INFORME NO 12: TRANSISTORE BJT (1)

Espinoza Castillo, Frank

1. Explique el principio fsico de operacin en un
transistor de unin bipolar pnp (BJT).Cmo deben
polarizarse las uniones p-n y n-p?

FIG 1: (a) Transistor tipo pnp.

FIG 1.2: Unin polarizada en directa de un transistor pnp.

FIG 1.3: Unin polarizada en inversa de un transistor pnp.

En la figura 1.2 se volvi a dibujar el transistor pnp sin polarizacin

entre la base y el emisor. Observe las semejanzas entre esta situacin y la del diodo polarizado
en directa. El ancho de la regin de empobrecimiento se redujo a causa
de la polarizacin aplicada y el resultado fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del material
tipo p al material tipo n.
Eliminemos ahora la polarizacin de la base al emisor del transistor pnp de la figura 1(a) como
se muestra en la figura 1.3. Considere las semejanzas entre esta situacin y la del diodo polarizado
en inversa. Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios es cero,
y el resultado es slo un flujo de portadores minoritarios, como se indica en la figura 1.3. En suma,
por consiguiente:
La unin p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa.
En la figura 1.4 se aplicaron ambos potenciales de polarizacin a un transistor pnp, con
los
flujos de portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados. Observe en la
figura 1.4
los anchos de las regiones de empobrecimiento donde se ve con claridad cul unin es
polarizada

en directa y cual lo est polarizada en inversa. Como se indica en la figura 1.4, una gran
cantidad
de portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin pn polarizada en directa
hacia
el material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn
directamente con la
corriente de base IB o si pasarn directamente al material tipo p. Como el material tipo n
emparedado
es muy delgado y su conductividad es baja, un nmero muy pequeo de estos
portadores
tomarn esta ruta de alta resistencia hacia la base. La magnitud de la corriente de base
es por
lo general del orden de microamperes, en comparacin con los miliamperes de las
corrientes del
emisor y el colector. El mayor nmero de estos portadores mayoritarios se difundir a
travs
de la unin polarizada en inversa hacia el material tipo n conectado al colector como se
indica
en la figura 1.4. La razn de la facilidad relativa con que los portadores mayoritarios
pueden
atravesar la unin polarizada en inversa es fcil de entender si consideramos que en el
caso del
diodo polarizado en inversa los portadores mayoritarios inyectados aparecern como
portadores
minoritarios en el material tipo p. En otras palabras, ha habido una inyeccin de
portadores minoritarios
en el material tipo n de la regin de la base. Si se combina esto con el hecho de que
todos los portadores minoritarios de la regin de empobrecimiento atravesarn la unin
polarizada
en inversa de un diodo explica el flujo indicado en la figura 1.4.

FIG 1.4: Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

2. En la configuracin emisor comn, muestre las curvas
caractersticas del transistor, identificando las regiones de
operacin y las condiciones de operacin en cada una.
3. CONFIGURACIN EN EMISOR COMN:

FIG 2:
Caractersticas de un transistor de silicio en la configuracin en emisor comn: (a) caractersticas; (b) caractersticas de
base.

Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin convencional real.

