7.

I semiconduttori
Sono i costituenti fondamentali dellelettronica moderna (diodi, transistor, circuiti integrati,
etc.).
Sono solidi covalenti (legati dallo scambio di elettroni di valenza).
I legami sono direzionali. Non ci sono elettroni liberi.
=>

Banda di valenza (b.v.)

Banda di conduzione (b.c.)

completamente piena.
completamente vuota (a T = 0 K).

=> I semiconduttori sono isolanti.

Per la banda proibita piccola

A T = 300 K

Si: 1.14 eV
Ge: 0.67 eV

kT = 0.025 eV

=> Il valore della distribuzione di Fermi che governa la popolazione relativa di uno stato
energetico nella banda di conduzione rispetto ad uno nella banda di valenza piccolo.
Per il numero di stati nella b.c. molto alto.
=> Leccitazione termica di elettroni dalla b.v. alla b.c. si ha per un numero considerevole (in
termini assoluti) di elettroni [numero di elettroni per stato quantico x numero di stati per
intervallo unitario di energia - n(E)N(E)].
Inoltre, la conduttivit cresce rapidamente con la temperatura T (il numero di elettroni
termicamente eccitati nel Si cresce di un fattore 10 quando T passa da 300 a 600 K).
Si deve anche considerare che, poich la banda di valenza piena (a basse T) con i 4 elettroni
del Si o Ge formanti i legami covalenti, ogni elettrone eccitato lascia una lacuna nella banda
di valenza. Queste lacune (o buche) contribuiscono alla conduttivit (conduttivit intrinseca).

Conduction
band

Illuminando il semiconduttore:
Conduttivit estrinseca:

fotoconduttivit
impurezze

Se aggiungiamo una piccola quantit di As al Ge fuso (o lo impiantiamo nel Ge cristallino), si

possono far cristallizzare le impurit di As con il Si in una struttura tipo diamante.
Ma lAs ha 5 elettroni per atomo nella banda di valenza.

4 elettroni sono usati per formare i legami covalenti con il Ge, 1

elettrone resta quasi libero.
Non pu andare nella banda di valenza (piena), legato molto debolmente e si muove su
unorbita di raggio relativamente grande.
Lattrazione coulombiana dello ione As schermata in gran parte dalla polarizzazione degli
atomi di Ge adiacenti, cio il campo elettrico dello ione indebolito dalla natura dielettrica
del cristallo di Ge.
Lelettrone passa facilmente nella banda di conduzione ad una T molto minore di quella

necessaria ad un elettrone della banda di valenza. Cio, prima occupa stati discreti
prossimi alla banda di conduzione. Poi termicamente eccitato nella banda di conduzione
(a T = 300 K, tutti gli elettroni di questo tipo sono in banda di conduzione).
Si pu controllare la conducibilit del Ge (o del Si) controllando la concentrazione di As

(donore di elettroni). Le concentrazioni di impurezze sono dellordine di 1/106.

Possiamo fare un calcolo approssimativo dellenergia di legame dellelettrone in pi dellAs
in un cristallo di Ge.
Lelettrone si muove nel campo dello ione As + e si comporta come lelettrone nello stato
fondamentale di un atomo idrogenoide. La differenza sta nel fatto che non si muove nel vuoto
ma in un cristallo polarizzabile con una certa er.
Lenergia potenziale del sistema elettrone - ione -e2/4peoerr.
I livelli energetici corrispondenti sono quelli dellatomo idrogenoide, dove 1/4peo
sostituito da 1/4peoer e la massa m dalla massa efficace m*.

E = -mZ2e4/(4peo)22h2n2

Si ha

E = -m*Z2e4/(4peoer)22h2n2

E @-e4m*/(4peo)22h2n2er2

Poich lelettrone vicino al limite inferiore di una banda, d2E/dk2 grande e di conseguenza
m* piccola.

Per er = 1, m* = m ed n = 1, si ha
Nel nostro caso, er=16, m* = 0.2 m

E=-13.6 eV.

E @ - 0.01 eV.

Lenergia necessaria per ionizzare lAs solo 0.01 eV.

Il valore misurato -0.0127 eV.

