PATENTE US2524035

1950 J BARDEEN ETAL 2.524.035 de

TRES
ELECTRODOS
ELEMENTO
DE
CIRCUITO
SEMICONDUCTORES present 17 Junio, 1948 3 Sheets-Sheet J.

UTILIZANDO

MATERIALES

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195% J. BARDEEN ETAL 2,524,035
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av a ATTORNEV Patented Get. 3, 195 0 THREE-ELECTRODE CIRCUIT ELEMENT UTILIZING
SEMICONDUC'IIVE lVIA'IE- RIAIIS John Bardeen, Summit, and Walter H. Brattain, Morristown, N.
.l., assignors to Bell Telephone Laboratories, Incorporated, New York, N. Y., a
corporation of New York Application June 17, 1948, Serial N 0. 33,466

Esta aplicacin es una continuacin en parte de la aplicacin nO De Serie 11.165, present 26

de febrero de 1948 y posteriormente abandonados. Esta invencin se refiere a un novedoso
mtodo de las variaciones elctricas para traducir con fines tales como amplificacin,
generacin de ondas, y similares.
El objeto principal de la invencin es el de ampliar y/o de lo contrario convertir seales
elctricas o las variaciones por el uso de compacto y sencillo y robusto aparato de nuevo tipo.
Otro objeto es para proporcionar un elemento de circuito para el uso de un amplificador o
similares que no requieren de un ctodo caliente terminicas para su funcionamiento, y que por
lo tanto est inmediatamente operativa cuando se activa. Un objeto relacionado es el de
proporcionar un elemento de circuito que no requiere ser evacuadas o llena de gas sobre
En el pasado se intent convertir slidos utilizando rectificadores selenio, sulfuro de cobre, o
materiales semi-conductores en amplificadores directamente por la conveniencia de incorporar a
la red como electrodo en una capa dielctrica eliminados entre el ctodo y el nodo del
rectificador. tric vigor en la superficie del ctodo, para modificar su emisin y por tanto
.modificar el ctodo nodo de corriente. En la prctica, es imposible para incrustar una
cuadrcula con una capa, que es tan espesa como para aislar la red de los otros electrodos y, al
mismo tiempo, tan fino como para permitir que la corriente entre ellos. Tambin se ha propuesto
hacer pasar una corriente de extremo a extremo de una tira de material semiconductor istropo
homogneo y, por la aplicacin de un fuerte campo electrosttico transversal, con el fin de
controlar la resistencia de la banda y por lo tanto la corriente a travs de l.
Por lo que se sabe, todos estos dispositivos ltimos estn ms all de la habilidad humana para
fabricar con la finura necesaria para producir la amplificacin. En cualquier caso, no parece que
se haya tenido xito comercial.
Es bien sabido que en los semiconductores hay dos tipos de portadores de la electricidad que
difieren en los signos de las cargas mviles efectivas. Los portadores negativos son un exceso
de electrones que son libres de moverse, y se designan con los electrones de conduccin plazo o
simplemente electrones. Los portadores positivos estn presentes o electrones de defectos, y se

designan con los agujeros plazo. La conductividad de un semiconductor se llama exceso o por
defecto, o N o tipo P, dependiendo de si las cargas mviles normalmente presentes en exceso en
el material en condiciones de equilibrio son electrones (portadores negativos) o agujeros
(portadores positivos).
La cuadrcula se supone, al ejercer una elec- 40. (01. 179-171) Cuando el metal electrodo se
coloca en contacto con un semiconductor y se le aplica una diferencia de potencial a travs de la
interseccin, la magnitud de la corriente que fluye a menudo depende de la seal, as como en
cuanto a la magnitud del potencial. Una unin de este tipo se denomina contacto de
rectificacin. Si se realiza el contacto a un semiconductor de tipo N, la direccin del flujo de
corriente fcil es aquella en la que el semiconductor es negativo con respecto al electrodo. Con
un semiconductor tipo P, la direccin del flujo fcil es aquella en la que el semiconductor es
positiva existe un contacto de rectificacin similar en el lmite entre dos semiconductores de
tipos de conductividad opuestos.
Este lmite puede separar dos materiales semiconductores de constituciones diferentes, o puede
separar zonas o regiones, dentro de un cuerpo de material semiconductor que es qumica y
estequiomtricamente uniforme, que presentan diferentes caractersticas de conductividad.
La presente invencin en una forma utiliza un bloque de material semiconductor en el que se
colocan tres electrodos. Uno de ellos, denominado el colector, hace contacto rectificador con el
cuerpo del bloque. La otra, denominada el emisor, preferiblemente hace contacto rectificador
con el cuerpo del bloque tambin. El tercer electrodo, que puede ser designada el electrodo
base, preferiblemente hace un contacto de baja resistencia con el cuerpo del bloque. Cuando se
opera como un amplificador, el emisor est empujada normalmente en la direccin del flujo de
corriente fcil con respecto al cuerpo del bloque de semiconductor. La naturaleza del electrodo
emisor y de la parte del semiconductor que est en la vecindad inmediata del electrodo de
contacto es tal que una fraccin sustancial de la corriente de este electrodo se realiza por cargas
cuyos signos son opuestos a los signos de las cargas mviles normalmente en exceso en el
cuerpo del semiconductor. El colector est polarizado a la inversa, o la direccin de alta
resistencia con relacin al cuerpo del semiconductor. En ausencia del emisor, la corriente al
colector fluye exclusivamente desde el electrodo de base y se ve impedido por la alta resistencia
de este contacto colector. El signo del potencial de polarizacin de colector es tal como para
atraer a los portadores de signo opuesto que vienen desde el emisor. El colector est dispuesto
de manera tal en relacin con el emisor que una gran fraccin de la corriente de emisor entra en
el colector. La fraccin depende en parte de la disposicin geomtrica de los electrodos y en
parte en los potenciales de polarizacin aplicada. A medida que el emisor se polariza en la
direccin de flujo fcil, la corriente de emisor es sensible a pequeos cambios en el potencial
entre el emisor y el cuerpo del semiconductor, o entre el emisor y el electrodo de base.
Aplicacin de una pequea variacin de voltaje entre el electrodo de base y el emisor provoca
un cambio relativamente grande en la corriente que entra en el semiconductor causa de la
elevada resistencia del rectificador de contacto del colector, es alta. Como resultado, se obtienen
amplificacin de tensin, de amplificacin de corriente, y la amplificacin de potencia de la
seal de entrada. En una forma, el dispositivo utiliza un bloque de material semiconductor de
que el cuerpo principal es de un tipo de conductividad, mientras que una capa superficial muy
delgada o pelcula es de tipo de conductividad opuesta. La capa superficial est " separado del
cuerpo por una barrera de rectificadores de alta resistencia. Los electrodos de emisor y colector
hacen contacto con esta capa de superficie suficientemente prximos entre s por la influencia
mutua de la manera descrita anteriormente. La base - electrodo hace un contacto de baja
resistencia con el cuerpo del semiconductor. Cuando los potenciales de polarizacin adecuados
se aplican a los diversos electrodos, una corriente fluye desde el emisor en la capa delgada.
Debido a la conductividad de la capa y a la naturaleza de la barrera, esta corriente tiende a fluir
lateralmente en la capa delgada, en lugar de seguir el camino ms directo a travs de la barrera
para el electrodo de base. Esta corriente se compone de los portadores cuyos signos son