Aun cuando la configuracin del transistor cambi, las relaciones de corriente
previamente
desarrolladas para la configuracin en base comn siguen siendo vlidas. Es decir IE _ IC
+ IB
e IC _ aIE.
Para la configuracin en emisor comn, las caractersticas de salida son una grfica de
la corriente
de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un intervalo de valores de la corriente de
entrada (IB). Las caractersticas de entrada son una grfica de la corriente de entrada
(IB) contra
el voltaje de entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de salida (VCE).
Observe que en las caractersticas de la figura 3.14 la magnitud de IB est en
microamperes
en comparacin con los miliamperes de IC. Consideremos tambin que las curvas de IB
no son
tan horizontales como las obtenidas para IE en la configuracin en base comn, lo que
indica que
el voltaje colector a emisor influye en la magnitud de la corriente del colector.
La regin activa para la configuracin en emisor comn es esa parte del cuadrante
superior
derecho de mayor linealidad, es decir, la regin de las curvas de IB son casi rectas o y
equidistantes.
En la figura 3.14a esta regin existe a la derecha de la lneas de rayas vertical en VCEsat
y arriba de la curva de IB igual a cero. La regin a la izquierda de VCEsat se llama regin de
saturacin.
En la regin activa de un amplificador en emisor comn, la unin base-emisor
se polariza
en directa en tanto que la unin colector-base est en inversa.
Recuerde que stas eran las mismas condiciones en la regin activa de la configuracin
en
base comn. La regin activa de la configuracin en emisor comn se emplea para
amplificar
voltaje, corriente o potencia.
La regin de corte para la configuracin en emisor comn no est tan bien definida
como para la configuracin en base comn. Observe en las caractersticas del colector
de la figura 3.14

que IC no es igual a cero cuando IB es cero. Para la configuracin en base comn, cuando la
corriente de entrada IE era igual a cero, la corriente en el colector era igual slo a la corriente de
saturacin en inversa ICO, de modo que la curva IE _ 0 y eje del voltaje eran, para propsitos
prcticos, uno.
La razn de esta diferencia en las caractersticas de colector se deriva del manejo
correcto de
las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir,

Si consideramos el caso antes analizado, donde IB _ 0 A y sustituimos un valor tpico de a

tal como 0.996, la corriente resultante en el colector es la siguiente:

Si ICBO fuera de 1 mA, la corriente resultante en el colector con IB _ 0 sera 250(1 mA) _
0.25
mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 3.14.
Para futura referencia, a la corriente del colector definida por la condicin IB _ 0 mA se le
asignar la notacin indicada por la siguiente ecuacin:

En la figura 3.15 las condiciones alrededor de esta corriente recin definida se

demuestran con
su direccin de referencia asignada.
Para propsitos de amplificacin lineal (distorsin mnima), I C = ICEO define el
corte para
la configuracin en emisor comn.
En otras palabras, hay que evitar la regin debajo de IB = 0 mA cuando se requiere una
seal
de salida no distorsionada.
Cuando se emplea como interruptor en los circuitos lgicos de una computadora, un
transistor tendr dos puntos de operacin de inters, uno en la regin de corte y otro
en la regin de saturacin.
La condicin de corte idealmente deber ser de IC _ 0 mA para el voltaje VCE selec-cionado. Como
por lo general ICEO es de baja magnitud en materiales de silicio, para efectos deconmutacion el
corte se dara cuando IB0 A o ICICEO solo para transistores de silicio. Para transistores de
germanio, sin embargo, el corte para propositos de conmutacion se definir como aquellas
condiciones que se presentan cuando IC ICBO. Por lo comun esta condicion se obtiene para
transistores de germanio polarizandos en inversa algunas decimas de volt en la union base a
emisor.

Recuerde que para la configuracion en base comun el conjunto de caracteristicas de entrada se

aproximo por medio de una linea recta equivalente que dio por resultado VBE 0.7 V con
cualquier nivel de IE de mas de 0 mA. Para la configuracion en emisor comun se siguio el mismo

procedimiento y el resultado es el equivalente aproximado de la figura 3.16. El resultado

confirma nuestra conclusion anterior de que para un transistor en la region activa o encendidoh
el voltaje base a emisor es de 0.7 V. En este caso el voltaje se mantiene fijo con cualquier nivel
de corriente en la base.

FIG:2.1
Equivalente lineal por segmentos
para las caractersticas de diodo de la
figura 2.b.

4.

Busque el diseo de un circuito en el que el transistor npn funcione como

interruptor en la regin de saturacin y corte. Establezca la ecuacin para
calcular la corriente de saturacin.

FIG 3:
Encontrando 1os extremos de la recta de carga. a) Circuito;
b) calculando la corriente de saturacin de colector; c) calculando la tensi6n
de corte colector-emisor.