RAPPORT
NAE-1214-01-R1A
Cette tude a t ralise par Mme Hasna Louahlia (LUSAC) et M. Sbastien Yon (AREELIS
Technologies)
2/46
2.1.1.
2.1.2.
2.1.3.
Diode de puissance............................................................................................................ 10
2.1.4.
2.2.
2.2.1.
2.4.
La conduction ............................................................................................................................ 14
3.1.1.
3.2.
La convection............................................................................................................................. 17
3.3.
Le rayonnement ........................................................................................................................ 19
4.1.1.
4.1.2.
4.1.3.
4.1.4.
4.2.
4.2.1.
4.2.2.
4.3.
4.4.
3/46
Glossaire
Acronyme
CPL
CTE
GTO
IGBT
LHP
MOS
PCM
Dfinition
Capillary Pumped Loop
Coefficient of Thermal Expansion
Gate Turn Off Thyristors
Insulated Gate Bipolar Transistor
Loop Heat Pipe
Mtal-Oxyde-Semiconducteur
Phase-Change Material
Units
Symbole
Cp
I
L
Q
R
S
Sp
T
Ta
Ts
V
Vf
Jkg-1K-1
A
m
J
K/
m2
m
K
K
K
V
m.s-1
W.m-1.K-1
kg.m-1s-1
kg.m-3
W
W.K-4.m-2
4/46
5/46
Tous les composants lectroniques sont sensibles la temprature : ils ont des performances
mdiocres en dehors de certaines limites de temprature et peuvent tre dtruits si la temprature
est largement en dehors de ce domaine de fonctionnement. Linfluence de la temprature se
manifeste sur :
Les performances lectriques : la temprature peut tre une valeur limite au-del de laquelle
le fonctionnement nest plus garanti, des drives des paramtres provoquent une diminution
des performances pouvant aller plus ou moins brutalement jusqu la dfaillance.
Le packaging qui est soumis des gradients de temprature trs importants. Il existe des
tempratures critiques pour lesquelles se produisent des changements dtat, de structure
physique...
Le fluage et le relchement des contraintes dans les matriaux sont acclrs par la
temprature et peuvent conduire des ruptures dlments.
Les cycles thermiques auxquels sont soumis des matriaux relis entre eux et de coefficient de
dilatation diffrent induisent des forces trs importantes qui peuvent conduire une rupture
instantane ou crer une fatigue qui provoque une rupture plus ou moins long terme.
Le taux de dfauts des composants suit une loi dArrhenius en fonction de la temprature.
6/46
7/46
2.1.
Les composantes lectriques sont les lments de base de llectronique de puissance. Dune taille
allant de micromtre au centimtre, leurs puissances thermiques vacuer sont relativement faibles
(de lordre dune dizaine de watts au maximum) rendant un refroidissement par convection naturelle
suffisant. Mais leur nombre important au sein dun systme lectrique ncessite un refroidissement
global, intgrant plusieurs dizaines voire centaines de composants.
Il est noter que lors du refroidissement dun composant, la rpartition du gradient de temprature
localis au niveau de la surface du contact entre le composant et le refroidisseur est de lordre de 40%
8/46
9/46
2.2.
Lorsque les niveaux de puissance commute par les composants sont trop importants, ils sont
positionns dans des botiers le plus souvent circulaires, ou dans des modules rectangulaires. Dans
tous les cas la mise dans un contenant du composant est associe un refroidisseur permettant
dvacuer lnergie dissipe par le composant, rapprochant la configuration dun systme
lectronique. Comme pour la partie prcdente, les systmes dlectroniques de puissance servent
dexemple pour introduire les besoins en refroidissement ddi.
10/46
Les variateurs de vitesse pour machines courant alternatif. La source continue est obtenue
partir du redressement du rseau. La tension engendre est de frquence variable, ce qui fait
varier la vitesse des machines courant alternatif. Dans ce cas, il convient que l'amplitude de
cette tension soit galement variable.
Une pile est dote dun capital nergtique (elle est charge) sa fabrication. Ce capital est
consomm par lutilisation de la pile. Lorsquil est puis, cette pile est hors dusage (elle est
dcharge). On ne peut que procder son recyclage, afin de rcuprer certains de ses
constituants.