opuestos a los signos de las cargas mviles normalmente en exceso en el cuerpo del
semiconductor. En otras palabras, cuando hay una fina capa de tipo de conductividad opuesta
inmediatamente debajo del electrodo emisor, la corriente que fluye en el bloque en la direccin
de flujo fcil consiste en gran parte de los transportistas de signo opuesto a los de las cargas
mviles normalmente presente en exceso en el cuerpo del bloque; y la presencia de estos
aumenta la conductividad del bloque. La tensin de polarizacin en el colector que, como se ha
indicado anteriormente , est sesgada a la inversa o resistencia alta direccin con respecto al
bloque, produce un fuerte campo electro esttica en la regin que rodea el colector de manera
que la corriente desde el emisor que entra en esta regin es dibujado en el colector . Por lo tanto,
la corriente de colector, y por lo tanto la conductancia de la unidad como un todo, se
incrementan. El tamao de la regin en la que existe este campo fuerte es comparativamente
insensible a las variaciones en el potencial de colector de modo que la impedancia del circuito
de colector es alta. Por otro lado, la corriente desde el emisor a la capa es extremadamente
sensible a variaciones del potencial emisor, de modo que la impedancia del circuito de emisor es
baja.
Es una caracterstica de la invencin que las impedancias de entrada y de salida del dispositivo
son controladas por la eleccin y tratamiento del cuerpo material semiconductor y de su
superficie, as como por la eleccin de los potenciales de polarizacin de los electrodos.
Desde el punto de vista de su comportamiento y usos externa, el dispositivo de la invencin se
asemeja a un tubo de vaco triodo; y mientras que los electrodos se designan emisor, colector y
la base del electrodo, respectivamente, que pueden estar interconectadas externamente en las
diversas formas que han venido ser reconocido como apropiado para triodos, tales como el, la
rejilla conectada a tierra convencional, la placa de toma de tierra o seguidor de ctodo, y
similares. De hecho, el descubrimiento en el que se basa la invencin, se hizo primero con
conexiones de circuito que son extremadamente similares a las denominadas conexiones de tubo
de vaco de rejilla conectada a tierra. Sin embargo, las analogas entre los circuitos es, por
supuesto, no es mejor que la analoga entre el emisor y el ctodo, electrodo de base y la rejilla,
colector y el nodo.
Mediante la alimentacin de una porcin de la tensin de salida en la fase correcta de los
terminales de entrada , el dispositivo puede ser causado a oscilar a una frecuencia determinada
por sus elementos de circuito externos , y , entre otras pruebas , la amplificacin de potencia fue
confirmada por una conexin de realimentacin que caus a oscilar .
Se ha encontrado que el rendimiento del dispositivo se expresa, con una buena aproximacin,
por las siguientes relaciones funcionales:
La interpretacin de la ecuacin anterior 1 es que la corriente de colector reduce el potencial de
la superficie del bloque en la proximidad del emisor con respecto al electrodo de base por una
cantidad RFIC, y por lo tanto aumenta la tensin de polarizacin eficaz en el emisor por la
misma cantidad. As, el trmino RFIQ representa retroalimentacin positiva.
La invencin ser plenamente aprehendido partir de la siguiente descripcin detallada de una
realizacin de la misma, tomada en conexin con los dibujos adjuntos, en los cuales:
Fig. 1 es un diagrama esquemtico, parcialmente en persona. perspectiva, que muestra una
realizacin preferida de la invencin;
Fig. 1a es una seccin transversal de una parte de la Fig. 1 a una escala muy ampliada;
Fig. 2 es el tubo de vaco de circuito esquemtico equivalente de la figura. 1;
Fig. 3 es una vista en planta del bloque de la Fig. 1, que muestra la disposicin de los
electrodos;

Fig. 3a es como la Fig. 3 pero muestra la influencia del colector en la modificacin de la

corriente de emisor;
Figs. 4, 5, 6 y '7 muestran disposiciones de electrodo alternativa a las de la figura. 1;
Figs. 8 y 9 muestran estructuras de electrodo alternativa a las de la figura. 1;
Fig. 10 muestra una unidad modificada de la invencin conectada para el funcionamiento en el
circuito de un triodo convencional
Fig. 11 muestra otra unidad modificada de la invencin conectada para el funcionamiento en
una placa o seguidor de ctodo circuito de tierra;
Fig; 12 muestra la unidad de la invencin conectada para la oscilacin auto-sostenida;
Fig. 14 es un diagrama que muestra el potencial de electrones distribucin en el interior de un
semiconductor de tipo P en contacto con un metal.
Fig. 15 es un diagrama que muestra la distribucin potencial de electrones en el interior de una
capa semiconductora de tipo P- delgada en contacto por un lado con un metal y en el otro lado
con un cuerpo de material semiconductor de tipo N, para los electrones en la banda de
conduccin ( curvas superiores) y en la banda de llenado (curvas inferiores); y
Fig. 16 es un diagrama que muestra la variacin de la distribucin potencial de la curva I) de la
Fig. 15 como una funcin de la distancia desde el emisor al colector.
Los materiales con los que las ofertas invencin son los semiconductores cuyas caractersticas
elctricas son dependientes en gran medida de la inclusin en el mismo de cantidades muy
pequeas de impurezas significativas. La expresin impurezas significativas se usa aqu para
denotar las impurezas que afectan a las caractersticas elctricas del material como su
resistividad, fotosensibilidad, rectificacin, y similares, a diferencia de otras impurezas que no
tienen ningn efecto aparente sobre estas caractersticas. Las impurezas trmino pretenden
incluir constituyentes aadidos intencionadamente, as como cualquier que pueden incluirse en
el material de base tal como se encuentra en la naturaleza o como disponibles comercialmente.
El germanio es un material tal que, junto con algunas impurezas representativas, se
proporcionar un ejemplo ilustrativo para la explicacin de la presente invencin. El silicio es
otro tipo de material. En el caso de los semiconductores que son compuestos qumicos tales
como xido de euprous (cuzo) o carburo de silicio (SiC), las desviaciones de composicin
estequiomtrica pueden constituir impurezas significativas.
Pequeas cantidades, i. e., de hasta 0,1 por ciento de purezas im, generalmente de valencia ms
elevada que el material semiconductor de base, e. g., el fsforo en el silicio, antimonio y
arsnico en germanio, se denominan impurezas donantes, ya que contribuyen a la conductividad
de los materiales de base mediante la donacin de electrones a una banda de energa de
conduccin sin llenar en el material bsico. En tal caso los electrones negativos donados
constituyen los portadores de corriente y el material y su conductividad se dice que son del tipo
N. Pequeas cantidades de impurezas similares, generalmente de valencia menor que el material
de base, e. g., boro en silicio o de aluminio en germanio, se denominan impurezas aceptoras
porque contribuyen, a la conductividad al aceptar electrones de los tomos del material bsico
en la banda llena. Tal aceptacin deja un hueco o agujero en la banda llena. Por el intercambio
de los electrones tomados de tomo a tomo, estos agujeros positivos "se mueven de manera
efectiva sobre y constituyen los portadores de corriente, y el material y su conductividad se dice
que son del tipo p.
En condiciones de equilibrio, la conductividad de una regin elctricamente neutro o una zona
de un material tal semiconductor est directamente relacionada con la concentracin de
impurezas significativas. Impurezas donantes que han renunciado a los electrones a una banda
sin relleno tienen carga positiva. y puede ser pensado de iones positivos como fijos. En una

