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EFECTOS PTICOS ESPECIALES DE LOS RECUBRIMIENTOS DE DIXIDO

DE TITANIO SOBRE MICA

CARLOS EDUARDO CASTAO LONDOO

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA - SEDE MEDELLN


FACULTAD DE MINAS
ESCUELA DE INGENIERA DE MATERIALES
MEDELLN
2009

EFECTOS PTICOS ESPECIALES DE LOS RECUBRIMIENTOS DE DIXIDO


DE TITANIO SOBRE MICA

CARLOS EDUARDO CASTAO LONDOO

TRABAJO DE GRADO PRESENTADO PARA ASPIRAR AL TTULO DE


MAGSTER EN INGENIERA MATERIALES Y PROCESOS

ORIENTADOR
JUAN MANUEL VLEZ RESTREPO PhD.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA - SEDE MEDELLN


FACULTAD DE MINAS
ESCUELA DE INGENIERA DE MATERIALES
MEDELLN
2009

TABLA DE CONTENIDO

AGRADECIMIENTOS
RESUMEN
ABSTRACT
1. INTRODUCCIN ...................................................................................................... 12
1.1
ANTECEDENTES Y JUSTIFICACIN .............................................................. 12
1.2
OBJETIVOS DE LA TESIS ................................................................................ 14
1.2.1 Objetivo General ............................................................................................ 14
1.2.2 Objetivos Especficos ..................................................................................... 14
1.3
ORGANIZACIN DEL TRABAJO ...................................................................... 14
2. ESTADO DEL ARTE ................................................................................................ 16
2.1
TCNICAS DE PRODUCCIN DE PELCULAS DELGADAS ........................... 16
2.1.1 Recubrimientos PVD ...................................................................................... 16
2.1.2 Recubrimientos CVD ...................................................................................... 21
2.2
ASPECTOS TERMODINMICOS Y PROCESOS DE CRECIMIENTO DE
PELCULAS DELGADAS ............................................................................................. 21
2.3
PROPIEDADES FISICOQUMICAS DEL SISTEMA MICA DIXIDO DE
TITANIO ....................................................................................................................... 24
2.3.1 Sustrato - Mica ............................................................................................... 24
2.3.2 Recubrimiento Dixido de Titanio (TiO2) ..................................................... 25
2.3.3 Recubrimientos de TiO2 sobre mica ............................................................... 26
2.4
CARACTERIZACIN DE PELCULAS DELGADAS DE TiO2 SOBRE MICA
29
2.5
MODELO TERICO DE INTERFERENCIA PARA PELCULAS DELGADAS DE
TiO2 SOBRE MICA ....................................................................................................... 31
3. MATERIALES Y MTODOS..................................................................................... 36
3.1
PREPARACIN DE LAS PELCULAS DE XIDOS DE TITANIO ..................... 36
3.1.1 Sistema utilizado para el crecimiento de las pelculas delgadas..................... 36
3.1.2 Blanco ............................................................................................................ 37
3.1.3 Preparacin del sustrato ................................................................................ 37
3.1.4 Crecimiento de las pelculas de xidos de titanio ........................................... 38
3.1.5 Equipos empleados para la caracterizacin de los recubrimientos ................. 39
4. RESULTADOS Y DISCUSIN ................................................................................. 41
4.1
CARACTERIZACIN DEL SUSTRATO ............................................................ 41
4.1.1 Caracterizacin morfolgica, qumica y estructural ........................................ 41
4.1.2 Caracterizacin ptica .................................................................................... 47
4.2
CRECIMIENTO DE LAS PELCULAS DE XIDOS DE TITANIO SOBRE MICA 48
4.3
CARACTERIZACIN DEL SISTEMA RECUBRIMIENTO SUSTRATO .......... 49
4.3.1 Caracterizacin morfolgica, qumica y estructural ........................................ 49
4.3.2 Caracterizacin ptica .................................................................................... 65
4.4
CONSIDERACIONES GENERALES ................................................................. 88
5. CONCLUSIONES ..................................................................................................... 91
6. RECOMENDACIONES PARA TRABAJOS FUTUROS ............................................ 94
7. BIBLIOGRAFA ........................................................................................................ 95
ANEXO A. CONDICIONES DE CRECIMIENTO .............................................................. 99
ANEXO B. GENERALIDADES DE LOS SISTEMAS DE COLOR ...................................101

LISTA DE FIGURAS

Figura 1.1. Clasificacin de pigmentos. ........................................................................... 13


Figura 2.1. Esquema de la configuracin Sputtering DC. ................................................ 19
Figura 2.2. Esquema del blanco con imanes permanentes para la configuracin de un
magnetrn Sputtering. ..................................................................................................... 20
Figura 2.3. Esquema de un Sputtering RF. ..................................................................... 21
Figura 2.4. Tipos de crecimiento en pelculas delgadas [10]. .......................................... 22
Figura 2.5. Modelo TMD [16]........................................................................................... 24
Figura 2.6. Diagrama de fases de O Ti [35].................................................................. 26
Figura 2.7. Ilustracin esquemtica de pigmentos de dixido de titanio sobre mica y los
colores de Interferencia [39]. ........................................................................................... 29
Figura 2.8. Trazado de rayos en una pelcula delgada. ................................................... 33
Figura 3.1. Esquema general del equipo utilizado para crecer las pelculas de xidos de
titanio. .............................................................................................................................. 36
Figura 3.2. Imagen de la cmara con el shutter antes de ser encendido el sistema. ....... 37
Figura 3.3. Imagen durante el crecimiento de una pelcula. ............................................ 37
Figura 3.4. Patrn de difraccin del blanco de dixido de titanio (TiO2) con 4% de hierro
posterior al proceso de sinterizado [56]. .......................................................................... 37
Figura 3.5. Esquema de la mica utilizada como sustrato en pigmentos de efectos. ........ 38
Figura 3.6. Fotografa de mica tipo moscovita utilizada como relleno en pinturas y como
sustrato para los pigmentos de efecto. ............................................................................ 38
Figura 3.7. Esquema de las lminas mica utilizadas como sustrato para los
recubrimientos del presente trabajo. ................................................................................ 38
Figura 3.8. Fotografa digital de la mica tipo moscovita en lmina utilizada como sustrato
en el presente trabajo. ..................................................................................................... 38
Figura 4.1. Fotomicrografa SEM en un extremo del sustrato a 1000X. .......................... 41
Figura 4.2. Fotomicrografa SEM a 2000X sobre el rea resaltada con el crculo en la
Figura 4.1. ....................................................................................................................... 42
Figura 4.3. Fotomicrografa SEM a 5000X sobre el rea resaltada con el crculo en la
Figura 4.1. ....................................................................................................................... 42
Figura 4.4. Fotomicrografa SEM a 2000X en otra parte del sustrato donde se evidencian
laminillas de mica apiladas. ............................................................................................. 43
Figura 4.5. Fotomicrografa SEM a 5000X en la zona de la Figura 4.4 donde los
electrones traen informacin del lo que hay debajo de la superficie. ............................... 43
Figura 4.6. Imagen obtenida mediante SEM de la superficie del sustrato con la regin
donde se realizaron mediciones de EDS ......................................................................... 44
Figura 4.7. Grafica de intensidades Vs. energa caracterstica de los elementos que
constituyen el sustrato. .................................................................................................... 44
Figura 4.8. Difractograma de la mica tipo moscovita. ...................................................... 45
Figura 4.9. Estructura de la mica tipo moscovita 2M1 [57]. ............................................. 46
Figura 4.10. Espectro Infrarrojo de la mica tipo moscovita. ............................................. 47
Figura 4.11. Fotomicrografa ptica a 50X del sustrato en campo brillante. .................... 47
Figura 4.12. Fotomicrografa ptica a 500X del sustrato en campo oscuro. .................... 47
Figura 4.13. Espectro de reflectancia entre 360 y 750 nm del sustrato de mica tipo
moscovita. ....................................................................................................................... 48
Figura 4.14. Fotografa digital de las muestras recubiertas sobre fondo negro para
visualizar el efecto de interferencia. ................................................................................. 49

Figura 4.15. Fotomicrografa SEM a 600X de la mica recubierta durante 4 horas. .......... 49
Figura 4.16. Fotomicrografa SEM a 5000X de una raya sobre la superficie de la muestra
recubierta durante 4 horas. .............................................................................................. 49
Figura 4.17. Imagen tomada en un AFM en un rea de 1x1m en el recubrimiento de 120
minutos de crecimiento. ................................................................................................... 50
Figura 4.18. Imagen 3D correspondiente a la imagen 2D de la Figura 4.17. ................... 51
Figura 4.19. Perfil de alturas a lo largo de una lnea horizontal sobre la Figura 4.17. ...... 51
Figura 4.20. Perfil de alturas a lo largo de una lnea horizontal sobre la Figura 4.17. ...... 52
Figura 4.21. Imagen tomada en un AFM en un rea de 1x1m del recubrimiento de 180
minutos de crecimiento. ................................................................................................... 52
Figura 4.22. Imagen 3D correspondiente a la imagen 2D de la Figura 4.21. ................... 53
Figura 4.23. Perfil de alturas a lo largo de una lnea horizontal sobre la Figura 4.21. ...... 53
Figura 4.24. Imagen tomada en un AFM en un rea de 0.5x0.5m del recubrimiento de
180 minutos de crecimiento. ............................................................................................ 54
Figura 4.25. Imagen 3D correspondiente a la imagen 2D de la Figura 4.24. ................... 54
Figura 4.26. Perfil de alturas a lo largo de una lnea horizontal sobre la Figura 4.24. ...... 55
Figura 4.27. Superficie del sustrato recubierto durante 240 minutos al lado de una raya. 56
Figura 4.28. Superficie del sustrato recubierto durante 240 minutos despus del
tratamiento trmico. ......................................................................................................... 57
Figura 4.29. Imagen obtenida mediante SEM de la superficie del sustrato recubierto
durante 90 minutos. ......................................................................................................... 58
Figura 4.30. Grafica de intensidades Vs. energa caracterstica de los elementos que
constituyen el sustrato + recubrimiento 90 minutos.......................................................... 58
Figura 4.31. Imagen obtenida mediante SEM de la superficie del sustrato recubierto
durante 120 minutos. ....................................................................................................... 58
Figura 4.32. Grafica de intensidades Vs. energa caracterstica de los elementos que
constituyen el sustrato + recubrimiento 120 minutos........................................................ 58
Figura 4.33. Imagen obtenida mediante SEM de la superficie del sustrato recubierto
durante 240 minutos. ....................................................................................................... 59
Figura 4.34. Grafica de intensidades Vs. energa caracterstica de los elementos que
constituyen el sustrato + recubrimiento 240 minutos........................................................ 59
Figura 4.35. Datos del % de titanio Vs. tiempo de crecimiento de los recubrimientos. .... 60
Figura 4.36. Difractograma del sistema recubrimiento sustrato de 240 minutos de
crecimiento bajo la configuracin bragg brentano. ........................................................ 61
Figura 4.37. Difractogramas a tres ngulos rasantes diferentes del sistema sustrato
recubrimiento (180 minutos). ........................................................................................... 62
Figura 4.38. Comparacin de los difractogramas del sistema sustrato recubrimiento (60
minutos, 120 minutos y 180 minutos)............................................................................... 62
Figura 4.39. Grfico del aumento del tamao de grano del TiO2 calculado por XRD contra
el tiempo de crecimiento. ................................................................................................. 63
Figura 4.40. Estructura tetragonal para el rutilo, los tomos ms pequeos son los de
titanio y los otros son los del oxgeno [60]........................................................................ 64
Figura 4.41. Plano (110) del rutilo, los tomos ms pequeos son los de titanio y los otros
son los del oxgeno [61]. .................................................................................................. 64
Figura 4.42. Esquema de pigmentos de efectos inmersos en una resina. ....................... 65
Figura 4.43. Imgenes tomadas por microscopa ptica de luz reflejada a 200X sobre la
superficie de la muestra recubierta a) 30 minutos b) 60 minutos c) 90 minutos d) 120
minutos e) 180 minutos f) 240 minutos. ........................................................................... 66

