(E. 1.1)
___1.2 Fotorresistencia.
Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia varia en funcin
de la iluminacin. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos. Es por
ello, que tambin se le llama resistencias dependientes de luz LDR (por sus siglas en ingles Light
Dependent Resistors), fotoconductores o clulas fotoconductoras, su representacin simblica se
muestra en la Figura 1.7.
Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrn-hueco ya sea por
transiciones de banda a banda (intrnsecos) o por transicin que involucra niveles de energa de la banda
prohibida (extrnsecos). Al haber un mayor nmero de portadores, el valor de la resistencia disminuye. De
este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo.
Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarn hasta volver a sus valores
iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores disminuir y el valor de la resistencia ser mayor, esto se
puede comprender mejor si observamos la curva caracterstica de una LDR en la Figura 1.8. Por
supuesto, el material de la fotorresistencia responder a unas longitudes de onda determinadas. Es decir,
la variacin de resistencia ser mxima para una longitud de onda determinada. Esta longitud de onda
depende del material y el dopado, y deber ser suministrada por el proveedor. En general, la variacin de
resistencia en funcin de la longitud de onda presenta curvas como la de la Figura 1.9
Donde es la longitud de onda que corresponde al ancho de la banda Eg para longitudes de onda mas
cortas que la radiacin incidente es absorbida por el semiconductor, y pares de electrn-hueco se
generan (Figura 1.3). Para el caso extrnseco, la fotoexcitacin puede ocurrir entre un extremo de la
banda de conduccin y un nivel de Eg energa en la banda. La fotoconductividad se basa por la
absorcin de fotones de energa igual o mayor que la separacin de energa entre la banda de valencia y
la banda de conduccin. En este caso, la longitud de onda de corte se determina por el espesor del nivel
de energa de la banda prohibida.
Un fotodetector consiste simplemente de una capa de semiconductor con contactos ohmicos unidos en sus
terminales opuestas como se ve en la Figura 1.10, es fabricado con materiales de estructura cristalina, y utiliza
sus propiedades fotoconductoras. Los cristales utilizados ms comnmente son: sulfuro de Cadmio y seleniuro
de Cadmio.
___1.3 El fotodiodo
El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn como se observa en el la Figura
1.11, pero tiene una caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad
de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que incide en l, y su regin de operacin esta
limitada a la regin de polarizacin inversa (Figura 1.12).
La corriente de oscuridad (Figura 1.12, 1.13) es aquella que ocurre sin luz aplicada. La corriente
solo retornar a cero con una polarizacin positiva aplicada igual a V T. El espaciamiento casi igual entre
las curvas para el mismo incremento en el flujo luminoso indica que la corriente inversa y el flujo luminoso
se relacionan en forma muy parecida a la lineal. Es decir, un aumento es la intensidad luminosa dar
como resultado un incremento similar en la corriente inversa. En la Figura 1.13 se muestra una grafica
de estas dos cantidades para mostrar su relacin lineal con respecto a un voltaje fijo VA de 20 V.
Un fotodiodo presenta una construccin anloga a la de un diodo LED, en el sentido que necesita una
ventana transparente a la luz por la que se introduzcan los rayos luminosos para incidir en la unin PN. En la
Figura 1.14, aparece una geometra tpica.
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en una variacin de
corriente elctrica y esta variacin es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de
iluminacin sobre el fotodiodo.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin
y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.
Los materiales para construir los fotodiodos son por lo general el Silicio o el Selenio, con menor
frecuencia se emplean materiales como arseniuro de Galio, sulfuro de Cadmio y arseniuro de Indio.
___1.4 Fototransistor
Dispositivo que tiene una unin P-N de colector a base fotosensible (Figura 1.17), donde la corriente inducida
por efectos fotoelctricos viene a ser la corriente de base del transistor. As, se puede decir que existen
similitudes entre este y un transistor normal, puesto que un incremento en la intensidad luminosa corresponde a
un aumento en la corriente de colector.