NB: il raggio dellorbita di Bohr per lelettrone dellAs in Ge erm/m* @ 80 volte il raggio
dellorbita dellelettrone per lH allo stato fondamentale (ao @ 0.5 ).

Infatti

rH = 4pe o(h /mZe )n

rAs/rH = erm/m* @ 16/0.2 = 80

=>

rAs = 4pe o er/(h /m*Ze )n

Lelettrone si muove su unorbita grande, che racchiude molti atomi di Ge. Questo giustifica
luso di una gtandezza macroscopica quale er.
Per lAs in Si si ha unenergia di legame di - 0.049 eV.
As, Sb, etc.
Ga, In, etc.

=>
=>

donori
accettori

(semiconduttori tipo n)
(semiconduttori tipo p)

Infatti, se introduciamo atomi di Ga nel cristallo di Ge, la situazione si capovolge rispetto a

quanto visto per lAs.
Il Ga ha 3 elettroni nella banda di valenza: manca un elettrone per saturare i legami covalenti.
Il risultato una buca, che pu muoversi nel cristallo, comportandosi come una carica
positiva quando un elettrone riempie una buca e ne crea unaltra.
Dal punto di vista energetico, limpurit accettore introduce dei livelli discreti vuoti un po
sopra il livello superiore della banda di valenza. Elettroni della banda di valenza sono
facilmente eccitati termicamente in questi livelli di impurezze, che li catturano, lasciando
lacune nella banda di valenza.
La separazione in energia piccola per gli stessi motivi di prima: alta costante dielettrica e
piccola massa efficace.

(Per il Ga in Si si ha DE=0.065 eV)

I livelli energetici localizzati delle impurezze non sono allargati in bande perch gli atomi di
impurezze sono molto distanti tra loro e, di conseguenza, interagiscono molto debolmente.
In un semiconduttore intrinseco il numero di stati vuoti nella banda di valenza. uguale al
numero di stati occupati nella banda di conduzione.
=> Il livello di Fermi EF sta nella banda proibita.

Ricordiamo che EF definita come lenergia per cui il numero medio di elettroni che
occuperebbero uno stato quantico a quel livello 0.5.
Se le densit di stati nelle 2 bande sono simmetriche, EF sar nel centro della banda proibita,
cio EF = Eg/2, se poniamo Ev= 0.
nlSWffi)
e

nm
nsit di stati Ev=0

n(E) numero probabile di elettroni per stato

Diagramma per Eg=kT

n(E)N(E) numero di elettroni

intervallo unitario di energia

N(f)

Eg=kT

N
(
E
)

d
e

per

Larea A proporzionale al numero di stati di valenza abbandonati da elettroni quando la

temperatura passa da 0 a T. Essa una misura del numero di buche create.
Larea B proporzionale al numero di stati di conduzione occupati alla temperatura T.
Nei semiconduttori intrinseci A = B.
Nella figura cos perch abbiamo posto EF = Eg/2. Ci non sarebbe vero se EF ^ Eg/2,
perch n(E) simmetrico attorno ad EF e N(E) pure simmetrico rispetto al centro della
banda proibita.
Calcoliamo ora il numero relativo di elettroni nella banda di conduzione per un isolante ed un
semiconduttore.
Se nella distribuzione di Fermi si ha
E - EF kT

=>

n(E)=

1
e

( E- EF ) / kT

+1

( E- EF ) / kT

Pertanto in tale intervallo di energia la distribuzione di Fermi varia come la distribuzione di

Boltzmann.

Al fondo della banda di conduzione si ha

E - EF = Eg/2, se Ev = 0.

La condizione E - EF kT soddisfatta poich E g kT per un isolante e anche per un

semiconduttore.
=>

n(E) = 1/e g

=e

numero di elettroni per stato al fondo della b.c.