regin de un semiconductor que tiene slo impurezas de tipo donantes, la concentracin de

electrones de conduccin es igual a la concentracin de los donantes ionizados. Del mismo
modo, en una regin de un semiconductor que tiene slo impurezas aceptoras, la concentracin
de los agujeros es igual a la concentracin de los iones cargados negativamente aceptores Si por
cualquier razn hay una salida de la neutralidad elctrica en una regin, dando una carga de
espacio resultante, la magnitud de la conductividad, e incluso el tipo de conductividad pueden
diferir de la indicada por las impurezas significativas. Antes se pensaba que la capa de barrera
de alta resistencia en un rectificador difiere de alguna manera en la constitucin qumica o en la
naturaleza de las impurezas significativas desde el cuerpo principal del semiconductor. W.
Schottky, en Zeits. f. Phys, volumen 113, pgina 367 (1939), ha demostrado que esto no es
necesario. Mientras que la concentracin de portadores (cargas mviles) en la capa de barrera es
pequeo, la concentracin de impurezas ionizadas (cargos fijos) puede ser el mismo que en el
cuerpo del semiconductor. Los cargos fijos en el acto capan de barrera en concierto con cargas
inducidas de signo opuesto en el electrodo de metal para producir una cada de potencial entre el
electrodo y el cuerpo del semiconductor.
La concentracin de portadores en un punto depende del potencial electrosttico en ese punto, y
es pequea en comparacin con la concentracin de equilibrio en el cuerpo del semiconductor si
el potencial difiere de la que en el cuerpo por ms de una pequea fraccin de un voltio. La
teora matemtica ha sido desarrollado por W. Schottky y E. Spenke en Wiss . Veroff . Siemens
Werke , vol . 18, pgina 225 (1939). Estos autores muestran que si la variacin en el potencial
electrosttico con la profundidad debajo de la superficie es suficientemente grande, la
conductividad pasa por un mnimo para un determinado potencial y la profundidad y la
conductividad es de tipo opuesto para valores ms grandes de la potencial correspondientes a
valores ms pequeos de la profundidad. Ellos llaman a la regin de conductividad opuesta
escriba una regin de inversin. As, es posible tener un contacto rectificador en una fina capa
de un tipo de conductividad al lado de electrodo el metal, separados por una barrera de alta
resistencia del cuerpo de tipo de conductividad opuesta.
Se ha sealado por J. Bardeen en Phys. Rev., vol. 71, pgina 717 (1947), que el mismo tipo de
capa de barrera Schottky que se encontr para rectificar contactos puede existir debajo de la
superficie libre de un semiconductor, la carga espacial de la capa de barrera est equilibrado por
una carga de signo contrario sobre los tomos de la superficie. Es posible, por ejemplo, para
tener una capa delgada de conductividad de tipo p en la superficie libre de un bloque que tiene
una concentracin uniforme de impurezas donantes y que, por tanto, tiene conductividad de tipo
N en el cuerpo del bloque, incluso aunque no hay impurezas aceptoras reales.
Para distinguir una situacin de este tipo desde el similar que depende de la presencia de
impurezas qumicas significativas de tipo opuesto en una fina capa superficial, se emplean los
trminos fsicos y qumicos. As, los trminos "capa fsica y barrera fsica se refieren a la capa
de tipo de conductividad opuesto al lado de la superficie y la barrera de alta resistencia que lo
separa del cuerpo del semiconductor, ambos de los cuales existe como resultado de condiciones
de la superficie y no como una resultado de una variacin en la naturaleza o la concentracin de
impurezas significativas. Los trminos capa qumica y "barrera qumica se refiere a la situacin
corresponden que no depende de una variacin en impurezas significativas.
Ambas capas fsicas y capas qumicas son adecuadas para la invencin.
Se sabe cmo, mediante el control de la distribucin de impurezas, para fabricar un bloque de
silicio 7 que el cuerpo principal es de un tipo de conductividad, mientras que una capa
superficial delgada, separada del cuerpo principal por una barrera de alta resistencia, es de la
otra escriba. En este caso se cree que la capa a ser qumica en lugar de fsica. Para los mtodos
de preparacin del silicio, as como para ciertos usos de la misma, se puede hacer referencia a
una aplicacin de JH Bufanda y HC Theuerer, presentada el 24 de diciembre de 1947, No. de
Serie 793.744 y Patentes de Estados Unidos 2.402.661 y 2.402.662 a RS 0111. Tales materiales
son adecuados para su uso en conexin con la presente invencin. Se prefiere, sin embargo, para