(figura 1.16) tomando la iluminacin como parmetro, los resultados son parecidos a los de un transistor
bipolar normal donde se toma la intensidad de base como parmetro.
Un fototransistor opera, generalmente sin terminal de base (I b=0) aunque en algunos casos hay
fototransistores que tienen disponible una terminal de base para trabajar como un transistor normal.
La construccin de un fototransistor se representa en la figura 1.17, donde se observa que en
ocasiones se representa al fototransistor como un arreglo de un transistor y un fotodiodo (figura 1.17 b)
por ello la sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que la pequea corriente
fotogenerada es multiplicada por la ganancia del transistor. Hay que destacar un detalle importante (figura
1.17 c), en muchas ocasiones se confunde un fotodiodo con un fototransistor, ya que en este ltimo la
base no existe, y slo lleva dos patillas .
En la figura 1.17 b se puede ver el circuito equivalente de un fototransistor. Se observa que est
compuesto por un fotodiodo y un transistor. La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base
del transistor) se amplifica veces, y es la corriente que puede entregar el fototransistor, gracias a esta
puede ser utilizado en aplicaciones donde la deteccin de iluminacin es muy importante ya que su
entrega de corriente elctrica es mucho mayor que el fotodiodo.
Algunas de las reas de aplicacin del fototransistor incluyen lectoras de tarjetas perforadas, circuitera lgica
de computadora, control de iluminacin (en autopistas), Indicacin de nivel, relevadores y sistemas de conteo.
___1.5 Fototiristor
El termino tiristor, incluye todos los dispositivos semiconductores los cuales presentan un funcionamiento
inherente como dispositivos de corte y conduccin, poseen una estructura de cuatro capas PNPN con
tres uniones PN intermedias y tres terminales accesibles denominadas nodo, ctodo y compuerta (gate).
Existen dos formas de operacin, una es bidireccional (Triac) y la otra es unidireccional (SCR).
El SCR (Rectificador Controlado de Silicio) es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez. Se utiliza como interruptor electrnico, esto quiere decir que en su
comportamiento tiene dos estados de operacin: en el estado de apagado o de bloqueo, idealmente el
SCR acta como un circuito abierto entre el nodo y el ctodo; en realidad, en vez de haber un circuito
abierto, existe una resistencia muy alta. El otro es el estado de conduccin, el SCR acta idealmente
como un corto circuito entre el nodo y el ctodo; en realidad presenta una resistencia muy baja. En la
figura 1.18 se presenta su smbolo y estructura.
Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que se activa su compuerta con una pequea
corriente (Disparo); en ese momento, el dispositivo entrar en conduccin comportndose como un diodo en
polarizacin directa. Despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que
el tiristor deje de conducir, el voltaje +V entre nodo y ctodo debe ser reducido a 0 Voltios.
Existen varias formas de activar o disparar un SCR, aqu solo hablaremos de las formas convencionales que
son: por corriente de compuerta y por medio de luz. Con la primera; al aplicar un voltaje positivo entre la
compuerta y la terminal de ctodo, fluir una corriente que activar el dispositivo. El mtodo de disparo que
emplea la luz, es el que nos ocupa en esta ocasin ya que un fototiristor o LASCR (Light Activated SCR) es
tambin un dispositivo semiconductor de cuatro capas que opera esencialmente como el SCR normal, solamente
que es activado por medio de energa luminosa que incide sobre una de las junturas PN, cuando la luz incidente
es suficientemente intensa, el LASCR se dispara y permanece en ese estado aunque se retire la luz. Observando
la Figura 1.19, podemos notar, que pese a que el disparo del fototiristor se lleva a cabo por medio de luz, este
conserva aun la terminal de compuerta, esto es as porque la terminal de compuerta permite el disparo en la
forma normal y adems se puede reducir dentro de ciertos mrgenes la sensibilidad del disparo por luz,
mediante la conexin de una resistencia variable entre la compuerta y el ctodo, el LASCR es mas sensible a la
luz cuando la terminal de compuerta esta abierta (alta impedancia).