La distribuzione di Fermi diminuisce di un ordine di grandezza in un intervallo di energia =

2kT. Pertanto si ottiene una buona stima di N (numero di elettroni di conduzione)
calcolando quelli nellintervallo 2kT al di sopra del fondo della banda di conduzione.
N = n(E)N(E) E
Calcoliamo ora N(E).
N(E) = 0 al fondo della banda di conduzione. Un
buon valor medio nellintervallo 0 -s- 2kT N(kT).
=> N = n(E)N(E) E = e g

N(kT) 2kT

Prendendo, come per i metalli,

N (E) = (87tV/h ) (2m )

=>

N(kT) = (87tV/h ) (2m )

(kT)

__^

33 1 / 2

1/2

N(EF) = (87tV/h) (2m ) E

e ricordando che N = (7tV/3) (8m/h )

EF

numero totale di elettroni di conduzione

)

si ha

N = (2/3) EFN(EF)

1/2

N (kT)/ N(EF = (k/EF)

=> N/ N = e g2k N(kT)2kT/(2/3)EFN(EF) = 3 e g 2 k (kT/EF)(kT/EF)1 2

s /\N / N (kT/EF) e g/

In un isolante tipico Eg= 6 eV

^>

g /

=e

= 10

Non solo N/N insignificante, ma anche il numero assoluto N di elettroni in banda di

conduzione trascurabile.
_

Invece in un semiconduttore Eg = 1 eV

__.

^>

-Eg/2kT

-20

=e

-9

= 10 .

N non pi trascurabile.
Osserviamo ora che in un semiconduttore drogato con donori, EF sta sopra il centro della
banda proibita, poich ci sono pi elettroni nella banda di conduzione che buche nella banda
di valenza.
In un semiconduttore drogato con accettori, EF sta sotto il centro della banda proibita, poich
ci sono pi buche nella banda di valenza. che elettroni nella banda di conduzione.

E interessante considerare leffetto di T e delle impurit su EF.

Iniziamo con un semiconduttore tipo n a T = 0 K.

I livelli di donore sono tutti occupati.
Non ci sono elettroni nella banda di conduzione.
=> EF deve stare tra i livelli di donore ed il fondo della banda di conduzione, poich il
numero di elettroni per stato quantico n(E) 1 fino ai livelli di donore (compresi) e zero
nella banda di conduzione.
g
n type

4
p type

tf

Se T aumenta,
elettroni passano
dai livelli di
donore alla
banda di
conduzione.
Alla T per cui 1/2 degli stati di donore vuoto, EF coincide con lenergia del livello di
donore.
Aumentando ancora T, EF scende ancora perch i livelli di donore si vuotano e poi perch
incominciano ad essere eccitati termicamente nella banda di conduzione elettroni provenienti
dalla banda di valenza.
Quando il numero di elettroni provenienti dalla banda di valenza una frazione grande di
quelli presenti nella banda di conduzione, il semiconduttore si comporta come se fosse
intrinseco ed EF scende praticamente al centro della banda proibita.
Se partiamo con un semiconduttore di tipo p, allaumentare di T, EF si muove da una
posizione tra la banda di valenza ed i livelli di accettore (che aveva a T = 0 K) verso il centro
della banda di valenza, che raggiunge a T elevata.
A basse T, quando kT Eg, la conduzione dovuta soprattutto alle impurezze. Infatti pochi
elettroni del semiconduttore possono essere eccitati termicamente dalla banda di valenza alla
banda di conduzione.
Ad alte T, le impurit hanno svolto completamente la loro funzione, cio hanno donato o
catturato elettroni, ed il semiconduttore si comporta come un semiconduttore intrinseco.

7.1 Applicazioni in elettronica

7.1.1 Diodo rettificatore
Un diodo ha impurit di tipo accettore (tipo p) in una regione del cristallo e di tipo donore
(tipo n) in unaltra. La regione di confine detta giunzione p-n.

Struttura a bande di una giunzione p-n non polarizzata a T ambiente.