describir la invencin en relacin con el material que se emplea cuando se hizo el

descubrimiento en el que se basa la invencin, a saber, N Tipo de germanio que ha sido as
tratada como para que pueda soportar la alta tensin en el direccin inversa cuando se usa como
un rectificador de punto de contacto.
Hay un nmero de mtodos por los cuales el germanio y su superficie se pueden preparar. Uno
de estos mtodos comienza con el proceso que forma el objeto de una solicitud de JH Scafi y
HC Theuerer, presentada el 29 de diciembre de 1945, No. de Serie 638.351, y que se describe
adicionalmente en Crystal Rectificadores por HC Torrey y CA Whitmer, radiacin Serie
Laboratorio N 15, (McGraw-Hill 1948). Brevemente, dixido de germanio se coloca en un
plato de porcelana y se reduce a germanio en un horno en una atmsfera de hidrgeno. Despus
de un fuego lento preliminar, la temperatura se eleva a 1.000 C. en el que el germanio se licua y
la reduccin sustancialmente completa tiene lugar. La carga se enfra entonces rpidamente a
temperatura ambiente, despus de lo cual tal vez roto en trozos de tamao conveniente para el
siguiente paso. La carga se coloca ahora en un crisol de grafito y se calent a la licuefaccin en
un horno de induccin en una atmsfera de helio y despus se enfri lentamente desde la parte
inferior hacia arriba por el aumento de la bobina de calentamiento a la velocidad de alrededor de
A; pulgadas por minuto hasta que la carga se ha solidificado completamente. Se enfra luego a
temperatura ambiente.
El lingote se empap prxima a un bajo calor de alrededor de 500 C durante 24 horas en una
atmsfera neutra, por ejemplo de helio despus de lo cual se dej enfriar a temperatura
ambiente.
En el lingote tratado con calor resultante, varias partes o zonas son de diversas caractersticas.
En particular, la parte central del lingote es de N-tipo de material capaz de soportar una tensin
de vuelta ", en el sentido en que se emplea este trmino en la tcnica rectificador, de 100-200
voltios. Es este material el que es preferido para emplear en conexin con la presente invencin.
Este material es prxima a cabo en bloques de tamao y forma adecuados para su uso en
relacin con la invencin. Una forma adecuada es un bloque en forma de disco de dimetro
sobre / 21 pulgadas, y el espesor de 3 5 pulgadas. El bloque se muele plana en ambos lados,
primero con 280 malla polvo abrasivo, por ejemplo, carborundo, y luego con 600 de malla. Se
graba entonces durante un minuto. solucin puede consistir en c. c. de cido ntrico
concentrado, 5 c. c de la norma comercial por ciento) de cido fluorhdrico, y 10 c. c. de agua,
en el que una pequea cantidad, e. g. 0,2 gramo, de nitrato de cobre se ha disuelto. Este
tratamiento de grabado habilita el bloque para resistir tensiones elevadas (rectificador) de la
espalda.
A continuacin, un lado del bloque est provisto de un revestimiento de metal. por ejemplo de
cobre o de oro, que constituye una baja resistencia elctrica El tacto de grabado. Esto se puede
hacer por evaporacin o electrochapado de acuerdo con tcnicas bien conocidas. Como medida
de precaucin contra la contaminacin de la otra (sin revestimiento) lado del bloque que puede
haber ocurrido en el transcurso del proceso de recubrimiento, sin revestimiento lado puede ser
sometido a una repeticin del proceso de grabado.
El bloque de ahora se puede dar un tratamiento de oxidacin andica, que puede llevarse a cabo
de la siguiente manera. El bloque se coloca, con el lado sin revestimiento hacia abajo, sobre una
cama de placa de metal que est conectado al terminal positivo de una fuente de tensin tal
como una batera, y que parte de la superficie superior (sin revestimiento) que se va a tratar se
cubre con boriborate glicol polimerizado, u otro electrolito preferiblemente viscoso en el que el
dixido de germanio es insoluble. Un electrodo de metal inerte, tal como plata, se sumerge en el
lquido sin tocar la superficie del bloque, y est conectado a un terminal negativo de la batera
de aproximadamente 22,5 voltios. Actual de alrededor de 1 miliamperio comienza a fluir por
cada centmetro cuadrado de superficie del bloque, Cayndose a aproximadamente 0,2
miliamperios por cm. -en unos 4 minutos. El electrodo se conecta a la terminal de la batera -45
voltios. La corriente inicial es aproximadamente 0,7 miliamperios por cm, cayendo a 0,2

miliamperios por cm. en aproximadamente 6 minutos. El electrodo se conecta a la terminal de la

batera voltios. La corriente inicial es ahora aproximadamente 0,5 miliamperios por cm,
cayendo a 0,15 miliamperios por centmetro? en 10 a 2-0 minutos.
La batera se desconecta entonces, se retira el bloque y se lav limpio de borato de glicol con
agua caliente, y se sec con un pauelo de papel fino. Acabado de secado se ha llevado a cabo
con xito mediante la colocacin del bloque en una cmara de vaco y la aplicacin de calor
radiante. O bien el calor o el vaco puede ser suficiente, pero los dos juntos se sabe que son. Si
se requieren electrodos punto en la superficie superior como se describe ms adelante, que se
pueden evaporar en el curso del bloque El germanio se han preparado de la manera anterior, y la
fig. 1a muestra la parte central del bloque en seccin y a una escala ampliada. Haciendo
referencia a las Figs. 1 y 1A juntos, la parte inferior del bloque cuya superficie est chapada con
una pelcula metlica 2 que sirve como el electrodo de base, es conocido por ser de tipo N. La
delgada capa 3 en la superficie superior se manifiesta conductividad de tipo p en cuyo caso,
como es bien sabido, el lmite 4 que separa esta capa de tipo P a partir del material de tipo N del
cuerpo principal del bloque se comporta como una alta resistencia rectificar barrera. Un primer
electrodo 5, que se denota el emisor, hace contacto con la cara superior del bloque, i. e., con la
capa de tipo P 3, preferiblemente en algn lugar cerca de su centro, o al menos varios dimetros
de punto eliminado desde el borde ms cercano.
Este contacto es preferentemente del tipo de rectificador con respecto al cuerpo del bloque. Se
puede comprender un alambre doblado de material elstico, de 0,5 a 5 milsimas de pulgada de
dimetro, seal preferiblemente en el contacto y electrolticamente o por molienda. Procesos
para la formacin de los puntos de tales alambres se describen en la Patente de Estados Unidos
2.430.028 a WG Pfann, JH Scaff y AH White. El punto del alambre se pone en contacto con la
superficie superior 3 del bloque con una fuerza de 1 a 10 gramos, con lo cual un flujo en fro del
metal del punto tiene lugar, haciendo que se ajusten a las irregularidades minutos del bloque
superficie. Para este fin el cable del punto debe ser dctil, en comparacin con el material del
bloque. Tungsteno, cobre y bronce fosforoso son ejemplos de materiales adecuados.
Un segundo electrodo 6, que se denota el colector, hace contacto con la cara superior 3 del
bloque muy cerca del emisor se han obtenido 5. Los mejores resultados cuando la separacin,
medida a lo largo de la superficie del bloque, entre el colector y el emisor, es de 1 a 10
milsimas de pulgada. Este electrodo 6 debe hacer contacto con el bloque rectificador y puede
ser un alambre de resorte en punta, formado y colocado como se ha descrito anteriormente en
conexin con el emisor 5. Por otro lado, comprenden una pequea mancha de metal, por
ejemplo, el oro, el cual se ha evaporado sobre la superficie superior del bloque en el curso de la
operacin de secado final, ya travs del cual se ha perforado un agujero central (ver Fig. 6) o a
travs del cual una ranura diametral ha estado fuera (ver Fig. 7). La evaporacin de un lugar o
una pelcula de metal tal sobre la cara superior despus de la finalizacin del proceso de
oxidacin andica se ha descrito anteriormente da como resultado una unin rectificador no
hmico o conexin.
Una tercera conexin, denominado el electrodo de base, est hecho, por soldadura o de otra
manera, a la pelcula de metal 2 que ha sido chapada en la superficie inferior del bloque
Mientras la unidad est lista para su uso, su funcionamiento general se puede mejorar mediante
una proceso de formacin elctrica, en el que se aplica un potencial en exceso de la tensin de
pico de vuelta a uno o ambos de los electrodos de punta 5, 6, i. e., entre ella y el electrodo de
base 2. La unidad est protegida contra lesiones por las corrientes pesadas mediante la inclusin
de una resistencia en serie. Se cree que el efecto de este tratamiento a mentir en una aplicacin
concentrada de campo elctrico y calor a la material en la inmediata vecindad del punto, y as en
una mejora de las caractersticas elctricas del contacto.
Voltajes de polarizacin se aplican ahora a los electrodos. Un pequeo sesgo, generalmente
positivo, en el emisor del orden de una fraccin de un voltio y un sesgo negativo ms grande en