En la Figura 1.20 se muestra la curva caracterstica del LASCR que prcticamente es igual a la del SCR con la
diferencia que el LASCR es activado con luz. Normalmente este tipo de dispositivos se aplica en alarmas
antirrobo, detectores de presencia en puertas y ascensores, circuitos de control ptico en general, controles
pticos luminosos, relevadores, control de fase, control de motores, y una variedad de aplicaciones en
computadoras.
1.6 Led's
El diodo emisor de luz (LED, por sus siglas en ingls de: Light Emitting Diode) es como su nombre lo indica un
diodo semiconductor de juntura P-N que emite luz visible o radiacin cercana a la infrarroja cuando se
encuentra polarizado.
En polarizacin directa, todos los diodos emiten una cierta cantidad de radiacin cuando los pares
electrn-hueco se recombinan, es decir, cuando los electrones caen desde la banda de conduccin (de mayor
energa) a la banda de valencia (de menor energa), es decir, requiere que la energa que posee un electrn libre
se transfiera a otro estado. Indudablemente, la frecuencia de la radiacin emitida y por ende su color, depender
de la altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las bandas de conduccin y valencia), dicho de
otra forma, de los materiales empleados (cuadro 1.2). Los diodos convencionales, de Silicio o Germanio, emiten
la mayor parte de esta energa en forma de calor y radiacin infrarroja muy alejada del espectro visible, sin
embargo con materiales especiales como el fosfuro arseniuro de Galio (GaAsP) o el fosfuro de Galio (GaP)
pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los diodos LED, adems tienen geometras especiales para
evitar que la radiacin emitida sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en
los convencionales. Al proceso de emisin de luz mediante la aplicacin de una fuente de energa elctrica se le
llama electroluminiscencia. Como se muestra en la Figura 1.22.
La superficie conductora conectada al material P es mucho menor para permitir que salga un nmero mximo
de fotones de energa lumnica. Ntese en la figura 1.22 que la recombinacin de los portadores inyectados
debido a la unin polarizada directamente da como resultado la emisin de luz en el sitio de la recombinacin.
Desde luego es posible que haya algo de absorcin de los paquetes de energa fotnica en la propia estructura,
pero un porcentaje bastante elevado es capaz de abandonarlo como se muestra en la figura.
El dispositivo semiconductor de un LED est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor
resistencia que las de cristal que usualmente se emplean en las bombillas. Aunque el plstico puede estar
coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida (cuadro 1.2), adems
tienen geometras especiales para evitar que la radiacin emitida sea reabsorbida por el material circundante del
propio diodo, en la figura 1.23 se observa la apariencia fsica de un LED comn.
En el siguiente cuadro se observan los materiales mas usados en la fabricacin de diodos emisores de
luz.
Compuesto
Color
Infrarrojo
Rojo e infrarrojo
Rojo, naranja y amarillo
Verde
Verde
Azul
Azul
Azul
Ultravioleta
En desarrollo
Frecuenci
a
940nm
890nm
630nm
555nm
525nm
450nm
480nm
La corriente mxima directa es de 20 mA, con 10 mA como nivel tpico de operacin, como se indica en la
columna de condiciones de prueba.
El nivel de Vp bajo las condiciones de polarizacin directa se lista como Vf y se extiende desde 2.2 hasta 3
V. En otras palabras uno puede esperar una corriente tpica de operacin de alrededor de 10 mA a 2.5 volts para
una buena emisin de luz.
Los valores anteriores son nominales mximos absolutos a TA = 25 C.
Otros valores importantes como caracterstica elctrico/pticas a TA = 25 C son:
Intensidad luminosa axial (Iv), que se mide en candelas. Una candela emite un flujo luminoso de 4 lumen y
establece una iluminacin de 1 pie candela sobre un rea de 1 pie cuadrado a un pie de distancia desde la fuente
luminosa.
Eficiencia luminosa (v). Por definicin el trmino eficiencia es una medida de la capacidad de un
dispositivo para producir un efecto deseado. Para el LED esto corresponde a la porcin del nmero de lmenes
generado por watt aplicado de energa elctrica.
