TRABALHO SEMICONDUTORES

Os semicondutores so slidos cristalinos de condutividade eltrica intermediria entre

condutores e isolantes. Os elementos semicondutores podem ser tratados quimicamente para
transmitir e controlar uma corrente eltrica.
Possuem em sua composio o silcio e o germnico, alm do glio, do cdmio, arsnio e
telrio, que formam ligaes covalentes semelhantes a dos materiais cermicos, podendo ser
considerados como uma subclasse da cermica. Possuem propiedades eltricas que so
intermediarias entre aquelas apresentadas pelos condutores eltricos e pelos isolantes.
importante na fabricao de componentes eletrnicos tais como diodos, transstores e outros
de diversos graus de complexidade tecnolgica, microprocessadores, e nanocircuitos usados
em nanotecnologia. Portanto atualmente o elemento semicondutor primordial na indstria
eletrnica e confeco de seus componentes.
Introduo
Esse trabalho destaca os dispositivos semicondutores, que so componentes muito
importantes nos circuitos eletrnicos. Basicamente, controlam o fluxo da corrente eltrica,
podendo atuar como simples retificadores ou chaves interruptoras; mas o fundamental desses
dispositivos e a variao de fluxo de corrente proporcionalmente a pequenos sinais de controle,
fornecendo dessa maneira, amplificao. Essa propriedade de controle de conduo de
corrente explica o grande uso dos materiais semicondutores nos circuitos diversos na
eletrnica.
Caracterizao dos principais materiais semicondutores
Em qumica sabe-se, que em condies normais, os tomos que possuem 4 eltrons na ltima
camada de valncia no so estveis.
Os semicondutores se enquadram nesse grupo, mas por causa da forma com que agrupam
seus tomos (cada tomo fica equidistante e, relao a quatro outros tomos, ou seja, uma
estrutura cristalina) eles conseguem alcanar a estabilidade fazendo quatro ligaes qumicas
covalentes, conseguindo 8 eltrons na ltima camada, e por consequncia ficam estveis
quimicamente.
Mas qual so as caractersticas dos semicondutores que os tornam to importantes para a
eletrnica?
Os semicondutores formam Bandas de Energia, com as seguintes caractersticas:

Figura 01 Bandas de energia Fonte: Infoescola

So formadas bandas, separadas por Lacunas. A ltima banda chamada de

Banda de Conduo. Logo abaixo existe a Banda de Valncia, e em baixo as outras camadas.
Na temperatura 0 K, a banda de conduo vai estar totalmente vazia, e a banda de valncia
totalmente preenchida (Na imagem acima a temperatura est mais elevada).
Quando o material aquecido, alguns eltrons saem da banda de valncia e passam para a
banda de conduo. Isso somente possvel devido ao ganho de energia no eltron, pois para
passar uma banda superior, deve ter energia o suficiente (representado por E).
Concluso parcial: Sob temperatura 0 K os semicondutores possuem a camada de valncia
totalmente preenchida e um E relativamente baixo (entre o E dos condutores e dos
isolantes), o que possibilita controlar a condutividade deles variando a temperatura.
Silcio
muitas vezes confundidas com o silcio
O silcio (latim: silex, pedra dura, ingls: silicon) um elemento qumico de smbolo Si de
nmero atmico 14 (14 prtons e 14 eltrons) com massa atmica igual a 28 u. temperatura
ambiente, o silcio encontra-se no estado slido. Foi descoberto por Jns Jacob Berzelius, em
1823. O silcio o segundo elemento mais abundante da face da terra, perfazendo 25.7% do
seu peso. Aparece na argila, feldspato, granito, quartzo e areia, normalmente na forma de
dixido de silcio ( tambm conhecido como slica ) e silicatos ( compostos contendo silcio,
oxignio e metais). O silcio o principal componente do vidro, cimento, cermica, da maioria
dos componentes semicondutores e dos silicones, que so substncias plsticas .
Pertence ao grupo 14 (4A) da Classificao Peridica dos Elementos.
Apresenta-se na forma amorfa e cristalina; o primeiro na forma de um p pardo mais reativo
que a variante cristalina, que se apresenta na forma octadrica de colorao azul grisceo e
brilho metlico.
Principais caractersticas
Suas propriedades so intermedirias entre as do carbono e o germnio. Na forma cristalina
muito duro e pouco solvel, apresentando um brilho metlico e uma colorao griscea. um
elemento relativamente inerte e resistente ao da maioria dos cidos; reage com os
halognios e lcalis. O silcio transmite mais de 95% dos comprimentos de onda das radiaes
infravermelhas.
Aplicaes
variedades de circuitos eletrnicos
utilizado para a produo de ligas metlicas, na preparao de silicones, na indstria
cermica e, por ser um material semicondutor muito abundante, tem um interesse muito
especial na indstria eletrnica e microeletrnica, como material bsico para a produo de
chips para transistores, pilhas solares e, em diversas
O silcio um elemento vital em numerosas indstrias. O dixido de silcio, areia e argila so
importantes constituintes do concreto armado e azulejos (ladrilhos). . Outros importantes usos
do silcio so:

 Como material refratrio, sendo usado em cermicas e esmaltado. Como elemento de liga
em fundies.
Fabricao de vidro e cristais para janelas e isolantes, entre outros usos.
O carboneto de silcio um dos abrasivos mais importantes.
Usa-se em lasers para a obteno de luz com um comprimento de onda de 456 nm.
O silicone se usa em medicina para implantes em seios e produo de lentes de contato.
O silicone usado para fabricao de Chupetas.
Germnio
O germnio um elemento qumico de smbolo Ge , nmero atmico 32 (32 prtons e 32
eltrons ) com massa atmica 72,6 uma. temperatura ambiente, o germnio encontra-se no
estado slido. um semi-metal pertencente ao grupo 14( 4 A) da Classificao Peridica dos
Elementos.Foi descoberto em 1886 pelo alemo Clemens Winkler. As aplicaes do germnio
esto limitadas ao seu alto custo e em muitos casos estuda-se a sua substituio por materiais
mais econmicos. Sua aplicao principal como semicondutor em eletrnica, produo de
fibras pticas e equipamentos de viso noturna.
Principais caractersticas
importante material semicondutor utilizado em transstores e fotodetetores
O germnio um semi-metal slido, duro, cristalino, de colorao branco acinzentada, lustroso,
quebradio, que conserva o brilho em temperaturas ordinrias. Apresenta a mesma estrutura
cristalina do diamante e resiste ao dos cidos e lcalis. Forma grande nmero de
compostos organolpticos e um Diferentemente da maioria dos semicondutores, o germnio
tem uma pequena banda proibida (band gap) respondendo de forma eficaz a radiao
infravermelha e pode ser usado em amplificadores de baixa intensidade.
Aplicaes
As aplicaes do germnio esto limitadas ao seu alto custo e em muitos casos estuda-se a
sua substituio por materiais mais econmicos. Os principais usos so:
Fibra ptica. Eletrnica: Radares, amplificadores de guitarras eltricas, ligas metlicas de
SiGe em circuitos integrados de alta velocidade.
ptica de infravermelhos: espectroscpios, sistemas de viso noturna e outros equipamentos.
Lentes, com alto ndice de refrao, de ngulo amplo e para microscpios.
Em jias usado uma liga metlica de Au com 12% de germnio.
Como elemento endurecedor do alumnio, magnsio e estanho.
Em quimioterapia.

 O tetracloreto de germnio usado como catalisador na sntese de polmeros.

Foi usado enquanto germanato de bismuto no tipo de camera gama utilizada nos anos 80, em
medicina nuclear.
Semicondutor Extrnseco
H diversas maneiras de se provocar o aparecimento de eltrons e lacunas livres no interior de
um cristal semicondutor. Uma delas atravs da energia trmica (ou calor), e a sua produo
de pares, eletro-lacuna, recebe o nome de gerao trmica de portadores. Outra maneira
consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor, baseando-se
este fenmeno no princpio de funcionamento dos dispositivos fotossensveis. Na prtica,
contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o nmero de eltrons livres seja
bem superior ao nmero de lacunas, ou de um cristal onde o nmero de lacunas seja bem
superior ao nmero de eltrons livres. Isto e conseguido tomando-se um cristal semicondutor
puro (intrnseco) e adicionando-se a ele, por meio de tcnicas especiais, uma determinada
quantidade de outros tipos de tomos, aos quais chamamos de impurezas. Tais impurezas,
propositadamente adicionadas ao cristal, tm uma concentrao de cerca de um tomo par
cada 1.0.0 tomos do material semicondutor. Este processo tem o nome de dopagem, termo
proveniente da palavra inglesa "Doping", (substncia estimulante, excitante, muito usada nos
meios desportivos).
Quando so adicionadas impurezas a um cristal puro, este passa a ser impuro, sendo
denominado, ento, semicondutor extrnseco. Por extrnseco compreendemos que as
caractersticas eltricas do cristal se devem s impurezas a ele adicionadas, e no aos
caracteres do prprio material.
Por que, no incio, o cristal submetido a um rigoroso processo de purificao se, logo em
seguida, so adicionadas impurezas? A resposta simples: As impurezas eliminadas
inicialmente eram indesejveis, porque no sabamos o tipo e a quantidade das mesmas, no
apresentando o cristal nenhuma aplicao til. Contudo, aps o processo de purificao, as
impurezas adicionadas so do tipo conhecido e de quantidade bem detalhada, o que permite a
fabricao de cristais semicondutores com caractersticas, para as mais diversas aplicaes.
As impurezas utilizadas na "dopagem" de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos:
impurezas doadoras e impurezas aceitadoras.
Semicondutor Intrnseco
conseguem purezas absolutas (100%)
O termo cristais semicondutores puros e uma verdade terica, na prtica no se
O Silcio e o Germnio so encontrados na prpria Natureza, O Germnio obtido de um p
branco, o Dixido de Germnio, e o Silcio so extrados do xido de Silcio. Aquecendo-se o
Dixido de Germnio durante algumas horas, em uma atmosfera de Hidrognio, obtm-se o
Germnio metlico, j bastante puro, sob o
ponto de vista qumico
Entretanto, para a fabricao de dispositivos semicondutores, exige-se um grau de pureza
extremamente elevado (da ordem de 9,9999%), que equivale a um grama de impurezas, no
mximo, em cada 10.0 toneladas de material semicondutor. Portanto, quando nos referimos a
um material semicondutor, estamos supondo que as impurezas contidas no cristal praticamente
no interferem em seu comportamento eltrico. A esse tipo de semicondutor, em que as
impurezas nele existentes so apenas as que no puderam ser eliminadas durante o processo
de purificao do cristal, damos o nome de semicondutor intrnseco. Este termo significa que as
caractersticas eltricas do cristal so devidas ao prprio material semicondutor, e no s suas
impurezas.