Figura 4.44. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 60 minutos medida


por reflexin a 200X. ........................................................................................................ 67
Figura 4.45. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 60 minutos medida
por reflexin a 500X. ........................................................................................................ 67
Figura 4.46. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 120 minutos medida
con luz polarizada por reflexin 200X. ............................................................................. 68
Figura 4.47. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 240 minutos medida
con luz polarizada por reflexin 200X. ............................................................................. 68
Figura 4.48. Fotomicrografa ptica de un pigmento de interferencia con viaje de color,
Viola Fantasy (Merck) 500X. ............................................................................................ 68
Figura 4.49. Fotomicrografa ptica de un pigmento de interferencia comercial, mica
recubierta con dixido de titanio 500X. ............................................................................ 68
Figura 4.50. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 60 minutos medida
por reflexin a 500X en campo brillante. .......................................................................... 69
Figura 4.51. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 60 minutos medida
por reflexin a 500X en campo oscuro. ............................................................................ 69
Figura 4.52. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 120 minutos medida
por reflexin a 500X en campo brillante. .......................................................................... 69
Figura 4.53. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 120 minutos medida
por reflexin a 500X en campo oscuro. ............................................................................ 69
Figura 4.54. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 180 minutos medida
por reflexin a 500X en campo brillante. .......................................................................... 69
Figura 4.55. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 180 minutos medida
por reflexin a 500X en campo oscuro. ............................................................................ 69
Figura 4.56. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 120 minutos medida
por reflexin a 200X en campo brillante. .......................................................................... 70
Figura 4.57. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 120 minutos medida
por reflexin a 200X en campo oscuro. ............................................................................ 70
Figura 4.58. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 180 minutos medida
por reflexin a 200X en campo brillante. .......................................................................... 70
Figura 4.59. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 180 minutos medida
por reflexin a 200X en campo oscuro. ............................................................................ 70
Figura 4.60. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 240 minutos medida
por reflexin a 500X en campo brillante. .......................................................................... 70
Figura 4.61. Fotomicrografa ptica de la muestra recubierta durante 240 minutos medida
por reflexin a 500X en campo oscuro. ............................................................................ 70
Figura 4.62. % de Reflectancia sobre fondo blanco Vs. Longitud de Onda. .................... 71
Figura 4.63. % de Reflectancia total sobre fondo blanco Vs. Tiempo de crecimiento de los
recubrimientos. ................................................................................................................ 72
Figura 4.64. % de Reflectancia sobre fondo negro Vs. Longitud de Onda....................... 73
Figura 4.65. % de Reflectancia sobre fondo negro Vs. Longitud de Onda....................... 73
Figura 4.66. Evolucin de la curvas espectrofotomtricas con el aumento del espesor. . 74
Figura 4.67. Resultados en el sistema CIEL*a*b* de las muestras recubiertas. .............. 76
Figura 4.68. Grfico de la coordenada L* Vs. tiempo de recubrimiento. .......................... 77
Figura 4.69. Grfico de la coordenada a* Vs. tiempo de recubrimiento. .......................... 78
Figura 4.70. Grfico de la coordenada b* Vs. tiempo de recubrimiento. .......................... 79
Figura 4.71. Evolucin de la curvas espectrofotomtricas con el aumento del espesor
basndose en el modelo terico de pelculas delgadas. .................................................. 80

Figura 4.72. Comparacin de la simulacin y el sistema de 30 minutos de recubrimiento.


........................................................................................................................................ 80
Figura 4.73. Comparacin de la simulacin y el sistema de 60 minutos de recubrimiento.
........................................................................................................................................ 80
Figura 4.74. Comparacin de la simulacin y el sistema de 90 minutos de recubrimiento.
........................................................................................................................................ 81
Figura 4.75. Comparacin de la simulacin y el sistema de 120 minutos de recubrimiento.
........................................................................................................................................ 81
Figura 4.76. Comparacin de la simulacin y el sistema de 180 minutos de recubrimiento.
........................................................................................................................................ 81
Figura 4.77. Comparacin de la simulacin y el sistema de 240 minutos de recubrimiento.
........................................................................................................................................ 81
Figura 4.78. Espesor Vs. Tiempo de Crecimiento. .......................................................... 82
Figura 4.79. Esquema utilizado para el modelo terico de pelculas delgadas. ............... 83
Figura 4.80. Nueva superficie propuesta para mejorar los resultados del modelo terico.
........................................................................................................................................ 83
Figura 4.81. Comparacin entre la simulacin, el sistema de 30 minutos de recubrimiento
y la correccin realizada por rugosidad. ........................................................................... 84
Figura 4.82. Comparacin entre la simulacin, el sistema de 60 minutos de recubrimiento
y la correccin realizada por rugosidad. ........................................................................... 84
Figura 4.83. Comparacin entre la simulacin, el sistema de 90 minutos de recubrimiento
y la correccin realizada por rugosidad. ........................................................................... 84
Figura 4.84. Comparacin entre la simulacin, el sistema de 120 minutos de
recubrimiento y la correccin realizada por rugosidad. .................................................... 85
Figura 4.85. Comparacin entre la simulacin, el sistema de 180 minutos de
recubrimiento y la correccin realizada por rugosidad. .................................................... 85
Figura 4.86. Comparacin entre la simulacin, el sistema de 240 minutos de
recubrimiento y la correccin realizada por rugosidad. .................................................... 86
Figura 4.87. Curva de ajuste aplicadas a las muestras de 180 y 240 minutos. ............... 87
Figura 4.88. Comparacin entre la simulacin, el sistema de 180 minutos de
recubrimiento y la correccin realizada por rugosidad + la correccin por cubrimiento. ... 87
Figura 4.89. Comparacin entre la simulacin, el sistema de 240 minutos de
recubrimiento y la correccin realizada por rugosidad + la correccin por cubrimiento. ... 88
Figura 4.90. Muestras ubicadas en el espacio CIEL*a*b*. .............................................. 90
Figura B1. Iluminantes estndares D65 y A. ................................................................. 101
Figura B2. Experimento para encontrar la respuesta del observador. ........................... 102
Figura B3. Funciones de igualacin normalizadas a 10 grados. ................................... 102
Figura B4. Curva de reflectancia comn de un material. ............................................... 103
Figura B5. CIE 1931. .................................................................................................... 104
Figura B6. Espacio de color CIEL*a*b*. ........................................................................ 105

LISTA DE TABLAS

Tabla 2.1. Propiedades de la Moscovita [22]. .................................................................. 25


Tabla 4.1. Resultados del microanlisis qumico realizado sobre el sustrato. .................. 44
Tabla 4.2. Tiempos de crecimiento de las muestras. ....................................................... 48
Tabla 4.3. Resultados del microanlisis qumico realizado sobre el sustrato +
recubrimiento durante 90 minutos. ................................................................................... 58
Tabla 4.4. Resultados del microanlisis qumico realizado sobre el sustrato +
recubrimiento durante 120 minutos. ................................................................................. 59
Tabla 4.5. Resultados del microanlisis qumico realizado sobre el sustrato +
recubrimiento durante 240 minutos. ................................................................................. 59
Tabla 4.6. Resultados del tamao de grano de los recubrimientos a diferentes tiempos de
crecimiento mediante el anlisis del perfil de lnea del pico (110) del rutilo. ..................... 63
Tabla 4.7. % de reflectancia de todas las muestras sobre negro Vs. el tiempo de
crecimiento. ..................................................................................................................... 73
Tabla 4.8. Colores y los intervalos de longitud de onda [51]. ........................................... 74
Tabla 4.9. Resultados CIEL*a*b* tomados en el espectrofotmetro bajo iluminacin D65 y
10 de observacin. ......................................................................................................... 75
Tabla 4.10. Datos de entrada para la simulacin de los espectros de reflectancia a
diferentes espesores. ...................................................................................................... 79
Tabla 4.11. Espesor de cada una de las muestras obtenido por el ajuste de la simulacin
de los espectros de reflectancia....................................................................................... 82
Tabla A1. Condiciones de crecimiento para la muestra de 30 minutos............................ 99
Tabla A2. Condiciones de crecimiento para la muestra de 60 minutos............................ 99
Tabla A3. Condiciones de crecimiento para la muestra de 90 minutos............................ 99
Tabla A4. Condiciones de crecimiento para la muestra de 120 minutos. ....................... 100
Tabla A5. Condiciones de crecimiento para la muestra de 180 minutos. ....................... 100
Tabla A6. Condiciones de crecimiento para la muestra de 240 minutos. ....................... 100

AGRADECIMIENTOS

Agradezco de manera muy especial a cada uno de los integrantes de mi familia por el
apoyo incondicional y desinteresado.
Expreso mi agradecimiento igualmente al Dr. Juan Manuel Vlez Restrepo por la
orientacin de este trabajo, asimismo a mis profesores, compaeros de trabajo y amigos
Alejandro Toro, Oscar Jaime Restrepo, Jaime Alberto Osorio, Gustavo Gmez, Jorge
Londoo, Cruz Marina Rondn y Diego Arias por sus adecuados y oportunos comentarios.
Tambin quiero agradecer a los integrantes del Laboratorio de Estado Slido de la
Universidad de Antioquia, por la valiosa ayuda prestada para producir los recubrimientos.
De la misma manera a los integrantes del Laboratorio de Tribologa y Superficies y a los
del Laboratorio de Microscopa Avanzada de la Universidad Nacional de Colombia Sede
Medelln.
A Jessika Rojas mil gracias por su grandsimo apoyo desde las discusiones temticas
hasta las palabras de aliento para continuar.
Finalmente muchas gracias a la Universidad Nacional de Colombia por darme la
oportunidad de vivir en un ambiente investigativo y a la Compaa Global de Pinturas por
el apoyo econmico y el tiempo para realizar mis estudios.

RESUMEN

En las aplicaciones decorativas, los fabricantes utilizan tcnicas PVD para crear colores
con nuevos matices y efectos pticos especiales, sin embargo, los resultados y productos
obtenidos hacen parte del Know-How de esas empresas y acceder al conocimiento
involucrado para la fabricacin de dispositivos a travs de procesos PVD es difcil. El
presente trabajo se orient al estudio de las propiedades pticas de pelculas delgadas de
TiO2 depositadas mediante Magnetrn Sputtering RF sobre sustratos de mica tipo
moscovita. Los recubrimientos fueron crecidos durante 30, 60, 90, 120, 180 y 240
minutos, en atmsfera de argn y usando un blanco de TiO2 a temperatura ambiente.
Las propiedades estructurales, la composicin qumica, la morfologa y los efectos pticos
se estudiaron en el sustrato y el sistema sustrato recubrimiento mediante difraccin de
rayos X, microscopa electrnica de barrido, microscopa de fuerza atmica, microscopa
ptica, espectrometra de infrarrojo por transformada de Fourier y espectrofotometra de
luz visible. Se determin que el sustrato es mica tipo moscovita perteneciente a la
estructura cristalina monoclnica con orientacin preferencial en el plano (001). Se verific
adems que es un material prcticamente incoloro y la reflectancia promedio es muy baja.
Para los recubrimientos se encontr que tienen estructura cristalina tetragonal
perteneciente a la fase rutilo los cuales crecieron en islas cuando los tiempos de proceso
fueron bajos y a tiempos de crecimiento mayores a 180 minutos el modo de crecimiento
fue combinado capa-isla. El tamao de grano del los recubrimientos fue alrededor de 100
nm y aument con el tiempo de crecimiento.
Se demostr que el fenmeno de interferencia es el mecanismo de generacin de color
en los sistemas y que nicamente con el aumento del espesor del recubrimiento cambia el
color observado, este resultado proyecta los mtodosPVD como una excelente alternativa
para la fabricacin de pigmentos de efectos.
Finalmente se compararon las medidas de reflectancia de los recubrimientos en el
espectro visible con las predicciones del modelo terico de interferencia de mltiples
haces en pelculas delgadas, se encontr que los datos se ajustan para bajos espesores y
en altos espesores se propuso una correccin al modelo en trminos de la dispersin de
luz asociada a la rugosidad en la superficie y otra correccin asociada al cubrimiento del
TiO2. Se plantea la medicin de color por reflectancia como un mtodo indirecto para
calcular el espesor de los recubrimientos a travs del ajuste de los datos experimentales
con la simulacin.

ABSTRACT

In decorative applications, manufacturers use PVD techniques for creating new colors with
different shades and special optical effects, although those products belongs to know-how
companies and the information related to PVD process and its applications is not easy to
find. This work was aimed to study the optical properties of titanium dioxide thin films,
which were deposited on muscovite substrates by Magnetron Sputtering RF using a
titanium dioxide target. The thin films were grown during 30, 60, 90, 120, 180 y 240
minutes at room temperature in an argon atmosphere.
The structural and morphological properties, chemical composition and optical effects of
substrate and substrate - film system were characterized by X ray diffraction, scanning
electron microscopy, atomic force microscopy, optical microscopy, fourier transform
infrared spectroscopy and visible light spectrophotometry. The mica substrate was
muscovite with showed a monoclinic crystal structure preferentially oriented parallel to
(001) plane. Besides, the colorless of mica was verified and the average substrate
reflectance is a very low value. The crystal structure of the TiO2 films were found in the
tetragonal rutile phase, which showed an island growth at low time process and over 180
minutes a coating-island combination, was evident. The grain size was around 100 nm and
it rose with increasing the growing time.
The interference phenomenon was the mechanism to color effects and these effects
depends only on the film thickness. The results show the PVD methods as an excellent
alternative for manufacturing effect pigments. Finally, reflectance measurements made at
visible light range were compared to multiple beam interference thin film models, the
results was in accordance with model at low thickness, at higher values corrections related
to roughness and hiding TiO2 on surface was purposed. A methodology to establish the
film thickness using the samples reflectance curves was discussed.

