Transistor FET

Transistor efekmedan (FET) adalah salah satu jenis transistor

menggunakan medan listrik untuk mengendalikan konduktifitas suatu
kanal dari jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan semikonduktor.
FET
kadang-kadang
disebut
sebagai
transistor
ekakutub
untuk
membedakan operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukannya dengan
operasi dua pembawa muatan pada transistor dwikutub (BJT).
Saluran
Semua FET mempunyai sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) dan
sumber (source) yang kira-kira sama dengan basis, kolektor dan emitor
pada BJT. Selain JFET, semua FET juga mempunyai saluran keempat yang
dinamakan badan, dasar atau substrat. Saluran keempat ini melayani
kegunaan teknis dalam pemanjaran transistor kedalam titik operasi.
Terminal ini sangat jarang digunakan pada desain sirkuit, tetapi
keberadaannya penting saat merancang penataan sirkuit terpadu.

Nama-nama saluran pada FET mengacu pada fungsinya. Saluran gerbang

dapat
dianggap
sebagai
pengontrol
buka-tutup
dari
gerbang
sesungguhnya. Gerbang ini mengizinkan elektron untuk mengalir atau
mencegahnya dengan membuat dan mengikangkan sebuah kanal diantara
sumber dan cerat. Elektron mengalir dari sumber menuju ke saluran

cerat jika ada tegangan yang diberikan. Badan merupakan seluruh

semikonduktor dasar dimana gerbang, sumber dan cerat diletakkan.
Biasanya saluran badan disambungkan ke tegangan tertinggi atau
terendah pada sirkuit, tergantung pada tipenya. Saluran badan dan
saluran
sumber
biasanya
disambungkan
karena
sumber
biasanya
disambungkan ke tegangan tertinggi atau terendah dari sirkuit, tetapi
ada beberapa penggunaan dari FET yang tidak seperti demikian, seperti
sirkuit gerbang transmisi dan kaskoda.
Cara kerja FET
FET mengendalikan aliran elektron (atau lubang elektron pada FET
kanal-p) dari sumber ke cerat dengan mengubah besar dan bentuk dari
sebuah kanal konduktif yang dibentuk oleh adanya tegangan (atau
kurangnya tegangan pada FET kanal-p) yang dikenakan menyeberangi
saluran gerbang dan sumber (untuk mempermudah penjabaran, diasumsikan
bahwa badan dan sumber disambungkan). Kanal konduktif ini adalah
jalur dimana elektron (atau lubang) mengalir dari sumber ke cerat.
Dengan menganggap sebuah peranti kanal-n moda pemiskinan. Sebuah
tegangan negatif gerbang-ke-sumber menyebabkan daerah pemiskinan
untuk bertambah lebar dan menghalangi kanal dari kedua sisi,
mempersempit kanal konduktif. Jika daerah pemiskinan menutup kanal
sepenuhnya, resistansi kanal dari sumber ke cerat menjadi besar, dan
FET dimatikan seperti sakelar yang terbuka. Sebaliknya, sebuah
tegangan
positif
gerbang-ke-sumber
menambah
lebar
kanal
dan
memungkinkan elektron mengalir dengan mudah. Sekarang menganggap
sebuah peranti kanal-n moda pengayaan. Sebuah tegangan positif
gerbang-ke-sumber dibutuhkan untuk membuat kanal konduktif karena ini
tidak terdapat secara alami didalam transistor. Tegangan positif
menarik elektron bebas pada badan menuju ke gerbang, membuat sebuah
kanal konduktif. Tetapi elektron yang cukup harus ditarik dekat ke
gerbang untuk melawan ion doping yang ditambahkan ke badan FET, ini
membentuk sebuah daerah yang bebas dari pembawa bergerak yang
dinamakan daerah pemiskinan, dan fenomena ini disebut sebagai
tegangan tahan dari FET. Peningkatan tegangan gerbang-ke-sumber yang
lebih lanjut akan menarik lebih banyak lagi elektron menuju ke
garbang yang memungkinkannya untuk membuat sebuah kanal konduktif
dari sumber ke cerat, proses ini disebut pembalikan. Baik pada
peranti
moda
pengayaan
ataupun
pemiskinan,
jika
tegangan
cerat-ke-sumber jauh lebih rendah dari tegangan gerbang-ke-sumber,
merubah tegangan gerbang akan mengubah resistansi kanal, dan arus
cerat akan sebanding dengan tegangan cerat terhadap sumber. Pada moda
ini, FET berlaku seperti sebuah resistor variabel dan FET dikatakan