Formao dos elementos tipo P e N

cristalinas denominadas impurezas, atravs de processos de injeo ou difuso
Devido a tendncia de transformar-se em uma estrutura simtrica, um material semicondutor
quase no possui eltrons livres. Para se utilizar efetivamente os materiais semicondutores,
so introduzidos elementos adicionais, nas estruturas Estas impurezas so elementos cujos
tomos possuem trs ou cinco eltrons na camada de valncia. Estas impurezas so
introduzidas dentro do material semicondutor em pequenas quantidades.
A tendncia de formar uma estrutura simtrica faz com que os tomos de impurezas se
acomodem de tal maneira que produzam eltrons livres, portanto que podem ser deslocados
com facilidade (o quinto eltron de cada tomo da impureza). Ou a falta de eltrons no caso da
adio de elementos com trs eltrons na ltima camada.
Formao do material tipo P
Se a dopagem do cristal ns, ao invs de utilizar um elemento com 5 eltrons na sua camada
de valncia, utilizar-se um elemento com 3 eltrons na sua camada de valncia, como o ndio,
boro ou glio, ir formar um outro tipo de material semicondutor.
Utilizando-se o ndio como impureza, na mesma proporo que foi usada com o antimnio (um
para dez milhes de tomos de silcio ou germnio), o ndio vai
formar ligaes covalentes com os quatro tomos vizinhos do silcio ou do germnio
16 O tomo de ndio vai aceitar os quatro eltrons dos tomos vizinhos, mas pode doar apenas
os trs eltrons da sua camada de Valencia. Dessa forma, trs pares de eltrons so
completados, formando ligaes covalentes. A quarta ligao vai ficar incompleta, apenas com
um eltron, fornecido pelo silcio ou o germnio. A falta desse eltron nesta ligao chamada
de buraco ou lacuna. Atua como uma carga eltrica positiva, atraindo qualquer eltron que
esteja por perto, para completar a sua ligao. Por esta razo, o ndio chamado de receptor.
O cristal do tipo P, representando a carga eltrica provocada pelo buraco.

ndio como impureza

Figura 02: Impurezas no material tipo P Fonte: Instituto Padre Reus

O eltron do silcio que no forma ligao covalente com o ndio por sua vez, estar preso ao
ncleo do silcio apenas pela atrao inica, e pela agitao trmica pode se liberar e sair da
sua rbita, circulando por dentro da estrutura cristalina, e preenchendo um buraco. Sempre que
um eltron se liberta do seu tomo, deixa outro buraco, e o resultado disso ser um movimento
desordenado de buracos dentro do material. Dizemos, ento, que um material do tipo P tem
buracos livres, assim como a matria do tipo N tem eltrons livres.
Sempre que um eltron completa a quarta ligao do tomo de ndio, ele se torna um on
negativo. Pela agitao trmica, que ocorre j em temperaturas normais, um cristal do tipo P
possui buracos livres e ons negativos.
tomo de ndio (neutro)
on de ndio (negativo)
Figura 03: Demonstrao de ons negativos. Fonte: Instituto Padre Reus.
Aplicando-se um potencial eltrico num cristal do tipo P, haver uma corrente de buracos
dentro da estrutura cristalina do material.Os eltrons de valncia tambm esto se movendo
mas sempre que um eltron abandona a rbita do silcio ou do germnio, provoca outro buraco,
e como existem mais buracos que eltrons, chamamos aos buracos de portadores majoritrios
de corrente em um material do tipo P. Os ons negativos no podem se mover porque
pertencem estrutura cristalina.

Demonstrao da corrente de buracos Fonte: Instituto Padre Reus.

Durante a circulao da corrente, poder ocorrer que um buraco venha a neutralizar um on
negativo, enquanto que mais prximo do terminal positivo, um tomo adquire um eltron, se
tornando um on negativo. A impresso que se tem que os ons esto se dirigindo para uma
direo oposta ao fluxo de buracos, mas numa proporo muito menor, porque o nmero de
tomos de silcio ou germnio e muito maior do que os tomos das impurezas. Dessa forma, a
maioria dos buracos atravessa o cristal sem anular um on negativo. Tais ons so imveis.

Demonstrao transferncia de cargas Fonte: Instituto Padre Reus.

Formao do elemento tipo N
Um dos processos de dopagem do material consiste em usar elementos que contenham cinco
eltrons na sua camada de Valncia, como o antimnio ou o arsnio. So colocados na
estrutura cristalina do silcio ou do germnio na proporo de um para cada dez milhes de
tomos.Usando-se como impureza o antimnio (Sb) durante o processo de fabricao do
semicondutor, o antimnio forado a participar das ligaes covalentes do silcio ou germnio,
doando quatro eltrons para os tomos que esto ao seu lado. Os tomos vizinhos vo ficar
completos com esses 4 tomos de antimnio e estes eltrons estaro firmemente presos.O
quinto eltron do antimnio, no pertencendo estrutura cristalina, preso ao ncleo do
antimnio apenas pela fora inica.Mas mesmo temperatura ambiental normal, a agitao
trmica (que o movimento desordenado do eltron provocado pelo calor) vai fornecer energia
cintica a este eltron suficiente para que se liberte do seu ncleo e fique vagando,
completamente sem destino, dentro da estrutura cristalina do material.Este eltron e chamado
de eltron livre.Este cristal chamado do tipo N, representando a carga negativa do eltron
livre. O antimnio chamado de elemento doador de impureza.

Demonstrao formao do elemento N Fonte: Instituto Padre Reus.

O tomo de antimnio possuindo mesmo nmero de prtons e eltrons neutro eletricamente.