1. INTRODUCCIN

1. INTRODUCCIN

1.1
ANTECEDENTES Y JUSTIFICACIN
El color es un efecto subjetivo sicolgico y fisiolgico producido despus de que la luz
proveniente de un objeto interacta con algunas clulas ubicadas en el ojo que luego
envan seales al cerebro, es decir, es el resultado de la interaccin de la luz con un
material y un observador. A los materiales en general se les puede cambiar la apariencia
modificando aspectos geomtricos o con la inclusin de otros productos. Las sustancias
ms utilizadas para cambiar la apariencia de los materiales son los tintes y los pigmentos.
Los tintes son compuestos slidos solubles aplicados principalmente a los textiles, ellos
modifican los materiales confirindole colores altamente saturados conservando la
transparencia a travs de fciles procesos de dilucin, pero tienen poca resistencia a la
luz ultravioleta perdiendo rpidamente las caractersticas de color. Los pigmentos en
cambio son partculas slidas finas que se dispersan en un medio como el caso de una
pintura, una tinta de impresin o un plstico sin solubilizarse. En general se pueden
identificar dos clases: orgnicos e inorgnicos y segn su origen pueden ser naturales o
sintticos, los cuales tienen adicionalmente otras clasificaciones basadas en su color, ver
Figura 1.1. Este trabajo se desarrolla en torno a los pigmentos inorgnicos con nfasis en
los pigmentos de efectos especiales precisamente los de interferencia, estos pigmentos
tienen una gran cantidad de funciones y aunque los pigmentos inorgnicos son conocidos
hace miles de aos, nuevos desarrollos aparecen por asuntos de color y apariencia. Por
consideraciones ambientales algunos pigmentos inorgnicos antiguos se han prohibido
como es el caso de los xidos de plomo, que fueron sustituidos en la mayora de los
pases en las pinturas anticorrosivas. Sin embargo, las consideraciones ambientales no
son las nicas que incitan el desarrollo de nuevos pigmentos. La invencin de nuevos
pigmentos y el mejoramiento de los ya existentes han hecho posibles nuevos efectos de
color en la escala industrial.
La razn por la cual introducir nuevos pigmentos es una tarea lenta, se debe al obstculo
de las regulaciones ambientales y a que el cliente quiere cada vez ms, productos
efectivos, econmicos y ecolgicos. Es as como las tcnicas de acabado superficial, los
tintes y los pigmentos se utilizan para mejorar la esttica de muchos materiales.

12

1. INTRODUCCIN

PIGMENTOS
INORGNICOS

ORGNICOS

BLANCOS

BLANCOS

NEGROS

NEGROS

COLOREADOS

COLOREADOS POLICCLICA
COLOREADOS

EFECTOS ESPECIALES

AZO

EFECTO METLICO
NACARADOS
INTERFERENCIA
LUMINISCENTES
FLUORESCENTES
FOSFORESCENTES

Figura 1.1. Clasificacin de pigmentos.

Aunque el color es un placer estticamente agradable, existen otras propiedades pticas


relacionadas con la orientacin de la estructura atmica. Aquellos materiales donde la
interaccin de la luz cambia dependiendo del ngulo de incidencia, se dice
frecuentemente que posee anisotropa ptica, concretamente la mica es uno de estos
materiales y las aplicaciones con base en este tipo de minerales son temas actuales de
investigacin. Cuando un material anisotrpico se recubre por otro material con
propiedades pticas especiales como alta reflexin, absorcin, blancura o brillo, entre
otras, el nuevo material resultante tendr una combinacin de propiedades que generar
efectos pticos especiales cambiantes con el ngulo de incidencia y visin de la luz. Un
material utilizado como pigmento de interferencia es la mica recubierta con capas finas de
TiO2 (material altamente reflectivo), el cual presenta efectos pticos especiales, sin
embargo, los procesos de fabricacin que se utilizan convencionalmente son por va
qumica, este hecho, implica que los espesores de dixido de titanio no se pueden
controlar fcilmente, porque en la fabricacin existen variables difciles de manipular.
Como proceso de fabricacin alternativo y amigable con el ambiente, se encuentran las
tcnicas PVD y con este nombre se conocen varias tcnicas que tienen en comn el
empleo de medios fsicos para obtener el material de recubrimiento en fase vapor. En el
mbito internacional el uso de las tcnicas PVD se encuentra extendido no slo en las
universidades y centros de investigacin, sino tambin en empresas y centros productivos
de diversa ndole, con aplicaciones en componentes electrnicos, nuevos materiales,
recubrimientos decorativos, herramientas, implantes e instrumentos mdicos, entre otras.
En las aplicaciones decorativas, los fabricantes utilizan estas tcnicas para dar colores
con nuevos matices y para que los productos exhiban efectos pticos especiales, sin
embargo, los resultados y productos obtenidos hacen parte de su Know-How y acceder al
conocimiento involucrado para la fabricacin a travs de procesos PVD es difcil.
13

1. INTRODUCCIN

Actualmente los pigmentos de interferencia se logran a travs de procesos qumicos, no


obstante, se plantean los procesos fsicos como una alternativa limpia de produccin con
algunas experiencias ya consolidadas en la industria [1-6].
Actualmente existen varios grupos de investigacin en el pas trabajando en temas
relacionados con la modificacin superficial de materiales, particularmente los siguientes
grupos poseen equipos para la produccin de recubrimientos mediante tcnicas PVD: el
Grupo de Pelculas Delgadas de la Universidad del Valle, el Grupo de Investigacin en
Fsica del Plasma en la Universidad Nacional de Colombia Sede Manizales LAFIP, el
grupo de Ciencias de Materiales y Tecnologa Plasma GCMTP de la Universidad del
Tolima, el Grupo de Fsica y Tecnologa del Plasma y Corrosin de la Universidad
Industrial de Santander, el Grupo de Investigacin de Recubrimientos Duros del CDT
ASTIN SENA Regional Valle, el Grupo de Estado Slido GES de la Universidad de
Antioquia y el Centro Internacional de Fsica en Bogot. Adicionalmente el Grupo de
Tribologa y Superficies GTS de la Universidad Nacional de Colombia Sede Medelln y el
Grupo de Ciencia y Tecnologa de Materiales CTM estn trabajando en la evaluacin de
algunas de las propiedades tribolgicas y mecnicas (sustrato - recubrimiento) de
recubrimientos PVD. Particularmente el GTS y el CTM han centrado parte de los trabajos
en tcnicas de procesamiento PVD y en el comportamiento de los recubrimientos
obtenidos mediante estas tcnicas, en los temas de procesamiento y comportamiento de
los recubrimientos existen varios trabajos donde se han estudiado procesos de Sputtering
y propiedades de las capas tales como: mecanismos de desgaste por adhesin, abrasin
y corrosin, adherencia, comportamiento de buriles recubiertos por PVD, efectos del
sustrato en los recubrimientos cermicos, entre otras. Los recubrimientos cermicos PVD
de los trabajos antes mencionados han sido logrados sobre aceros AISI M2, AISI 304,
AISI 420, AISI 4140 y AISI O1. No obstante, aunque las aplicaciones pticas de las
pelculas delgadas se reportan desde el inicio de las tcnicas PVD, en nuestro medio,
este uso no es comn. A continuacin se presentan los objetivos desarrollados en el
trabajo y se puede concluir que el enfoque principal son las aplicaciones pticas de los
recubrimientos de xidos de titanio (material altamente reflectivo) sobre mica (mineral de
alto uso industrial) [7].
1.2

OBJETIVOS DE LA TESIS
1.2.1 Objetivo General
Obtener mediante tcnicas PVD recubrimientos de dixido de titanio sobre sustratos de
mica a diferentes espesores que exhiban propiedades pticas especiales.

1.2.2 Objetivos Especficos


Crecer pelculas de dixido de titanio sobre sustratos de mica mediante Magnetrn
Sputtering RF a diferentes espesores.
Caracterizar la estructura de los recubrimientos y la morfologa de la superficie.
Analizar los efectos pticos de reflectancias y color de los recubrimientos a diferentes
espesores.
1.3
ORGANIZACIN DEL TRABAJO
El documento est organizado en 7 captulos: en el captulo 2 se presenta el estado del
arte de las reas de investigacin relacionadas al trabajo, como principales reas se
encuentran: Las tcnicas de produccin de pelculas delgadas, los aspectos
termodinmicos y las condiciones de crecimiento de los recubrimientos, algunas
propiedades fisicoqumicas del sistema xidos de titanio mica, las aplicaciones de los
14

1. INTRODUCCIN

recubrimientos de xidos de titanio sobre mica, las principales tcnicas de caracterizacin


utilizadas en pelculas delgadas y el modelo ptico de pelculas delgadas vigente para
estos materiales. En el captulo 3 se describen los materiales y mtodos experimentales,
de manera detallada se expone: la preparacin de las muestras, el equipo y las
condiciones de trabajo para el crecimiento de las pelculas delgadas, adems se reportan
las condiciones de trabajo para cada una de las tcnicas de caracterizacin utilizadas. En
el captulo 4 se presentan los resultados y se realiza una discusin de todos los estudios
que se han llevado a cabo sobre el sistema sustrato - recubrimiento mediante las
diferentes tcnicas, se muestran aspectos determinantes de la estructura, la morfologa y
las propiedades pticas de los recubrimientos, adems se propone una correccin al
modelo terico de los comportamientos pticos validado con los resultados
experimentales.
El captulo 5 contiene las conclusiones, en el captulo 6 se presentan las
recomendaciones para trabajos futuros, en el captulo 7 se listan las referencias
bibliogrficas y finalmente se presentan los anexos correspondientes a las condiciones de
crecimiento de los recubrimientos y a generalidades de la teora de los sistemas de color.

15

2. ESTADO DEL ARTE

2. ESTADO DEL ARTE

2.1
TCNICAS DE PRODUCCIN DE PELCULAS DELGADAS
La ciencia e ingeniera de materiales es un rea donde convergen varias disciplinas con el
objeto de estudiar la relacin entre la estructura, las propiedades, el desempeo y el
procesamiento de los materiales. Las aplicaciones en este campo son diversas,
especficamente las pelculas delgadas se pueden considerar simultneamente un oficio
antiguo y un rea tecnolgica moderna, se fabrican desde la antigedad lminas delgadas
de oro por su maleabilidad en aplicaciones decorativas y actualmente se producen
recubrimientos delgados de oro sobre diversos materiales para preparar muestras y
observarlas adecuadamente en un microscopio electrnico de barrido [7-10]. La
tecnologa de pelculas delgadas est relacionada con modificaciones y recubrimientos en
las superficies de los materiales. Un proceso comn de modificacin superficial es el
endurecimiento de la superficie de un acero mediante la introduccin de tomos de
carbono o nitrgeno. De otro lado, los recubrimientos tienen aplicaciones tecnolgicas
importantes en herramientas de corte; por ejemplo una capa de nitruro de titanio (TiN) es
utilizada para aumentar la resistencia al desgaste de brocas y herramientas de corte dada
la alta dureza del material cermico depositado y la disminucin del coeficiente de friccin
[3,7,11].
Dentro de los procesos de modificacin superficial para generar recubrimientos delgados
se encuentran principalmente las tcnicas PVD y CVD que corresponden a las
expresiones inglesas Physical Vapor Deposition y Chemical Vapor Deposition
respectivamente. Estas tcnicas se utilizan cotidianamente en la mayor parte de los
sectores industriales dada su gran utilidad en la fabricacin y modificacin superficial de
componentes electrnicos, superconductores, nuevosmateriales, lentes pticas, espejos,
materiales aeronuticos, herramientas, moldes de inyeccin de plstico, catalizadores,
implantes e instrumentos mdicos [4,6,7,8,10,12].

