Anda di halaman 1dari 25

DIODE DAN RANGKAIAN DIODE

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

OLEH :
PUTU RUSDI ARIAWAN (0804405050)

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO


FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS UDAYANA
DENPASAR
2010

PUTU RUSDI ARIAWAN


PERCOBAAN I
DIODE DAN RANGKAIAN DIODE

1.1 Tujuan Percobaan.


1.1.1 Memeriksa Kondisi Dioda
1.1.2 Mempelajari karakteristik I = f (V), bias reverse dan bias forward

1.2 Tinjauan Pustaka.

Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat


penting dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel
periodik dan mempunyai elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan
germanium berbentuk tetrahedral dengan setiap atom memakai bersama
sebuah elektron valensi dengan atom-atom tetangganya. Gambar 1.2.1
memperlihatkan bentuk ikatan kovalen dalam dua dimensi. Pada temperature
mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit terluar terikat dengan erat
sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator.

Gambar 1.2.1 Ikatan kovalen silikon dalam dua dimensi

Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1
eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang
(300K), sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk
melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi
menjadi elektron bebas. Dioda termasuk komponen elektronika yang terbuat dari

PUTU RUSDI ARIAWAN


bahan semikonduktor. Beranjak dari penemuan dioda, para ahli menemukan
juga komponen turunan lainnya yang unik.

1.2.1 Semikonduktor tipe-n

Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil


atom pengotor pentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon
murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai lima elektron valensi
sehingga secara efektif memiliki muatan sebesar +5q. Saat sebuah atom
pentavalen menempati posisi atom silicon dalam kisi kristal, hanya empat
elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa
sebuah elektron yang tidak berpasangan . Dengan adanya energi thermal
yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi electron bebas dan siap menjadi
pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari
proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karena menghasilkan
pembawa muatan negatif dari kristal yang netral. Karena atom pengotor
memberikan elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom donor.
Secara skematik semikonduktor tipe-n digambarkan seperti terlihat pada gambar
1.2.2.

(a) (b)

Gambar 1.2.2 (a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor
valensi lima menggantikan posisi salah satu atom silikon dan (b) Struktur pita
energy semikonduktor tipe-n.

PUTU RUSDI ARIAWAN


1.2.2 Semikonduktor tipe-p

Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-n,


semikonduktor tipe-p dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecif atom
pengotor trivalen (aluminium, boron, galium atau indium) pada semikonduktor
murni, misalnya silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai tiga
elektron valensi sehingga secara efektif hanya dapat membentuk tiga ikatan
kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati posisi atom silikon dalam kisi
kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah muatan
positif dari atom silikon yang tidak berpasangan yang disebut lubang (hole).
Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-p
karena menghasilkan pembawa muatan negatif pada kristal yang netral. Karena
atom pengotor menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom
aseptor (acceptor). Secara skematik semikonduktor tipe-p digambarkan seperti
terlihat pada gambar 1.2.3

(a) (b)

Gambar 1.2.3 (a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor
valensi tigamenggantikan posisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita
energisemikonduktor tipe-p.

1.2.3 Dioda

Dioda memiliki fungsi yang unik yaitu hanya dapat mengalirkan arus satu
arah saja. Struktur dioda tidak lain adalah sambungan semikonduktor P dan N.

PUTU RUSDI ARIAWAN


Satu sisi adalah semikonduktor dengan tipe P dan satu sisinya yang lain adalah
tipe N. Dengan struktur demikian arus hanya akan dapat mengalir dari sisi P
menuju sisi N.