No momento em que o eltron que no esta participando das ligaes covalentes se liberta,
pela agitao trmica, o antimnio fica com uma carga positiva em excesso.
Dessa forma diz-se, ento que o antimnio um on positivo. Ao cristal contendo ons, dizemos
que est ionizado. Ento, dentro de um cristal do tipo N, ns vamos ter ons positivos e eltrons
livres.
Quando aplicamos uma tenso num cristal do tipo N, os eltrons livres presentes na estrutura
do cristal vo permitir o fluxo de uma corrente eltrica. Aos eltrons livres chamamos de
portadores majoritrios da corrente eltrica, num cristal do tipo N. Observe que os ons
positivos no podem mover-se porque fazem parte da estrutura cristalina do material.

Demonstrao dos ons positivos Fonte: Instituto Padre Reus.

deslocando dentro da estrutura cristalina no sentido oposto ao do fluxo de eltrons
Durante o fluxo de eltrons dentro do material do tipo N, devido tenso eltrica aplicada, pode
ocorrer que um dos eltrons venha a voltar para a sua posio original dentro do tomo de
antimnio, anulando o on positivo representado pelo antimnio desfalcado de um eltron. O
efeito de que os ons parecem estar se O deslocamento de ons, que na verdade no existe,
muito pequeno, porque o cristal apresenta apenas um on para cada dez milhes de tomos
de silcio ou germnio, por esta razo que a maioria dos eltrons passa pelo cristal sem
encontrar e anular os ons positivos. Os ons nesse caso no se movem. Eles podem parecer
se mover devido ao efeito de um eltron anular um on, e ser criado outro on dentro da
estrutura do material, parecendo deste modo fluir, em sentido contrrio aos dos eltrons.

Figura 08: Trajetria de eltron e aparente do on. Fonte: Instituto Padre Reus.
Conceito de lacuna ou vacncia
matemtico Quando um eltron adquire energia suficiente para passar da banda
Lacunas referem-se a estados da banda de valncia vazios, no preenchidos por eltrons. Elas
so tambm chamadas por buracos ou holes em Ingls. A lacuna pode ser tratada como uma
partcula de carga positiva, e que esta sua caracterstica deve-se ao comportamento estranho
dos demais eltrons da banda de valncia onde se encontra a lacuna. Na realidade a lacuna
no existe como partcula ou como entidade isolada, mas ela uma conseqncia do
movimento de eltrons num potencial peridico. Assim, a lacuna livre no existe. No

possvel criar um canho de lacunas como existe para eltrons. Lacunas resultam de um
artifcio de valncia para a banda de conduo, ele deixa atrs de si um estado vacante no topo
da banda de valncia (novamente devemos lembrar que isto significa que um eltron foi
arrancado de uma ligao, e a falta desse eltron produz esse estado vacante). Esta lacuna
pode ser ocupada por um eltron de um estado prximo (ou seja, o eltron de uma ligao
vizinha), j que pouca energia requerida para essa transio. Dessa maneira, tudo se passa
como se a lacuna se movesse dentro do cristal na banda de valncia do mesmo modo como o
eltron na banda de conduo. Na verdade, muitos eltrons so envolvidos no movimento de
uma nica lacuna, porm, ao invs de considerarmos o comportamento dos eltrons
consideraremos o da lacuna.
As lacunas comportam-se como as partculas com carga igual em magnitude a do eltron,
porm, de sinal oposto. Sob a ao de um campo eltrico, elas movemse na direo oposta
quela dos eltrons. O mecanismo qualitativo pelo qual a lacuna contribui para a condutividade
o seguinte: quando uma ligao incompleta (tal que existe uma lacuna) relativamente fcil
de ser preenchida por um eltron de valncia que deixa uma ligao covalente de um tomo
vizinho, este eltron ao sair da ligao covalente, deixa outra lacuna. Esta lacuna, nesta nova
posio, pode agora ser preenchida por um eltron oriundo de outra ligao covalente, e a
lacuna se mover na direo oposta ao movimento do eltron. Assim, efetivamente, a lacuna
se move na direo oposta direo do eltron. Temos assim, um mecanismo de conduo de
eletricidade que no envolve eltrons livres. transporte de carga positiva. Portanto, para o fluxo
de portadores, a lacuna comporta-se como uma carga positiva, igual em magnitude da carga
do eltron. Podemos ento considerar, que as lacunas so entidades fsicas cujo movimento
constitui uma corrente eltrica. As propriedades das lacunas podem ser resumidas:
a) Comportam-se como partculas de igual carga quela do eltron, porm de sinal oposto; b)
Sob a ao de um campo E, se movem a favor do campo eltrico (direo oposta a dos
eltrons); c) Existem s no topo da banda de valncia, enquanto que os eltrons se movem em
sentido contrrio com energia no p da banda de conduo.
Entretanto, no devemos esquecer que, fisicamente, somente os eltrons se movem na direo
oposta ao campo. Um grupo deles, livres, e outro grupo, preso pelas ligaes qumicas,
saltando de lacuna em lacuna disponvel. Temos assim, dois processos de conduo distintos,
e como veremos isto resultar em mobilidade diferente para cada um deles.
Mecanismo de conduo nos semicondutores
Consideremos um semicondutor com certa populao de eltrons na banda de conduo. Essa
populao depende, logicamente, da impureza existente no material e da temperatura. Esses
eltrons ocupam os nveis mais baixos da banda de conduo, sujeito s condies restritivas
de que no mais de dois eltrons podem ocupar o mesmo nvel simultaneamente. Tal restrio
na realidade no tem sentido prtico, como analisaremos a seguir. Suponhamos que essa
populao de eltrons seja de 10 eltrons/m3. Eles se encontram nos estados permitidos de
energia localizados numa faixa de aproximadamente 0,04 eV (3/2 kT a 300 K) de energia a
partir do extremo inferior da banda. Porm, nessa faixa de energia, existem nveis suficientes
para acomodar 104 vezes esse nmero de eltrons. Deste modo, os eltrons presentes na
banda de conduo tm um nmero muito grande de nveis desocupados para os quais podem
se transferir, quando suas energias forem modificadas por um campo eltrico aplicado. Muito
raramente a ao de um eltron ficar limitada pela presena dos demais. O mesmo raciocnio
vlido para a populao de lacunas na banda de valncia do material. Entretanto, nesse caso
a faixa de energia ocupada medida no sentido descendente, iniciando no topo da banda de
valncia e terminando em torno de 0,04 eV abaixo desse topo.Podemos, ento, considerar
esses eltrons e essas lacunas como praticamente livres no material. So esses portadores os
responsveis pelo transporte de corrente no semicondutor quando sujeito a um campo eltrico,
e, portanto, que determinam a condutividade do material a uma dada temperatura.
Mobilidade de carga em semicondutores

