FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA EN INGENIERA Y
TECNOLOGAS AVANZADAS

Prctica.
Obtencin de las curvas caractersticas de transferencia y salida de los transistores
de efecto de campo y medicin de los principales parmetros.
Objetivos.
El alumno identificar fsicamente las terminales y las regiones de trabajo de los transistores
de efecto de campo JFET y MOSFET.
El alumno caracterizar los transistores de efecto de campo (obtencin de las curvas de
transconductancia VGS - ID ogrfica de transferencia, y las curvas de salida VDS ID) de
tecnologa planar en su configuracin fuente comn y observar el efecto que tiene con
respecto a la temperatura.
El alumno obtendr los principales parmetros de los transistores (Voltaje de pinch-off VP,
corriente de drenaje a fuente de saturacin y IDSS y la transconductancia mxima gmo) a
partir de las grficas de transconductancia y de salida.
El alumno reafirmar el uso de los instrumentos de laboratorio.
Pre-reporte.
Para el buen desarrollo de la prctica el alumno entregar un trabajo previo en forma
concisa y breve que incluya los siguientes conceptos.
1. Investigue los siguientes conceptos de los transistores de efecto de campo:
a. Smbolo.
b. Esquema tipo de uniones y materiales utilizados.
c. Modelo matemtico y grfico simplificado.
d. Principales parmetros elctricos (mnimo 5) y su forma de medirlos.
e. Circuitos equivalentes.
2. Mencione y dibuje sus configuraciones bsicas.
3. Mencione tres diferentes formas de clasificacin de los transistores.

Nota: En caso de no entregar el pre-reporte y/o de no traer el material (con el circuito

armado), el alumno NO tendr derecho a entrar al laboratorio. Coloque las preguntas con
su numeracin en los pre-reportes y reportes.

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Material y Equipo.

2 transistores JFET 2N5457 o

similar.
2 C.I. CD4007.
2 transistores MOSFET IRF150 (o
IRF540, IRF541, IRF610, IRF620,
IRF630, IRF720, IRF730).
2 diodos 1N4002.
3 resistencias de 1M W.
1 resistencia de 100K W.
2 resistencias 10K W.
6 resistencias 1K W.
2 capacitores de 0.1F, 25V.
Pinzas de punta y de corte.

2 3 Protoboard (para tener todos

los circuitos armados y repartirlos
entre los integrantes del equipo).
Cables para conexin.
Cables con conectores tipo
caimn.
Fuente de alimentacin.
Multmetro (con puntas y rango
nA).
Osciloscopio (con puntas).
Generador de funciones (con
puntas).

Introduccin.
Los transistores de efecto de campo son un tipo muy especial de dispositivos que han
evolucionado tantos que sus principales aplicaciones y usos se encuentran en los sistemas
digitales (computadora, microcontroladores, DSPs, CPLDs, PLDs, etc). Debido a su
miniaturizacin del orden de 0.16m de ancho de canal.
Los FET son dispositivos de 3 o 4 terminales llamadas compuerta (gate G), drenaje (drain
D), fuente (source S) y sustrato o volumen (bulk B). En la mayora de sus aplicaciones y
presentaciones el sustrato es punteado a la fuente, quedando slo G, D y S.
A diferencia del TBJ que se controla por corriente, el FET se controla por voltaje, lo cual
permite un gran ahorro de energa porque no se consume gran potencia en el control de
estos dispositivos. Aunque en los CMOS donde ms se consume la energa es en las
transiciones.
A continuacin se presenta en la figura 10.1 una clasificacin de los transistores de efecto
de campo por el tipo de estructura con que estn diseados.

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Figura 10.1. Clasificacin de los transistores de efecto de campo

La estructura FET se utiliza tanto en los dispositivos cristalinos como en los no cristalinos
(policristalinos y amorfos). Y es en esto ltimos donde existen aplicaciones como el de los
TFT (Thin Film Transistor), los cuales se utilizan en las pantallas de cristal lquido, LCD, en
las laptop, telfonos celulares, televisiones porttiles, etc.

Desarrollo.
1. Simule el circuito de la figura 10.2, para obtener la curva ID VGS del transistor JFET
J2N3819. La seal del generador puede estar entre 0 y 12 Vpp y entre 60 y 1kHz, y
vare el voltaje VDD desde 0 hasta 12V con incrementos de 1V. Mencione el
funcionamiento del arreglo diodo-capacitor en la entrada del circuito.