Gambar 1.2.4 Simbol dan struktur dioda

Gambar ilustrasi di atas menunjukkan sambungan PN dengan sedikit porsi kecil


yang disebut lapisan deplesi (depletion layer), dimana terdapat keseimbangan
hole dan elektron. Seperti yang sudah diketahui, pada sisi P banyak terbentuk
hole-hole yang siap menerima elektron sedangkan di sisi N banyak terdapat
elektron-elektron yang siap untuk bebas merdeka. Lalu jika diberi bias positif,
dengan arti kata memberi tegangan potensial sisi P lebih besar dari sisi N, maka
elektron dari sisi N dengan serta merta akan tergerak untuk mengisi hole di sisi
P. Tentu kalau elektron mengisi hole disisi P, maka akan terbentuk hole pada sisi
N karena ditinggal elektron. Ini disebut aliran hole dari P menuju N, Kalau
mengunakan terminologi arus listrik, maka dikatakan terjadi aliran listrik dari sisi
P ke sisi N.

Gambar 1.2.5 dioda dengan bias maju

Sebalikya apakah yang terjadi jika polaritas tegangan dibalik yaitu dengan
memberikan bias negatif (reverse bias). Dalam hal ini, sisi N mendapat polaritas
tegangan lebih besar dari sisi P.

PUTU RUSDI ARIAWAN


Gambar 1.2.6 dioda dengan bias negatif

Tentu jawabanya adalah tidak akan terjadi perpindahan elektron atau aliran hole
dari P ke N maupun sebaliknya. Karena baik hole dan elektron masing-masing
tertarik ke arah kutup berlawanan. Bahkan lapisan deplesi (depletion layer)
semakin besar dan menghalangi terjadinya arus.

Demikianlah sekelumit bagaimana dioda hanya dapat mengalirkan arus satu


arah saja. Dengan tegangan bias maju yang kecil saja dioda sudah menjadi
konduktor. Tidak serta merta diatas 0 volt, tetapi memang tegangan beberapa
volt diatas nol baru bisa terjadi konduksi. Ini disebabkan karena adanya dinding
deplesi (deplesion layer). Untuk dioda yang terbuat dari bahan Silikon tegangan
konduksi adalah diatas 0.7 volt. Kira-kira 0.2 volt batas minimum untuk dioda
yang terbuat dari bahan Germanium.

Gambar 1.2.7 grafik arus dioda

Sebaliknya untuk bias negatif dioda tidak dapat mengalirkan arus, namun
memang ada batasnya. Sampai beberapa puluh bahkan ratusan volt baru terjadi
breakdown, dimana dioda tidak lagi dapat menahan aliran elektron yang
terbentuk di lapisan deplesi.

PUTU RUSDI ARIAWAN


1.2.4 Karakteristik Umum Diode

Karakteristik dioda pada garis besarnya dapat dibedakan atas


karakteristik forward dan karakteristik reverse. Untuk membuat karakteristik
dioda yang menunjukkan besarnya arcs pada bermacam-macam harga
tegangan yang diberikan digunakan rangkaian seperti pada gambar

Gambar 1.2.8 skema untuk membuat karakteristik diode

Percobaan dengan rangkaian ini terdiri dari dua bagian, bagian pertama
untuk mendapatkan karakteristik forward dan bagian kedua reverse. Bagian
pertama memerlukan tahanan R = 50 ohm yang terpasang seri seperti pada
gambar, gunanya.untuk membatasi arus forward; bila tidak dioda akan rusak
jika tegangan 1,5 volt langsung dihubungkan padanya. Tegangan maksimum
Yang boleh diberikan adalah 1,5 volt dan voltmeter harus mampu membaca dari
0 sampai 1,5 volt dengan selang 0,1 volt. Miliamperemeter (mA) harus
mempunyai skala maksimum 50 mA. Tegangan dinaikkan secara bertahap
mulai dari nol sampai J ,S volt dengan selang kenaikkan 0,1 volt, arus I yang
ditunjukkkan oleh mA dicatat, Bila data-data tcrsebut dinyatakan dalam
grafik akan diperoleh karakteristik forward seperti pada gambar di bawah.

