LABORATORIO 1: DISPARO DE UN TIRISTOR CON

COMPONENTES DISCRETOS
OBJETIVOS:

Comprobar experimentalmente el disparo de un tiristor con

elementos discretos y este est conectado a una carga.

Armar circuitos de activacin de un tiristor y observar las ventajas
y desventajas de cada uno de ellos.

EQUIPOS Y MATERIALES:

1
1
1
1
1
2
2
1
2

Osciloscopio digital
Multmetro digital
Tiristor 2N3669 o Equivalente
Protoboard
Foco con su socket (carga)
Condensadores de 0.22uF,88nF y 0.22uF
Resistencias de 10K y 2W de potencia.
Potencimetro de 100K y 2W de potencia.
interruptores SW1 y SW2

FUNDAMENTO TEORICO
Tiristor
El tiristor

es

un componente

semiconductores que

electrnico constituido

por

elementos

utiliza realimentacin interna para producir una

conmutacin1 . Los materiales de los que se compone son de tipo

semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se
encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son
dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente
en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia
elctrica.

El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de

tipo P-N-P-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2

transistores tpicos P-N-P y N-P-N, por eso se dice tambin que el tiristor
funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas
J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la
unin J2 (unin NP).
Algunas fuentes definen como sinnimos al tiristor y al rectificador
controlado de silicio (SCR);2 otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a

la par que los dispositivos DIAC y TRIAC.

Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en
los aos 1960. Aunque un origen ms remoto de este dispositivo lo
encontramos en el SCR creado por William Shockley (premio Nobel de
fsica en 1956) en 1950, el cual fue defendido y desarrollado en los
laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lider el desarrollo en Morgan
Stanley para su posterior comercializacin por parte de Frank W. "Bill"
Gutzwiller, de General Electric.
Variantes de tiristores

1 El Diodo Shockley
El diodo Shockley es un tiristor con
dos terminales: nodo y ctodo.
Est constituido por cuatro capas
semiconductoras que forman una
estructura pnpn. Acta como un
interruptor: est abierto hasta que

la

tensin directa aplicada alcanza un

cierto valor, entonces se cierra y
permite

la

conduccin.

La

conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un

valor especfico (IH).

Figura 1: Construccin bsica y smbolo del diodo Shockley

2 SCR (Silicon Controlled Rectifier)

El SCR es un dispositivo de cuatro
capas

muy

Shockley,
poseer

con

tres

similar
la

al

diodo

diferencia

terminales:

de

nodo,

ctodo y puerta (gate). Al igual que

el diodo Shockley, presenta dos
estados de operacin: abierto y
cerrado, como si se tratase de un
interruptor.

Figura 4: Construccin bsica y smbolo del SCR

2.1 Caracterstica tensin intensidad

Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarizacin inversa de
la curva es anloga a la del diodo Shockley.

Figura 5: Caracterstica del SCR

En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta
que se recibe un pulso de tensin en el terminal de puerta (gate). Una
vez recibido, la tensin entre nodo y ctodo cae hasta ser menor que
un voltio y la corriente aumenta rpidamente, quedando limitada en la
prctica por componentes externos.
Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos
provocarn

la

destruccin

del

SCR

si

se

superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage) es, al igual que
en el diodo Shockley, la tensin a partir de la cual se produce el
fenmeno de avalancha. IMAX es la corriente mxima que puede
soportar el SCR sin sufrir dao. Los otros dos valores importantes son la
tensin de cebado VBO (Forward Breakover Voltage) y la corriente de
mantenimiento IH, magnitudes anlogas a las explicadas para el diodo
Shockley.

3 GCS (Gate Controlled Switch)

Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de

que el GCS puede interrumpir el paso de corriente con
una seal en el terminal de gate.
Igual que el SCR, no permitir el paso de corriente
hasta que un pulso positivo se reciba en el terminal de
puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS
puede pasar al estado de corte mediante un pulso
negativo 10 20 veces mayor que el pulso positivo aplicado para entrar
en conduccin.
Figura 10: Smbolo del GCS

Los GCS estn diseados para cargas relativamente pequeas y pueden

soportar slo unas pocas decenas de amperios.

4 SCS (Silicon Controlled Switch)

Es similar en cuanto a construccin al SCR. La
diferencia est en que posee dos terminales de
puerta, uno para entrar en conduccin y otro para
corte. El SCS se suele utilizar en rangos de potencia
menores que el SCR.

Figura 11: Smbolo del SCS

El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la
ventaja de poder abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los
terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR
es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y

corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y

circuitos temporizadores.

5 El DIAC
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los
dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales
que funciona bsicamente como dos diodos
Shockley que conducen en sentidos opuestos.

Figura 12: Construccin bsica y smbolo del diac

6 El TRIAC
Este dispositivo es simular al diac
pero con un nico terminal de
puerta (gate). Se puede disparar
mediante un pulso de corriente
de gate y no requiere alcanzar el
voltaje VBO como el diac.

Figura 14: Construccin bsica y smbolo del TRIAC.

SIMULACION
Parte 1

Circuito 1

Circuito 2: Simulacin en Proteus del circuito 1

Al realizar la simulacin en Proteus se observa que cuando el primer

switch est cerrado y el segundo abierto el foco est apagado.
En cambio al cerrar el switch 2 la lmpara se enciende y que la tension
entre el nodo y ctodo del tiristor es de 115V
Al cambiar la resistencia 2 a 70k y 100k se observa que la tensin entre
el nodo y el ctodo ha aumentado a 116v y 117v respectivamente.

Parte 2

Circuito 3

Circuito 4: Simulacin en Proteus del circuito 3

En la simulacin se apreci que la tensin ente el nodo y ctodo es de
140v y que la lmpara demoro en prenderse.

Figura 8: Forma de onda del osciloscopio

HOJA DE DATOS
Parte 1
R2
10k
70k
100k

Voltaje entre nodo y ctodo

Parte 2
R2

Voltaje entre nodo y

ctodo

10K

70K

Forma de onda

100K