Um semicondutor tem transportadores de carga negativos e positivos. Os eltrons que saltam

para a banda de conduo so transportadores do tipo negativo e a condutividade, que eles
produzem depende de sua mobilidade atravs da BC do semicondutor. Os buracos (lacunas)
eletrnicos que so formados na banda de valncia so transportadores do tipo positivo. A
condutividade por eles produzida depende da sua mobilidade atravs da BV do semicondutor.
A mobilidade de deslocamento sendo a relao entre a velocidade de deslocamento por
unidade de campo eltrico. Esta grandeza fornece uma medida da maior ou menor facilidade
com que o eltron pode deslocar-se atravs de um dado material e depende da T e do tipo de
impureza presente nesse material (depende da natureza do processo de espalhamento).
Portadores majoritrios e portadores minoritrios
Num cristal semicondutor puro (cristal intrnseco) temperatura ambiente, aparecero eltrons
e lacunas livres em igual nmero, devido gerao trmica de portadores. Suponhamos que
existam 100 pares de electres-lacunas (100 eltrons
corrente eltrica
e 100 lacunas livres), e que sejam adicionados tomos pentavalentes (1.0, por exemplo). Como
as impurezas doadoras (tomos pentavalentes) fazem aparecer eltrons livres no interior do
cristal, cada tomo de impureza doadora contribuindo com um eltron, teremos ento 1000
electres livres, devido a tais impurezas. O cristal N, assim formado ter 100 lacunas e 1.100
eltrons livres, na temperatura de 20C, como portadores de corrente eltrica. Notaremos,
ento, que teremos dois tipos de portadores nesse cristal. Entretanto, devido ao fato de termos
adicionado impurezas doadoras, fizemos com que a maior parte dos portadores se
transformassem em eltrons. Desta forma, num cristal semicondutor tipo N, os eltrons so
portadores em maioria ou portadores majoritrios de corrente eltrica. As lacunas, por sua vez,
so portadores em minoria ou portadores minoritrios de .
Se no cristal intrnseco forem adicionados tomos trivalentes (1.0, por exemplo), cada um
desses tomos (impureza aceitadora) contribuir com uma lacuna; teremos, ento, 1.0 lacunas
livres provocadas por tais impurezas. O cristal tipo P, assim formado, ter 100 eltrons e 1.100
lacunas livres como portadores da corrente eltrica, temperatura de 20C. Assim sendo no
cristal P os portadores majoritrios so lacunas, pois esto em rnaioria os portadores
minoritrios so os eltrons, que constituem a minoria.
Para finalizar, suponhamos que o cristal tipo N ou o tipo P sejam submetidos temperatura de
zero grau absoluto (-273C). Quando os 100 eltrons e as 100 lacunas, gerados termicamente,
iro desaparecer (fenmeno da recombinao), ficando apenas os 1.0 electres livres e as 1.0
lacunas produzidas pelas impurezas. Isto permite concluir que, enquanto o cristal puro
(intrnseco) um isolante perfeito, temperatura de -273C, o cristal impuro (extrnseco) no
apresenta esse isolamento mesma temperatura.
Movimento dos eltrons e das lacunas nos semicondutores dopados.
Vimos que no cristal puro, quando submetidos a uma diferena de potencial (tenso eltrica),
os eltrons e as lacunas livres se movimentam em sentido contrrio, e que, nesse cristal, o
nmero de lacunas igual ao numero de eltrons livres. Nos cristais semicondutores dopados
(tipos N e P), os eltrons e as lacunas tambm se movimentam em sentido contrrio.
Num cristal tipo N, o fluxo de eltrons ser muito mais intenso que o fluxo de lacunas (figura A
e B), porque o nmero de eltrons livres (portadores majoritrios) muito maior que o nmero
de lacunas livres (portadores minoritrios). Entretanto, num cristal tipo P, onde o nmero de
lacunas (portadores majoritrios) maior que o nmero de eletrons livres (portadores
minoritrios), o fluxo de lacunas ser muito mais intenso que o de electres livres (figuras C e
D).