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Figura 10.2. Circuito para introducirlo al simulador

2. Simule el circuito de la figura 10.3, para obtener la curva ID VDS del transistor JFET
J2N3819. Coloque la seal del generador entre 0 y 12 Vpp y entre 60 y 1kHz. Vare
el valor de la fuente VGG para ir obteniendo una a una las grficas de salida del
transistor. El voltaje VGG debe estar entre 0V y 6Vp.

Figura 10.3. Circuito para introducirlo al simulador

3. Simule el circuito de la figura 10.4, para obtener la curva ID VGS del transistor
MOSFET IRF150. LA seal del generador puede estar entre 10 y 12Vpp y entre 60
y 1kHz, y vare el voltaje VDD desde 0 hasta 12V con incrementos de 1V. Mencione
el funcionamiento del arreglo diodo- capacitor en la entrada del circuito.

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Figura 10.4. Circuito para introducirlo al simulador

4. Simule el circuito de la figura 10.5, para obtener la curva ID VDS del transistor
MOSFET IRF150. Coloque la seal del generador entre 0 y 12 Vpp y entre 60 y
1kHz, y el voltaje VGG varelo de 2V a /V con incrementos de 1V.

5. Identifique las terminales del FET (JFET 2N5457 o similar) y el tipo de transistor por
medio de:
a. Las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante.
b. Seleccione su multmetro en prueba de diodos. Para el transistor JFET canal
N, coloque la terminal positiva (rojo) y el negativo (negro) en dos de
cualquiera de sus tres terminales, si la lectura es alrededor de 0.7 anote su
valor y la posicin de sus patitas. Deje la terminal positiva en su lugar y
desplace la terminar negativa y compruebe que la lectura debe ser tambin
alrededor de 0.7V. El terminal rojo corresponde a la compuerta, pero no
resulta posible determinar el drenaje y la fuente.
c. Seleccione su multmetro en funcin de hmetro. Para el JFET canal N,
coloque el terminal positivo (rojo) y negativo (negro) en dos de cualquiera de
sus tres terminales, si la lectura es pequea, del orden de los k anote su
valor y la posicin de sus patitas. Deje la terminal positiva en su lugar y
desplace la terminal negativa y compruebe que la lectura debe ser tambin
alrededor de los k. Tambin con ste mtodo, el terminal rojo corresponde
a la compuerta pero no resulta posible determinar el drenaje y la fuente.
En cada caso dibuje a su transistor identifique sus terminales. Reporte el
valor de la resistencia del canal: Rcanal=

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

6. Identifique las terminales del FET (MOSFET) y el tipo de transistor por medio de:
a. Las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante.
b. Seleccione su multmetro en prueba de diodos. Para el transistor MOSFET
canal N, de enriquecimiento, como no tiene canal construido, no tendr
conduccin de Drenaje a Fuente a menos que exista una polarizacin en la
compuerta, y para esto coloque el terminal positivo (rojo) y negativo (negro)
en dos de cualquiera de sus terminales y con el terminal positivo toque la
terminal restante, si la lectura desciende de su valor esa terminal es la
compuerta. Compruebe que intercambiando la terminal roja y negra y
repitiendo lo mismo con la terminal restante tambin la lectura desciende.
Con ste mtodo se encuentra la compuerta pero no resulta posible
determinar el drenaje y la fuente.
c. Seleccione su multmetro en funcin de hmetro. Para el transistor MOSFET
canal N de enriquecimiento, como no tiene canal construido, tanto no tendr
conduccin de Drenaje a Fuente, a menos que exista una polarizacin en la
compuerta, y para esto coloque el terminal positivo (ojo) y el negativo (negro)
en dos de cualquiera de sus terminales y con el terminal positivo toque la
terminal restante, si la lectura desciende de su valor esa terminal es la
compuerta. Compruebe que intercambiando la terminal roja y negra y
repitiendo lo mismo con la terminal restante tambin la lectura desciende.
Tambin con ste mtodo se encuentra la compuerta, pero no resulta posible
determinar el drenaje y fuente.
7. Arme el circuito de la figura 10.6 para obtener la curva ID VGS del transistor JFET
2N5457. La seal del generador puede estar entre 0 y 12Vpp y entre 60 y 1kHz, y
vare el voltaje VDD desde 0 hasta 12V con incrementos de 1V para obtener la grfica
de transconductancia. Observe el funcionamiento del arreglo diodo-capacitor en la
entrada del circuito. Reporte sus grficos en la figura 10.7 anotando los valores de
los parmetros importantes.
Nota: recuerde colocar un flotador o eliminador de tierra en el osciloscopio y uno en el
generador de funciones.