el colector, por lo general en el rango de a 50 voltios, medido, en cada caso, desde el cuerpo del
bloque del electrodo de punto. Estos potenciales de polarizacin se pueden obtener de las
bateras l, 8 conectados como se muestra o de otra manera, segn se desee.
Una carga de 1.000 a 100.000 ohmios puede ahora ser conectado en circuito con el colector, por
ejemplo por medio de un transformador de salida 9, y una seal a amplificar puede ser aplicada
entre el emisor y el electrodo de base, por ejemplo por medio de una ID de entrada del
transformador. Las conexiones pueden ser los de la triodo convencional como se indica en la
figura. 10, o de la llamada placa de toma de tierra o de ctodo-seguidor, como en la Fig. 11. En
estas figuras la seal de entrada es simblicamente representado por una fuente de Si y de la
carga por un Rn resistencia de salida. Se hizo descubrimiento de las propiedades de
amplificacin del dispositivo, sin embargo, con el circuito de base a tierra de la fig. 1, de las
cuales la contraparte tubo de vaco es la llamada conexin a la red con conexin a tierra de la
fig. 2. (La caracterstica distintiva principal de este circuito como se emplea con un triodo tubo
de vaco es que la corriente de carga fluye a travs de la fuente. Esto no se cumple para la
unidad de la presente invencin, debido a que el electrodo de base puede deducir la corriente
sustancial.) El dispositivo como as conectado ha dado ganancias de potencia de ms de un
factor de 75. Los datos de funcionamiento en tres muestras diferentes se dan en la siguiente
tabla:

La confirmacin de la presencia de amplificacin de potencia se ha obtenido realimentando una

parte de la tensin de salida a la circuito de entrada, como por medio del acoplamiento entre los
devanados de un transformador de I2, como en la Fig. 12 despus de lo cual se llev a cabo
Autooscilacin sostenida.
Es de sealar que en el caso de la N0. 1 muestra de la tabla anterior, la ganancia de potencia es
superior a la ganancia de tensin por un factor de 1,3 o. Puesto que , en cualquier dispositivo de
amplificacin que da tanto ganancia de potencia y la ganancia de voltaje, la ganancia de
corriente es el cociente de los dos, es evidente que la muestra No. 1 manifiesta una ganancia de
corriente de 1,3 .
Sin necesariamente suscribirse a ninguna teora particular, la hiptesis siguiente se presenta para
dar cuenta de lo determinado experimentalmente hechos, con todo lo cual es consistente. Se
cree que la preparacin del material semiconductor y su resultado tratamiento de la superficie en
la formacin de una pelcula de xido, y, debajo de ella, de una capa o pelcula 3 de
conductividad de tipo p sobre la superficie del bloque, separado del cuerpo principal, que es de
tipo N, por una barrera de alta resistencia 4. La pelcula de xido se elimina mediante lavado.
Esta capa de tipo P es muy delgada, tal vez 10 cm. de espesor, pero el cuerpo de tipo N del
bloque proporciona todo lo necesario, soporte para el mismo, y tambin proporciona una
trayectoria de baja impedancia al electrodo de base 2. Su presencia es confirmada por el hecho