Electron
enefgy
'.-'Conduction band |

Deve esserci un gradino di potenziale perch:

- EF vicina alla cima della banda di valenza nella regione p
- EF vicina al fondo della banda di conduzione nella regione n
- EF deve avere lo stesso valore nelle 2 regioni a contatto.
Se EF non fosse la stessa nelle 2 regioni, lenergia del sistema non avrebbe il valore minimo.
Lenergia potrebbe essere ridotta da elettroni che da una regione potrebbero passare ad
occupare stati di energia pi bassa nellaltra regione, ed il sistema non sarebbe in equilibrio.
In realt, un consistente flusso di elettroni si avuto quando la giunzione stata formata. Si
prodotto un accumulo di elettroni nella regione p ed una mancanza di elettroni (eccesso di
buche) nella regione n.
=> La giunzione simile ad un condensatore piano con carica negativa nel lato p e carica
positiva nel lato n.
Se un elettrone portato attraverso il campo elettrico prodotto entro lo stato dipolare, la sua
energia aumenta se passa dal lato n al lato p.
Anche dopo un certo tempo (equilibrio) c ancora una corrente di elettroni attraverso la
giunzione, in entrambi i versi.
Da una parte, di tanto in tanto leccitazione termica fa s che un elettrone passi nella banda di
conduzione della regione p, lasciando unaltra buca nella banda di valenza.
Lelettrone pu muoversi liberamente fino alla giunzione e poi essere accelerato dalla caduta
di potenziale che vede nella regione n (corrente termica).
Ancora, un elettrone della banda di conduzione della regione n con energia leggermente pi
bassa del fondo della banda di conduzione nella regione p pu acquistare energia e passare
nella regione p. Qui pu ricombinarsi con una delle tante buche della regione p (corrente di
ricombinazione).
Allequilibrio:

corrente termica = corrente di ricombinazione.

Applichiamo ora una differenza di potenziale, con polo - al lato p e polo + al lato n
(polarizzazione inversa, reverse bias). Ci aumenter lenergia degli elettroni nella regione p
e diminuir lenergia degli elettroni nella regione n.

Laltezza della barriera di potenziale tra le 2 regioni aumenta.

Poich la giunzione stata gi vuotata dei portatori di carica. la sua resistenza relativamente
alta e quasi tutta la caduta di potenziale si ha ai capi della giunzione.
Poich la corrente termica dipende da T e da E g, e poich la differenza di potenziale applicata
non cambia n T n Eg, la corrente termica non cambia.
Invece la corrente di ricombinazione diminuisce molto, perch la barriera di potenziale alla
giunzione pi alta e solo pochi elettroni, che si trovano nella coda esponenziale della
distribuzione di Fermi, hanno qualche probabilit di passare nella banda di conduzione della
regione p.
C una debole corrente di elettroni dalla parte p verso la regione n, a causa della

corrente termica non bilanciata.

Questa corrente di elettroni va naturalmente nel verso che ci si aspetta produca la differenza
di potenziale applicata. Essa costituisce la debole corrente di polarizzazione inversa (reverse
biased current).
Applichiamo ora una differenza di potenziale con polarit + alla regione p e polarit - alla
regione n (polarizzazione diretta, forward bias).
Laltezza della barriera alla giunzione diminuisce. Anche in questo caso non varia la corrente
termica. Invece aumenta fortemente la corrente di ricombinazione.
Infatti, i molti elettroni con energia vicina ad EF nella distribuzione di Fermi della regione n
acquistano energia sufficiente per passare nella banda di conduzione della regione p, poich il
fondo della banda di conduzione nella regione p si abbassato.
Questi elettroni non rispondono istantaneamente allapplicazione della differenza di
potenziale (diretta), ma piuttosto diffondono nella regione p come le molecole di un gas che
passano in un regime di pressione pi bassa.
La corrente netta di elettroni in una giunzione polarizzata direttamente ha il verso della
corrente di ricombinazione degli elettroni.
NB: 1) giunzione non polarizzata
corrente termica
corrente di ricombinazione

-- -2) giunzione polarizzata inversamente

--
corrente termica corrente
di ricombinazione

: 3) giunzione polarizzata direttamente

--

corrente termica
corrente di ricombinazione

-----------

La giunzione p-n si comporta come un diodo rettificatore poich, per un dato valore della
differenza di potenziale, la corrente con polarizzzazione diretta molto maggiore della
corrente con polarizzazione inversa.
La resistenza della giunzione per la polarizzazione inversa 4 - 5 ordini di grandezza
maggiore della resistenza per la polarizzazione diretta.
Non cambia nulla se, invece del flusso di elettroni consideriamo il flusso di lacune.
La giunzione p-n non un elemento ohmico.
Caratteristica della giunzione p-n:
Circuit symbol:

f
1
-0.001

2
V(V0HS)

-0.002

10
-250
Si li cor recttfier
type 1N256

,-,
E

Il diodo a giunzione ha molti vantaggi rispetto al diodo a vuoto (dimensioni ridotte, assenza
di filamenti incandescenti, basso consumo di energia, etc.).