PUTU RUSDI ARIAWAN


Gambar 1.2.9 Karakteristik

Untuk membuat karakteristik reverse pertama-tama polaritas


batere harus dibaiik. Untuk percobaan yang kedua ini diperlukan sumber
tegangan yang lebih besar ialah sekitar 10 volt. Batas ukur voltmeter diperbesar
ialah sekitar 10 volt. Besarnya arus reverse sangat kecil hanya beberapa
persepuluhan microampere akibat tahanan reverse yang mencapai beberapa
megaohm. U1eh karena itu meter mA harus sanggup membaca dari 0 samoai 0.1
rnicroampere dengan selang 0,01 microampere.
Bila karakteristik forward ini diperhatikan tampak hahwa mula-mula
lengkungnya berbentuk parabola yaitu pada tegangan V D yang kecil, begitu VD
mulai membesar arus forward ID akan naik dengan cepat praktis secara linier.
Pada daerah linier ini perubahan tegangan yang kecil saja akan mengakibatkan
perubahan arus yang besar.
Bentuk karakteristik reverse berbeda dengan karakteristik forwardnya,
mula, mula arus naik secara parabola kernudian setelah niencapai harga
tertentu, arus reverse ini akan tetap konstan walaupun tegangan reverse VD
dinaikkan, hal ini disebabkan oleh terbatasnya minority carriers sehingga arus tak
dapat naik lagi. Tetapi bila tegangan reverse dinaikkan terus, suatu saat arus
reverse akan naik dengan tiba-tiba menjadi besar sekali. Peristiwa semacam ini
disebut breakdown dan tegangan pada saat mana teriadi breakdown disebut
tegangan breakdown. Pada umumnya tegangan reverse maksimum yang
diijinkan (VDM) selalu lebih kecil dari tegangan breakdownnya, kecuali pada zener
diode.

PUTU RUSDI ARIAWAN


Karakteristik diode umumnya dinyatakan dengan grafik hubungan antara
tegangan pada diode versus arus yang melewatinya sehingga disebut
karakteristik tegangan-arus(V-I)
Secara teoritis, hubungan antara tegangan dan arus diode dinyatakan oleh
persamaan:

Keterangan:
ID=arus diode, positif jika didalam diode arahnya dari anode ke katode
Is=arus mundur jenuh(10-8s.d. 10-14A)
VT=tegangan kesetaraan suhu=

Pada T=300oK, VT=26mV dan pada T=273oK, VT=25mV = koefisien emisi,


antara1 sampai dengan 2 dan untuk silikon pada arus normal mendekati 2e=
bilangan natural=2,72)

1.2.5 Zener

Phenomena tegangan breakdown dioda ini mengilhami pembuatan


komponen elektronika lainnya yang dinamakan zener. Sebenarnya tidak ada
perbedaan sruktur dasar dari zener, melainkan mirip dengan dioda. Tetapi
dengan memberi jumlah doping yang lebih banyak pada sambungan P dan N,
ternyata tegangan breakdown dioda bisa makin cepat tercapai. Jika pada dioda
biasanya baru terjadi breakdown pada tegangan ratusan volt, pada zener bisa
terjadi pada angka puluhan dan satuan volt. Di datasheet ada zener yang
memiliki tegangan Vz sebesar 1.5 volt, 3.5 volt dan sebagainya.

Gambar 1.2.10 Simbol Zener

Ini adalah karakteristik zener yang unik. Jika dioda bekerja pada bias maju maka
zener biasanya berguna pada bias negatif (reverse bias).

PUTU RUSDI ARIAWAN


Zener diode atau juga dikenal sebagai voltage regulation diode adalah silicon
PN junction. yang. bekerja pada reverse bias yang di daerah breakdown.
Simbol dari suatu zener diode ditunjukkan pada gambar a dan karakteristik
reverse biasnya (gambar b) ternyata sama dengan dioda lainnya.