Un accumulateur neuf ne peut en gnral pas produire dlectricit ; il doit dabord tre charg
par lutilisateur (premire gnration du capital nergtique, grce une source lectrique
extrieure). Laccumulateur produit ensuite de llectricit en se dchargeant ; quand la
dcharge semble maximale, il peut de nouveau tre recharg pour utilisation ultrieure. Un
accumulateur fonctionne ainsi par cycles de charge dcharge. Sa dure de vie est lie au
nombre de cycles quil peut subir, et sa temprature dutilisation qui doit se situer entre 20C
et 40C (dure de vie dgrade en dehors de ces bornes).
En rsum, la raction chimique au sein dune pile est irrversible, alors quelle est parfaitement
rversible au sein dun accumulateur. La figure 3 prsente la puissance de fonctionnement de
diffrente source dnergie en fonction de leur consommation nergtique (nergie spcifique). Les
sources lectriques prsentent une puissance plus importante mais une autonomie plus faible.
11/46
2.3.
12/46
2.4.
Environnement thermique
Lenvironnement dans lequel est positionn llment lectronique impact la thermique de celui-ci. Il
existe 5 principales sources de perturbation thermique de llment(Bouarroudj-Berkani, 2008) :
La temprature
La temprature du milieu ambiant est une contrainte importante imposant la temprature initiale de
llment (avant son utilisation) et sa temprature de stockage. Lors de lutilisation, la temprature du
milieu ambiant peut changer en raison du transfert dnergie avec les lments proches par
convection.
13/46
3.1.
La conduction
La conduction reprsente le processus de propagation de la chaleur par le contact direct entre les
particules dun corps ou entre des corps ayant des niveaux nergtiques - donc des tempratures
diffrents, suite au mouvement de ces particules lmentaires. Le flux thermique conductif qui
traverse un composant dpend de sa gomtrie, de son paisseur, du matriau ainsi que de la
diffrence de temprature au travers le composant. La transmission est provoque par la diffrence
de temprature entre deux rgions d'un milieu en contact physique. Il n'y a pas de dplacement
apprciable des atomes ou molcules (voir figure 5).
dQ
dT
S
dt
dx
(1)
avec :
: Flux thermique (W).
Q : Energie (J).
: Conductivit thermique (W.m-1.K-1). Les coefficients de conductivit sont des proprits
physiques intrinsques des matriaux (voir figure 6).
S : surface perpendiculaire au flux thermique (m).
T : Temprature (K).
14/46
L
S
(2)
r
1
ln( )
2L r
2
(3)
Sphre creuse : R
1 1
ln( )
4 r r
1
(4)
Pour un systme donn, on peut donc introduire une technique de calcul de transfert de chaleur via
lanalogie avec un courant lectrique. Ainsi pour un systme tel que prsent sur la figure 8, on peut
associer un modle de rsistances thermique (Figure 9).Ainsi, en faisant lanalogie, le flux de chaleur
est lintensit, et un potentiel lectrique est une temprature. On aura lquation 5:
12= <=>12=
(5)
15/46
16/46
3.2.
La convection
Le phnomne de convection se rfre au transfert thermique qui a lieu dans les fluides liquides ou
gaz en mouvement. La convection est le processus de transfert thermique dtermin par le
mouvement des particules lmentaires dun fluide entre des zones ayant des tempratures
diffrentes. Ce mouvement entrane un mlange intense des particules fluides, qui changent de
lnergie (chaleur) et de la quantit de mouvement (impulse) entre elles.
Figure 11. Comparaison des gammes de densit de flux thermique des diffrents
type de convection
17/46
hS (T T )
p
Avec
(6)
La valeur du coefficient de transfert de chaleur par convection h est fonction de la nature du fluide, de
sa temprature, de sa vitesse et des caractristiques gomtriques de la surface de contact
solide/fluide. A partir du thorme de Vaschy-Buckingham, le coefficient de convection h peut
sexprimer en fonction de 3 units fondamentales (nombres adimensionnels) :
Le nombre de Nusselt Nu caractrisant ange thermique entre le fluide et la paroi
Nu
hL
(7)
Avec
h : Le coefficient de convection (W.K-1.m-2).
L : Une longueur caractristique (m).
: La conductivit thermique (W.m-1.K-1).
Le nombre de Reynolds Re caractrisant le rgime de lcoulement, Re<2000 pour les coulements
laminaire et Re>3000 pour les coulements turbulents.
Re
VL
(8)
Avec
: La masse volumique du fluide (kg.m-3).
V : La vitesse du fluide en (m.s-1).
L : Une longueur caractristique (m).
: La viscosit dynamique du fluide (kg.m-1.s-1).
Pr
(9)
Avec
: La viscosit dynamique du fluide (kg.m-1.s-1).