de que, en particular con las fuerzas de peso pluma en los puntos de contacto 5, 6 y con
pequeas tensiones aplicadas a ellos. A veces se han obtenido las caractersticas de rectificador
de tipo P. (De tipo P y tipo N caractersticas del rectificador y de su significado y las diferencias
se discuten en la patente de Estados Unidos 2.402.839 a RS Ohl.) Sin embargo, cuando la fuerza
mecnica en el punto de contacto se incrementa a 10 gramos o menos, y el voltaje aplicado a
ella es elevado a unos voltios o menos, la caracterstica del rectificador se observa de repente a
cambiar de tipo P a N de tipo. Adems, las mediciones de sonda potenciales sobre la superficie
del bloque, hecho con el colector desconectado, indican que la mayor parte de la corriente de
emisor se desplaza sobre o cerca de la superficie del bloque, sustancialmente lateralmente en
todas las direcciones de distancia desde el emisor 5 antes de cruzar la barrera 4. Estas
mediciones indican la presencia de una capa conductora en la superficie del bloque, que por
inferencia es de tipo P. En caso de que el tratamiento se detiene con el proceso de grabado, se
cree que la capa a ser fsica. Si se incluye la etapa de oxidacin andica ms, se cree que la capa
a ser qumica, pero su naturaleza no ha sido definitivamente establecida.
Se cree que la capa de tipo P en la superficie de germanio de la realizacin preferida no se altera
en gran medida cuando un contacto se hace con un punto de metal. Cuando se aplica un
pequeo sesgo positivo al emisor, y fluye una corriente, los portadores son en gran medida los
de la capa superficial, es decir, los agujeros en lugar de electrones de conduccin. Las
mediciones de sonda potenciales discutidos anteriormente indican que la concentracin de
agujeros, y por lo tanto la conductividad, en las proximidades del punto de emisor, aumentan
con el aumento de corriente directa. Esta corriente de huecos se extiende en todas direcciones
desde el emisor antes de cruzar la barrera de alta resistencia 4. Con el circuito de colector
abierto, que a continuacin hace su camino a travs del cuerpo del bloque a la superficie inferior
chapado 2. (En el cuerpo de tipo N del bloque, la corriente puede tomar la forma de un flujo de
electrones hacia arriba para neutralizar el flujo hacia abajo de los agujeros de la capa de tipo P).
En la ausencia del electrodo colector 6, esta corriente es la nica corriente. Su ruta se indica en
la figura. 1 por lneas de corriente 3.
Ahora, cuando se hace el contacto colector 6, y un potencial sesgo negativo se aplica a la
misma, de desde --5 a 50 voltios, un campo electrosttico fuerte aparece a travs de la capa de
tipo P 3, ya travs de la barrera de resistencia alta 4, siendo mantenida por cargas positivas fijas
como la del material del cuerpo de tipo N en el inmediaciones del colector. La barrera y la capa
de tipo P juntos se cree que son del orden de cm. de espesor. As, con 10 voltios a travs de un
espacio de l0 cms., La resistencia media de este campo es del orden de 10 voltios por cm.,
Siendo mayor en el colector y que se extiende en todas direcciones desde el colector, y se indica
en la figura. la por la lnea discontinua , en el que algunas de las cargas positivas fijas se indican
con signos ms.
Es con el fin de que el material deber ser capaz de soportar una gran cada de tensin en esta
regin que se prefiere material de la llamada de tipo de alta tensin de la espalda.
Ahora, cuando llega la corriente de huecos positivos como se indica por lneas de corriente L5
dentro de la influencia de este campo, los agujeros son atrados a la regin de potencial ms
bajo, es decir, hasta el punto en el que el electrodo colector 6 hace contacto con la capa 3. Hay
que sean recogidos por el colector 6 a aparecer como una corriente en un circuito de carga
externo 8, 9 conectado al colector 6. Con el gran sesgo negativo en el colector 6, una variacin
de varios voltios en el colector hace muy poca diferencia en la fuerza o el alcance del campo
que lo rodea, y por lo tanto tiene sino un efecto secundario sobre la fraccin de la corriente de
emisor recogida por el colector. En otras palabras, el colector opera en condiciones que estn
cerca de la saturacin, y la alternancia de impedancia de corriente del circuito de colector es
alta. Como se muestra en la Tabla I, se ha medido a valores de 10.000 a 100.000 ohmios. Para la
salida de potencia mxima, la impedancia de carga externa debe ser adaptada a la impedancia
interna del colector. Por otro lado, la variacin de la tensin entre el emisor y la base 5 del
electrodo 2 por una pequea fraccin de un voltio, como por una seal que se puede aplicar a
los terminales de entrada y tan impresionado en estos electrodos, por ejemplo, por va de la l0

transformador, los efectos de una gran variacin en la corriente de emisor y por lo tanto en la
corriente de colector. Por lo tanto una rplica amplificada de la tensin de la seal de entrada
aparece a travs de la resistencia de carga.
Como se muestra en la Fig. 1a, se prefiere que el rea de contacto de cada uno de los dos
electrodos de punto .La superficie del bloque sea grande en comparacin con el espesor de la
capa. Esto reduce la resistencia de contacto real en comparacin con la resistencia encontrada
por la corriente que fluye lateralmente en la capa superficial en s; la resistencia a la
propagacin de la capa.
Cuando el electrodo colector 6 es un solo alambre puntiagudo o un punto metlico evaporado,
una fraccin de la corriente de emisor, despus de extender lateralmente en la capa de tipo P 3,
finalmente encuentra su camino a travs de la barrera 4 para el electrodo plated 2 en el la cara
inferior del bloque, 1. al electrodo de base. Esta situacin se representa en la Fig. 3 que es una
vista en planta del bloque que muestra las lneas de flujo de corriente 13 divergentes en todas
direcciones desde el emisor. Las lneas de corriente actuales 13 son rectas en ausencia del
campo de colectores. Cuando el campo colector 14 est presente el campo actual se distorsiona
como en la Fig. 3a que muestra que, incluso con un solo electrodo colector 6 ms de la mitad de
la corriente de emisor puede ser recogida. De hecho, la fraccin de la corriente de emisor que
alcanza el colector puede, en casos favorables ser tan alta como por ciento.
Para aumentar esta relacin, especialmente en el caso de unidades en las que esta relacin es
menos favorable, requiere una disposicin de electrodo modificado. Obviamente, si el campo
fuerte 14 que rodea el colector se fueron a solaparse o incluir el emisor 5. sustancialmente la
totalidad de la corriente de emisor sera recogido. Esto, sin embargo, implicara una prdida de
control. Una solucin consiste en proporcionar dos colectores 6, Ir, como en la Fig. 4, o tres 6,
6a, 6b, como en la Fig. 5, dispuestas simtricamente respecto al emisor 5. Evidentemente Con
tal disposicin se recoge una considerablemente mayor fraccin de la corriente de emisor. En
cada caso, los lmites del campo colector se indican mediante lneas discontinuas 4. Los varios
coleccionistas pueden conectarse entre s y muchos se pueden emplear como puede parecer
deseable. La adopcin de esta solucin an ms conduce a la 6d colector anillo de la figura. 6,
en cuyo caso el campo de colectores lleva la forma de un semitorus. Su traza en el plano de la
superficie del bloque se muestra por las lneas discontinuas 4a, Mb. Las dos manchas
semicirculares 6E, 6 de la Fig. 7 son el equivalente sustancial del crculo de la Fig. 6
El aumento adicional puede hacerse en la resistencia efectiva de la barrera 4 y por lo tanto en la
resistencia interna de la base-emisor. circuito del electrodo y de la relacin de la corriente de
colector de la corriente de emisor mediante la restriccin de la zona de la barrera 4 s mismo a
un comparativamente pequea regin que rodea el emisor 5 y el colector 6. Esto se puede lograr
mediante la restriccin de la zona del bloque 1 que se somete a tratamiento de oxidacin
andica o por mecanizado el bloque despus del tratamiento. En el primer caso, el resultado es
una forma de arco P-capa 3, delimitada por una barrera arcos 4, como se muestra en la Fig. 11, y
en el ltimo caso, es un bloque I que tiene la forma de una pirmide truncada, con la barrera de
4 "cerca de la cara ms pequea, como se indica en la Fig. 10.
En el caso de que la caracterstica de resorte no se desea para los puntos de contacto de emisor y
colector, diversas estructuras alternativas pueden ser empleados. Por ejemplo, las dos caras de
una pieza cuneiforme de material aislante 16 se pueden colocar con pelculas de metal como en
la Fig. 8, un 5 para servir como emisor y el otro 6 | como coleccionista. O una pieza en forma de
cono 11 puede ser plateado sobre su superficie cnica y un cable insertado a travs de un
orificio central como en la figura. 9. El alambre central 52 se emplea preferiblemente como el
emisor y la pelcula de la placa circundante 62 como colector. El cono y la cua sirven para
mantener las capacidades inter electrodos a un mnimo, manteniendo los contactos se cierran
juntos donde se apoyan contra la superficie del semiconductor.