Movimento dos eletrons e das lacunas nos semicondutores Fonte: Alchemist Engenharia
Em ambos os casos, evidente que a corrente eltrica 1, pelo circuito eltrico, ser formada
apenas por electres. Na realidade, um fluxo de lacunas da direita para a esquerda equivale a
um fluxo de electres da esquerda para a direita, do mesmo modo que um fluxo de lacunas da
esquerda para a direita cor responde a um fluxo de eletrons da direita para a esquerda. Desta
forma, as correntes de lacunas e eletrons somam-se no interior do cristal, produzindo a
corrente externa 1.
Difuso
Imagine uma gota de tinta sendo colocada em um copo com gua. O que acontecer? A tinta
ir se difundir pela gua em uma tentativa de uniformizar a concentrao. Esse fenmeno de
difuso usado para explicar a corrente em uma juno PN. Quando existir uma diferena de
concentrao de portadores entre dois pontos de um condutor, esses portadores se deslocaro
entre os dois pontos fazendo aparecer uma corrente chamada de corrente de difuso.
Juno PN
livres, por isso chamada de regio de depleo
obtida conectando, de forma adequada, material P ao material N. Como existe uma diferena
de concentrao de portadores de ambos os lados da juno, inicialmente haver uma difuso
de eltrons livres do lado N indo para o lado P e ao mesmo tempo lacunas se difundiro do
lado P para o lado N. A conseqncia disso que do lado N aparecero ons positivos no
neutralizados e do lado P ons negativos no neutralizados fazendo aparecer uma regio que
no tem cargas
Essa distribuio de cargas cria uma barreira a qual se opor difuso de mais portadores
majoritrios lacunas no lado P e eltrons livres no lado N. Essa corrente representada por
IDifuso. ..
Caso algum portador minoritrio (aqueles gerados pela temperatura), eltron livre do lado P ou
lacuna do lado N, se aproxime desta regio, sero acelerados pelo campo ai existente e
passar para a outra regio. Esse fluxo representado na figura abaixo por IDeriva. Na figura a
seguir, aps o equilbrio, a soma das correntes atravs da juno zero. Isto , IDeriva=
IDifuso .

Fonte: Facstaff
Juno PN em aberto mostrando as duas correntes (difuso e de deriva). 16.1 Juno PN com
Polarizao Reversa
Quando for aplicada uma tenso com a polaridade indicada na figura 1, a largura da regio de
depleo aumentar. Aumentado a altura da barreira de potencial dificultando mais ainda a
passagem dos portadores majoritrios de um lado da juno para o outro. A nica corrente
existente a corrente devido aos portadores minoritrios os quais dependem unicamente da
temperatura, desta forma esta corrente tambm chamada de corrente reversa de saturao (Is)
s depender da temperatura sendo da ordem de nA (Si) ou uA (Ge). Observe que essa
corrente ajudada pelo campo eltrico que se estabelece na regio de carga espacial.

Fonte: Facstaff
Juno PN com polarizao reversa 16.2 Juno PN com Polarizao Direta
Quando for aplicada uma tenso com a polaridade indicada na figura 12, a largura da regio de
depleo diminuir, diminuindo a altura da barreira de potencial facilitando o deslocamento dos
portadores majoritrios de um lado da juno para o outro. Inicialmente toda a tenso estar
aplicada diretamente na regio da juno, baixando a barreira de potencial, e a queda de
tenso no material N e P desprezvel. A corrente controlada pela variao da altura da
barreira.
destruindo o componente por efeito Joule
A medida que a corrente aumenta, a tenso externa se distribui entre o material e a barreira. A
partir desse ponto a corrente passa a ser controlada pela resistncia direta do material (a
corrente no diodo passa a ter um comportamento aproximadamente linear com a tenso).
Colocando adequadamente terminais de contato em ambas as extremidades teremos um
componente chamado de diodo de juno. Para limitar a corrente no circuito necessrio
colocar em serie com o diodo uma resistncia hmica, caso contrrio a corrente pode aumentar
em demasia .

A corrente s aumentar efetivamente quando a tenso aplicada entre os terminais exceder

aproximadamente de 0,6V a 0,7V (para diodo de Si), quando a barreira de potencial ser
vencida.

Juno PN com polarizao direta

Fonte: Facstaff
Observe que a corrente total atravs da juno (I) ser constituda de duas componentes, a
corrente de saturao mais a corrente de difuso, sendo que a de difuso muito maior que a
de saturao. Desta forma:
I= ID - IS = ID A equao da corrente atravs da juno dada por:
Onde Is a corrente reversa de saturao, V a tenso aplicada na juno, n vale
aproximadamente 1 para Ge e 2 para Si e VT uma constante que depende da temperatura
valendo 26mV na temperatura ambiente (T=300 Kelvin).
Se V for positivo e muito maior que 26 mV, o diodo estar polarizado diretamente.
Se V for negativo e muito maior que 26 mV (em modulo) o diodo estar polarizado 17.
Aplicaes dos Materiais Semicondutores
O semicondutor um material-chave na indstria eletrnica. Os dispositivos que utilizam o
semicondutor so hoje utilizados em todo tipo de circuitos.
Os dispositivos semicondutores mais comuns so o diodo, o transistor e os dispositivos
fotossensveis, conforme discriminamos abaixo:
Diodo semicondutor: formado pela juno p e n e tem como utilidade bsica permitir o fluxo
de corrente eltrica apenas em um sentido (o sentido de polarizao direta)
Transistor: formado pela insero de um semicondutor tipo p entre dois semicondutores tipo
n ou vice-versa. O material do meio chamado base e os outros, emissor e coletor. O transistor
funciona basicamente como um amplificador de corrente se esta for alta (ligeiramente alta) ou
como um interruptor de corrente se esta for prxima de zero.
Dispositivos fotossensveis: dividem-se em Clulas fotocondutivas: fotoresistores, fotodiodos
e fototransistores; e Clulas fotovoltaicas.