: La conductivit thermique (W.m-1.K-1).
Cp : la capacit thermique massique (J.kg-1.K-1).
Par exemple pour fluide circulant lintrieur dun tube, la dtermination du coefficient de convection
h est donne par la relation entre les 3 nombres adimensionns Nu, Re et Pr via la formule de Colburn
(quation 10) :
Nu 0.023Re Pr
0.8
0.33
(10)
18/46
3.3.
Le rayonnement
Lorsquune surface chaude est entoure par des surfaces froides comme les parois de la structure, il
existe un refroidissement par radiation. Ce refroidissement par radiation dpend de lmissivit du
matriau qui compose la surface chaude. L'missivit d'un matriau (souvent crite ) est un nombre
sans dimension. Elle rend compte de la capacit d'un matriau mettre de l'nergie par
rayonnement. Plus cette missivit est proche de 1, plus le matriau radiera de chaleur. La figure 12
prsente lmissivit de matriaux mtalliques et non mtalliques et lquation 11 montre la relation
en le flux thermique et la temprature de la paroi :
S (T T )
4
Avec
(11)
19/46
4. Systmes de refroidissement
Il existe diffrentes technologies de systmes de refroidissement quil est possible classer en deux
grandes catgories :
Les systmes de refroidissement actifs : cette technique est base sur le transfert de chaleur
par convection force et ncessite lutilisation dune pompe mcanique pour assurer la
circulation du fluide caloporteur ainsi quun circuit externe afin dvacuer la chaleur du
systme vers lextrieur.
Les systmes de refroidissement passifs : ils ne ncessitent pas dalimentation externe ce qui
diminue le coup nergtique. Un refroidissement passif peut lui-mme tre class en deux
sections : direct ou indirect suivant que le fluide caloporteur soit ou ne soit pas en contact avec
les composants lectroniques. La figure 13 prsente une classification des systmes de
refroidissement passifs suivant les deux modes de transfert de chaleur.
4.1.
Les changeurs monophasiques intgrent une structure dans laquelle le passage du fluide de
refroidissement est ralis sans changement dtat. La puissance dissiper est vacue vers lextrieur
par la conduction, la convection et le transport capacitif. Le fluide se charge de la puissance dissipe
par llment lectronique, levant la temprature du fluide. Il existe deux types de systme de
refroidissement fluidique : les systmes de refroidissement monophasique gazeux (dans la plus part
des cas lair) et les refroidissements liquides(Oseen-Senda, 2006).
20/46
Llment lectronique est plac dans lair ambiant au repos, la diffrence de temprature entre le
milieu ambiant et llment lectronique permet un change dont le coefficient dchange h est
compris entre 5 et 25 W.m-2.K-1. Pour utiliser la convection de puissance pour de plus hauts niveaux de
puissance vacuer, les systmes de refroidissement air ont besoin dailettes ou de nid dabeille,
confrant au refroidisseur une surface dchange plus importante entre llment refroidir et le
milieu ambiant (voir exemple figure 14). Lutilisation de ces systmes permet daugmenter le
coefficient dchange h jusqu un rapport 20 (de 25 W.m-2.K-1 500 W.m-2.K-1) dans le cas dune
convection naturelle (3000 W.m-2.K-1 dans le cas dune convection force) (Phelan et al., 2002).Dans le
cas de convection lair utilisant un accroissement de la surface dchange, il faut ainsi dterminer le
point de fonctionnement thermique du refroidisseur pour bnficier dun refroidissement
optimum (exemple : dtermination lespacement des ailettes).
Le soufflage dair forc grce des ventilateurs est la mthode la plus utilise en refroidissement de
composants lectroniques de par sa simplicit de mise en uvre, de son cot et de sa fiabilit. Lair
est mis en mouvement par le biais de gnrateur dcoulement (ventilateur) comme le montre
lexemple de la figure 15. Le coefficient dchange h est de lordre de 10 500 W.m-2.K-1.
21/46
22/46
Le fluide caloporteur le plus couramment utilis est de leau glycole en raison de sa conductivit
thermique leve, de sa grande capacit calorifique et de sa disponibilit. Le coefficient dchange h
de leau en convection force est de lordre de 3000 10000 W.m-2.K-1. La figure 19 prsente la
variation du coefficient dchange de chaleur en fonction du fluide caloporteur et du mode de
refroidissement.
23/46
La masse volumique.
La viscosit dynamique.
La conductivit thermique.
La chaleur spcifique massique.