Adems comprensin de las consideraciones que rigen el espesor de la capa superficial de tipo P
puede tener de las siguientes consideraciones, que se aplican especficamente a una capa
qumica.
Fig. 13 es un grfico del potencial electrosttico en el cuerpo de un semiconductor de tipo N en
contacto con un metal. Como anteriormente se ha dicho, el entonces tipo de material del
semiconductor contiene cargas positivas fijas o encuadernados. Se cree que ser distribuida con
uniformidad razonable en profundidad a una cierta distancia, ms all del cual el material es
elctricamente neutro, debido a que las cargas positivas consolidados se equilibran con
(electrn) cargas iguales negativos. De acuerdo con la ecuacin de Poisson:

donde V es el potencial
x es la distancia medida desde el metal en el semiconductor
p es la densidad de carga, y
la constante dielctrica del material.
Suponiendo que la densidad de carga p sea uniforme, dos integraciones dan el potencial como
una funcin de la profundidad. Cuando se trazan, es una parbola. En la figura, potencial
negativo se ha trazado hacia arriba. La subida vertical desde el nivel de Fermi a la terminal de la
curva a su interseccin con el eje potencial, representa la energa que debe ser impartida a un
electro para hacer que se mueva desde el metal al semiconductor. Estas cuestiones se explican
completamente en la bibliografa, por ejemplo, en Teoras Schottkys de los rectificadores de
slido seco. por J. Joife, publicado en comunicacin elctrica, vol. 22 (1944-1945) en la pgina
217.
Del mismo modo Fig. 14 muestra la distribucin de potencial, para los agujeros positivos,
dentro de un semiconductor tipo P en contacto con un metal. En este caso, la altura Eh de la
terminal de la curva desde el nivel de Fermi representa la energa que debe ser dada a un agujero
positivo para hacer que abandonan el metal y entrar en el semiconductor.
Fig. 15 es un diagrama que muestra de material compuesto, en las curvas superiores, la energa
de los electrones y en las curvas inferiores de la energa agujero, dentro de un semiconductor
que comprende una capa delgada de material de tipo P separado de un cuerpo de material de
tipo N por una barrera. Los gastos fijos son negativos en el material de tipo P y positiva en los
de tipo N, y por simplicidad se supone que se distribuye de manera uniforme en cada zona.
Integracin de la densidad de carga, dos veces, de acuerdo con la ecuacin de Poisson da las
curvas ms baja, (1, b de los dos grupos, que representan condiciones de equilibrio y que, pero
para una constante de Eg aditivo, son iguales. El electrodo de control Eg constante ms reduce
el potencial del bloque. Evidentemente, la alteracin del potencial de bloque con respecto al
emisor opera en cada caso para aumentar el espesor efectivo de la capa de tipo P y por lo tanto
la densidad de orificios y la conductividad de la capa. Dicho aumento en la conductividad con el
aumento de la polarizacin directa se ha observado en relacin con las mediciones de sonda
potenciales mencionados anteriormente.

El pico redondeado de la curva de potencial agujero se encuentra por debajo del nivel de Fermi.
Cuanto mayor es el espesor de la capa de tipo P, ms el trmino de esta curva cae por debajo del
nivel de Fermi, mayor es la magnitud de Eh, y mayor es la Dificultad para los agujeros para
dejar el metal del emisor y entran en el semiconductor. Del mismo modo, la ms delgada la capa
de tipo P, menor es la magnitud de Eh, y mayor ser la facilidad con la que los agujeros se
mueven desde el metal del emisor al semiconductor y entrar en l. Por otro lado, si la capa de
tipo P es demasiado delgada, la conductividad de la capa, que est relacionada con la anchura de
la porcin aproximadamente grasa de la parte superior de la curva B1 de la figura. 15 ser
pequea. En las proximidades del electrodo colector, el espesor de la capa de tipo P debe ser lo
suficientemente pequeo para que la rectificacin caracterstica del colector est determinada
principalmente por el cuerpo del semiconductor y no por la capa. Si, ahora, el colector est
polarizado en la direccin inversa con relacin al cuerpo, la mayora de la cada de la alta
tensin en el electrodo se produce en la proximidad inmediata del colector, de modo que la
impedancia del circuito de colector es alta.
La capa de tipo P se ajusta preferiblemente a un espesor ptimo que se extiende entre estos
extremos. Los mejores resultados se cree que se obtiene cuando su espesor es tal que el terminal
de la curva cae ligeramente por debajo de la cima redondeada. Los agujeros pueden entrar en el
semiconductor sin gran dificultad, y tienden a acumularse en la regin de mayor potencial
negativo como una nube de cargas positivas mviles. A continuacin, se difunden desde el
emisor en la Fig. 1. perpendicular al papel en la Fig. 15-algunos de ellos entrar en el campo Es
del colector 6.
Debido a que la parte derecha de la curva inferior cae muy por debajo de la parte de la
izquierda, los agujeros positivos pueden cruzar la barrera slo con dificultad. Debido a que la
capa de tipo P es delgada, la energa Eh, requerida para causar agujeros para entrar en la capa, es
pequeo. Por lo tanto agujeros entrar fcilmente bajo la influencia del sesgo positivo en el
emisor 5 representa la diferencia de energa entre la llenos fueron, en la parte superior de un
lquido en un recipiente cerrado. Ellos pueden viajar fcilmente en la capa y paralela a l.
El sentido en que, y la razn por la que existe la barrera, que separa una regin de conductividad
de tipo p de una regin de N-tipo de conductividad. a pesar del hecho de que el material
semiconductor en s puede ser qumica y estequiomtricamente uniforme, puede explicarse
como sigue:
\ De las consideraciones elementales, la conductividad es dada por

