UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERA Y
ARQUITECTURA
ESCUELA DE INGENIERIA Y
ARQUITECTURA

Laboratorio 4: Amplificador
Emisor Comn

ING. JOSE ROBERTO RAMOS

ING. CARLOS OSMIN
POCASANGRE

Alumnos:
CASTANEDA NOLASCO, SALVADOR ENRIQUE
LEMUS MARTINEZ, ALFREDO ERNESTO
RAMOS, RICARDO

Laboratorio 4: Caractersticas del BJT

INDICE

Contenido
INTRODUCCION.................................................................................................... 3
MARCO TEORICO.................................................................................................. 4
Configuracin del BJT como amplificador de seales:.......................................4
Configuracin Base Comn:...........................................................................4
Configuracin Emisor Comn:........................................................................5
Configuracin Colector Comn:......................................................................8
Limites de Operacin del BJT:............................................................................... 8
DESARROLLO DE LA ASIGNACION:.....................................................................10
Anlisis Terico:.................................................................................................. 13
Anlisis en DC.................................................................................................... 13

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Laboratorio 4: Caractersticas del BJT

INTRODUCCION

Cuando un transistor se haya polarizado con un punto Q cerca de la mitad de la

linea de carga de cc, se puede acoplar una pequea seal de ca en la base. Esto
produce alternancias o fluctuaciones de igual forma y frecuencia en la corriente
de colector. Por ejemplo si la entrada es una onda senoidal con una frecuencia
de 1 Khz, la salida ser una onda senoidal amplificada con una frecuencia de 1
Khz. El amplificador se llama lineal (o de alta fidelidad) sin no cambia la forma
de la seal. Si la amplitud de la seal es pequea, el transistor solo usara una
pequea parte de la lnea de carga y la operacin sea lineal.
Por otra parte, si la seal de entrada es demasiado grande, las fluctuaciones en
la lnea de carga excitaran al transistor a saturacin y corte. Esto cortara los
picos de una onda senoidal y el amplificador ya no ser lineal. Si se escucha con
mucha atencin una salida con un altavoz, se oir un sonido terrible porque la
seal se distorsiona grandemente.
Un capacitor de acoplamiento permite el paso de una seal de ca de un punto a
otro.
En un amplificador transistorizado, la fuente de cc proporciona corrientes y
voltajes fijos. La fuente de ca produce fluctuaciones en estas corrientes y
voltajes. La forma ms simple para analizar el circuito es la divisin del anlisis
en dos partes: un anlisis de cc y un anlisis de ca. En otras palabras, puede
usarse el teorema de la superposicin cuando se analicen amplificadores
transistorizados.

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MARCO TEORICO
Configuracin del BJT como amplificador de seales:
Un amplificador es un dispositivo que eleva o aumenta la magnitud de una
seal de entrada sin modificar su forma de onda.

En el amplificador las seales son medidas con respecto a un punto comn y en

vista de que el transistor es un dispositivo de tres terminales, su uso en los
amplificadores requiere que uno de sus terminales sea comn a los otros dos.

Dependiendo del terminal que se tome comn a los otros dos, se tendr una
configuracin
especfica
del transistor
para
su
uso como
amplificador.

Estas configuraciones son:

Configuracin Base Comn.
Configuracin Emisor Comn.
Configuracin Colector Comn.

Configuracin Base Comn:

Para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn, la terminologa
de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la
entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es
la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra.

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Laboratorio 4: Caractersticas del BJT

Existe una relacin de proporcionalidad entre la corriente de salida (IC) y la

corriente de entrada (IE) en la configuracin base comn: IE IC. La relacin de
proporcionalidad entre estas dos corrientes viene dada por el factor de
amplificacin de corriente de base comn (). El valor de se evala en c.c., es
decir para voltaje de salida constante como:

Como IE > Ic , 1 y < 1. Esta configuracin no produce ganancia de

corriente, pero si de tensin. En la configuracin base comn, los valores de
corriente de salida, amplificacin, o mejor dicho es reduccin siempre son
menores a 1 (No quiere decir que tendremos corrientes de 1 A, sino que la
corriente de colector base ser menor a la

corriente de emisor base ejemplo IE = 7 puede originar una corriente IC = 6.9,

siendo la entrada de seal en el emisor y el colector la salida, VCB, la cual est
en fase con respecto a la entrada VEB.

Configuracin Emisor Comn:

La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo, para los
transistores pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a
que el emisor es comn o hace referencia a las terminales tanto de entrada
como de salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a la
de colector).

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Laboratorio 4: Caractersticas del BJT

La relacin de proporcionalidad entre la corriente de salida (IC) y la corriente de

entrada (IB) en la configuracin emisor comn viene expresada por el factor de
amplificacin de corriente de emisor comn (). El valor de se mide en c.c.
para un punto de operacin esttico del transistor (salida fija) como:

El valor de puede relacionarse con el valor de a partir de la ecuacin de

corrientes del BJT.