Figura 10.6. Circuito para obtener la grfica de transconductancia de un JFET

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Figura 10.7. Grficos de transconductancia del JFET 2N5457

8. Obtenga los valores de voltaje de pinch-off (Vp), la corriente de drenaje de

saturacin (IDSS), voltaje de drenaje a fuente (VDS), y determine el valor de la
transconductancia mxima. Reporte stos datos en la tabla 10.1.
Tabla 10.1. Valores tomados del grfica de transconductancia del JFET

Temperatura IDSS [mA]

Ambiente
Cerillo

VP [V]

VDS [V]

gmo[V]

Comentarios

9. En el mismo circuito armado, encienda un cerillo y acrquelo al JFET bajo prueba a

una distancia entre 0.5 y 1 cm, por un tiempo no mayor a 5 segundos. Grafique sus
curvas en la misma figura 10.7 en otro color u otra marca. Reporte los datos en la
tabla 10.1.
10. Arme el circuito de la figura 10.8 para obtener la curva ID VDS del transistor JFET
2N5457. Coloque la seal del generador entre 0 y 12 Vpp (seal pulsante o diente
de sierra) y entre 60 y 1 KHz, y el voltaje VGG djelo en 0V y grafique la seal. Vare
el valor de la fuente VGG entre 0V y Vp para ir obteniendo una a una las grficas de
salida del transistor. Reporte sus grficos en la figura 10.9 anotando lso valores de
los parmetros importantes.

Figura 10.8. Circuito para obtener las curvas de salida del JFET

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Figura 10.9. Grficos de las curvas de salida del JFET para diversos valores de VGG

11. Obtenga los valores de la corriente de drenaje medida para cada uno de los
diferentes valores de voltaje en la compuerta dados en la tabla 10.2.
Tabla 10.2. Valores de corriente para el JFET

VGS

ID [mA] @
VDS=0 V

ID [mA] @
VDS=3 V

ID [mA] @
VDS=6 V

ID [mA] @
VDS=9 V

ID [mA] @
VDS=12 V

VGS=0 V
VGS= V
VGS= V
VGS= Vp
12. Tomando la grfica de VGS = 0V, reporte en la tabla 10.3 los valores de voltaje de
pinch-off (Vp), la corriente de drenaje de saturacin (IDSS), y determine el valor de la
transconductancia mxima. Compare sus resultados con la tabla 10.1 y comntelos.
Tabla 10.3. Valores tomados del grfico de salida del JFET

Temperatura IDSS [mA]

Ambiente
Cerillo

VP [V]

gmo[V]

Comentarios

13. Arme el circuito de la figura 10.10 para obtener la curva I D VGS del transistor
MOSFET IRF150. La seal del generador puede estar entre 0 y 12 Vpp y entre 60
y 1kHz, y vare el voltaje VDD desde 0 hasta 12V con incrementos de 1V para obtener
la grfica de transconductancia. Observe el funcionamiento del arreglo diodocapacitor en la entrada del circuito. Reporte sus grficos en la figura 10.1 anotando
los valores de los parmetros importantes. Del mismo grfico reporte el valor del
voltaje de umbral en la tabla 10.4.
Nota: Recuerda colocar un flotador o eliminador de tierra en el osciloscopio y uno en el
generador de funciones.

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Figura 10.10. Circuito para obtener la grfica de transconductancia

a)

IRF150

b) CD4007

Figura 10.11. Grficos de transconductancia de los MOSFET

Tabla 10.4. Voltajes de umbral tomados del grafio de salida del MOSFET

MOSFET
IRF150
CD4007 (25C)
CD4007 (60C)

VT [V]

Comentarios

14. Quite el MOSFET IRF150 y sustityalo por uno de los que tiene el CI4007 (MOSFET
de baja potencia). Repita las mediciones y reprtelo en el grfico de la figura 10.11b,
as como los datos en la tabla 10.4.
15. En el mismo circuito armado, encienda un cerillo y acrquelo al MOSFET bajo
prueba a una distancia entre 0.5 y 1 cm por un tiempo no mayor a 5 segundos
Grafique sus curvas en la misma figura 10.11 en otro color u otra marca. Reporte
los datos en la tabla 10.4 y comente sus observaciones.

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Nota: sta medicin puede hacerse con un cautn o una pistola de aire caliente, sta
ltima tiene la propiedad de aumentar la temperatura del dispositivo de manera uniforme
y con menor peligro.
16. Arme el circuito de la figura 10.12 para obtener la curva ID VDS del transistor
MOSFET IRF150. Coloque la seal del generador entre 10 y 12 Vpp (seal pulsante
o diente de sierra), y entre 60 y 1kHz, y el voltaje VGG djelo en 0V y grafique la
seal obtenida. Vare el valor de la fuente VGG, entre 0V y VGmx (reportado por el
fabricante) para ir obteniendo una a una las grficas de salida del transistor. Reporte
sus grficos en la figura 10.13 anotando los valores de los parmetros importantes.
Nota: Recuerda colocar un flotador o eliminador de tierra en el osciloscopio y uno en el
generador de funciones.