Gambar 1.2.11 (a) simbol zener dioda (b) Karakteristik

Tegangan zener Vz adalah tegangan reverse di mana terjadi


breakdown. Bila tegangan reverse VD kurang dari VZ tahanan zener diode di
sekitar 1 megaohm atau lebih.
Bila VD naik sedikit saja di atas Vz arus reverse akan naik dengan cepat,
oleh karena itu di dalam pernakaian zener diode selalu digunakan suatu tahanan
seri untuk mencegah terjadinva arus yang berlebihan. Bila tegangan reverse
dihubungkan pada PN-junction, lebar depletion layer akan bertambah karena
elektron dan hole tertolak dari junction. Lebar depletion layer tergantung dari
kadar doping, bila digunakan silicon dengan doping tinggi akan dihasilkan
depletion layer yang tipis. Sehingga bila tegangan reverse dihubungkan
akan menimbulkan medan listrik yang kuat di dalam dioda dan jika tegangan
reverse mencapai tegangan zener Vz maka medan listrik yang dibangkitkan
demikian kuatnya sehingga sejunilah besar elektron akan terlepas dan daya tarik
intinya diikuti dengan kenaikan arus reverse secara mendadak. Peristiwa inilah
yang disebut dengan Zener breakdown.
Jadi zener diode sebenarnya adalah PN junction dengan doping tinggi
hingga menghasilkan depletion layer tipis; biasanya zener breakdown terjadi di
bawah tegangan 5 volt dan masih tergantung pada temperatur. Di bawah

PUTU RUSDI ARIAWAN


pengaruh medan listrik yang kuat, atom-atom lebih mudah melepaskan
elektronnya menjadi ion-ion bila temperatumya naik. Jadi Vz turun bila
temperatur zener diode naik.
PN junction diode yang dibuat dengan doping rendah depletion iayernya
lebiih, lebar. Medan listrik harus lebih kuat untuk menghasilkan zener
breakdown. Tetapi sebelum zener breakdown terjadi elektron-elektron minority
carriers sudah akan mcmperoleh tenaga kinetik demikian besarnya hingga pada
saat menabrak atom akan menimbulkan ionisasi yang menimbulkan elektron
baru. Elektron-elektron baru akan ikut bergerak akibatnya tabrakan akan
berlangsung secara berantai sehingga makin banyak elektron yang dihasilkan
dan arus reverse naik dengan cepat. Peristiwa semacam ini disebut avalanche
breakdown.
Bila temperatur dioda naik laju gerakan . elektron dalam depletion layer
menurun sehingga diperlukan tegangan yang lebih besar untuk memberikan
kecepatan yang cukup bagi elektron-elektron.
Jadi kita mengenal zener breakdown yaitu ionisasi karena kekuatan
medan listrik dan avalanche breakdown yaitu ionisasi karena tubrukan.
Yang pertama terjadi pada bahan dengan tahanan jenis rendah (doping tinggi)
yang dipisahkan oleh depletion layer tipis yaitu untuk Vz di bawah 5 volt. Yang
kedua terjadi pada bahan dengan tahanan jenis tinggi (doping rendah) yang
dipisahkan oleh depletion . layer lebar untuk Vz di atas 5 volt. Meskipun
demikian dalam prakteknya kedua type di atas tetap dinamakan zener diode.
Membeloknya karakteristik pada saat breakdown ("knee") pada dioda
silicon lebih tajam (gambar a) dibandingkan dengan dioda germanium (gambar
b).

PUTU RUSDI ARIAWAN


Gambar 1.2.12 (a) Knee dari dioda silikon (b) knee dari dioda germanium

Karena alasan inilah maka zener diode dibuat dari silikon.


Data-data zener diode yang perlu diketahui adalah:
1. Tegangan zener Vz terletak antara 3,3 Volt sampai 200 Volt. Tiap zener
mempunyai V z.tertentu dengan toleransi 5 sampai 10 prosen.
2. Arus zener I z ialah arus yang mengalir pada saat breakdown. I z minimum
adalah besarnya Iz tepat pada knee. I z maksimum adalah arus yang tidak
boleh dilampaui, karena dapat menimbulkan panas yang berkelebihan.
Misalkan sebuah zener diode dengan: V z = 5,8 volt, I z min = 1 mA dan Iz
mak = 50 mA pada temperatur 40 C.
3. Tahanan zener r z ialah suatu nilai yang menunjukkan perbandingan
perubahan tegangan zener (Vz) terhadap perubahan arus zener (I z).