2.1.1 Recubrimientos PVD


Los recubrimientos PVD se caracterizan por la transferencia controlada de tomos desde
el material con el cual se pretende recubrir el sustrato [7]. Durante el proceso, el material
del recubrimiento denominado blanco o target, se evapora desde su fase slida o lquida
en forma de tomos o molculas, para luego ser transportado en fase vapor a travs de
un gas a baja presin hasta el sustrato, donde se condensa y forma el recubrimiento
deseado. Los espesores tpicos de estos recubrimientos se encuentran desde unos pocos
nanmetros hasta las centenas de micrmetros. Mediante estos procesos se pueden
crecer pelculas de elementos puros, aleaciones y materiales compuestos sobre sustratos
metlicos y no metlicos de geometras complejas, a velocidades muy lentas de algunos
nanmetros/hora hasta velocidades de crecimiento de algunos nanmetros/segundo
[3,4,5]. Los procesos PVD se dividen en dos categoras: evaporacin trmica y Sputtering
[3,4,8,9].
Evaporacin trmica. La evaporacin de un material para despus condensarlo sobre
un sustrato es el proceso ms simple y uno de los ms antiguos para crecer
recubrimientos delgados [12]. La tcnica consiste en evaporar un material slido o lquido
sometindolo a altas temperaturas para luego ser condensado sobre el material que ser
16

2. ESTADO DEL ARTE

recubierto. La evaporacin del material se realiza en cmaras de alto vaco en las cuales
se alcanzan presiones entre 10-2 y 10-6 mTorr y las temperaturas de proceso se logran
comnmente con calentamiento resistivo, es decir con el paso de una corriente elctrica
por un metal refractario como el wolframio, no obstante, cuando se requiere evaporar un
material con alto punto de fusin se emplean otros mtodos, tales como haces de
electrones de alta energa [4,9]. Estos procesos tienen la desventaja de no tener todas las
condiciones de fabricacin controlables y por lo tanto surgen inconvenientes tales como
composicin no estequiomtrica de las pelculas, dificultad en la reproduccin de los
procedimientos, adems que la alta energa para evaporar materiales de elevado punto
de fusin, como los cermicos, los convierte en procesos muy costosos [3,4,8,9,12].
Sputtering. Cuando la superficie de un slido se bombardea con partculas energticas,
tales como tomos o iones, de la superficie del slido se desprenden tomos
mecnicamente, este proceso se denomina Sputtering o pulverizacin catdica. El
arranque mecnico de los tomos en la superficie del blanco se logra por la transferencia
del momentum de las partculas energticas generadas por una descarga elctrica a
travs de un medio gaseoso generalmente a presiones ms bajas que la atmosfrica, los
tomos posteriormente se depositan como pelcula o recubrimiento en el material base o
sustrato [3,4,9].
La tcnica Sputtering fue observada hace ms de 150 aos en un tubo de descarga por
Bunsen y Grove, ellos fueron los primeros en obtener pelculas metlicas delgadas en un
sistema de vaco [8], adems el primer reporte sobre la tcnica se public en el ao 1852
por Grove [13]. Desde esa poca el nivel de entendimiento bsico de esta tcnica PVD se
haba desarrollado bien, sin embargo, no eran muchas las aplicaciones [8]. La tcnica
Sputtering se encuentra en los procesos de manufactura de una gran variedad de
industrias, incluyendo las de alta tecnologa y las de productos de consumo masivo
convencionales, las principales son: Industria de semiconductores, en la cual
prcticamente cada circuito integrado producido tiene involucrada la tecnologa Sputtering
de alguna manera; el Sputtering adems se usa para recubrir las ventanas de grandes
edificios y darles apariencia de espejos; la industria del procesamiento de alimentos apela
a esta tcnica con el fin de recubrir los empaques para conservar las papas fritas o el
man por ejemplo; varias aplicaciones de esta tcnica se tienen en la industria automotriz,
tales como capas superficiales reflectivas sobre plsticos; otra aplicacin totalmente
diferente es el crecimiento mediante Sputtering de capas duras o con alta capacidad de
recuperacin sobre brocas y herramientas de corte, estos recubrimientos duros y
resistentes al desgaste incrementan considerablemente los tiempos de vida de las
herramientas [3,7,8]. Muchos de los recubrimientos obtenidos con ste tipo de
aplicaciones tienen tambin fines decorativos ya que mejoran la apariencia del material
recubierto, por ejemplo, algunos marcos de gafas o relojes [8].
La categora sputtering se puede subdividir en diferentes tcnicas Sputtering RF,
Sputtering DC, Bias Sputtering, Magnetrn Sputtering, entre otras. En todas se trata de
bombardear la superficie del blanco con iones y tomos muy energticos del gas, para
que estos transmitan su energa a los tomos del blanco y de esta manera pulverizarlo.
En esta categora se utilizan diferentes fuentes de voltaje para generar la descarga de los
gases involucrados y en algunas variantes se utilizan magnetrones para mejorar la
eficiencia o producir diferentes tipos de recubrimientos sobre varias naturalezas de
sustratos [3,4,7,8]. Se considera el sputtering uno los mtodos ms usados para el
crecimiento de lminas delgadas y la popularidad se deriva de la sencillez del proceso
fsico, la versatilidad de la tcnica y del control sobre las variables del proceso. La
17

2. ESTADO DEL ARTE

descarga luminiscente se genera en diferentes tipos de gases y por las condiciones de


esta, usualmente los materiales en la cmara de vaco del proceso se encuentran en
estado plsmico.
Plasma. El plasma se puede describir como un gas ionizado que contiene partculas
cargadas (electrones y iones tanto negativos como positivos) y neutras (tomos o
molculas). Tambin puede contener radicales atmicos o moleculares y otras especies
excitadas. En conjunto el sistema es neutro y tiene la caracterstica de responder a
campos magnticos y elctricos de forma colectiva con la produccin de campos
elctricos y magnticos opuestos para conservar su cuasineutralidad [1,14,15,16].
Cuando la temperatura es superior a varios miles de grados, los gases se ionizan
pasando a ser plasma, en general todas las sustancias llegan al estado de plasma
despus de superar temperaturas de 10.000 C. En algunos estudios realizados se
demuestra que el 99 % de la materia en el universo pertenece al cuarto estado de la
materia (plasma), debido a las grandes temperaturas a las que se encuentra. Se puede
concluir de lo anterior que aunque la mayora de los materiales en el universo se
encuentran en estado plasma, para el ser humano este estado no es comn. Las
personas entienden de manera intuitiva el comportamiento de los materiales cuando se
encuentran en estado slido, lquido o gaseoso, pero el comportamiento del plasma no.
Se debe hacer un esfuerzo para realizar predicciones sobre el comportamiento del plasma
en diferentes situaciones. El comienzo de la fsica del plasma fue a principios del siglo XX,
diferentes investigadores trabajaron aisladamente en varios casos especficos, en
cualquier caso las lneas de investigacin se encontraban alrededor de las interacciones
de las ondas de radio con el plasma de la ionsfera y el plasma generado en tubos de
descargas gaseosas. El trmino plasma se le atribuye al nobel Irving Langmuir y sobre la
explicacin del surgimiento de la denominacin se ha especulado mucho, no obstante
este trmino apareci publicado por primera vez en su artculo Oscillations in ionized
gases en el ao 1928 [18]. Se debe destacar que existen reportes sobre el cuarto estado
de la materia llamado plasma por Langmuir desde el ao 1879, Sir William Crookes en su
artculo On a fourth state of matter [19], describa lo que hoy llamamos plasma. En la
Tierra ste no es el estado de la materia que predomina, aunque se puede generar
industrialmente, los tubos fluorescentes son el ejemplo ms cercano de la actualidad,
tambin se manifiestan en la naturaleza mediante relmpagos, radiaciones de las
estrellas o en la ionosfera. Las partculas excitadas del plasma como los tomos,
molculas neutras, iones as como los electrones, estn en movimiento con una cierta
energa cintica. Dependiendo del grado de interaccin, los electrones del plasma pueden
tener una energa muy diferente a la de los iones y partculas neutras. La funcin de
distribucin de energa de los electrones es compleja, aunque a veces se asimila a la del
gas neutro y por ello es posible asignar una temperatura a los electrones, Te, cuyas
unidades son usualmente expresadas en eV [1].
Sputtering DC. Esta es quizs la configuracin ms simple del sputtering y se le llama
tambin arreglo tipo diodo por consistir en dos placas plano-paralelas, ver Figura 2.1. Los
electrodos se ubican dentro de una cmara de vaco con atmsfera controlada,
usualmente se utilizan gases como argn o nitrgeno. En el proceso se crea una
descarga gaseosa luminiscente inducida por un campo elctrico, el cual se genera por la
diferencia de potencial entre el ctodo (blanco) y el nodo (sustrato) con una fuente de
alto voltaje de corriente directa. Con la aplicacin de una diferencia de potencial, los
electrones que se encuentren inicialmente disponibles al interior de la cmara se aceleran
18

2. ESTADO DEL ARTE

contra el nodo estableciendo una corriente, sta llega a un valor estable rpidamente en
el cual permanece an aumentando el voltaje entre los electrodos. El aumento del voltaje
entre los electrodos genera una ionizacin por impacto electrnico que produce un in y
un electrn secundario; estas cargas son aceleradas hacia el ctodo y el nodo
respectivamente, el electrn secundario probablemente generar una nueva ionizacin y
este proceso contina iterativamente hasta acumular una cantidad de electrones y iones
suficiente para que la descarga sea autosostenida [1,3,4,9]. Los electrones secundarios
de la superficie del blanco, frutos de la interaccin de los iones del gas ionizado con ste,
son acelerados por el campo elctrico aplicado. Estos electrones, que poseen mucha
energa, pueden colisionar con tomos, creando iones e incluso algunos de ellos pueden
bombardear las paredes de la cmara, resultando un calentamiento de estas, que por lo
general no es deseable. Los tomos ionizados positivamente se aceleran contra el blanco,
produciendo de esta manera la suficiente transferencia de momentum para sacar los
tomos del blanco que luego posiblemente sern depositados sobre el sustrato [1].
Aunque la configuracin tipo diodo en general, es bastante lenta y costosa, tiene las
siguientes caractersticas: el plasma puede ser establecido uniformemente sobre un rea
grande y muchos materiales pueden ser usados como blancos, no obstante la principal
limitante es que el blanco debe ser un material conductor [4].

Figura 2.1. Esquema de la configuracin Sputtering DC.

Magnetrn Sputtering RF. Cuando en las tcnicas de modificacin superficial se utiliza


el plasma como asistente de los procesos, ste le permite realizar variantes tecnolgicas
con aplicaciones especiales. El magnetrn Sputtering es un proceso que aprovecha la
19

2. ESTADO DEL ARTE

propiedad conductora y colectiva de los materiales en estado plasma. Esta tcnica es


asistida por imanes permanentes ubicados en el reactor, ver Figura 2.2, cuyos campos
magnticos generan una fuerza sobre las partculas cargadas del plasma que hacen
cambiar su trayectoria, especficamente los electrones que en la configuracin DC se
mueven en lnea recta, una vez se les aplica un campo magntico, las trayectorias
comienzan a ser helicoidales aumentando as el nmero de colisiones efectivas al interior
del gas y por ende la ionizacin. La intensa ionizacin lograda aumenta finalmente la tasa
de depsito.

Figura 2.2. Esquema del blanco con imanes permanentes para la configuracin de un magnetrn Sputtering.

Para producir recubrimientos no conductores es necesario utilizar fuentes de voltaje


donde no se genere acumulacin de carga en el ctodo. El desarrollo de la tcnica
Sputtering RF (radiofrecuencia), ver Figura 2.3, permiti crecer pelculas no conductoras,
esta tcnica fue observada por primera vez por Roberson y Clapp en el ao 1993 [8].
Durante el proceso, una fuente de radiofrecuencia es acoplada al blanco, las frecuencias
en la prctica varan entre 5 y 30 MHz, aunque se usa comnmente una frecuencia de
13.56 MHz, los electrones a estas frecuencias comienzan a oscilar alcanzando suficiente
energa cintica para causar colisiones ionizantes. Cuando se genera el plasma, las
partculas cargadas sometidas a las altas frecuencias responden de manera diferente, los
iones por su masa permanecen prcticamente inmviles, en cambio los electrones tienen
mayor movilidad. Esta diferencia en la movilidad induce un voltaje negativo de
polarizacin en el ctodo y se reporta que por encima de 3 MHz de frecuencia los iones
no se mueven por su inercia, respondiendo al campo elctrico promedio [3,4]. En la
configuracin Sputtering RF se requiere de un sistema de ajuste entre las impedancias de
la fuente de potencia y del plasma en la descarga, este acople se debe implementar para
evitar que la potencia del sistema se pierda por reflexin. Como resumen, esta tcnica
elimina muchas limitaciones tecnolgicas, ya que permite al usuario trabajar con
materiales metlicos y aislantes, debido a que no se requieren temperaturas altas de
procesos y los materiales del sustrato y del blanco pueden ser no metlicos.

20

2. ESTADO DEL ARTE

Figura 2.3. Esquema de un Sputtering RF.

Una de las tcnicas que se encuentra ms extendida es la combinacin de las dos


configuraciones descritas, es decir, el magnetrn sputtering RF. Se utiliza popularmente
por las ventajas suministradas, mayor eficiencia en el crecimiento de los recubrimientos y
stos pueden ser no conductores.

2.1.2 Recubrimientos CVD


Al igual que los procesos PVD, con el nombre CVD se conocen un amplio conjunto de
tcnicas que tienen en comn el empleo de medios qumicos para obtener recubrimientos
a partir de compuestos precursores en fase vapor. Los recubrimientos se realizan en
cmaras de medio o bajo vaco (>10-3 mTorr) o incluso a presin atmosfrica. Requieren
altas temperaturas de proceso de hasta 1000 C o temperaturas medias de 400 C y se
obtienen capas finas desde las decenas de micras hasta pelculas gruesas de las dcimas
de milmetros, de composicin relativamente controlable. Su empleo no se ha extendido
de manera significativa, aunque segn recuentos histricos existen antes de las tcnicas
PVD, debido a las altas temperaturas de proceso. Esta situacin est cambiando con el
progresivo desarrollo de los mtodos de Plasma-CVD [4,7,9].
2.2
ASPECTOS TERMODINMICOS Y PROCESOS DE CRECIMIENTO DE
PELCULAS DELGADAS
El concepto de minimizacin de energa libre como criterio para la estabilidad tanto en un
sistema de cambio, reaccin o proceso es uno de los temas centrales en ciencia e
21

2. ESTADO DEL ARTE

ingeniera de materiales. La segunda ley de la termodinmica se relaciona directamente


con observaciones experimentales, en las cuales ningn cambio espontneo se ha
invertido sin que exista en algn lugar del universo una degradacin de energa [21].
La funcin de Gibbs, conocida tambin como energa libre:
Ecuacin 2.1.