7.1.2 Transistor
Il transistor ottenuto dalla combinazione di 2 giunzioni rettificanti p-n-p o n-p-n.

In figura indicato un circuito, in cui il transistor agisce come amplificatore di potenza.

La giunzione emettitore - base polarizzata direttamente. La
resistenza alla corrente bassa in questa regione.
La giunzione base - collettore polarizzata inversamente. La
resistenza alla corrente alta in questa regione.

IEmrtter
CircLrit
S mA
c <mA)svmbol
/ff = 5mA
i
2
3

JjL-

Sfficoo n-p-n transistor

type 2N3646

Tuttavia, quando si applica una tensione (diretta) nel circuito emettitore - base, in modo da
far scorrere una corrente, gli elettroni che arrivano nella base (molto sottile e di conduttivit
pi bassa dellemettitore) sono attirati verso il collettore dalla differenza di potenziale tra la
base ed il collettore. Quindi ci sar una corrente nel circuito base - collettore.
Poich lemettitore ha una conducibilit s pi grande della base, la corrente che attraversa la
giunzione emettitore - base dovuta soprattutto ad elettroni che si muovono dallemettitore
alla base.
Idea base del funzionamento del transistor: una corrente nel circuito dell emettitore controlla
la corrente nel circuito del collettore. Pi del 90% della corrente dellemettitore passa
attraverso il collettore.
=>

Le correnti IE e IC sono quasi uguali.

Invece VCB pu essere di VEB, poich il circuito collettore - base polarizzato

negativamente. Cos la potenza duscita del circuito collettore - base pu essere molto
maggiore della potenza dingresso del circuito emettitore - base.
=> Questo tipo di transistor funziona come amplificatore di potenza.
Con altre configurazioni possono essere realizzati amplificatori di corrente o di tensione.

7.1.3 Diodo tunnel

Sfrutta il fenomeno della penetrazione attraverso una barriera di potenziale.
E` costituito da una giunzione p-n con una concentrazione molto alta di impurit.
Poich la densit di drogante alta, la giunzione molto stretta (~10 m) perch una piccola
lunghezza di materiale contiene abbastanza portatori di carica da produrre la polarizzazione
voluta.

1 livelli di donore e di accettore sono ora bande che si sovrappongono alla banda di
conduzione ed alla banda di valenza nella parte n e p, rispettivamente.
2 livello di Fermi di conseguenza nella banda di conduzione della parte n e nella banda di
valenza della parte p.
Poich la giunzione molto sottile, elettroni possono passare attraverso la banda proibita
nella giunzione, per un processo che simile alla penetrazione attraverso una barriera di
potenziale.
Se la giunzione non polarizzata (caso a), allequilibrio la frequenza di attraversamento nei
due sensi uguale.
Polarizziamo ora positivamente la giunzione (caso b). Il flusso di elettroni dalla regione n
alla regione p aumenta perch ci sono pi stati permessi vuoti nella banda di valenza nel lato
p, mentre diminuisce il flusso di elettroni dalla parte p verso la parte n.
C quindi un flusso netto di elettroni dalla parte n alla parte p.
Aumentando la differenza di potenziale applicata (caso c), la corrente netta diminuisce e si
riduce a ~ 0, poich elettroni nel materiale n non trovano stati permessi nella parte p in cui
passare.

Aumentando ancora la differenza di potenziale applicata, la corrente di elettroni diventa

quella caratteristica di una giunzione p-n normale. Cio elettroni, eccitati termicamente,
diffondono nella regione p senza attraversare la barriera.
Caratteristica I-V del diodo tunnel

V(volts)

NB: nella regione b-c, dI/dV<0

=>

resistenza negativa!

