INSTITUTO TECNOLGICO DE OAXACA

INGENIERA ELECTRNICA
MATERIA:
FSICA DE SEMICONDUCTORES

PROFESOR:
CASTELLANOS BALTAZAR ROBERTO TAMAR

ACTIVIDAD:
CUADRO COMPARATIVO DE LOS FENMENOS DE RUPTURA

INTEGRANTES DE EQUIPO:

Cortez Pacheco Diego Ivn

Fausto Snchez Antonio
Hernndez Martnez Luis Alejandro
Jimnez Jurez Edwin ramiro
Miguel Reyes Jos Carlos
Ziga Flores Juan Alberto

FENMENO

RUPTURA POR AVALANCHA.

FUNCIONAMIENTO

CARACTERSTICAS
DE OPERACIN

APLICACIN

Es un fenmeno provocado por la creacin

en cadena de pares eh+ en condiciones
de campo elctrico intenso.
El proceso de multiplicacin por avalancha
ocurre cuando en presencia de un campo
elctrico suficientemente elevado se genera
un electrn de procedencia trmica
(denotado por 1).

Existe un factor M llamado factor

multiplicativo que gobierna la corriente
inversa Ii una vez iniciado el proceso de
avalancha.

La aplicacin tpica de estos diodos es

la
proteccin
de circuitos
electrnicos contra sobretensiones
Los diodos avalancha generan ruido de
radio frecuencia; son comnmente
utilizados como fuentes de ruido en
equipos de radio frecuencia. Tambin
son usados como fuentes de ruido en
los analizadores de antena y como
generadores de ruido blanco.

Con este factor multiplicativo, la corriente

inversa en las regiones de la caracterstica
corriente-tensin cercanas a la ruptura, y
cuando V = Vr, la corriente se hace infinita
Dicho electrn adquiere energa cintica a debido al fenmeno de avalancha.
expensas de la del campo elctrico. Si este
campo es suficientemente elevado, la Por otra parte, la tensin de ruptura Vr por
energa cintica puede ser la suficiente
avalancha
tiene
un
coeficiente
de
como para producir, mediante colisin con temperatura positivo, es decir, aumenta con
un tomo de la red cristalina, un par
la temperatura.
electrn-hueco (denotado por 2 y 2). Este
hecho se denomina ionizacin por impacto.
El par electrn-hueco tambin puede
aumentar su energa cintica a expensas
del campo aplicado y generar otro par
electrn-hueco (3 y 3).
Este proceso en presencia del campo
elctrico
puede
ser
multiplicativo
aumentando la conductividad de las
regiones P y N
Este es el llamado fenmeno de ruptura a
travs de la multiplicacin por avalancha

los mecanismos de multiplicacin por

avalancha pueden generar potencia a
nivel de microondas (diodo IMPATT) y
pueden ser utilizados para detectar
seales pticas (fotodetector por
avalancha).

EFECTO TNEL O ZNER

Se produce cuando un campo elctrico

intenso se aplica a la unin p-n. bajo estas
condiciones de campo elctrico un electrn
situado en la banda de valencia puede
efectuar una transicin a la banda de
conduccin penetrando o saltndose la
barrera de potencial.
El efecto tnel se da cuando hay presente
en la unin p-n altos valores de campo
elctrico, para el caso del Si y el GaAs, el
valor del campo para manifestarse el efecto
tnel es de 106V/cm o mayor. Esto slo es
posible cuando las regiones P y N estn
fuertemente dopadas (>5.1017cm-3), de
forma que la anchura W de la regin
espacial de carga es muy pequea.
En trminos macroscpicos, el fenmeno
de ruptura por efecto tnel se da para
valores de la tensin de ruptura del orden
de 4.Eg/q o menores donde Eg es la
anchura de la banda prohibida de energa
.

Al aumentar la tensin de polarizacin Estos

diodos
slo
encuentran
inversa, esta provoca un incremento de la
aplicaciones reducidas como en circuito
corriente provocando la ruptura.
osciladores de alta frecuencia.
La tensin inversa aplicada genera un
elevado campo elctrico que provoca el
efecto de avalancha acelerando a los
portadores que, de hecho,
producen nuevos portadores.

no se puede utilizar como rectificador

debido a que tiene una corriente de
fuga muy grande cuando estn
polarizados en reversa