Donde H es la entalpa, S es la entropa y T la temperatura absoluta.


As, si un sistema cambia desde una situacin inicial i hasta una situacin final f a
temperatura y presin constante se puede expresar con la diferencia de la funcin de
Gibbs de la siguiente forma:
Ecuacin 2.2.

El criterio (G)T, P 0 implica que los sistemas a temperatura y presin constantes tienden
a minimizar su energa libre, es decir, cuando se cumple este criterio los procesos son
espontneos. Cuando el cambio en la funcin de Gibbs igual a cero, (G)T, P = 0, se dice
que el sistema se encuentra en equilibrio y cuando un proceso no ocurrir, la funcin
(G)T, P > 0 [7,21].
En el proceso de crecimiento de pelculas delgadas podemos identificar principalmente
tres etapas: (1) produccin de las especies atmicas, moleculares y/o inicas, (2)
transporte de las especies producidas a travs de un medio, y (3) condensacin de stas
sobre el sustrato para formar un recubrimiento. Normalmente los procesos de nucleacin
y crecimiento en una pelcula delgada se resumen en los procesos estadsticos de
nucleacin, el crecimiento controlado en la superficie de difusin, la formacin de una
estructura de red y su posterior llenado para dar una pelcula continua. Dependiendo de
los parmetros termodinmicos del depsito y de la superficie del sustrato, la nucleacin
inicial y el crecimiento se pueden describir como, ver Figura 2.4:
a) Tipo Isla (llamada tambin tipo Volmer-Weber).
b) Tipo Capa (llamada tambin tipo Frank-Van Der Merwe).
c) Mezcla de a) y b) (llamada tambin tipo Stranski-Krastanov).
En casi todos los casos prcticos, el crecimiento de las pelculas tipo Isla predomina ante
las dems opciones.

Figura 2.4. Tipos de crecimiento en pelculas delgadas [10].

En los procesos para crecer pelculas delgadas existen muchas variables que se pueden
modificar para incidir sobre la estructura del recubrimiento. Una de ellas es la temperatura
del sustrato durante el proceso de crecimiento, la cual se denotar T, adems la
22

2. ESTADO DEL ARTE

temperatura de fusin del recubrimiento Tf aunque no es variable es muy importante junto


con la T para los procesos de difusin, tanto en la superficie del sustrato como en el
material depositado. Se ha encontrado empricamente que la morfologa y estructura de
las capas dependen de la relacin T/Tf, y una posible explicacin a este hecho, es que
dependiendo de la energa involucrada en el proceso, predomina un mecanismo, bien sea
la difusin, la absorcin o cualquier otro; adems, como la temperatura que tiene el
sustrato, en cierta medida da un estimativo de la energa, Movcham y Demchysim
desarrollaron un modelo (MD) de la microestructura de los recubrimientos para la capas
obtenidas por evaporacin a diferentes valores de la relacin T/Tf [8,10], el cual despus
fue modificado por Thornton para la tcnica de sputtering a diferentes presiones de la
descarga y diferentes temperaturas del sustrato, dando lugar a un nuevo modelo llamado
TMD. En la Zona I, ver Figura 2.5, existe una alta densidad de nucleacin ya que los
tomos que llegan a la superficie quedan atrapados y no hay energa suficiente para
difundirse, as los fenmenos de coalescencia y de crecimiento de granos quedan
inhibidos. Se generan por esto regiones o zonas con alta rugosidad y estructuras
alargadas. Lo anterior suele suceder en el proceso de sputtering cuando la presin es
alta dentro de los intervalos de operacin del proceso, debido a la dispersin de los
tomos del gas, implicando que lleguen con menos energa a la superficie del sustrato;
luego en la Zona T o de transicin cuando la llegada de los tomos es en la direccin
normal al sustrato y las superficies de ste son planas, existe una difusin superficial. La
formacin de la pelcula comienza con una estructura de granos muy pequeos reflejando
la densidad inicial de los ncleos, debido a la inmovilidad de las fronteras de granos.
Cuando la capa se hace continua, la difusin superficial hace posible la migracin de
tomos que llegan a la superficie entre los granos vecinos, de forma que los cristales con
la energa superficial ms baja incorporan ms material y crecen sobre los cristales
vecinos con energa superficial ms alta. El crecimiento competitivo de los cristales hace
que en la proximidad de la superficie tengan forma de V, alargndose a medida que
aumenta el espesor. Todo ello da como resultado una red densa de cristales tipo
columnar, con buenas propiedades mecnicas y elctricas; ya en la Zona II, el crecimiento
est determinado totalmente por la migracin de los tomos a lo largo de las fronteras
intergranulares. Esto da lugar a un crecimiento cristalino a partir de los granos formados
inicialmente en la superficie. Como hay coalescencia de ncleos, el tamao de los granos
es mayor, la densidad es ms alta pero se conserva la forma columnar, formada por
granos microcristalinos, cuyo dimetro promedio aumenta con la relacin T/Tf incluso
alcanzando el espesor de la capa, para esta zona las pelculas presentan buenas
propiedades mecnicas; por ltimo en la Zona III los fenmenos predominantes son el de
difusin interna y el de recristalizacin, ocasionados por la segregacin de impurezas
hacia la superficie de los granos. Estas impurezas detienen el crecimiento de los cristales
y dan lugar a fenmenos de nucleacin secundaria. Se puede observar en la Figura 2.5,
que la morfologa de las capas evoluciona, desde granos tipo columnar cuando la
temperatura del sustrato es baja, hasta crecimiento equiaxial a temperaturas altas,
adems, cuando crece la presin en la cmara de descarga, aumenta la cantidad de
materia en sta, y por tanto la probabilidad de colisionar entre las partculas es mayor,
dando como resultado una disminucin de la energa de los tomos y molculas cuando
llegan a la superficie del sustrato, provocando que la estructura de las capas se desplace
en la direccin creciente de la relacin T/Tf [1,7,16,53].

23

2. ESTADO DEL ARTE

Figura 2.5. Modelo TMD [16].

2.3
PROPIEDADES FISICOQUMICAS DEL SISTEMA MICA DIXIDO DE
TITANIO
La aplicacin de recubrimientos sobre un sustrato se considera uno de los procesos ms
importantes en la fabricacin de dispositivos electrnicos, pticos y decorativos. El
sistema recubrimiento - sustrato tiene caractersticas dadas por el recubrimiento y otras
por el sustrato. Los recubrimientos generalmente aportan propiedades superficiales como
la resistencia al desgaste, efectos pticos o proteccin trmica del sustrato. El sustrato en
cambio aporta propiedades volumtricas mecnicas.

2.3.1 Sustrato - Mica


La mica es el nombre general dado a un grupo de minerales de silicatos de aluminio y
potasio, con cantidades variables de potasio, calcio, hierro, magnesio y de otros metales
alcalinos en general [22-27]. Las variedades principales de mica son la sericita, biotita,
lepidolita, moscovita, flogopita y vermiculita [22,27]. Todas estas variedades tienen en
comn el clivaje perfecto a lo largo del cual la mica puede ser dividida o exfoliable en
pequeas lminas delgadas. Todas las micas pertenecen al sistema cristalino monoclnico
y poseen una forma cristalina seudo-hexagonal en los seis lados planos del cristal
[23,24,25]. Dependiendo de la composicin pueden variar las propiedades, pero en
general todas tienen alta flexibilidad, elasticidad, dureza, resistencia a la temperatura y
transparencia en las laminas extremamente delgadas exfoliadas [22,23,24]. Esta ltima
propiedad de exfoliacin es una de las ms importantes de todas las propiedades
caractersticas de la mica, la cual no es posible encontrar de la misma forma desarrollada
en otro mineral conocido por el hombre. En particular delimitaremos el estudio a la
variedad Moscovita, ya que presenta propiedades pticas especiales y es abundante en la
naturaleza.
Moscovita. La Moscovita es mayoritariamente un silicato de aluminio y potasio, tambin
es llamada a veces mica potsica [KAl2Si3AlO10(OH)2] y esta variedad de mica es la ms
comercial de todas las micas por ser la ms fina, transparente, resistente dielctricamente
y su clivaje es perfecto [22,23,24,26,27].
La moscovita es negativa pticamente y tiene generalmente un ngulo axial alrededor de
70 el cual disminuye hasta 50 en variedades con alto contenido de slice. Este mineral
exhibe fuertemente el fenmeno de doble refraccin [22]. A temperaturas de 300C la
moscovita conserva sus caractersticas generales y su contenido de agua se encuentra
24

2. ESTADO DEL ARTE

prcticamente inalterado, a 700C comienza a perder bastante agua afectando su


estructura [22], otros autores reportan que la prdida de agua es progresiva con cambios
no homogneos pero con temperaturas superiores a 850C ocurre una reaccin
endotrmica aumentando la tasa de prdida de agua en la estructura de la mica, la
reaccin principal se puede expresar como: 2(OH) H2O + O [24].
Tabla 2.1. Propiedades de la Moscovita [22].

Propiedad
Dureza en la escala de Mohs
Gravedad Especfica
ndice de Refraccin
Esfuerzo Dielctrico a 20C en (V/mil)
Mxima Resistencia Trmica C
ngulo Axial ptico

Rango
2.0
2.5
2.76 3.1
1.56 1.6
3250 6250
525
55
75

Teniendo en cuenta su composicin qumica, la moscovita posee una gran cantidad de


potasio y silicatos de aluminio, confirindole una excelente resistencia a las sustancias
qumicas externas ms que las dems variedades de mica. Finalmente aunque la
moscovita no se deteriora prcticamente por las condiciones ambientales, frecuentemente
se encuentra en la naturaleza con impurezas, es decir, con otros minerales que han
crecido en el cristal. Es comn por ejemplo encontrar magnetita, impureza que disminuye
las propiedades dielctricas de la mica y afecta su color. En cuanto al color de la
moscovita, se puede decir que en lminas delgadas prcticamente es transparente e
incolora. Sin embargo, se pueden encontrar varios colores en las micas, rojos o verdes.
Otra propiedad de apariencia es el lustro, su aspecto va desde vtreo hasta perlado [22].
La mica tipo moscovita se utiliza como sustrato para crecer pelculas delgadas sobre la
direccin de clivaje, el plano de clivaje es el 001 y dependiendo del material y las
condiciones termodinmicas del crecimiento este sustrato favorece el crecimiento epitaxial
[23,24,28,29].

2.3.2 Recubrimiento Dixido de Titanio (TiO2)


Las principales aplicaciones del dixido de titanio estn ligadas a sus propiedades pticas
y elctricas, ya que tiene un alto ndice de refraccin (2.7 2.9 para el rutilo y 2.5 2.6 en
la anatasa), bajo coeficiente de absorcin y alta constante dielctrica [30,31]. El dixido de
titanio es un material que se encuentra naturalmente en tres formas polimrficas, anatasa,
rutilo y brookita y en la industria normalmente es utilizado como pigmento blanco. Las dos
primeras cristalizan en el sistema tetragonal y la ltima en el ortorrmbico. Adems de las
propiedades atribuibles a la composicin del material, varias propiedades pticas como la
transparencia, el color o la interferencia dependen de los parmetros geomtricos del
recubrimiento, que a su vez estn ligados a las condiciones de depsito de la pelcula
delgada, es decir dependen principalmente de la temperatura, presin, tiempo, gas de
trabajo, potencia y voltaje [32,33,34].
A partir del diagrama de fases de dos componentes, titanio y oxgeno, ver Figura 2.6, se
pueden establecer las condiciones fisicoqumicas necesarias para lograr el recubrimiento
con la estequiometria adecuada, es decir, dependiendo de la fase deseada en la pelcula
delgada, se puede determinar a partir del diagrama las condiciones de temperatura y
cantidad de especies atmicas de titanio y oxgeno disponibles al interior de la cmara. La
cantidad de titanio arrancado del ctodo depende de los parmetros de voltaje y presin
principalmente y la cantidad de oxgeno en la atmsfera depende de la presin parcial de
oxgeno al interior del reactor.
25

2. ESTADO DEL ARTE

Figura 2.6. Diagrama de fases de O Ti [35].