Tiene enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su bajo consumo de energa, su
mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas, los convierten en los dispositivos mas
usados en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de trfico, de
emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y
est en Times Square, Manhattan). Sin embargo una de las aplicaciones ms populares de los LEDs esta en el
arreglo de 7 LEDs (segmentos) como se muestra en la figura.
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia
de televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos de aire
acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, as como
las lectoras de tarjetas y de cinta perforada, los codificadores de eje, los sistemas de transmisin de
datos y las alarmas de intrusin.
En la figura 1.29, se presenta un circuito para cuado se tenga que usar un fotodiodo; recordando
que la seal que produce el fotodiodo, requiere ser amplificada, esto se hace con la ayuda del
amplificador operacional lm106.
En la figura 1.30: se presenta un circuito que utiliza un fototransistor como detector de luz, este
disparador, usa dos transistores PNP, con la incidencia de luz en el fototransistor, el primer transistor
conduce la corriente y hace que el segundo sea llevado a corte. La tensin de salida en estas
condiciones, cae a un valor mnimo en una transicin bastante rpida. A la salida de este circuito, se
puede agregar una etapa para el control de un relevador o de un triac, sin embargo tambin pudiera ser
entrada para un microcontrolador ya que la cada de voltaje que existir sobre la resistencia de salida,
no supera los 5 v en ningn momento.
1.9 Displays.
1.9.1 LEDs (7 segmentos)
El display de 7 segmentos, consta de 7 LEDs (diodos emisores de luz), dispuestos geomtricamente de
forma tal que forme un 8. Encendiendo los distintos segmentos del mismo se logra mostrar todas las
cifras decimales: 1, 2, 3, 4, 9. Como se muestra en la figura 1.31 A.
Figura 1.31: a) Apariencia fsica de un display de 7 segmentos, b) estructura interna del display.
en vez de usar 7 bits como en el ejemplo anterior, con un circuito decodificador (CD4511BC por ejemplo)
usaremos solo 4 bits de acuerdo al cuadro 1.3.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
0
1
1
1.9.2 Alfanumricos
Como hemos visto, la conexin de un display de 7 segmentos no presenta demasiada
complejidad, y puede ser una solucin sencilla cuando se tenga que mostrar dgitos, sin embargo, al
momento de representar caracteres alfabticos presenta serias limitaciones ya que con un nico display
no pueden representarse todos los caracteres alfanumricos (por ejemplo, la M, la Z o la ) y hay
caracteres que tienen la misma representacin (el 9 no se diferencia en nada de una g, el 5 de una S,
etc.). Cuando se precise de un mayor conjunto de caracteres a visualizar e incluso de forma simultnea,
por un pequeo incremento de dinero en el total del montaje podemos pasar a un display alfanumrico de
16 segmentos como el que se muestra en la figura 1.33 A.
1.9.3 Matriz
Un display de matriz, consiste en un arreglo de LED montados sobre un panel, y dispuestos de tal
forma que al momento de encenderlos conforme a un patrn establecido, se pueden formar todo tipo de
caracteres alfanumricos, as como caracteres especiales y figuras, ya que este tipo de paneles se
pueden agrupar para obtener un rea mayor.
La figura 1.34, muestra la fotografa de un display de matriz comercial (del fabricante KingBright)
que contiene un arreglo 5 x 7 LED. El nombre de matriz, le sobreviene precisamente gracias a la manera
en que internamente estn conectados todos los LED que conforman este panel, a este tipo de arreglo
se les conoce como matriz.
El arreglo en matriz de los diodos, es con la finalidad de ahorrar el numero de lneas al momento
de operar el panel, en otras palabras, si se utilizar una lnea por cada LED presente, serian necesarias
35 lneas de salida para tener el control de todos; esto adems de costoso, resultara difcil de manejar,
sin embargo mediante el arreglo en matriz solo son necesarias 12 lneas de control correspondientes a
las filas y columnas como se ve en la figura 1.35.