VZ
rZ =
IZ

Tahanan zener minimum sekitar 10 ohm bila VZ nya sckitar 6 volt. Tahanan ini
akan naik bila Vz lebih atau kurang dari 6 volt. Hubungan antara VZ dan rZ ini dapat
dilihat pada gambar dibawah.

PUTU RUSDI ARIAWAN


Gambar 1.2.13 Hubungan antara tahanan zener (rz) dan tegangan
zener (vz)
Oleh karena itu penggunaan zener sebagai stabilisator Vz yang
terbaik adalah sekitar 6 volt. Bila tegangan ya ng akan distabilkan lebih
dari 6 volt dapat digunakan bcberapa zener yang dihubungkan seri.

1.2.6 LED

LED adalah singkatan dari Light Emiting Dioda, merupakan komponen


yang dapat mengeluarkan emisi cahaya.LED merupakan produk temuan lain
setelah dioda. Strukturnya juga sama dengan dioda, tetapi belakangan
ditemukan bahwa elektron yang menerjang sambungan P-N juga melepaskan
energi berupa energi panas dan energi cahaya. LED dibuat agar lebih efisien jika
mengeluarkan cahaya. Untuk mendapatkna emisi cahaya pada semikonduktor,
doping yang pakai adalah galium, arsenic dan phosporus. Jenis doping yang
berbeda menghasilkan warna cahaya yang berbeda pula.

Gambar 1.2.14 Simbol LED

Pada saat ini warna-warna cahaya LED yang banyak ada adalah warna merah,
kuning dan hijau.LED berwarna biru sangat langka. Pada dasarnya semua warna
bisa dihasilkan, namun akan menjadi sangat mahal dan tidak efisien. Dalam
memilih LED selain warna, perlu diperhatikan tegangan kerja, arus maksimum
dan disipasi daya-nya. Rumah (chasing) LED dan bentuknya juga bermacam-

PUTU RUSDI ARIAWAN


macam, ada yang persegi empat, bulat dan lonjong. LED terbuat dari berbagai
material setengah penghantar campuran seperti misalnya gallium arsenida
fosfida (GaAsP), gallium fosfida (GaP), dan gallium aluminium arsenida (GaAsP).
Karakteristiknya yaitu kalau diberi panjaran maju, pertemuannya mengeluarkan
cahaya dan warna cahaya bergantung pada jenis dan kadar material pertemuan.
Ketandasan cahaya berbanding lurus dengan arus maju yang mengalirinya.
Dalam kondisi menghantar, tegangan maju pada LED merah adalah 1,6 sampai
2,2 volt, LED kuning 2,4 volt, LED hijau 2,7 volt. Sedangkan tegangan terbaik
maksimum yang dibolehkan pada LED merah adalah 3 volt, LED kuning 5 volt,
LED hijau 5 volt. LED mengkonsumsi arus sangat kecil, awet dan kecil bentuknya
(tidak makan tempat), selain itu terdapat keistimewaan tersendiri dari LED itu
sendiri yaitu dapat memancarkan cahaya serta tidak memancarkan sinar infra
merah (terkecuali yang memang sengaja dibuat seperti itu).

Cara pengoperasian LED yaitu :

Gambar 1.2.15 Cara pengoperasian LED

Selalu diperlukan perlawanan deretan R bagi LED guna membatasi kuat


arus dan dalam arus bolak balik harus ditambahkan dioda penyearah.

1.2.7 Penyearah Diode Setengah Gelombang

Rangkaian pada gambar 1.2.16-a, dimana sumber masukan sinusoida


dihubungkan dengan beban resistor melalui sebuah diode. Untuk sementara
dianggap keadaan ideal, dimana hambatan masukan sinusoida sama dengan nol
dan diode dalam keadaan hubung singkat saat berpanjar (bias) maju dan
keadaan hubung terbuka saat berpanjar (bias) mundur. Besarnya keluaran akan
mengikuti masukan saat masukan berada di atas tanah dan berharga nol saat
masukan di bawah tanah seperti diperlihatkan pada gambar 1.2.16-b. Jika

PUTU RUSDI ARIAWAN


kita ambil harga rata-rata bentuk gelombang keluaran ini untuk beberapa
periode, tentu saja hasilnya akan positif atau dengan kata lain keluaran
mempunyai komponen DC. Kita juga melihat komponen AC pada keluaran. Kita
akan dapat mengurangai komponen AC pada keluaran jika kita dapat
mengusahakan keluaran positif yang lebih besar, tidak hanya 50% seperti terlihat
pada gambar 1.2.16-b..

Gambar 1.2.16 Penyearah setengah gelombang

1.2.7 Penyearah Diode Gelombang Penuh

Terdapat cara yang sangat sederhana untuk meningkatkan kuantitas


keluaran positip menjadi sama dengan masukan (100%). Ini dapat dilakukan
dengan menambah satu diode pada rangkaian seperti terlihat pada gambar
1.2.17. Pada saat masukan berharga negatif maka salah satu dari diode akan
dalam keadaan panjar maju sehingga memberikan keluaran positif. Karena
keluaran berharga positif pada satu periode penuh, maka rangkaian ini disebut
penyearah gelombang penuh. Pada gambar 1.2.17 terlihat bahwa anode pada
masing-masing diode dihubungkan dengan ujung-ujung rangkaian sekunder dari
transformer. Sedangkan katode masing- masing diode dihubungkan pada titik
positif keluaran. Beban dari penyearah dihubungkan antara titik katode dan titik
center-tap (CT) yang dalam hal ini digunakan sebaga referensi atau tanah.

PUTU RUSDI ARIAWAN


Gambar 1.2.17 Rangkaian penyearah gelombang penuh

Mekanisme terjadinya konduksi pada masing-masing diode tergantung pada


polaritas tegangan yang terjadi pada masukan. Keadaan positif atau negatif
dari masukan didasarkan pada referensi CT. Pada gambar 1.2.18 nampak
bahwa pada setengah periode pertama misalnya, v1 berharga positif dan v2
berharga negatif, ini menyebabkan D1 berkonduksi (bias maju) dan D2 tidak
berkonduksi (bias mundur). Pada setengah periode ini arus iD1 mengalir dan
menghasilkan keluaran yang akan nampak pada hambatan beban. Pada
setengah periode berikutnya, v2 berharga positif dan v1 berharga negatif,
menyebabkan D2 berkonduksi dan D1 tidak berkonduksi. Pada setengah
periode ini mengalir arus i D 2 dan menghasilkan keluaran yang akan nampak
pada hambatan beban. Dengan demikian selama satu periode penuh hambatan
beban akan dilewati arus iD1 dan i D 2 secara bergantian dan menghasilkan
tegangan keluaran DC.

Gambar 1.2.18 Keluaran dari penyearah gelombang penuh

PUTU RUSDI ARIAWAN


1.2.8 Penyearah Gelombang Penuh Model Jembatan

Penyearah gelombang penuh model jembatan memerlukan empat buah


diode. Dua diode akan berkondusi saat isyarat positif dan dua diode akan
berkonduksi saat isyarat negatif.,Untuk model penyearah jembatan ini kita tidak
memerlukan transformator,yang memiliki center-tap.,Seperti ditunjukkan pada
gambar 8.4, bagian masukan AC dihubungkan pada,sambungan D1-D2 dan
yang lainnya pada D3-D4. Katode D1 dan D3 dihubungkan, dengan keluaran
positif dan anode D2 dan D4 dihubungkan dengan keluaran negative (tanah).
Misalkan masukan AC pada titik A berharga positif dan B berharga negatif, maka
diode D1 akan berpanjar maju dan D2 akan berpanjar mundur. Pada sambungan
bawah D4 berpanjar maju dan D3 berpanjar mundur. Pada keadaan ini elektron
akan mengalir dari titik B melalui D4 ke beban , melalaui D1 dan kembali ke titik
A. Pada setengah periode berikutnya titik A menjadi negatif dan titik B menjadi
positif. Pada kondisi ini D2 dan D3 akan berpanjar maju sedangkan D1 dan D4
akan berpanjar mundur. Aliran arus dimulai dari titik A melalui D2, ke beban,
melalui D3 dan kembali ke titik B. Perlu dicatat di sini bahwa apapun polaritas
titik A atau B, arus yang mengalir ke beban tetap pada arah yang sama.

