Nama : Rumaisya Hilmawati

NIM

: M0213084

Tugas-Resensi paper mengenai fungsional properties

Sumber:
Journal Name : Sensing and Bio-Sensing Research 9 (2016) 4552
Title
: A novel ZnO piezoelectric microcantilever energy scavenger
Author
: Deepak Bhatia, Himanshu Sharma, R.S. Meena, V.R. Palkar
Resensi:
Pada jurnal ini akan dikembangkan teknologi pembangkit tenaga dari peralatan nano
serta sensor pada aplikasi medical maupun agricultural dnegan memanfaatkan lapisan tipis
Piezoelectric ZnO microcantilever di fabrikasikan dengan teknik micromachine. Untuk
melepaskan cantilever, silicon anisotropic diberikan tetramethyl ammonium hydroxide(TMAH).
Koefisien piezoelectric transverse d31 dari lapisan ZnO didapatkan dari pembelokan cantilever
dengan pengaruh tegangan yang diaplikasikan dihitung 3,32 pC/N. Karakteristik dari
piezoelectric microcantilever mempunyai respon yang linier dengan tegangannya. Nilai modulus
young dan kekerasan didapatkan sebesar 208 4 GPa dan 4,84 0,1 GPa. Metode ini tidak
memakan biaya yang banyak dan desain yang fleksibel. Tegangan yang dihasilkan 230 mV.
Seperti yang telah diketahui, kemajuan dibidang teknologi membuat permintaan peralatan
individu menurun. Sehingga perubahan energi dengan mengubah energi getar menjadi listrik
adalah solusi yang menjanjikan. Getaran mekanik lebih banyak digunakan dibandingkan dengan
sumber energy lainnya karena keberadaannya sangat banyak dan mudah untuk dikonversikan.
Dahulu banyak percobaan mengkonversi getaran dengan frekuensi rendah menggunakan
micromachined piezoelectric cantilevers. Dengan merubah bentuk cantilever dari persegi
menjadi segitiga ataupun trapezoid mengakibatkan kenaikan nilai rata-rata dari regangan, tetapi
banyak batasan dan sulit.
Z.L Wang et.al telah melakukan konversi energi pada mekanikal nano dengan
mengenalkan kabel nano ZnO untuk memproduksi energy pada skala nano dan peralatan dengan
menggunakan kabel nano ZnO seperti nanowire generator(NWG) tegangan DC, lalu peralatan
nano dengan tenaga sendiri. Kabel nano membuktikan efesiensi dari pengkonversian energy,
tetapi output keluaran tidak stabil serta lifetime yang singkat dan kesukarannya pada tiap
peralatan nano.
Struktur cantilevers cocok digunakan untuk pengkonversian energy karena nilai
kekakuan yang rendah dan mudah untuk di desain pada sistem dengan frekuensi rendah. Jurnal
ini berfokus pada fabrikasi dan karakterisasi dari lapisan tipis ZnO pada
mikrocantilever(500x100x0,3m3) dengan menggunakan metode yang simple. Untuk
mengkonversi energy listrik menjadi energy mekanik seperti gaya dan pergeseran, efek dari
piezoelectric digunakan penggerak piezoelectric cantilever. Aplikasi dari ini pada mesin
ultrasonic, detector peledak, sensor agricultural, sensor bio, ujung dari probe atomic-force
microscopy(AFM), sensor wireless dan peralatan nano.

ZnO digunakan karena sebagai piezoelectric yang baik dan bebas dari batasan yang ada
pada PZT(Lead Zirconate Tinate), ZnO juga dapat ditarik dengan baik(sedikit lentur) dan
digunakan untuk aplikasi peralatan Micro Electro Mechanical System(MEMS). Dengan
kombinasi unik dari elektrikal, optikal dan piezoelectric dari ZnO sehingga berpotensi sebagai
solarsel, photodetector dan LED. Tetapi piezoelectric dari ZnO biasanya sangat kecil.
Desain yang sering digunakan pada piezoelectric microcantilever adalah seperti pada
gambar 1 pada jurnal, dimana gambar tersebut diambil menggunakan SEM. Dan pada gambar 2
jurnal digambarkan sebagai pembelokan piezoelectric cantilever dari gaya luar dengan
pergeseran (I). Hubungan gaya dan pergeseran serta resonansi frekuensi adalah spesifikasi yang
penting dalam mendesain piezoelectric.
Resonansi frekuensi dari cantilever didapatkan dari solusi eigen value ke empat,
resonansi mendasarnya adalah
0,1615

f 0=
2
(1)
L
( E t + E p t p ) ( t +t p p )