1.9.4 LCDs
Las pantallas de cristal lquido (LCD) poseen la ventaja distintiva de tener un requerimiento de
potencia ms bajo que los LED. Es tpicamente del orden de microwatts para la pantalla, en comparacin
al orden de miliwatts para los LED. Sin embargo, requieren una fuente de iluminacin externa o interna y
estn limitadas a un rango de temperatura que va de cerca de 0 a 60C. El tiempo de vida es otra rea
de preocupacin, debido a que las LCD pueden degradarse qumicamente. En la actualidad, los tipos que
reciben el mayor inters son las unidades de dispersin dinmica y de efecto de campo.
Unidades de dispersin dinmica: Un cristal lquido es un material (normalmente orgnico para las
LCD) que fluye como un lquido, pero cuya estructura molecular tiene algunas propiedades asociadas
normalmente con los slidos. Para las unidades de dispersin de luz el mayor inters est en el cristal
lquido nemtico, teniendo el cristal la estructura que se muestra en la figura 1.37 A. Las molculas
individuales tienen apariencia de varillas, tal como se ve en el perfil de la figura. La superficie conductora
de xido de Indio es transparente y, bajo las condiciones mostradas en la figura A, la luz incidente
simplemente atraviesa y la estructura de cristal lquido aparecer de forma clara.
Figura 1.37: A) Cristal liquido Nemtico sin polarizacin aplicada B) Con polarizacin aplicada
Si se aplica un voltaje (para unidades comerciales el nivel de umbral est actualmente entre los 6
y 20 V) a travs de las superficies conductoras, como se muestra en la figura 1.37 B, el acomodo
molecular queda perturbado, con el resultado de que se establecern regiones con diferentes ndices de
refraccin. La luz incidente es, por tanto, reflejada en diferentes direcciones en la interfaz entre diferentes
regiones de diferentes ndices de refraccin (mencionados como dispersin dinmica), de lo cual resulta
que la luz dispersada tiene una apariencia de vidrio congelado. Sin embargo, obsrvese en la figura B
que el aspecto opaco ocurre solo donde las superficies de conduccin son opuestas y las reas
remanentes permanecen translcidas.
Un dgito en una pantalla LCD puede tener la apariencia de segmentos como se muestra en la
figura 1.38. El rea negra es, de hecho, una superficie conductora clara conectada a las terminales que
se encuentran abajo para el control externo. Dos mscaras similares se ponen en lados opuestos de una
capa gruesa sellada del material de cristal lquido. Por ejemplo si se quisiera el nmero 2, las terminales
8, 7, 3,4 y 5, serian energizadas y slo esas regiones seran congeladas mientras las otras reas
permaneceran claras.
Las LCD de efecto de campo son usadas por lo general cuando la fuente de energa es un factor principal
(por ejemplo, en relojes, instrumentacin porttil, etc.), debido a que consumen una potencia
considerablemente menor que las de tipo de dispersin de luz, del rango de microwatts, comparado con
el de pocos miliwatts. Por lo general, el costo es mayor para las unidades de efecto de campo y su altura
est limitada a cerca de 2 pulgadas, mientras que en las unidades de dispersin de luz estn disponibles
en unidades de hasta 8 pulgadas de altura.
Una consideracin adicional en las pantallas es su tiempo de encendido y apagado. Las LCD
son mucho ms lentas que los LED. Las LCD tienen tiempos de respuesta tpicos en el rango de 100 a
300 ms, mientras que se dispone de LED con tiempos de respuesta inferiores a 100 ns. Sin embargo, hay
varias aplicaciones, como los relojes, en donde la diferencia entre 100 ns y 100 ms es de pocas
consecuencias. Para tales aplicaciones la menor demanda de potencia de las LCD es una caracterstica
muy atractiva. El tiempo de vida de las unidades LCD se incrementa en forma sostenida, ms all del
lmite de 10,000 horas. Debido a que el color generado por las unidades LCD depende de la fuente de
iluminacin, hay un mayor rango de alternativas de color.