Gambar 1.2.19 Penyearah gelombang penuh model jembatan

Rangkaian jembatan empat diode dapat ditemukan di pasaran dalam bentuk


paket dengan berbagai bentuk. Secara prinsip masing-masing bentuk
mempunyai dua terminal masukan AC dan dua terminal masukan DC.

PUTU RUSDI ARIAWAN


1.2.9 Aplikasi Lain

Zener banyak digunakan untuk aplikasi regulator tegangan (voltage


regulator). Zener yang ada dipasaran tentu saja banyak jenisnya tergantung dari
tegangan breakdwon-nya. Di dalam datasheet biasanya spesifikasi ini disebut Vz
(zener voltage) lengkap dengan toleransinya, dan juga kemampuan dissipasi
daya.

Gambar 1.2.20 LED array

LED sering dipakai sebagai indikator yang masing-masing warna bisa memiliki
arti yang berbeda. Menyala, padam dan berkedip juga bisa berarti lain. LED
dalam bentuk susunan (array) bisa menjadi display yang besar. Dikenal juga LED
dalam bentuk 7 segment atau ada juga yang 14 segment. Biasanya digunakan
untuk menampilkan angka numerik dan alphabet.

1.3 Daftar Komponen dan Alat


Modul elektronika dasar
1. 1 Buah Multimeter
2. Penjepit buaya
3. Osiloskop
4. Mistar / penggaris
5. Milimeterblock
6. Disket / flashdisk
7. Pulpen / pensil

1.4 Cara Kerja


1.4.1 Memeriksa Keadaan Diode
Gunakan alat ukur multimeter untuk memeriksa diode diode yang ada. Pada
saat pengukuran R maju gunakan range yang paling kecil (ohm) dan range yang

PUTU RUSDI ARIAWAN


besar untuk R mundur (10 K ohm), untuk multimeter analog. Pada multimeter
digital gunakan range untuk mengukur. Catat hasil pengukuran anda pada table
1.1.

Table 1.1 Pemeriksaan baik buruknya diode


No Jenis dan tipe Multimeter Resistansi Dioda Keadaan Ket
dioda diode
Forward Reverse Baik Buruk
1 Dioda BY Analog
penyearah 299 Digital
Ge Analog
IN60 Digital
2 Diode 5,1 V Analog
zener (1W) Digital
3 LED Merah Analog
Digital
Putih Analog
Digital
4 Diode MV Analog
varaktor 2209 Digital

1.4.2 Karakteristik V I (dengan multimeter)


1.Buatlah rangkaian seperti gambar 1.2, untuk pengukuran Vd gunakan
multimeter digital dan Id dengan multimeter analog.
2.Atur Vs agar didapat harga seperti pada table 1.2 (untuk bias forward). Dan
harga Vd sesuai dengan table 1.2 (untuk bias reverse).
3.Lakukan untuk diode Si, Ge, dan zener.

Gambar 1.4.1 Rangkaian diode pada karakteristik V I diukur dengn


multimeter

PUTU RUSDI ARIAWAN


Table 1.4 Pengukuran diode pada karakteristik V I dengan multimeter
No VD ID Bias Forward Voltage (V) Bias Reverse Voltage (V) ket
(V) (mA) Diode Diode LED Diode Diode LED
penyearah Zener penyearah Zener
BY 229 IN60 5,1V;1W M P IN4001 IN60 5,1V M P
1 0,0 0,0
2 0.1
3 0.2
4 0.3
. .
. .
. .
. .
. .
. .
.
5,0 5,0

