causando la deformacin de una macla. Observe que el cristal se ha deformado como consecuencia del
maclado
Efecto sobre las propiedades mecnicas a travs del control del proceso de
deslizamiento
100
Captulo 2
Una dislocacin en un cristal metlico, que por lo dems sera perfecto, se puede
mover con facilidad por el cristal si el esfuerzo cortante resuelto es igual al esfuerzo
cortante crtico resuelto. Sin embargo, si la dislocacin se encuentra con una regin donde
los tomos estn desplazados respecto a sus posiciones normales, se requiere un
esfuerzo mayor para forzar el paso de la dislocacin por la regin de alta energa local; en
consecuencia, el material es ms resistente. En los materiales, los defectos corno las
dislocaciones, defectos puntuales y lmites de grano sirven como "obstculo " a las
dislocaciones. Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlando la
cantidad y el tipo de las imperfecciones. Hay tres mecanismos comunes de
endurecimiento (o reforzamiento) que se basan en las tres categoras de defectos en los
cristales. Como el movimiento de dislocaciones es relativamente ms fcil en los metales y
aleaciones, estos mecanismos suelen funcionar mejor en los materiales metlicos. Es
necesario tener en cuenta que, con mucha frecuencia, la resistencia de los cermicos a la
tensin y a bajas temperaturas est determinada por la cantidad de porosidades
(presencia de pequeos agujeros). Con frecuencia, los polmeros son amorfos y, por tanto,
las dislocaciones desempean un papel muy pequeo en su comportamiento mecnico.
4.5.2 Endurecimiento por Deformacin
Las dislocaciones interrumpen la perfeccin de la estructura cristalina. En la figura
4.14, los tomos abajo de la lnea de dislocacin en el punto B estn comprimidos,
mientras los de arriba de B estn ms alejados. Si la dislocacin A se mueve hacia la
derecha y pasa cerca de la dislocacin B, la dislocacin A se encuentra con una regin
donde los tomos no tienen un orden adecuado. Se requieren mayores esfuerzos para
mantener en movimiento la segunda dislocacin; en consecuencia, el metal debe ser ms
resistente. Al aumentar la cantidad de dislocaciones, sigue aumentando la resistencia del
material, porque al aumentar la densidad de las dislocaciones se producen ms
obstculos al movimiento de las dislocaciones. Se puede demostrar que la densidad de
dislocaciones aumenta en forma notable a medida que se deforma un material. Este
mecanismo de aumentar la resistencia de un material por medio de la deformacin se
llama endurecimiento por deformacin (o endurecimiento por trabajo en fro). Tambin
podemos demostrar que es posible reducir la densidad de dislocaciones, en forma
apreciable, calentando un material a una temperatura relativamente alta y mantenindolo
en ella durante largo tiempo. A este tratamiento se le llama recocido y se usa para impartir
ductilidad a los materiales metlicos. Por lo anterior, el control de la densidad de
101
Captulo 2
Figura 4.14.- Si la dislocacin del punto A se mueve hacia la izquierda queda bloqueada por el defecto
puntual. Si se mueve hacia la derecha, interacta con la red perturbada cercana a la segunda dislocacin en el punto B.
Si se mueve ms a la derecha queda bloqueada por el lmite de Grano
4.5.3
102
Captulo 2
103
Referencias Bibliogrficas
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS