I. I NTRODUCCI ON
El transistor es un dispositivo electronico semiconductor
que nos permite controlar senales electricas por medio de
una pequena senal de entrada. Es el elemento que inicio
una revolucion en la electronica, ya que por medio de el se
consiguio la miniaturizacion de los componentes electronicos,
permitiendo la creacion de los circuitos integrados y constituyendo el origen de los microprocesadores, la esencia
de los ordenadores actuales.Existen dos tipos importante de
transistores, el de Union Bipolar (BJT) y el de Efecto de
Campo (FET) que es el que se estudiara en el laboratorio. El objetivo de la practica es comprobar y entender el
Fig. 4.
Fig. 1.
Fig. 2.
Fig. 3.
Fig. 5.
B. Compuertas Logicas
Una compuerta logica es un circuito que genera una senal a
la salida en funcion de la combinacion de senales de entrada
correspondientes a las diferentes funciones logicas. Se trabajan
dos estados logicos el 0 y el 1, los cuales pueden asignarse de
acuerdo a la logica positiva , o la logica negativa. En la logica
positiva (que es la mas utilizada) una tension alta representa
1 binario y una tension baja representa un 0 binario. Las
diferentes compuertas, tiene una funcion logica y un atabal
de verdad propia que determina su funcionamiento [5].
1) Compuerta NOT (NO): Esta compuerta presenta en su
salida un valor que es el opuesto del que esta presente en su
u nica entrada. En efecto, su funcion es la negacion y se utiliza
cuando es necesario tener disponible un valor logico opuesto
a uno dado[6]. Su smbolo y Tabla de Verdad se muestran en
la Figura 7.
Fig. 7.
Fig. 6.
N[3]
Zona Ohmica
de no Saturacion o Zona Triodo
Se da para valores de VDS inferiores al de saturacion, es
decir, cuando VDS VGS VT . Para estos valores de
tension el canal se va estrechando de la parte de la Drain,
principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo
para VDS Sat . En esta zona el transistor se comporta
aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tension de la Gate, sobre todo para valores
pequenos de VDS , ya que a medida que nos aproximamos
al valor de VDS Sat , y para cada valor de VGS se va
perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal
que se aproxima al cierre.
Zona de Saturacion o de Corriente Constante. Esta zona
se da para valores VDS > VDS Sat . Ahora la corriente
ID permanece invariante frente a los cambios de VDS y
solo depende de la tension VGS aplicada. En esta zona
el transistor se comporta como una fuente de corriente
controlada por la tension que hay entra Gate y Source [3].
La relacion entre la tension VGS aplicada y la corriente
ID que circula por el canal en esta zona viene dada por
la Ecuacion 1:
Fig. 8.
Fig. 9.
(1)
ID =
1
W
(n Cox )( )(VGS VT )2
2
L
Fig. 10.
Fig. 12.
Compuerta AND
Fig. 13.
Compuerta NOR
Fig. 11.
Compuerta NOT
IV. A N ALISIS
DE R ESULTADOS
A. El MOSFET como un Switch Modelo S
Para encontrar la funcion de transferencia del transistor
MOSFET, se utilizo el circuito inversor (compuerta NOT).
En simulacion se obtuvo el siguiente comportamiento para el
circuito:
Fig. 16.
Fig. 15.
Fig. 18.
Fig. 17.
VL
1.7V
=
= 113
IL
15mA
Tabla III
DATOS O BTENIDOS PARA LA C OMPUERTA NOR
de
Corriente
Modelo
Fig. 23.
ID
(VGS VT )2
20.3mA
= 0.28mA/V 2
(10V 1.5V )2
Como,
KT =
Fig. 20.
1
W
(n Cox )( ) (n Cox ) = kn0
2
L
Tenemos que:
W
) = 0.56mA/V 2
L
Para encontrar el valor de RDS para un valor especfico de
VDS , tomamos VDS = VT + 1=2.5V, y para un VDS =10V
medimos la corriente que circula entre Drain y Source y
obtenemos que IDS =10.15mA. Con estos datos tenemos que:
kn0 (
VDS
2.5V
=
= 246.3
IDS
10.15mA
Es importante aclarar que la posicion (el cuadrante) en el
que se encuentran las graficas caractersticas depende de la
posicion de las sondas del osciloscopio. Ademas el circuito
presentaba fallas debido a que era poco estable y con facilidad
se distorsionaban o perdian las senales. Por sta razon no se
pudo corregir la posicion de la onda.
RDS =
Fig. 21.
V. C ONCLUSIONES
Fig. 22.