2.3.3 Recubrimientos de TiO2 sobre mica


Crecer pelculas delgadas de xidos sobre un sustrato con propiedades especficas es
fuertemente dependiente de los parmetros del proceso de depsito y del sustrato a
recubrir [36]. En general los recubrimientos de TiO2 sobre mica se realizan mediante
procesos qumicos, pelculas delgadas han sido preparadas por electro-depositacin
catdica de oxihidrxido de titanio, adems se ha disuelto polvo de TiOSO4 en una
solucin de H2O2 y mediante una electro-depositacin catdica se forman pelculas de
TiO2. Otros autores han preparado perxidos modificados de anatasa utilizando una
solucin cida de perxido de titanio mezclado con TiCl4 y con una solucin de H2O2.
Muchas configuraciones qumicas han sido empleadas para lograr dixido de titanio sobre
varios sustratos, sin embargo, el empleo de mtodos fsicos para recubrir mica con
dixido de titanio no es lo ms comn por la facilidad, velocidad y costos de los medios
qumicos [31,32,37]. Las aplicaciones industriales de los recubrimientos de xidos
metlicos, ante todo para acabados decorativos, exigen cada vez ms homogeneidad y
precisin en los espesores de las pelculas, estas variables se consideran crticas y por
medios qumicos es difcil realizar recubrimientos con estas especificaciones. Las tcnicas
PVD se convierten en una excelente alternativa para la sustitucin de los procesos
qumicos en la fabricacin de pelculas delgadas, ya que se pueden controlar las variables
crticas antes mencionadas y los procesos son amigables con el medio ambiente.
A continuacin se resaltan aspectos tcnicos relevantes en la produccin de pelculas
delgadas mediante procesos fsicos. En particular, si se utilizan tcnicas PVD asistidas
por plasma para depositar xidos metlicos, es necesario utilizar una atmsfera al interior
de la cmara reactiva (oxgeno) en mezcla con un gas inerte (por ejemplo argn). La
presin de la mezcla al interior de la cmara y ms importante an la presin parcial del
26

2. ESTADO DEL ARTE

oxgeno deben ser controladas, ya que si se desea obtener TiO2, se debe tener una
cantidad de oxgeno y una velocidad de depsito adecuada para que la estequiometria no
se modifique. Adicionalmente, los procesos se mejoran con el calentamiento del sustrato
[36].
Aplicaciones de los recubrimientos en efectos pticos. Las aplicaciones pticas de
los recubrimientos delgados se pueden dividir principalmente en
decorativos,
recubrimientos selectivos, en guas dielctricas, guas pasivas, moduladores acustopticos y electro-pticos, filtros, polarizadores, sensores, conversores de frecuencias,
amplificadores, discos pticos por cambio de fase, lentes anti-reflejo, pigmentos de
efectos, entre otros [7,37,38,39]. Los recubrimientos de TiO2 sobre mica se emplean en
acabados decorativos, aprovechando el efecto ptico de interferencia formado por las
pelculas delgadas en un intervalo de espesores desde algunas decenas hasta varias
centenas de nanmetros [6,36,37,40-45].
Pigmentos de efectos logrados a partir de recubrimientos delgados. Los pigmentos
de efecto se encuentran dentro de un mercado creciente, con aplicaciones industriales
desde usos decorativos hasta aplicaciones funcionales. Como procesos de fabricacin se
emplean las siguientes tres tcnicas:
Recubrimientos en fase vapor (Para pelculas inorgnicas)
Recubrimientos en fase lquida (Para pelculas orgnicas e inorgnicas)
Tcnicas de fundicin y extrusin (Para pelculas orgnicas)
Para el primer proceso existe la posibilidad de utilizar las tcnicas de PVD o CVD. En
general los pigmentos de efectos por procesos en fase vapor se generan a travs del
recubrimiento de algn sustrato con bajo ndice de refraccin (Vidrio, Slice, etc). Para el
segundo tipo de fabricacin es muy usual un sustrato de vidrio, debido a sus propiedades
como material inerte.
Los pigmentos de efecto se clasifican en: Los que son materiales pticamente
homogneos (aluminios, cobre-zinc, etc) y los que tienen una estructura base (sustrato),
por ejemplo sustratos de mica recubiertos con algunos xidos metlicos tales como TiO2,
que se convierten en los pigmentos perlados.
Entre los pigmentos de efecto se encuentran varios grupos, uno de ellos son los
pigmentos de efecto metlico que consisten en pequeas hojuelas o lminas de aluminio,
bronce, aleaciones y otros metales. Las principales caractersticas de estos pigmentos
son su poder cubriente y alto brillo. La fabricacin se realiza bajo molienda del metal de
partida o a travs de procesos PVD, comnmente llamados pigmentos metalizados en
vaco (VMP). Otro grupo es el de las perlas naturales extradas de los peces, para obtener
250g de pigmento se debe procesar una tonelada de peces, estos pigmentos tienen un
impacto ambiental muy alto y los procesos son poco eficientes. Un pigmento de efecto
clsico es el carbonato de plomo, el cual tiene un tamao de partcula variado que oscila
entre 0.05 m hasta 20 m y se obtiene por precipitacin de acetato de plomo, las
principal desventaja de su uso es la alta toxicidad para los seres humanos. El Oxicloruro
de Bismuto es otro pigmento con propiedades pticas excelentes, el proceso de
fabricacin es a travs de una reaccin qumica donde las variables de proceso
determinan las caractersticas finales del producto, no obstante por su desempeo
mecnico se utilizan nicamente en la industria cosmtica. Los xidos de hierro Micceos
son otro grupo de pigmentos con caractersticas especiales como buen lustro aunque su
color es oscuro, qumicamente consisten en xidos de hierro puros o dopados en forma
de lminas y se aplica principalmente en recubrimientos anticorrosivos. Otro grupo de
27

2. ESTADO DEL ARTE

pigmentos son las hojuelas orgnicas, durante su fabricacin son forzados a cristalizar en
forma laminar como las ftalocianinas metlicas, el mecanismo de efecto es la interferencia
por los espesores de las lminas, aunque los efectos de color no son considerados de alto
rendimiento. Los pigmentos basados en polmeros de cristal lquido tienen formas
helicoidales generando as pigmentos de interferencia muy interesantes, pero su
aplicacin es limitada porque tienen problemas de estabilidad y se requieren altos
espesores de pigmento para que ocurra la interferencia. Existen adems pigmentos de
efecto logrados a travs de tcnicas PVD formando estructuras multicapa tipo Fabry
Perot, que consiste en alternar capas delgadas metlicas y dielctricas para generar una
fuerte dependencia del ngulo de incidencia de la luz en sus propiedades pticas, para el
efecto se necesitan al menos cinco capas. Dada su complejidad para la fabricacin se
utiliza principalmente en tintas de seguridad para evitar falsificaciones y en dispositivos
pticos.
Se debe anotar que los pigmentos de efectos logrados sin un sustrato base son frgiles y
poco estables, en cambio, los pigmentos que se basan en sustratos aprovechan la
estabilidad mecnica del mismo y con la aplicacin de una capa delgada por medios
fsicos o qumicos, se logra el efecto ptico que exhiben tales pigmentos. Los sustratos
ms comunes son la mica, slice, almina y hojuelas metlicas. Los recubrimientos ms
populares son los xidos de hierro, xidos de cromo, dixido de titanio, slice y mezclas
entre xidos de hierro y dixido de titano [37,39].
Pigmentos de efectos de TiO2 sobre mica. Los pigmentos de efectos basados en mica
fueron descritos inicialmente por Atwood en el ao 1942, en la patente U.S. 2,278,970
[46]. Despus de esto pasaron varios aos hasta que en la dcada de los setenta
comenz la produccin a escala industrial, mejorando en los aos ochenta hacia
aplicaciones con resistencia a la intemperie y finalmente en los aos noventa fueron
logrados sistemas multicapas sobre mica. La mica se puede comparar con cualquier otro
sustrato sinttico y siempre tendr ventajas significativas, principalmente por la
disponibilidad en la naturaleza y por su bajo costo. Las ventajas tcnicas de la mica
consisten especialmente por presentar capas de rugosidades atmicas crecidas unas
sobre otras, con espesores tpicos entre 200 - 500 nm. Los pigmentos de efectos
transparentes obtenidos a partir de mica recubierta con xidos metlicos, tienen
importancia comercial y representan alrededor del 90% del mercado mundial en los
pigmentos de efectos.
Los recubrimientos de xidos metlicos se logran en un proceso de suspensin acuosa,
seguido de una calcinacin. Las propiedades especiales que se logran dependern
primordialmente del espesor de las capas y de la reproducibilidad y homogeneidad de
ellas. Comparando el efecto de color logrado con una capa simple de TiO2 con el efecto
logrado por un sistema multicapas, se puede evidenciar la mejora sustancial del efecto de
interferencia de color generado en la intercara, aunque se sacrifican otras propiedades,
por ejemplo se vuelve ms denso y se requiere ms carga de pigmento para lograr cierto
esfuerzo o desarrollo de color [37].
Otra clasificacin de los pigmentos de efectos especiales, segn algunos autores, est
dada por los pigmentos naturales y los sintticos; estos ltimos muestran propiedades
excelentes de lustre, brillo y color iridiscente. Los efectos de interferencia se desarrollan
cuando las distancias de las diferentes capas tienen los valores correctos. Los pigmentos
de lustre de perla permitieron a artistas y a diseadores crear nuevos efectos visuales
similares a aqullos encontrados en la naturaleza. Se usan los pigmentos de lustre en la
28

2. ESTADO DEL ARTE

obtencin de iridiscencia y en las formulaciones coloridas transparentes para obtener


brillo o efecto de doble tono. El mercado total para los pigmentos de efecto puede
estimarse aproximadamente en 50,000 toneladas por ao.
Tcnicamente dependiendo del espesor de las capas se puede lograr con el mismo
sistema de componentes colores diferentes, es decir, en la Figura 2.7 se presentan varios
esquemas y aunque todos estn compuestos slo con mica + TiO2, la variacin del
espesor del recubrimiento implica un color de interferencia diferente.

Figura 2.7. Ilustracin esquemtica de pigmentos de dixido de titanio sobre mica y los colores de
Interferencia [39].

La clase dominante de los pigmentos de efecto perlado se forman a partir de la mica


natural recubierta con xidos metlicos transparentes. En el sistema la mica acta como
sustrato para la sntesis y como soporte mecnico para crecer la capa ptica delgada del
pigmento perlado. Usualmente la mica es moscovita transparente, slo algunos estn
basados en flogopita, la mica natural es biolgicamente inerte y por eso es utilizada como
rellenos en colorantes [39,44,47].
En la literatura se reporta que los pigmentos de interferencia basados en capas de dixido
de titanio sobre mica se logran generalmente mediante procesos qumicos, aunque
algunos autores realizan esfuerzos para crecer pelculas de TiO2 a travs de diversas
tcnicas, tales como CVD, PVD, PLD (Crecimiento por lser pulsado). Las estructuras de
los recubrimientos dependen del sustrato, en particular la mica se usa ampliamente por la
baja rugosidad. Como resultados contundentes se ha encontrado que el espesor de las
pelculas de TiO2 presentan un valor crtico, es decir, en recubrimientos con espesores
inferiores a 25 nm la superficie del sistema mica + TiO2 es relativamente plana, pero a
espesores mayores de 25 nm, la superficie comienza a exhibir una ondulacin y como
consecuencia se puede provocar un desprendimiento del recubrimiento. Mecanismos
experimentales y tericos se han utilizado para explicar el fenmeno, los experimentales
han tenido en cuenta los esfuerzos en las pelculas, los espesores y la adhesin en la
intercara para sustratos isotrpicos. Tericamente en cambio, la explicacin a ese
fenmeno se ha ilustrado con base en que el coeficiente de expansin trmica del TiO2 es
ms pequeo que el del sustrato, como consecuencia el recubrimiento adquiere un
esfuerzo residual biaxial de compresin cuando se enfra, formando desprendimientos y
tras varios trabajos se ha concluido que ms que el coeficiente de expansin trmica, lo
que sucede es una especie de shot-peening y recocido despus de generar el
recubrimiento, lo que conduce al estado de tensiones [6,34].
2.4
CARACTERIZACIN DE PELCULAS DELGADAS DE TiO2 SOBRE MICA
La caracterizacin de materiales es una de las reas ms importantes en la ciencia e
ingeniera de materiales. Se encarga de medir o determinar de forma reproducible las
propiedades de los materiales. En general las disciplinas cientficas se identifican o
diferencian por los equipos utilizados en la experimentacin y por las tcnicas de medicin
que se emplean, la ciencia y la tecnologa de los recubrimientos delgados no ha sido la
excepcin. Durante la primera mitad del siglo XX el inters en el rea de las pelculas
29

2. ESTADO DEL ARTE

delgadas se orientaba hacia las aplicaciones pticas decorativas, pero despus de esta
poca las aplicaciones trascendieron al campo de la microelectrnica y se cre la
necesidad de comprender las caractersticas ms elementales de los recubrimientos.
Hasta mediados del siglo XX la escala micromtrica y hoy nanomtrica era poco usual en
la ciencia de los materiales pero el auge y el desarrollo de dispositivos con aplicaciones
microelectrnicas promovi el desarrollo de instrumentos especficos de medicin o la
modificacin de las tcnicas clsicas empleadas en el estudio de materiales como la
difraccin de rayos X o la microscopa [4,7,11,37].
Caracterizacin morfolgica, qumica y estructural. Por el tamao de los
recubrimientos se deben utilizar tcnicas de microscopa electrnica de barrido (SEM) o
de transmisin (TEM) para la caracterizacin morfolgica. Si se quieren evaluar grietas,
poros u otros detalles pequeos se deben recurrir a evaluaciones por microscopia
electrnica de barrido, tcnica que requiere poca preparacin de las muestras y tiene muy
buena resolucin lateral y vertical, una ventaja de estas tcnicas es que utilizan electrones
para obtener las imgenes y por su tamao se puede operar con facilidad desde 50X
hasta 250.000X. La microscopa electrnica de barrido se utiliza en anlisis de la
microestructura, por tanto se convierte en una tcnica importante dentro de cualquier
investigacin que se relacione con procesamiento, propiedades y comportamiento de
materiales por su microestructura. El SEM proporciona informacin sobre caractersticas
topogrficas, morfolgicas, distribucin de fase, diferencias composicionales, estructura
cristalina y orientacin cristalina.
El uso de la microscopia electrnica de transmisin es bastante interesante pero se
requiere cierto nivel de rigurosidad en la preparacin de la muestra, una vez superado
esto es probable evaluar varios aspectos morfolgicos y composicionales. Otra tcnica
con la cual se puede evaluar la composicin de forma cualitativa de los recubrimientos, es
la espectroscopia dispersiva de energa EDS, la versatilidad de esta tcnica radica en la
velocidad de identificacin y en la posibilidad de acoplarse a microscopios electrnicos
[4,7,11,23,24,31,37]. El fenmeno de difraccin de rayos X ocasionado en los materiales,
especialmente en los cristalinos, es una herramienta bastante til para la investigacin de
la estructura fina de la materia. Este fenmeno fue descubierto por Von Laue en el ao
1912, basndose en los conocimientos de difraccin para la luz visible realizados por
colegas de la poca. Laue se plante para este hecho varias preguntas, Qu pasa si se
hacen incidir ondas electromagnticas con longitudes de onda cercanas a las distancias
interatmicas en un cristal? El cristal se comportar como una red de difraccin
tridimensional? El mismo razon al respecto diciendo que los tomos podran actuar como
centros de difraccin para los rayos X y si los rayos X son ondas electromagnticas de
longitudes de onda alrededor de las distancias interatmicas en los cristales, entonces, es
posible que los rayos x sean difractados por ellos. Varios cientficos trabajaron alrededor
de estas hiptesis, Friedrich y Knipping lograron hacer pasar un haz delgado de rayos X
por una lmina de esfalerita, luego William Henry Bragg y William Lawrence Bragg (padre
e hijo) determinaron estructuras de diversos materiales, trabajaron en las teoras de Von
Laue sobre difraccin y lograron simplificar la matemtica propuesta por l. Al principio la
difraccin de rayos X fue utilizada nicamente para la determinacin de la estructura
cristalina. Posteriormente, otros usos se desarrollaron y hoy el mtodo no slo se aplica
en la determinacin de la estructura sino tambin a diversos problemas como anlisis
qumico, medicin de esfuerzos, anlisis de fases, medicin del tamao de partcula,
determinacin de la orientacin de un cristal o del conjunto de orientaciones en un
agregado policristalino.

30

2. ESTADO DEL ARTE

La tcnica de difraccin de rayos X se cataloga como verstil, no obstante, se usan


diferentes configuraciones dependiendo de las aplicaciones, para recubrimientos
delgados se debe utilizar la configuracin de ngulo rasante [11,48,49,50].
Caracterizacin ptica y fenmenos de Color. Aunque las tcnicas de microscopa
electrnica se emplean con mucho xito, la microscopa ptica se requiere
indudablemente. La microscopa con luz visible muestra caractersticas importantes de
polarizacin, color y anisotropas, que son imposibles de observar con la microscopa
electrnica. Las tcnicas de campo oscuro y brillante son tiles para revisar con detalle
los sistemas, sin embargo, la resolucin lateral del microscopio ptico es limitada y
cuando se tienen dos superficies de composiciones diferentes, los factores geomtricos
de la superficie y la composicin qumica generan distorsiones en la observacin [41]. La
espectrofotometra de luz visible por reflexin y transmisin se utiliza para caracterizar el
color de diversos sistemas, el resultado fundamental es la grfica que relaciona el % de
luz reflejada o trasmitida con las longitudes de onda en el intervalo de la luz visible. Con
esta informacin se calculan los parmetros de color en el sistema CIEL*a*b* para los
diferentes iluminantes y se puede obtener diferentes constantes pticas.
2.5
MODELO TERICO DE INTERFERENCIA PARA PELCULAS DELGADAS DE
TiO2 SOBRE MICA
A travs de la historia, la luz ha sido considerada como corpsculo o como onda.
Alrededor de 500 A.C. los griegos formularon teoras que atribuan caractersticas
corpusculares a la luz, en el siglo XVII Newton consolid en sus trabajos la formulacin
corpuscular de la luz, muchos experimentos mostraban que efectivamente la luz tiene un
comportamiento de partcula. No obstante, durante los trabajos desarrollados por Young y
otros cientficos del siglo XIX se obtuvieron resultados que la teora corpuscular no poda
explicar, como la aparicin de franjas obscuras cuando dos fuentes de luz se sumaban
frente a una pantalla. Grandes fsicos desarrollaron la teora ondulatoria, Fresnel,
Huygens, Maxwell. Los trabajos de Maxwell no slo permitieron demostrar el carcter
ondulatorio de la luz sino que tambin predijo su carcter electromagntico. An con la
teora elaborada por Maxwell existan fenmenos que no podan ser explicados a travs
de la teora electromagntica, como el efecto fotoelctrico, cuya explicacin dada a
comienzos del siglo XX por Einstein no excluy el carcter ondulatorio de la luz, pero
retom la posibilidad para que la luz pueda ser estudiada a travs de formulaciones
corpusculares. Einstein teniendo en cuenta que el comportamiento corpuscular y el
ondulatorio son tratamientos excluyentes para un mismo ente fsico de manera
simultnea, concluy que la luz dependiendo de las circunstancias deba ser estudiada
como partcula o como onda. Cuando se estudian fenmenos de interferencia y difraccin
la teora utilizada ser aquella que modele la luz como una onda.
El fenmeno que ocurre cuando ondas electromagnticas dentro del rango visible (~ 400 700 nm) inciden de forma directa o despus de interactuar con un material en la retina del
ojo de un ser humano, generndose seales elctricas que el cerebro descifra, es lo que
se denomina como color. Existen numerosos mecanismos fsicos y qumicos que explican
la forma cmo los materiales modifican las ondas electromagnticas dentro del rango
visible. Kurt Nassau en su libro The Physics and Chemistry of Color: The Fifteen Causes
of Color [40], resume esos mecanismos fsicos y qumicos en cinco grupos: vibraciones y
excitaciones simples, transiciones que involucran efectos de campo ligado, transiciones
entre orbitales moleculares, transiciones que involucran bandas de energa y ptica
geomtrica y fsica; dentro de cada grupo se ubican diferentes causas que finalmente
Nassau denomina las quince causas del color. En especial dentro del grupo de ptica
geomtrica y fsica, Nassau seala la interferencia como una causa generadora de color
31

2. ESTADO DEL ARTE

en las burbujas de jabn, en las capas de aceite sobre agua y en particular en algunos
recubrimientos delgados [37,40-44,51-54].
Cmo se producen los colores de interferencia? Los colores de interferencia se
generan por ejemplo, cuando una fuente de luz interacta con las pelculas delgadas
formadas por una capa de petrleo o burbujas de jabn. El fenmeno del color de
interferencia en las burbujas se puede explicar por la diferencia de camino ptico entre un
rayo de luz que es reflejado en la superficie de la burbuja y otro que es reflejado en el
fondo de la misma, logrando as que algunas longitudes de onda de la luz blanca
incidente interfiera constructivamente reforzando la intensidad y en otras longitudes de
onda interfieran destructivamente teniendo un resultado final de reflexin variando con la
longitud de onda. Se debe anotar que con la variacin del espesor de las paredes de la
burbuja, el color tambin vara. Otra observacin es que la diferencia de camino ptico
entre los dos rayos a interferir depende del ngulo de incidencia, logrando cambios de
color con el cambio de la direccin. En la naturaleza existen fenmenos impactantes,
como en el caso de un pavo real, con colores que van desde el bronce hasta el azul,
pasando por el verde y violeta profundo. Newton hace ms de 250 aos en su libro
Treatise on Opticks presentaba la analoga de estos fenmenos con los que suceden en
platillos delgados cuando pasa la luz, o cuando se observa a travs del cabello una fuente
de luz, Newton no crea en la naturaleza ondulatoria de la luz, pero hoy se sabe, que si la
luz no presentara comportamiento ondulatorio sera imposible modelar el fenmeno de
interferencia, hecho que motiva a contextualizar la base terica en esto, o ms an en la
dualidad onda partcula [41].
La causa del color formado en sistemas Mica TiO2, se explica a travs del fenmeno de
la interferencia. Cuando luz blanca interacta con el recubrimiento de dixido de titanio
que recubre la mica, una parte de luz es reflejada desde la superficie, el resto de la luz
blanca se refracta (Cambio de medio Aire - dixido de titanio) y viaja por el recubrimiento
hasta que encuentra la superficie de la mica (sustrato), donde nuevamente una parte es
reflejada y otra refractada, ver Figura 2.8. Esta componente de reflexin emerge de
manera paralela a la primera componente. Despus de que la onda ha viajado a travs de
la capa de dixido de titanio y sale paralela a la onda reflejada en la superficie, la longitud
de onda de la segunda componente se habr retrasado respecto a la primera. Como
consecuencia las ondas de luz presentaran el fenmeno de interferencia como causa de
color. Calculando bajo condiciones simples e ideales, es posible encontrar una ecuacin
para los mximos de interferencia y para deducir el color. Los elementos de esta ecuacin
son el espesor de la capa de dixido de titanio, su ndice de refraccin y el ngulo de
iluminacin. Cuando el espesor de la capa aumenta el sistema experimentar un cambio
de color [42,43].

32

2. ESTADO DEL ARTE

Figura 2.8. Trazado de rayos en una pelcula delgada.

La medicin de color para este tipo de recubrimientos debe realizarse en


espectrofotmetros que permitan variar el punto de observacin con el ngulo.
La medicin de color en espectrofotmetros clsicos para pigmentos de efectos se puede
realizar de manera consciente, aunque se debe tener en cuenta la limitante en la medicin
de color, es decir, evitar la prdida de informacin de algunos efectos especiales que se
presentan en ngulos de iluminacin y visin de los materiales muy especficos.
El marco terico fsico, de los efectos pticos de interferencia ha sido motivo amplio de
estudio. Las bases tericas de interferencia, son las ecuaciones de Fresnel y las
amplitudes de las reflectancias electromagnticas estn dadas por:

no cos o n1 cos 1
no cos o + n1 cos 1
n cos 1 no cos o
rp = 1
n1 cos 1 + no cos o
rs =

Ecuacin 2.3

n0 y n1 son los ndices de refraccin de los dos medios. Los subndices S y P se refieren a
la orientacin del vector de campo electromagntico respecto al plano de incidencia:
Perpendicular = S-Luz Polarizada, Paralelo = P-Luz Polarizada.
La intensidad R est estrechamente relacionada con su amplitud

Rs = rs

RP = rP

Ecuacin 2.4

Entre los dos medios es vlida la ley de Snell,

no sin o = n1 sin 1

Ecuacin 2.5

De lo anterior, un rayo de luz incidiendo con I0 y amplitud A0 se divide en dos porciones


una reflejada y una transmitida, ver Figura 2.8. Las amplitudes Ri del haz de luz reflejado
pueden ser calculadas usando las ecuaciones de Fresnel:

R1 = r1 Ao
33

2. ESTADO DEL ARTE

R2 = t1 r2 Ao
2

R3 = t1 r1r2 Ao , etc
2

Ecuacin 2.6

Con t como la amplitud de la luz transmitida. De la Figura 2.8 se observa que G es la


diferencia de los caminos recorridos:

G = 2n1 AB n0 AD

Ecuacin 2.7

Combinando con la ecuacin de Snell, la dependencia del ngulo de la frmula:


2

n
G = 2n1d (1 o2 sin 2 0 )
n1

Ecuacin 2.8

La diferencia de fase se calcula de la siguiente manera:

G=

4n1d

(1

no
sin 2 0 )
2
n1

Ecuacin 2.9

La superposicin de los haces reflejados lleva a:


R = R1 + R2 + R3 + ...