Il diodo tunnel costituisce un buon interruttore per computer.

Vantaggio principale: risposta veloce nella regione a-c perch la corrente non regolata dal
processo di diffusione di elettroni (relativamente lento), ma dallaltezza della barriera
(variazione istantanea con V).
=> Si possono realizzare

oscillatori a 10 Hz
interruttori a 10 s.

7.2 Diodi a emissione di luce (Light emitting diode - LED)

Oltre ai semiconduttori semplici (germanio e silicio, appartenenti al gruppo IV A della tavola
periodica), esistono anche i semiconduttori composti. Un semiconduttore composto si
ottiene dalla combinazione di pi elementi chimici. Con la combinazione di elementi del
gruppo V A e III A, come nel caso dell'arseniuro di gallio (GaAs, combinazione di arsenico e
gallio), o del gruppo II B e VI A (zinco o cadmio e selenio), si possono produrre
semiconduttori dalla caratteristiche diverse ed interessanti.
Per un semiconduttore si distinguono le bande di conduzione e di valenza, separate da una
regione proibita. Queste bande sono descritte dalle relazioni tra lenergia e il momento (o il
vettore donda k degli elettroni).

Una tipica struttura a bande di un semiconduttore rappresentata in figura:

Il silicio ed il germanio hanno una band-gap indiretta. La maggior parte dei semiconduttori
composti ha una band-gap diretta.
Banda proibita diretta significa che il minimo in energia della banda di conduzione sta
direttamente sopra al massimo della banda di valenza nello spazio dei momenti (o di k).
Analogamente banda proibita indiretta significa che il minimo della banda di conduzione e il
massimo della banda di valenza occorrono a valori di momento (o di k) diversi. In un
semiconduttore a banda proibita diretta, gli elettroni che stanno al fondo della banda di
conduzione possono ricombinarsi direttamente con buche che stanno al massimo della banda
di valenza, conservando il loro momento (non c' bisogno di variazione di k). Questa
ricombinazione detta radiativa (la differenza in energia emessa sotto forma di un
fotone).
Nei semiconduttori a banda proibita indiretta, come il silicio ed il germanio, il momento di un
elettrone che si trova al minimo della banda di conduzione non lo stesso del momento di un
elettrone che si trova alla cima della banda di valenza. Pertanto una transizione diretta
attraverso la banda proibita non pu avvenire perch violerebbe il principio di conservazione
del momento.
La ricombinazione pu avvenire solo con la mediazione di un terzo corpo, come un fonone o
un difetto del cristallo. Queste ricombinazioni liberano in genere un fonone, non un fotone.
Ci significa che nei semiconduttori a banda proibita indiretta l'emissione di luce debole e
poco efficiente.
Allo stesso modo l'assorbimento della luce da parte di un semiconduttore a banda proibita
indiretta molto pi debole rispetto a un semiconduttore a banda proibita diretta.
Poich nel processo di emissione devono valere entrambe le leggi di conservazione
dell'energia e del momento, l'unico modo per portare un elettrone dal massimo della banda di
valenza al minimo della banda di conduzione di emettere (o assorbire) simultaneamente un
fonone che compensi il momento mancante: questa transizione combinata (del secondo
ordine) ha una probabilit molto minore.
Nei diodi a silicio e a germanio, gli elettroni e le buche ricombinandosi effettuano transizioni
non-radiative, cio non emettono fotoni (a causa delle bande proibite indirette).
I LED sono diodi a giunzione di semiconduttori a banda proibita diretta, polarizzati
direttamente I materiali semiconduttori usati per i LED hanno una band-gap diretta con E g
corrispondenti a radiazione nel vicino infrarosso (NIR), visibile o ultravioletto (UV).

Il primo esempio di semiconduttore a banda diretta stato il GaAs.