Dimana p dan sub adalah piezoelectric dan elastisitas material, L adalah panjang, t adalah
ketebalan, adalah densitas dan adalah
=E2p t 4p + E 2 t 4 +2 E p t p E t ( 2t 2 + 2t 2p +3 t p t )

(2)

Dimana L, M, I dan E adalah panjang, massa, momen inersia dan modulus young. Sehingga
M =W ( t + t p p )

(3)

Untuk menghitung flexural rigidity EI adalah

EI =

W
12( E t + Et t p)

(4)

Dari pers (3) dan (4) dan f 0= 0 /2

0 =

3,5160
2
L

pada pers (1), maka

EI
M

(5)

Koefiesien regangan transverse dari piezoelectric yang melintang d31 adalah

d 31=

d 31=

(l)
1
3 E E p t ( t +t p ) L2 V

( l) t p
L V

Pembelokan adalah

(6)

(7)

( l )=

3 L t ( t p +t ) E E p V d 31
E 2p t 4p + E2 t 2 +2 E p t p E t ( 2t 2 + 2t 2p +3 t p t )

(8)

Pada jurnal ini digunakan Pizoelectric ZnO microcantilever yang dibentuk oleh proses
micromachining dengan pola standar litografi optik dan lapisan berturut-turut yang menumpuk.
Diketahui TMAH atau Tetramethyl ammonium hidroksida merupakan ikon anisotropic popular
Silikon (Si) tdak mengandung ion-ion logam alkali dan karena sifat itu maka digunakan proses
micromaching. Pada gambar 3 di jurnal ini terlihat dinding Si didefinisikan oleh pesawat (111),
dimana sudut antara pesawat (100) dan dinding Si adalah 54,7.
Kemudian dilakukan beberapa tahapan dalam pembuatan ZnO microcantilever, proses
dimulai dengan pembersihan wafer silicon dengan metode RCA. 1 pm lapisan SiO2
ditumbuhkan pada wafer Si dalam proses dengan metode oksidasi termal. Lapisan ini berfungsi
sebagai masker ke Si dalam proses TMAH pada Si. Kemudian SU-8 2100 dengan ketebalan
150m di aduk pada wafer dengan menggunakan pengikis untuk menempatkan SU-8. Setelah
SU-8 tertutup silicon wafer ditempatkan pada pemanas untuk menghilangkan gelembung dan
untuk melancarkan selama proses pemanasan. Akhirnya, wafer dicelupkan dalam pengembang
SU8. Selanjutnya film tipis ZnO diendapkan dengan metode dielectric sputtering (RF
magnetron) menggunakan target ZnO (99,9%) dengan diameter 2 inch dan ketebalan 3
mm. Selama deposisi lapisan tipis ZnO kekuatan RF adalah 100 W, tekanan dasar adalah 5
10- 5 mbar dan tekanan operasi alat adalah 2,2 10- 2 mbar. Lapisan tipis kemudian
diendapkan pada keadaan tingkat deposisinya dari 5 nm / menit. ZnO cantilever terbuat
pola dnegan stander litograf optic. Lapisan ZnO cantilevers yang dicapai oleh SU-8 2100
pada standar PG memiliki solusi remover pada 70 C, dimana proses ini digambarkan pada
gambar 4 pada jurnal ini.
Oleh karena itu, proses microfabrication termasuk dari kantilever mikro dari Si dan
lapisan tipis ZnO, elektroda deposisi dan polanya. The Hysitron, Inc. Minneapolis USA
membuat model yang nanoindenter TI-900, yang digunakan untuk pengukuran Modulus Young
dan kekerasan lapisin tipis ZnO.
Hasil dari eksperimen pada jurnal ini kemudian dianalisa struktur kristal dan kekasaran
permukaan (morfologi) dari lapisan ZnO dengan menggunakan X-ray Diffractometer
(XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) dan Atomic Force Microscopy (AFM). X-ray
dari rigaku (radiasi Cu-K, = 1,5405 ) digunakan untuk identifikasi fase struktural
kation. Pola XRD pada gambar 5 tercatat bahwa lapisan tipis ZnO telah diidentifikasi
difraksi tinggi puncak yang terletak di sekitar 34,4220 sangat tinggi dan yang setara dengan
ZnO puncak (002). Jadi disebutkan lapisan tipis ZnO pada substrat Si memiliki pilihan
orientasi c-axis, yang merupakan kondisi yang penting untuk kualitas piezoelektrik yang
baik. Kedalaman Si dinilai dengan profilometer (Ambios, USA). Kedalaman diukur dari Vgroove di Si wafer adalah 160 m.