Ecuacin 2.10

R = r1 + t1 r2 e i t1 r1r2 e 2i + t1 r1 r2 e 3i
2

R = r1 + t1 r2 e i (1 r1r2 e i + r1 r2 e 2i r1 r2 e 3i + ...
2

Estas series geomtricas se transforman en:

R = r1 +

t12 r2 e i
1 + r1r2 e i

Ecuacin 2.11

Para medios no absorbentes (r2 + t2 = 1; Ir + It = I0) podemos obtener la expresin para la


intensidad Ir:

r12 + r22 + 2r1r2 cos


Ir =
1 + r12 r22 + 2r1r2 cos

Ecuacin 2.12

y para la intensidad transmitida It:

It =

(1 r12 )(1 r22 )


1 + r12 r22 + 2r1r2 cos

Ecuacin 2.13

Para una pelcula delgada en un medio homogneo podemos configurar r1 = -r2 = r y


obtener:

R=

1 cos
1+ r4
cos
2r 2

Ecuacin 2.14

Cuando el ngulo incidente es variable, la amplitud r ha sido reemplazada por las


expresiones en rs and rp (Ecuacin 2.3). En el caso de incidencia perpendicular de la luz,
esas ecuaciones colapsan en:
34

2. ESTADO DEL ARTE

rs = rp =

n0 n1
n0 + n1

Ecuacin 2.15

En la Ecuacin 2.14, la intensidad de reflexin R alcanza un valor mximo para cos = -1.
Esto es realizado para varias longitudes de onda y diferentes espesores pticos n1d:

max =

4n1d
Para m=0, 1, 2,3
2m + 1

n1d = (2m + 1)

max
4

Ecuacin 2.16

En esas longitudes de onda se observa un mximo R el cual exclusivamente depende del


ndice de refraccin n1 de la lmina:

n1 2 n0 2

R = 2
2
n
+
n
0
1

Ecuacin 2.17

Esta ecuacin se conoce como la reflectancia mxima de incidencia perpendicular en una


pelcula delgada.
Si el ndice de refraccin de la pelcula es mayor que el medio, un cambio de 180 ocurre
para la porcin de luz que es reflejada en la parte superior de la superficie. Este cambio
de fase es tenido en cuenta por la Ecuacin 2.3.
De la Ecuacin 2.13, R se extingue para cos = +1. La condicin mnima es:

min =

4n1d
Para m=0, 1, 2,3
2m

n1d = m

min

Ecuacin 2.18

Desde la Ecuacin 2.15 hasta la Ecuacin 2.18, se tiene la restriccin al modelo para
incidencia perpendicular. Si se levanta esta restriccin, la relacin del ngulo de
interferencia y visin de color vuelve la ecuacin ms complicada, debido a la
dependencia de la diferencia del ngulo de fase . La Ecuacin 2.16 se convierte en:

max

n
4n1d
=
(1 o2 sin 2 )
2m + 1
n1

Ecuacin 2.19

Para m=0, 1, 2,3


Con las anteriores ecuaciones es posible hallar los mximos y los mnimos de
interferencia en cada una de las longitudes de onda del espectro visible, para as poder
inferir los colores finales de interferencia.
Con este marco terico es posible predecir antes de fabricar un recubrimiento, los
fenmenos pticos, bsicamente de interferencia que exhibir el nuevo material [44,5154].

35

3. MATERIALES Y MTODOS

3. MATERIALES Y MTODOS

3.1

PREPARACIN DE LAS PELCULAS DE XIDOS DE TITANIO

3.1.1 Sistema utilizado para el crecimiento de las pelculas delgadas


Para el crecimiento de las pelculas de xidos de titanio se emple un Magnetrn
Sputtering R.F. ubicado en el Laboratorio de Estado Slido de la Universidad de
Antioquia. El equipo est compuesto por una cmara de acero inoxidable (parte 1) en la
cual se pueden alcanzar presiones de trabajo alrededor de 10-7 Torr, un sistema para
generar atmsferas controladas con mezclas de hasta 3 gases (parte 2), un sistema de
vaco constituido por una bomba mecnica (parte 3) y una bomba turbo-molecular (parte
4) en serie, un sensor de presin tipo Pirani (parte 5), un magnetrn de una pulgada de
dimetro (parte 6) ubicado encima del blanco y una fuente de radiofrecuencia RFX 600A
de 13,56 MHz (parte 7) con acople de impedancias. Adicionalmente el sistema cuenta con
un shutter para establecer las condiciones adecuadas de crecimiento antes de empezar el
recubrimiento, ver Figura 3.1, Figura 3.2 y Figura 3.3.

Figura 3.1. Esquema general del equipo utilizado para crecer las pelculas de xidos de titanio.

36

3. MATERIALES Y MTODOS

Figura 3.2. Imagen de la cmara con el shutter antes


de ser encendido el sistema.

Figura 3.3. Imagen durante el crecimiento de una


pelcula.

3.1.2 Blanco
Se utiliz un blanco disponible en el Laboratorio de Estado Slido de la Universidad de
Antioquia compuesto por anatasa, rutilo y hematita de una pulgada de dimetro con un
espesor de 3.7 mm. Este blanco fue elaborado a partir de TiO2 en polvo, fase anatasa
(Sigma-Aldrich, 99.9%), con xido de hierro III (hematita Merck, 99%), al 4% en peso, en
relacin al TiO2. En la Figura 3.4 se presenta la caracterizacin cualitativa de la estructura
cristalina del blanco mediante difraccin de rayos X (DRX) dada por el fabricante [56].

Figura 3.4. Patrn de difraccin del blanco de dixido de titanio (TiO2) con 4% de hierro posterior al proceso
de sinterizado [56].

3.1.3 Preparacin del sustrato


Las pelculas delgadas fueron crecidas sobre sustratos de mica tipo moscovita, los
sustratos fueron suministrados por Paramount Coporporation, New York. Comnmente
para los estudios de pelculas delgadas sobre sustratos de mica, se emplean hojuelas con
espesores entre 200 y 500 nm y las dimensiones del ancho y la profundidad entre 5 y 200
m, ver Figura 3.5 y Figura 3.6. Estas hojuelas se obtienen mediante procesos de
molienda y los recubrimientos de xidos de titanio sobre estos sustratos se emplean para
fabricar pigmentos de efectos. En este trabajo se utilizaron sustratos en lminas con
espesores de 75 m y con dimensiones de ancho y profundidad de 1 X 1 cm, ver Figura
37

3. MATERIALES Y MTODOS

3.7 y Figura 3.8. Con estas dimensiones se pueden estudiar las interacciones de la luz
con el sistema sustrato - recubrimiento sin tener efectos de borde, problema reportado en
la literatura [44]. Los sustratos se limpiaron con acetona y alcohol isoproplico en cmara
ultrasnica antes de ser recubiertos.

Figura 3.5. Esquema de la mica utilizada como


sustrato en pigmentos de efectos.

Figura 3.6. Fotografa de mica tipo moscovita


utilizada como relleno en pinturas y como sustrato
para los pigmentos de efecto.

Figura 3.7. Esquema de las lminas mica utilizadas


como sustrato para los recubrimientos del presente
trabajo.

Figura 3.8. Fotografa digital de la mica tipo


moscovita en lmina utilizada como sustrato en el
presente trabajo.

3.1.4 Crecimiento de las pelculas de xidos de titanio


El blanco y el sustrato se ubicaron siguiendo el esquema planteado en la Figura 2.3 a una
distancia de separacin de 42 mm. Inicialmente la cmara se llev a una presin base
alrededor de 10-2 mTorr, para esto se encendi el sistema de vaco con la bomba
mecnica hasta alcanzar una presin de 40 mTorr y posteriormente se activ la bomba
turbomolecular. Para eliminar los gases contaminantes al interior del reactor, cuando la
presin fue de 1 mTorr se realizaron tres purgas con argn y despus de la tercera se
continu evacuando durante 30 minutos hasta lograr la presin base. A continuacin se
fij la presin en 50 mTorr inyectando gas de argn Grado 5.
Seguidamente, la fuente del sistema de pulverizacin se activ a una frecuencia de 13,56
MHz con una potencia de 15 W a temperatura ambiente. Cabe anotar que con estas
condiciones no se genera inmediatamente el plasma al interior de la cmara, por lo tanto
fue necesario incrementar la presin aumentando el flujo de gas levemente y durante la
experimentacin se encontr que a 77 3 mTorr se ionizaba el gas. Una vez se consigui
el plasma se fij nuevamente la presin de trabajo en 50 mTorr y se aument la potencia
de la fuente a 30 W, establecindose un voltaje bias medio de -484 V. Finalmente cuando
las condiciones de trabajo se estabilizaron, se retir el Shutter, ver Figura 3.2, para
comenzar el crecimiento de las pelculas. Los recubrimientos fueron crecidos durante 30,
60, 90, 120, 180 y 240 minutos y las condiciones de crecimiento especficas para cada
muestra se presenta en las tablas del Anexo A.
38

3. MATERIALES Y MTODOS

3.1.5 Equipos empleados para la caracterizacin de los recubrimientos


Microscopio electrnico de barrido.
Para el estudio de la morfologa de la mica y los recubrimientos de xidos de titanio se
utiliz un equipo marca JEOL JSM 5910LV ubicado en el laboratorio de microscopia
avanzada de la Universidad Nacional de Colombia sede Medelln, en este equipo el
voltaje de aceleracin se puede variar hasta 30 kV, no obstante por la composicin
qumica de los materiales a evaluar se utilizaron voltajes entre 10 y 20 kV. El equipo
posee un filamento convencional de wolframio, detectores de electrones secundarios y
retroproyectados, adems, detectores de rayos X tipo EDS y WDS. Este sistema
generalmente opera en alto vaco pero tambin tiene la opcin de trabajar en bajo vaco.
Como las muestras analizadas no son conductoras se les aplic una capa de oro
mediante un sistema sputtering DC con magnetrn marca Denton Vacuum Desk II para
poder observarlas.
Difractmetro de rayos X. Para el estudio de la estructura del sustrato y los
recubrimientos se us un equipo marca PANalytical XPert PRO MPD. El equipo consta
de un tubo de cobre cuya radiacin K se encuentra a una longitud de onda =0.1542 nm
y un detector tipo 2-D PIXcel, este detector de estado slido es un contador avanzado de
fotones que provee beneficios para la investigacin de materiales en aplicaciones tales
como, difraccin de pelculas delgadas y difraccin de polvos. El equipo se configur a 1
grado en ngulo rasante con una corriente de 40 mA, un voltaje 45 kV un paso de 0.0260
grados, 147.4993 pasos/s y un intervalo de barrido 2 theta de 20 a 80 grados. El anlisis
de los difractogramas se realiz en el software XPert HighScore Plus mediante la base de
datos PDF-2, 2006. Para la obtencin de los difractogramas, los sustratos se ubicaron en
la plataforma multipropsito y con la ayuda de un medidor de cartula se alinearon las
muestras para evitar problemas geomtricos. Adems se identific con una muestra
fluorescente a los rayos X el rea irradiada, asegurando que la seal efectivamente
irradiara el rea de inters.
Espectrmetro de Infrarrojo por Transformada de Fourier. Las mediciones de
espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier fueron realizadas en un equipo de
marca Perkin Elmer modelo Spectrum One, FT-IR. Los espectros se han registrado entre
420-4000 cm-1.
Espectrofotmetro.
Las mediciones espectrales fueron realizadas en un
espectrofotmetro marca GretagMacbeth modelo Color-Eye 7000A de esfera integrada
con ngulo de 8 de observacin, iluminacin difusa, lmpara de xenn pulsado, intervalo
de medicin en longitud de onda desde 360 nm hasta 750 nm, esfera integrada con dos
analizadores espectrales, resolucin espectral de 10 nm y con intervalo fotomtrico desde
0 hasta 200%.
Microscopio de Fuerza Atmica. Para la evaluacin morfolgica se utiliz un
microscopio de fuerza Atmica de la Park Scientific Instruments modelo Autoprobe CP en
modo contacto, las mediciones se realizaron a condiciones ambientales, el cantilver fue
de nitruro de silicio con constante de resorte aproximada de 0.6 N/m. La microscopa de
fuerza atmica determina aspectos topogrficos a partir de las fuerzas de repulsin
producidas entre los tomos de la superficie a estudiar y los de la sonda del microscopio.
Esta sonda se coloca en el extremo de un brazo flexible micromtrico y cuando la sonda
comienza a recorrer la superficie de la muestra se generan fuerzas que deforman el brazo
que soporta la punta y el movimiento se detecta con un lser que refleja la seal hacia un
fotodetector.
Microscopio ptico. La caracterizacin ptica se realiz en un microscopio ptico
marca Olympus BX51 que se puede configurar para mediciones por reflexin y
transmisin. Este equipo cuenta con una fuente de iluminacin halgena de 100W para la
observacin por transmisin, posee filtros de densidad neutra ND6, ND25 y un filtro de
39

3. MATERIALES Y MTODOS

balance de luz da. La configuracin de este microscopio es de polarizacin, cuenta con


una platina giratoria con escala angular graduada, posee dos dispositivos para polarizar la
luz provenientes de las fuentes de iluminacin, uno para la observacin por luz transmitida
y otro para observacin por reflexin, cuenta con un analizador ubicado en el tubo del
microscopio. El microscopio est dotado con una lente de Bertrand, un compensador
Srnamont. Las observaciones se realizaron en campo oscuro y campo brillante.

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