Come un normale diodo a giunzione, il LED formato da un semiconduttore drogato in
modo da formare una giunzione p-n. Come negli altri diodi a giunzione, la corrente scorre
facilmente (resistenza bassa) dal lato p (anodo) al lato n (catodo), ma non in direzione
inversa.
I portatori di carica, elettroni e lacune, arrivano alla giunzione con energie diverse (sono
emessi da regioni a potenziale diverso). In condizioni di polarizzazione diretta, quando un
elettrone neutralizza una buca, cade in un livello di energia pi basso. La differenza di energia
emessa sotto forma di un fotone.
La lunghezza d'onda della luce emessa, e perci il suo colore, dipende dall'altezza della banda
proibita del semiconduttore che forma la giunzione p-n.
L'arseniuro di gallio (GaAs) emette nell'IR o nel rosso. Per il visibile e l'UV, i LED sono in
genere formato da giunzioni di due semiconduttori diversi: uno, di tipo n, forma il substrato
su cui depositato un semiconduttore di tipo p..
I LED emettono tanta pi luce quanta pi elevata la corrente li attraversa. In genere
necessaria una corrente minima di 4 mA (corrente di soglia) perch possano emettere luce in
quantit percettibile. La corrente varia in funzione del tipo di diodo LED impiegato. I diodi
LED "normali" richiedono di media 15 mA per emettere una buona luminosit. Nel caso di
LED HL (alta luminosit) la corrente sale fino a valori di circa 20-25 mA. LED di nuova
concezione, ad altissima luminosit, possono assorbire fino ad 1 A di corrente. In questo caso
previsto l'accoppiamento meccanico a un dissipatore di calore.

Esempi:
4 Aluminium gallium arsenide (AlGaAs) red and infrared 4- Aluminium gallium
phosphide (AlGaP) green >k Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
high-brightness orange-red,
orange, yellow, and green i- Gallium arsenide phosphide (GaAsP) red, orange-red,
orange, and yellow 4- Gallium phosphide (GaP) red, yellow and green 4- Gallium
nitride (GaN) green, pure green (or emerald green), and blue also white (if
it has an AlGaN Quantum Barrier) "4- Indium gallium nitride (InGaN) 450 nm 470 nm near ultraviolet, bluish-green
and blue 4 Silicon carbide (SiC) as
substrate blue

i- Silicon (Si) as substrate blue (under development) it

Sapphire (Al2O3) as substrate blue 4- Zinc selenide
(ZnSe) blue i- Diamond (C) ultraviolet
^t- Aluminium nitride (AlN), aluminium gallium nitride (AlGaN), aluminium gallium
indium nitride (AlGaInN) near to far ultraviolet (down to 210 nm)

7.3 Il diodo laser

E' un laser in cui il componente attivo un semiconduttore simile a quelli impiegati nella
produzione di LED.
La tipologia pi pratica e comune di diodo laser formata da una giunzione p-n alimentata da
corrente elettrica iniettata. Questi dispositivi vengono spesso chiamati diodi laser a iniezione
per distinguerli da quelli pompati otticamente, che sono pi facili da produrre in laboratorio,
ma meno efficienti.

Immagine di un diodo laser

Come i diodi LED, anche i diodi laser emettono luce tramite la ricombinazione di elettroni e
lacune nella zona di barriera del diodo: la differenza fondamentale che questa emissione
stimolata dalla luce stessa, e che la luce emessa coerente.
Questo viene ottenuto con una struttura del diodo a sandwich con tre zone drogate in modo
diverso (n - p - p+) che presentano anche un diverso indice di rifrazione: in pratica, le zone di
confine n-p e p-p+ si comportano come due specchi che riflettono la luce emessa nel diodo e
la confinano al suo interno. In questo modo i fotoni in viaggio nel diodo stimolano gli
elettroni e le lacune negli atomi di semiconduttore a ricombinarsi emettendo un altro fotone
con la stessa lunghezza d'onda e la stessa fase di quello incidente, cio stimolano una
emissione coerente.
Normalmente i diodi laser sono realizzati in arseniuro di gallio o in arseniuro di gallio e
alluminio, per ottenere una differenza di indici di rifrazione fra le tre zone che sia il pi
possibile alta.
L'emissione laser si instaura polarizzando il diodo portandolo in conduzione diretta, e solo
quando si oltrepassa una corrente di soglia variabile a seconda dei modelli dai 20 ai 30 mA.