Untuk menentukan morfologi permukaan lapisan tipis ZnO, Scanning mikroskop

elektron (SEM) dilakukan dengan menggunakan Raith150Two seperti yang ditunjukkan
pada gambar 6. Tampaknya dari angka bahwa butir dari lapisan ZnO yang disimpan secara
seragam terdistribusi dengan hampir ukuran yang sama dan sangat kompak. Ukuran butir
dalam ZnO tipis fi lm ditemukan dari urutan 35-40 nm, dengan struktur columnar. SEM
dan profilometer juga digunakan untuk menganalisa keseragaman dan ketebalan ZnO filmfilm dengan struktur granular. Ketebalan ZnO fi lm adalah sekitar 0,3 m.
Lebih lanjut, pada gambar 7 menunjukkan atom mikroskop (AFM) gambar dari
lapisan tipis ZnO dengan daerah scan 500 nm dan tinggi scan 30 nm. AFM gambar
menunjukkan bahwa lapisan tipis ZnO memiliki permukaan yang sangat seragam, dan
kekasaran permukaan adalah 5,687 nm. SEM gambar sepenuhnya hebat-ricated ZnO
kantilever yang telah diketahui. Yang jelas menggambarkan bahwa perangkat palsu stabil
dan mempertahankan negara berdiri bebas yang otomatis tanpa deformasi struktural.
Dimensi dari microcantilever ZnO adalah sekitar 500 100 m2.

Teknik nanoindentation digunakan untuk menghitung sifat mekanik. Pemuatan muat dari
indentor dengan metode standar yang digunakan untuk menghitung Kekerasan dan Young
modulus dari film-film ZnO. Kekerasan material menunjukkan resistensi terhadap deformasi

elastis, sedangkan Young modulus Es dari suatu material didefinisikan dalam hal kekakuan
atau ketahanan terhadap deformasi plastic. Perkiraan modulus young pada lapisan tipis
ZnO pada eksperimen ini adalah 208 4 GPa dan kekerasan sebagai fungsi kedalaman
penetrasi 4.84 0,1 GPa. Nilai-nilai yang diperoleh dari modulus dan kekerasan Young
hampir konstan menunjukkan bahwa efek dari substrat tidak berarti bagi kedalaman lekukan
tersebut.

Untuk mengevaluasi kinerja dari microcantilever aktuator piezoelektrik,

karakterisasi dilakukan dengan Polytec MSA 500 Laser Doppler vibrometer (LDV).
Respon dinamik dari ZnO microcantilever yang dibuat ditangkap menggunakan LDV, dan
kemudian data diuji dan dianalisa dan dihitung transfer konstan piezoelektrik d 31. Pada
kurva diatas menunjukkan kurva besarnya kecepatan ujung kantilever ini sebagai fungsi
dari frekuensi input getaran. Telah diamati bahwa frekuensi resonansi dari microcantilever
adalah 72.312 Hz. Ketika sinyal gelombang sinus diterapkan (tegangan AC) oleh stasiun
probe di bagian bawah dan elektroda atas microcantilever ZnO, sesuai dengan piezoelektrik
efek kantilever menghasilkan getaran. Getaran ini dari kantilever terdeteksi oleh LDV dan
kecepatan dan perpindahan dari cantilever diukur. piezoelektrik d31 melintang konstan dari
data lapisan tipis ZnO dihitung diperoleh dari LDV adalah -3,32 pC / N yang relatif lebih tinggi
dari yang lain. Dengan optimalisasi kondisi ion endapan dari lapisan tipis ZnO (yaitu daya RF,
O2 / (Ar + O2) rasio gas) dan modifikasi dalam proses fabrikasi, nilai-nilai yang lebih tinggi
dari piezoelektrik d31 melintang konstan dari lapisan tipis ZnO dapat diperoleh.dari energi
microcantilever ZnO.