24/46
L'impact des gouttelettes du jet atomis sur la paroi produisant un change convectif lev
du fait de leur vitesse.
L'vaporation de la gouttelette qui ``capte'' l'nergie thermique de la paroi pour compenser
l'nergie utilise pour le changement de phase (chaleur latente).
L'vacuation de la chaleur par le film liquide form la surface de la paroi.
25/46
Si la puissance augmente encore, le volume occup par les bulles proximit de la surface
chaude devient tel qu'une proportion de plus en plus grande de la surface n'est plus mouille.
26/46
la condensation en film, dans laquelle le liquide ruisselle le long de la paroi, formant un film
liquide continu entre celle-ci et la vapeur ; l'change de chaleur entre vapeur et paroi doit se
faire par conduction au travers de ce film.
Bien que le deuxime mode prsente une efficacit plus faible que le premier, c'est celui qui se produit
le plus frquemment. Remarquons, cependant, que le coefficient d'change h correspondant reste
encore tout fait satisfaisant, pour autant que rien ne s'oppose au ruissellement du liquide. L'paisseur
du film est alors suffisamment faible et, la conductivit thermique du liquide tant largement
suprieure celle de la vapeur, les consquences sont sans commune mesure avec celles de la
formation d'un film de vapeur lors de l'vaporation. Il suffit d'en tenir compte dans le
dimensionnement des surfaces de condensation.
27/46
Evacuation d'un flux de chaleur important: au moins 50% plus efficace qu'un systme
classique.
Bon recouvrement spatial de la zone refroidir.
Permet un refroidissement la demande et localis.
Utilisation de peu de liquide (par rapport aux systmes circulation de liquide ou par
impaction simple de jet) impliquant une maintenance rduite.
Les inconvnients :
La technologie spray cooling est encore aujourd'hui peu utilise compte tenu de sa complexit
apparente qui reprsentait un frein en comparaison des technologies classiques de type convection
force ou autres. Toutefois, l'accroissement des puissances des systmes lectroniques ncessaires
pour dvelopper l'lectrification massive des moyens de transport et autres et l'obligation, pour une
garantie de fiabilit et de robustesse des composants, de dissiper le flux thermique produit, nous
oblige tendre vers l'utilisation de cette technique de refroidissement. Les principaux dsavantages
sont:
Complexit des injecteurs. Les injecteurs sont de plus trs sensibles aux tolrances
industrielles et la qualit de ralisation. Deux injecteurs de mme caractristiques peuvent
avoir des jets relativement diffrents et ces caractristiques peuvent voluer dans le temps.
Ncessit d'quipements pour le traitement et la condensation du liquide. Ces quipements
augmentent gnralement le poids des systmes de refroidissement par spray cooling.
Ncessit d'une pressurisation du liquide avant injection.
Difficult de rglage du systme d'injection (distance composant/injecteur, proprits
dynamiques et granulomtrique du spray).
28/46
4.2.
29/46
Beaucoup de substances chimiques peuvent tre utilises comme PCM, cest pourquoi la seule
condition difficile obtenir est la bonne conductivit thermique. Cest le principal dfaut des PCM qui
constitue un obstacle lintgration de PCM dans les systmes de refroidissements. Diffrents moyens
pour amliorer la conductivit thermique ont t tests :
Ajouter des additifs prsentant une bonne conductivit thermique comme de la poudre
daluminium, des nano matriaux ou des puces de fibre de carbone.
Former des composites en intgrant les PCM dans des mtaux poreux ou dans des matrices
de graphite expans.
Ajouter des ailettes ou des sphres de mtal. Des exprimentations ont t effectues, et la
mthode qui consiste intgrer un PCM dans une matrice de graphite expans est dmontre
comme tant le choix idal. La figure 25 Utilisation de PCM avec du graphite pour refroidir des
batteries prsente un exemple dutilisation de PCM avec des feuilles de graphite pour refroidir
des batteries au Lithium.
Figure 25. Utilisation de PCM avec du graphite pour refroidir des batteries (3)
Il est possible de classer les PCM en 3 catgories :
Les composs minraux(ou inorganiques) : eau, acide sulfurique, trioxyde de soufre, acide
phosphorique, gallium,
Les composs organiques : Acide formique, acide actique, Phnol, Acide dodcanoque,
hydroxyde de sodium,
30/46
Les composs eutectiques : mlange de sels possdant une temprature de fusion constante
pour une valeur particulire de concentration. Ils peuvent tre inorganiques et/ou
organiques.
4.2.2.1.
Ce systme est utilis depuis 1948 afin de refroidir les quipements de puissance dans les radars mais
partir des annes 70, motivs par laugmentation des puissances des systmes nergtiques, des
chercheurs ont engags des travaux sur ce mode de refroidissement. Les composants refroidir sont
placs dans une enceinte tanche partiellement remplie avec le liquide dilectrique.
Lvacuation de la chaleur seffectue linterface surface-liquide o se produit lchange de chaleur
via lbullition du liquide caloporteur. La vapeur produite est condense dans un changeur de chaleur
refroidi par lair en convection naturelle ou par un liquide en convection force. Cet changeur, aussi
appel condensateur peut tre externe ou interne comme prsent sur la Figure 26.
31/46
Ils fonctionnent sans aucune pice en mouvement ce qui rduit le bruit et ncessite peu de
maintenance. Les forces gnrant la circulation du fluide caloporteur peuvent tre aussi : capillaires,
lectrostatique, magntiques ou osmotiques. Les caloducs sont simples concevoir et peuvent tre
32/46
33/46
34/46
35/46
36/46
Caractristiques de la boucle
4.3.
Drain thermique
Lvacuation de la chaleur par conduction thermique est prfre lorsque, pour des problmes de
poids, dencombrement et de cots, lutilisation de la convection thermique nest pas possible. La
conduction thermique est retenue pour des composants mcatronique de faible puissance thermique
induite (infrieure 10W), pour des circuits imprims ou des botiers de systmes lectriques (Veillere,
2009).
Un drain thermique est compos (figure 32) :
37/46
Les drains thermiques doivent possder une bonne conductivit thermique afin dvacuer rapidement
la chaleur mais aussi avoir un coefficient de dilatation thermique (CTE : Coefficient of Thermal
Expansion) proche de celui du substrat cramique, afin de diminuer les contraintes thermomcaniques
entre les diffrents composants. Ils doivent donc possder une densit la plus faible possible.
La premire gnration de drains thermiques a t ralise partir de matriaux monolytique :
laluminium ou le cuivre. Mais ces deux matriaux possdent un CTE trs lev ce qui gnre, en
fonctionnement, des contraintes mcaniques qui dtriorent la fiabilit des assemblages (figure 33).
Afin damliorer encore les proprits, une deuxime gnration de drains a t labore utilisant
cette fois des composites, et notamment laluminium renforc par des particules de carbure de silicium
(Al/SiC) mais aussi des alliages tels que lInvar ou le Kovar. Ces deux alliages sont intressants de par
leur faible coefficient de dilatation mais possdent une conductivit thermique beaucoup trop faible
(Bellin, 2006).
38/46
Figure 33. Proprits thermiques des drains thermiques de 1re et 2me gnration.
De nos jours, les drains thermiques commercialiss sont soit en cuivre pur soit en Al-SiC, mais ces deux
matriaux ont atteint leurs limites. Cest pourquoi une troisime gnration de drains thermiques est
en cours de dveloppement. La figure 34 montre la comparaison des drains thermiques de 1re, 2me et
3me gnration.
Figure 34. Comparaison des drains thermiques de 1re, 2me et 3me gnration.
Le drain thermique idal serait un matriau possdant la fois une trs bonne conductivit thermique
(suprieure au cuivre), un CTE proche de celui du substrat cramique et une densit infrieure celle
de laluminium (d < 2). Afin dobtenir des proprits proches du matriau idal, la troisime gnration
de drains thermiques combine des matrices mtalliques telles que laluminium ou le cuivre, avec des
renforts haute conductivit thermique comme des fibres de carbone (FC), des nanofibres de carbone
(NFC), des nanotubes de carbone (NTC), des particules de SiC ou, encore, des particules de diamant
(Nathsarma et al., 2010).
39/46
4.4.
Une possibilit de produire de la rfrigration sans faire intervenir des mcanismes et des coulements
de fluides frigorignes est dutiliser un refroidisseur qui sappuie sur les effets thermolectriques. En
considrant un circuit ferm form de deux fils conducteurs, fait de matriaux diffrents, en contact
chaque extrmit. En chauffant une des jonctions, un courant lectrique se met circuler dans le
circuit. Ces effets thermolectriques qui rsultent du couplage entre le phnomne de conduction
thermique et celui de conduction lectrique sont connues sous le nom deffet Seebeck. Si une
diffrence de potentiel lectrique est applique le circuit, un effet de rfrigration en rsulte. La
jonction froide se refroidit, et la jonction chaude se rchauffe. Cest leffet Peltier sur lequel est base
la rfrigration thermolectrique (figure 35).