Figura 10.12. Circuito para obtener las curvas de salida del MOSFET

a)

IRF150

b) CD4007

Figura 10.13. Grficos de salida de los MOSFET

17. Obtenga los valores de la corriente de drenaje medida para cada uno de los
diferentes valores de voltaje en la compuerta dados en la tabla 10.5.

10

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Tabla 10.5. Valores de corriente para el MOSFET IRF150

ID [mA] @
VDS=0 V

VGS [V]

ID [mA] @
VDS=3 V

ID [mA] @
VDS=6 V

ID [mA] @
VDS=9 V

ID [mA] @
VDS=12 V

VGS=VT
VGS= V
VGS= V
VGS= V
Nota: Los valores de VGS que no se indican debern ser seleccionados por los
integrantes del equipo considerando que deben estar comprendidos entre el voltaje de
umbral (VT) y el voltaje VDD + 0.5V, siendo este ltimo el voltaje mximo que puede ser
aplicado a cualquiera de sus terminales, no debiendo exceder a VDD + 0.5V o a VSS
0.5V.
18. Quite el MOSFET IRF150 y sustityalo por uno de los que tiene el CI4007 (MOSFET
de baja potencia). Repita las mediciones y reprtelo en el grfico de la figura 10.13b.
19. Obtenga los valores de la corriente de drenaje medida para cada uno de los
diferentes valores de voltaje en la compuerta dados en la tabla 10.6.
Tabla 10.6. Valores de corriente para el MOSFET CD4007

ID [mA] @
VDS=0 V

VGS

ID [mA] @
VDS=3 V

ID [mA] @
VDS=6 V

ID [mA] @
VDS=9 V

ID [mA] @
VDS=12 V

VGS= VT
VGS= V
VGS= V
VGS= V
20. Tomando las grficas de la figura 10.13 para VDS = 6V y las tablas 10.5 y 10.6 reporte
en la tabla 10.7 el valor de la transconductancia.
Tabla 10.7. Valores tomados de lo grficos de salida de los MOSFET

MOSFET
IRF150
CD4007

gmo [V]

Comentarios

21. En el mismo circuito armado (con el CD4007), mantenga el VGS = 1.5VT y grafquela
en la figura 10.14. Encienda un cerillo y acrquelo al MOSFET bajo prueba a una
distancia entre 0.5 y 1 cm por un tiempo no mayor a 5 segundos. Grafique sus curvas
en la misma figura 10.14 y comente sus observaciones.
Nota: sta medicin puede hacerse con un cautn o una pistola de aire caliente, sta
ltima tiene la propiedad de aumentar la temperatura del dispositivo de manera uniforme
y con menor peligro.

11

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Figura 10.14. Grfica de salida del MOSFET para diferentes temperaturas

22. Realice sus comentarios y conclusiones.

Proyectos (opcionales).
Armar el circuito inversor de potencia de la figura 10.15.

Figura 10.15.

Disear y construir un sistema que permita graficar la curva de un dispositivo de tres

terminales (Trasador de Curvas).
Disear y construir una cucaracha que camine con un solo transistor y otros componentes.
Disear y construir un sistema para el control de encendido completo y a media luz de una
lmpara de DC.
Disear y construir un sistema para el control de encendido completo de un motor de DC.
Disear y construir un sistema para el control de encendido gradual de una lmpara de DC.
Disear y construir un sistema para el control de encendido gradual de un motor de DC.
Disear y construir un cargador solar de bateras.
Disear y construir un robot (bicho) activado con luz solar.
Disear y construir una fuente de voltaje con salida a transistor.
12

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

Disear y construir un sistema de proteccin contra sobre voltaje para una fuente de DC.
Disear y construir un sistema de proteccin contra sobre corriente para una fuente de DC.
Disear y construir un sistema para el control del sentido de giro de un motor de CD de 24V,
1A.
Disear y construir un sistema para el control de velocidad de un motor de CD de 24V, 1A.
Nota: Enumere sus resultados respecto a cada paso con su reporte escrito.
Imprime la parte UPIITA a tu trabajo, busca informacin adicional en la red y
comprtela con tus compaeros.
Recuerda que:
La prctica hace al maestro.
Si tienes alguna duda apyate con tu profesor!
Intercambie opiniones y experiencias con tus compaeros de grupo acerca del
conocimiento que has adquirido despus de haber finalizado la prctica.

13