As Clulas fotocondutivas funcionam da seguinte forma: Quando um fluxo luminoso incide

sobre o material semicondutor, os ftons podem fornecer aos eltrons energia suficiente para
produzir a ruptura de ligaes covalentes. A ao dos ftons ocasiona a produo de par
eltron-lacuna, o que provoca um aumento da condutividade do semicondutor. Esse fenmeno
conhecido como fotocondutividade.
Quanto s Clulas fotovoltaicas, conforme o nome indica, tais clulas produzem uma tenso
eltrica quando submetidas ao de um fluxo luminoso. Sua utilidade se estende na busca
por energia alternativa.
Microeletrnica: O advento da Microeletrnica foi um dos mais notveis avanos tecnolgicos
no campo da eletrnica, sendo fundamentalmente oriunda das necessidades inerentes ao
programa espacial americano com relao a peso, dimenses, potncia consumida e
confiabilidade. As restries impostas nestes casos eram impossveis de serem satisfeitas com
os circuitos convencionais, usando componentes discretos.
Um dos setores da Microeletrnica responsvel pelos Circuitos Integrados
(CIs). Os circuitos integrados ou chips so uma fina pastilha de silcio, onde esto agrupados
circuitos microscpicos que podem conter milhes de componentes eletrnicos como
resistores, capacitores, transistores, etc.
Dispositivo semicondutor
So componentes eletrnicos que exploram as propriedades eletrnicas de materiais
semicondutores, principalmente silcio, germnio, e arseneto de glio, assim como
semicondutores orgnicos. Dispositivos semicondutores tem substitudo dispisitivos terminicos
(tubos de vcuo) na maioria das aplicaes. Eles usam conduo no estado slido em
oposio ao estado gasoso ou emisso terminica no alto vcuo.

Dispositivos semicondutores so manufaturados tanto em dispositivos nicos disccretos como

em circuitos integrados (CIs), os quais consistem de um nmero variando de uns poucos (to
baixo quanto dois) a bilhes de dispositivos fabricados e interconectados sobre um substrato
semicondutor nico.
A principal razo porque materiais semicondutores so to teis que o comportamento de um
semicondutor pode ser facilmente manipulado pela adio de impurezas, o que conhecido
como "dopagem (a adio de um "dopante"). A condutividade de semicondutores pode ser
controlada pela introduo de um campo eltrico, pela exposio luz, e tambm presso e
calor; ento, semicondutores podem produzir excelentes sensores. A conduo de corrente em
um semicondutor ocorre via eltrons mveis ou "livres" e buracos electrnicos, coletivamente
conhecidos como portadores de carga.
Diodos Os diodos so diferentes e teis componentes eltricos. Os diodos so usados em
muitas aplicaes, como a seguir.
Convertendo energia AC a partir da linha de 60Hz em energia C para rdios, televisores,
mquinas de atendimento telefnico, computadores e muitos outros aparelhos eletrnicos.
A converso de sinais de radiofreqncia em sinais sonoros em rdios.

Os Diodos tm as seguintes caractersticas.

Os diodos so dois aparelhos de terminal, como resistores e capacitores.
Eles no tm muitos terminais como transistores ou circuitos integrados.
Em diodos atuais est diretamente relacionada tenso, como em um resistor. Eles no so
como condensadores onde a corrente est relacionada com o tempo de derivados de tenso
ou indutores onde a derivada da corrente est relacionada com a tenso.
Nos diodos a corrente no est linearmente relacionada tenso, como em um resistor.
Diodos s consomem energia. Eles no produzem energia como uma bateria. Eles so
considerados dispositivos passivos.
Os diodos so no-lineares, dois terminais, dispositivos eltricos passivos.
Em geral, os diodos tendem a permitir o fluxo de corrente em uma direo, mas tendem a inibir
o fluxo de corrente na direo oposta. O grfico abaixo mostra como o atual pode depender da
tenso de um diodo.
Fonte: Facstaff
Figura 13: Curva tenso e corrente no diodo. Observe o seguinte.
Quando a tenso sobre o diodo positivo, uma grande quantidade de corrente pode fluir uma
vez que a tenso se torna grande o suficiente.
Quando a tenso sobre o diodo negativo, praticamente nenhuma corrente flui.
O smbolo de circuito de um diodo projetado para lembrar que a corrente flui facilmente
atravs de um diodo em uma direo. O smbolo de circuito de um diodo mostrada abaixo,
juntamente com as convenes comuns para a corrente atravs do diodo e a tenso atravs do
diodo.
Figura 14: Sentido de fluxo de corrente no diodo Fonte: Facstaff
Os diodos: Deixam uma grande quantidade de fluxo de corrente atravs deles,
s vezes, eles dificilmente permitem qualquer fluxo de corrente atravs deles.
Esse comportamento nos d uma maneira de pensar o que acontece nos circuitos de diodos.
Ns vamos adotar um modelo simplificado para o diodo. Em vez da tenso de corrente curva
real para o diodo mostrado na mais leve, vermelho fino, linha curva abaixo, vamos imaginar
que o diodo tem a curva de tenso de corrente mostrado no mais espesso, escuro linhas
vermelhas abaixo.
Fonte: Facstaff
Figura 15: Curva de tenso e corrente no diodo