Sustituyendo los valores de IE e IC en la ecuacin de corrientes se tiene:

Con lo que:

Adems con el valor de y la ecuacin de corrientes del BJT se puede

determinar el valor de IE como:

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La configuracin emisor comn puede utilizarse para amplificacin de voltaje,

corriente o potencia, adems de poder actuar como interruptores. No se puede
decir que una configuracin es mejor que la otra, depende del uso que se le
quiera dar, aprovechando sus particulares caractersticas, en esta configuracin
por una corriente pequea de entrada se obtiene una corriente enorme de
salida ejemplo para 10uA de entrada se obtiene 1 mA de salida, pero no se
tiene la estabilidad de la configuracin base comn donde las corrientes son
muy similares. Por otro lado, esta configuracin tiene una salida desfasada con
respecto a la entrada.

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Configuracin Colector Comn:

En la configuracin de colector la amplificacin de corrientes es similar a la que

realiza la configuracin emisor comn con la diferencia de que en la
configuracin colector comn la salida est en fase con la entrada.
La ganancia de voltaje es ligeramente menor que la unidad. Se caracteriza por
tener una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo
que permite el uso de esta configuracin como convertidor de impedancias y
como aislador. La figura 11 muestra una configuracin del BJT NPN en colector
comn. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el
transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor
comn.

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Lmites de Operacin del BJT:

Zona de Corte: Esta zona se caracteriza por tener una corriente de salida en el
transistor aproximadamente cero, por lo que en esta zona el dispositivo acta
como circuito abierto (til en interruptores). Est limitada por el valor de ICBO,
que indica el tope de la zona de corte.
Zona
de
Saturacin:
En
esta
zona
el
transistor
presenta
un voltaje
de
salida aproximadamente cero, por lo que
puede representarse como un corto circuito para esta condicin (til en
interruptores). La zona de saturacin se limita para valores de salida del
transistor por debajo del voltaje de saturacin, en este caso VCEsat, el cual es
un valor suministrado por el fabricante en las hojas de datos del dispositivo.
Zona Activa: Se define tambin como la zona lineal de la caracterstica, y por
ello el transistor se ubica aqu para su uso como amplificador de seales
aprovechando las propiedades de la linealidad en el anlisis circuital. La salida
del transistor tanto en corriente como el voltaje son valores positivos los cuales
se mantienen constantes sobre una curva de entrada seleccionada.
Zona Invertida: La zona invertida permite tener salidas negativas en el
transistor tanto en corriente como en voltaje. La ubicacin del transistor en esta
zona no tiene gran utilidad en la amplificacin de seales.

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DESARROLLO DE LA ASIGNACION:

Polarizar
Seleccionar Valores adecuados para los condensadores
Analizar el ckto en Spice(Preferiblemente en TINA)
Probar el amp con RE1 = 0 y con RE1 = 24

Diagrama a analizar:

Simulacin Sin RE1:

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Simulacin con RE1:

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Valores medidos en el laboratorio:

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Sin RE1

Con RE1

IB= 0.04 mA

IB= 0.04 mA

IE= 9.11 mA

IE= 9.01 mA

IC= 9.10 mA

IC= 8.95 mA

VC= +10.665 V

VC= +10.737 V

VB= -400.0 mV

VB= -363 mV

VE= -983.4 mV

VE= -1 mV

VS= 50 mVP

VS= 50 mVP

V0= 1.4 VP

V0= 0.4 VP

G= 28 V/V

G= 8 V/V

Rin= 3.102 k

Rin= 4.977 k

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Anlisis Terico:

Anlisis en DC
Del circuito:

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LVK en T:
Para
Si:

Luego de Ohm:

Del Circuito:
Pero:
Del Circuito:
Y

Al sustituir nuestros datos en las ecuaciones obtenidas anteriormente para ver

como esta polarizado el BJT tenemos obtenemos:

Sin RE1:

Con RE1:

En un anlisis con los datos experimentales obtenemos:

Para calcular la ganancia lo podemos obtener segn las grficas del
osciloscopio:

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Seal de entrada del circuito

Seal de salida del circuito sin RE1.

Donde podemos leer que la seal es de 1.4Vp

Donde obtenemos una ganancia del circuito sin RE1:

Av

vo
v
28
vs
v

Para una misma seal de entrada pero con una salida diferente cuando
conectamos RE1 obtenemos:

Seal de salida del circuito con RE1.

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Donde podemos leer que la seal es de 0.4Vp

Donde obtenemos una ganancia del circuito sin RE1:

Av

vo
v
8
vs
v

Lo que es importante notar la importancia de colocar una Resistencia como RE1

baja la ganancia del amplificador considerablemente pero con una ventaja que
notamos en el experimento que al cambiarle el transistor no variaba en mucho
la seal de salida

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Conclusiones
En los circuitos amplificadores es importante notar que la seal de
entrada tiene que ser una seal de ac para que la seal oscile entre el
rango permitido por la polarizacin del BJT para as darle una ganancia.
La ganancia del amplificador se vio disminuida al agregar la resistencia
RE1.

Se observo que al cambiar el transistor, no cambiaba por mucho la seal

de salida del amplificador