40/46
41/46
Systme
Avantages
Inconvnients
Flux thermique
maximal
dissipe (W.cm2)
Drain
thermique
Simplicit dutilisation
Convection
naturelle
(air)
Convection
force (air)
Immersion
fluide
dilectrique
Boucle
diphasique
CPL
Boucle
diphasique
LHP
Adaptable de nombreuses
architectures
Silencieux, sans pices
mcaniques
Contrlable de lextrieur
Simulation plus simple
Systme passif
Caloduc
Effet Peltier
Tube
Thermosiphon
Convection
force (fluide)
Simple
Plus efficace que lair
Contrlable de lextrieur
Jets
Spay Cooling
0.01 0.1
0.01 0.1
5 50
0.1 70
20
20 30
Systme actif
10 350
5 250
100 350
500
42/46
La figure 39 ci-dessous prsente le cot conomique (mise en uvre, financier, ...) de chaque systme
de refroidissement en fonction de la densit de puissance vacuer. Pour rsumer ce graphique, il est
noter que, plus le systme de refroidissement permet de dissiper une large gamme de flux
thermique, plus, ce systme est impactant pour le cot financier. Ce graphique met en avant
limportance de connatre la puissance thermique vacuer dun lment pour y associer le systme
de refroidissement adapt.
43/46
44/46
Bibliographie
Baviere, R. Etude de lHydrodynamique et des Transferts de Chaleur dans des Microcanaux. phdthesis.
Universit Joseph-Fourier - Grenoble I (2005).
Bellin, B.Contributions a ltude des bobinages supraconducteurs:le projet dga du smes hts
impulsionnel. PhdThesis. Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG(2006).
Bouarroudj-Berkani, M. Etude de la fatigue thermo-mcanique de modules lectroniques de
puissance en ambiance de tempratures leves pour des applications de traction de vhicules
lectriques et hybrides. PhdThesis. cole normale suprieure de Cachan - ENS Cachan(2008).
Cohard. Transfert Thermique(2002).
Diaham, S. Etude du comportement sous haute temprature de matriaux polyimides en vue de la
passivation de composants de puissance semi-conducteurs grand cap. Phd. Universit de Toulouse,
Universit Toulouse III - Paul Sabatier (2007).
Estes, K.A., and Mudawar, I. Correlation of sauter mean diameter and critical heat flux for spray
cooling of small surfaces. Int. J. Heat Mass Transf. 38, 29852996 (1995).
Faraji, M., and Qarnia, H. El Optimisation dun systme de stockage dnergie par chaleur latente de
fusion: application au refroidissement dune composante lectronique. In JITH 2007, J.-J. BEZIAN, ed.
(Albi, France: ENSTIMAC), p. 5p(2007).
Karim, O., Gillot, C., Schaeffer, C., Gimet, E., and Derou, S. Heat sink exchanger dimensioning for
Hybrid inverter. pp. 159163(2000).
Lescot, J., and Ndagijimana, F. Modlisation et caractrisation de composants passifs intgrs sur
silicium pour applications radiofrquences(2000).
Mativet, A., and Meunier, F.. Etude exprimentale dun procd de chauffage et de refroidissement
par changement de phase du fluide caloporteur (1997)
Meysenc, L.Etude des micro-changeurs intgrs pour le refroidissement des semi-conducteurs de
puissance. PhdThesis. Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG (1998).
Miao, J., Wang, J., and Ma, T. Analysis of evaporation heat transfer of thin liquid film in a capillary of
equilateral triangular cross-section. J. Therm. Sci. 10, 348356(2001).
Mogensen, P. Fluid to duct wall heat transfer in duct system heat storages. Doc. - Swed. Counc. Build.
Res. 652657(1983).
Nathsarma, K.C., Nayak, B.B., Pradhan, S., and Brahmbhatt, P. Refinement of niobium Nb2O5 through
solvent extraction followed by carbo-thermic reduction(2010).
Oseen-Senda, K.Etude de lbullition du pentane en monocanal en vue de son utilisation pour le
refroidissement des piles combustible PEMFC. PhdThesis. Universit Henri Poincar - Nancy I (2006).
Phelan, P.E., Chiriac, V.A., and Lee, T.-Y.T.Current and future miniature refrigeration cooling
technologies for high power microelectronics. IEEE Trans. Compon. Packag. Technol. 25, 356
365(2002).
45/46
46/46