A tenso de corrente da curva aproximada nos d uma maneira de analisar circuitos que
contm diodos, e ter em conta o seu comportamento esquizofrnico.
Quando a corrente est fluindo, este modelo prev aproximado sem tenso atravs do diodo.
Nesta situao, dizemos que o diodo est ligado.
Quando a tenso sobre o diodo negativa, este modelo aproximado prev nenhuma corrente
flui atravs do diodo. Nesta situao, dizemos que o diodo OFF.
Agora, considera este tipo de modelo simplificado para o diodo.
Quando o diodo ligado, ele no tem voltagem, assim que age como um curto-circuito!
Quando o diodo ligado, a corrente atravs do diodo positivo, e a tenso sobre o diodo
zero.
Quando o diodo est desligado, a corrente zero, portanto, ele age como um circuito aberto.
Quando o diodo est desligado, a tenso sobre o diodo negativa, a corrente atravs do diodo
zero.
Este modelo para o diodo muitas vezes referido como o modelo de diodo ideal.
Diodos retificadores
A estrutura das cpsulas destes diodos depende, assim como a rea de sua juno, da
potncia que eles devem dissipar e da corrente que devem conduzir. Para os de baixa e mdia
potncia (at o valor Mximo de 1 watt), usam-se cpsulas de plstico.Os que tem potenciais
superiores a esse valor exigem cpsulas metlicas. No caso de potenciais muito elevadas,
essas cpsulas devem ser construdas de maneira a permitir a montagem do diodo em um
dissipador de calor com um sistema de fixao por parafuso ou por presso.
Em alguns circuitos de alimentao usam-se como alternativa para a ponte os circuitos de
retificao de onda completa. Esses circuitos aproveitam os dois semiciclos (positivo e
negativo) da tenso alternada aplicada na entrada.
Os retificadores em ponte monofsicos so formados por quatro diodos ligados entre si de
modo que ficam com dois terminais de entrada para a tenso alternada e com dois terminais de
sada para a tenso retificada. Naturalmente, um dos dois terminais positivo e outro, negativo.
Como a procura de retificadores em ponte tornou-se bastante grande, os fabricantes
resolveram oferecer aos consumidores esse tipo de montagem j pronto, ligando os quatro
diodos e envolvendo-os em uma cpsula, como se fossem um nico componente: a ponte
retificadora.
Em razo disso, h no mercado vrios tipos de pontes. Elas se diferenciam pela intensidade
mxima de corrente dos diodos que as compem e, conseqentemente, pela menor ou maior
potncia dissipada, como ocorre com os diodos isoladamente.
Diodos de sinais
Os diodos para sinais so utilizados para o tratamento dos sinais comuns num circuito.
Tambm podem ser empregados na elaborao de sinais digitais. Os diodos para sinais so
normalmente de baixa potncia.

Diodos de comutao
Os diodos de comutao diodos rpidos distinguem-se pela capacidade de trabalhar com
sinais digitais utilizados em circuitos lgicos. O parmetro que caracteriza estes diodos o
tempo de comutao. Ele depende do atraso que um juno P-N estabelece quando est
conduzindo corrente.
So considerados rpidos os diodos com tempo de comutao inferior a 100 nanosegundos,
nos modelos de media e alta potncia. Nos de baixa potncia, o tempo de comutao deve ser
da ordem de 1 nanossegundo. Para que eles sejam considerados rpidos.
Diodos de alta freqncia
Os diodos de alta so usados nos circuitos que trabalham com freqncias superiores a 1
megahertz . Estes diodos diferenciam-se dos demais por apresentarem uma baixa capacitncia
de difuso ente s duas regies semicondutoras de uma juno P-N, quando esto polarizados
no sentido de conduo.
Diodos estabilizadores de tenso
Os diodos estabilizadores de tenso, tambm chamados diodos Zener, so usados para se
obter, entre seus terminais, uma tenso constante e relativamente independente da corrente
que os atravessa.
O EFEITO HALL
A expresso (8.2) tambm permitiu a descoberta do efeito Hall que, como veremos,
extremamente til na indstria microeletrnica.
A figura 8.2 esquematiza o arranjo experimental para o estudo do efeito Hall. Tem-se uma fita
condutora com seo reta A (=Ld) atravs da qual circula um feixe de eltrons com velocidade
v.

Figura 8.2
Aplicando-se um campo magntico na direo horizontal, conforme indicado na figura 8.2,
resulta numa fora magntica na direo perpendicular ao movimento eletrnico, no sentido de
cima para baixo. Esta fora far com que o movimento dos eltrons seja desviado para baixo.
Com o tempo, cargas negativas acumulam-se na face inferior, e cargas positivas na face
superior.
O excesso de cargas positivas e negativas, funciona como um capacitor de placas paralelas,
com um campo eltrico conhecido como campo Hall. Chegar um momento em que a
fora Hall equilibra a fora magntica,
qEH = qvB

Usando a eq. (6.3), J=nqv, e a definio da densidade de corrente, J=i/A, obtm-se

Por outro lado, EH = VH/d. Resulta da que

Tendo em conta que a seo reta dada por A=Ld, obtm-se

(8.4)
O efeito Hall permite a obteno de dois resultados importantes. Em primeiro lugar, possvel
determinar o sinal da carga dos portadores, bastando medir a diferena de potencial entre as
superfcies superior e inferior. Em segundo lugar, a eq. (8.4) fornece o valor da densidade de
portadores.
Esses dois resultados so de extrema importncia na indstria eletrnica, pois permite a
fabricao de dispositivos que dependem do tipo (eltrons ou lacunas) e da quantidade de
portadores.