1.4.3 Karakteristik V I (dengan osiloskop)


No VD ID Bias Forward Voltage (V) Bias Reverse Voltage (V) ket
(V) (mA) Diode Diode LED Diode Diode LED
penyearah Zener penyearah Zener
BY 229 IN60 5,1V;1W M P IN4001 IN60 5,1V M P
1 0,0 0,0
2 0.1
3 0.2
4 0.3
. .
. .
. .
. .
. .
. .
.
5,0 5,0

1.4.4 Penyearah Setengah Gelombang


Dengan 1 diode

1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4.3, untuk pengukuran VRL dan IRL
gunakan multimeter digital.
2. Hubungkan Vsi pada 18 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL (arus DC), dan
VRL1 (tegangan DC), catat pada table 1.4.3.
3. Hubungkan VSi pada 25 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL1 (arus DC), dan
VRL (tegangan DC), catat pada table 1.4.3.
4. Ulangilah langkah langkah diatas untuk RL1 1020W dan RL2 10020W.
5. Catatlah hasil pengukuran anda pada table 1.4.2.

PUTU RUSDI ARIAWAN


Gambar 1.4.2 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang
dengan 1 diode

Table 1.3 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 1 diode


Vp Vs(V) Pengukuran Perhitungan
Ketera
Rms Dengan RL Multimeter Digital Gambar OSC
IRL VRL PRL ngan
(V) IRL VRL VD(CE) VA VA VS VRL
10;20W
220 100;20W

Dengan 2 diode
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4.4, untuk pengukuran VRL dan IRL
gunakan multimeter.
2. Vsi pasang pada 18 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL (arus DC), dan VRL1
(tegangan DC), catat pada table 1.4.4
3. VSi pasang pada 25 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL1 (arus DC), dan VRL
(tegangan DC), catat pada table 1.4.4.
4. Ulangilah langkah langkah diatas untuk RL1 1020W dan RL2 10020W.

Gambar 1.4.3 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang dengan 2 diode

PUTU RUSDI ARIAWAN


Table 1.4 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 2 diode
Vp Vs(V) Pengukuran Perhitungan
Rms Dengan Multimeter Digital Gambar OSC Keteran
(V) VR
RL VD(CE VA VS VR IRL PRL gan
IRL VRL VA L
) L
10;20W 18
220 100;20W 25

1.4.5 Penyearah Gelombang Penuh


1.4.5.1 Menggunakan 2 dioda
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4.4

2. Kemudian isialah table 1.5 untuk RL sama dengan RL11020W dan


RL210020W

Gambar 1.4.4 Diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode

Table 1.5 Pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode

Vp Vs(V) RL Pengukuran Perhitungan Ket


Rms () Multimeter Gambar Osc Vs VRL PRL f
(V) IRL VA VRL VD VA VRL VD

220 18 10
100
25 10
100

1.4.5.2 Menggunakan 4 dioda


1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4.5.

2. Kemudian isilah table 1.6, untuk RL sama dengan RL1 1020W dan RL2
10020W

PUTU RUSDI ARIAWAN


Gambar 1.4.5 Diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode

Table 1.6 pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode

Vp Vs(V) RL Pengukuran Perhitungan Ket


Rms () Multimeter Gambar Osc Vs VRL PRL f
(V) IRL VA VRL VD VA VRL VD

220 18 10
100
25 10
100

1.4.5.3 Pengenalan IC regulator pada power supply.


1. lakukan percobaan berikut.
2. ukur berapakah keluaran IC tersebut.

78XX

PUTU RUSDI ARIAWAN


79xx

Gambar 1.4.6 percobaan menggunakan IC regulator

VP Jenis Pengukuran ket

rms IC Multimeter Digital

(V) regulator Vin Vout

220 7805

7812

7912

PUTU RUSDI ARIAWAN


BIODATA PENULIS

Nama : Putu Rusdi Ariawan

TTL : Denpasar. 19 April 1990

Agama : Hindu

Mahasiswa Teknik Elektro Unv. Udayana

Email : turusdi.info@gmail.com

www.facebook.com/turusdi

PUTU RUSDI ARIAWAN