beroperasi
pada moda
linier atau moda
ohmik Jika
tegangan
cerat-ke-sumber meningkat, ini membuat perubahan bentuk kanal yang
signifikan dan taksimetrik dikarenakan gradien tegangan dari sumber
ke cerat. Bentuk dari daerah pembalikan menjadi kurus dekat ujung
cerat dari kanal. Jika tegangan cerat-ke-sumber ditingkatkan lebih
lanjut, titik kurus dari kanal mulai bergerak dari cerat menuju ke
sumber. Pada keadaan ini, FET dikatakan dalam moda penjenuhan,
beberapa orang menyebutnya sebagai moda aktif, untuk menganalogikan
dengan daerah operasi transistor dwikutub. Moda penjenuhan, atau
daerah antara linier dan penjenuhan digunakan jika diinginkan adanya
penguatan. Daerah antara tersebut seringkali dianggap sebagai bagian
dari daerah linier, bahkan walaupun arus cerat tidak linier dengan
tegangan cerat. Bahkan jika kanal konduktif yang dibentuk oleh
tegangan gerbang-ke-sumber tidak lagi menghubungkan sumber ke cerat
saat moda penjenuhan, Pembawa muatan tidak dihalangi untuk mengalir.
Dengan menganggap peranti kanal-n, sebuah daerah pemiskinan terdapat
pada badan tipe-p, mengelilingi kanal konduktif, daerah cerat dan
daerah sumber. Elektron yang mencakupi kanal bebas untuk bergerak
keluar dari kanal melalui daerah pemiskinan jika ditarik ke cerat
oleh tegangan cerat-ke-sumber. Daerah pemiskinan ini bebas dari
pembawa dan memiliki resistansi seperti silikon. Penambahan apapun
pada tegangan cerat-ke-sumber akan menambah jarak dari cerat ke titik
kurus, menambah resistansi dikarenakan daerah pemiskinan sebanding
dengan tegangan tegangan cerat-ke-sumber. Perubahan yang sebanding
ini menyebabkan arus cerat-ke-sumber untuk tetap relatif tetap tak
terpengaruh oleh perubahan tegangan cerat-ke-sumber dan benar-benar
berbeda dari operasi moda linier. Dengan demikian, pada moda
penjenuhan, FET lebih berlaku seperti sebuah sumber arus konstan
daripada sebagai sebuah resistor variabel dan dapat digunakan secara
efektif sebagai penguat tegangan. Pada situasi ini, tegangan
gerbang-ke-sumber menentukan besarnya arus konstan yang melewati
kanal.
Cara yang tepat untuk menguji transistor MOSFET adalah dengan
menggunakan analogmultimeter. Switch mode power supply dan banyak
sirkuit lainnya menggunakan transistor FET sebagai bagian dari
rangkaian. Kebocoran dan kegagalan MOSFET
yang cukup tinggi di
sirkuit dan kita perlu tahu bagaimanamengetesnya. FET mempunyai lebel
sebagai "Q" pada papan sirkuit.
Mengukur komponen yang memiliki dua lead seperti resistor,kapasitor
dan dioda jauh lebih mudah daripada mengukur transistor dan FET yang

memiliki tiga kaki.

I. Pertama, temukan pintu gate, drain dan source pin

semikonduktor penggantian atau cari yang Datasheet
pencari.

.Dari buku
dari mesin

II. Setelah Anda memiliki referensi silang atau diagram untuk setiap
pin MOSFET itu,kemudian gunakan multimeter analog, atur ke ukuran 10K
ohm. Dengan asumsi
menguji MOSFET kanal n kemudian menempatkan
probe hitam pada bagian pin DRAIN.
III. Sentuh pin GATE dengan probe merah untuk mengosongkan muatan
internal kapasitansi dalam MOSFET tersebut. Sekarang pindahkan
probemerah untuk SOURCE pin sementara probe hitam masih menyentuh pin
DRAIN. Gunakan jari kanan dan sentuh GATE
dan DRAIN secara
bersamaan. Akan kelihatan jarum penunjuk multimeter akan bergerak
maju ke tengah skala meter itu.
IV. Angkat probe merah dari pin SOURCE dan letakkan kembali lagi ke
pin SOURCE; pointer masih akan tetap berada di tengah skala meter
itu. Untuk mengosongkan, probe merah harus diangkat dan disentuhkan
satu kali padapin GATE. Hal ini pada akhirnya akan melepaskan
kapasitansi internal lagi.
V. Pada saat ini, gunakan probe merah sentuh pin SOURCE lagi, pointer
tidak akan bergerak sama sekali karena kita telah mengosongkan muatan
dengan menyentuh pin GATE. Ini adalah contoh MOSFET yang kondisinya
baik.

VI. Jika terlihat bahwa semua hasil yang diukur pointer (jarum
penunjuk) bergerak menuju nol ohm dan tidak akan melepaskan, kemudian
FET dianggap korsleting dan perlu penggantian.
Pengujian saluran P-FET transistor efek medan caranya sama seperti
ketika memeriksa saluran N-FET . Yang harus dilakukan adalah untuk
membalik polaritas probe ketika memeriksa saluran P. Pastikan Anda
menggunakan meter yang memiliki jangkauan 10k ohm .

Contoh: N channel FET 2SK791, K1118, IRF634, IRF 740 dan P channel
FET J307, J516, IRF, 9620 dan lain-lain.