donde

, son la densidad de electrones, la carga electrnica, y la movilidad de los

electrones, respectivamente, y
positivos
Se sabe que

son las cantidades correspondientes para huecos

donde Ve: es la altura del espacio potencial de electrones: curva de poten- (. A de la figura 15)
por encima del nivel de Fermi, y Vh es, correspondientemente, la altura del nivel de Fermi por
encima de la curva de potencial espacio agujero (b de la Fig. 15) y A1, A2, K. y T son
constantes para un dado, la temperatura medida en que la diferencia de potencial entre los dos
tipos de curvas espaciales potencial es a. Fe constante, la conductividad se puede escribir

Dado que el factor de

no difiere en gran medida en magnitud del factor
. Es
una simple cuestin de clculo para demostrar que esta expresin es un mnimo cuando

que la resistividad del material es mayor en la profundidad a la que las

curvas A y los 2) curvas de la Fig. 15 que a distancias iguales por encima y por debajo del nivel
de Fermi, respectivamente; y que, adems, la resistividad se aparta rpidamente de este valor
mximo como los potenciales de espacio Va y Vh salen de la igualdad.

Si

la conductividad de electrones es mayor que la conductividad agujero, y la

conductividad es de tipo N. Si
la conductividad agujero es mayor
que la conductividad electrnica y la conductividad es de tipo P.
Fig. 16 es una representacin tridimensional de las condiciones que los agujeros se enfrentan en
el curso de su recorrido en la capa desde el emisor a la colector, en paralelo con el eje Y. Como
en la Fig. 15, el eje X representa la profundidad medida en el semi-conductor y el eje V que es
arrastrado a una escala aproximadamente logartmica, representa potencial negativo. Como los
orificios se acercan el colector del pico de la curva de potencial se vuelve menos y menos
pronunciada hasta que finalmente, en el colector, la regin de potencial ms bajo, a la que
fluyen los agujeros, es el colector s mismo, donde son retiradas.
De esa parte de la corriente de emisor que cruza la barrera, una cierta fraccin cruza de nuevo
en la proximidad del colector y se recoge formando as una parte de la corriente de colector. La
hiptesis anterior en cuanto al mecanismo por el cual se obtiene amplificacin se aplica a esta
fraccin de la corriente, as como a la fraccin que procede enteramente dentro de la capa.
La corriente de colector contiene todava otro componente, que consiste en un flujo de
electrones desde el colector al electrodo de base, cruzar la barrera una vez en su camino. Una
hiptesis en cuanto a la manera en la que este componente de la corriente toma parte en el
proceso de amplificacin es el siguiente:
Hay una colina potencial en el punto de contacto entre el electrodo colector y la capa
superficial, que ofrece una impedancia al flujo de electrones desde el electrodo en el
semiconductor. En ausencia de sesgo, la altura de esta colina, indicado por Ee en las figuras. 13

y 15, es la energa que se requiere para tener un electrn del metal y colocarlo en la banda de
conduccin del semiconductor. Cuando el colector est polarizado en la direccin inversa, la
altura efectiva de la colina, y por lo tanto la impedancia del punto de contacto, se reducen por el
campo elctrico a travs de la capa de barrera y que acta en una direccin tal como para tirar
de los electrones desde el electrodo. El efecto es aumentar el flujo de electrones en el
semiconductor de una manera que es similar a la mejora de la corriente de un ctodo
termoinico por emisin inducida por el campo. Cuando el emisor est conectado, y una
corriente de agujeros flujos al colector, la acumulacin de las cargas positivas de estos agujeros
en la zona del colector tiende a hacer que la cada potencial ms rpidamente con la profundidad
en el material, y as resulta en una aumentar en el campo y una disminucin en la altura efectiva
de la colina, en la impedancia del punto de contacto. Por tanto, cualquier aumento en ese
componente del colector de corriente que se origina en el emisor se acompaa de un aumento
correspondiente en la otra componente de la corriente de colector, es decir, en el flujo de los
electrones al electrodo de base. Por lo tanto el cambio total en la corriente de colector puede ser
mayor que el cambio en la corriente de emisor.
De la descripcin anterior, resultar evidente que si se desea emplear un bloque de
semiconductor de que el cuerpo principal es de tipo P de modo que la conductividad de la capa
superficial fina, ya sea debido a impurezas o a los efectos de carga de espacio, es de tipo N, las
polaridades de todas las fuentes de sesgo de las figuras 1, 10, 11 y 12 son para ser invertido. Se
tambin se debe entender que las magnitudes de los sesgos Para un mejor funcionamiento
dependern del material semiconductor empleado y en su tratamiento trmico y procesamiento.
Adems, es posible utilizar una capa de tipo P de un material semiconductor sobre un cuerpo de
tipo N de algn otro material semiconductor o viceversa. Todas estas variaciones se contemplan
como dentro del espritu de la invencin.
La invencin no debe interpretarse como limitada a las formas particulares descritas en el
presente documento, ya que stos han de considerarse como ilustrativas en lugar de restrictivas
Lo que se reivindica es:
1. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor de la cual el
cuerpo es de un tipo de conductividad y una capa superficial delgada es del tipo de
conductividad opuesto, un contacto de toma de electrodo emisor con dicha capa, un contacto
haciendo electrodo colector con dicha capa de dispuestos para recoger actual se extiende desde
dicho electrodo emisor y un electrodo de base de hacer contacto con el cuerpo del bloque.
2. Aparato como se define en la reivindicacin 1 en el que la capa superficial es del mismo
material qumico como el bloque.
3. Aparato como se define en la reivindicacin 1 en el que el bloque es de germanio.
4. Aparato como se define en la reivindicacin 1 en el que el bloque es de tipo N germanio y la
capa superficial de tipo P germanio.
5. Aparato como se define en la reivindicacin 1 en el que el bloque es de alta tensin de
germanio espalda y al menos una parte de una superficie del cual se ha aplicado una un
"tratamiento de oxidacin
6. Un elemento de circuito que comprende un cuerpo de soporte semiconductora, una capa
superficial delgada de material semiconductor soportado por y en contacto elctrico con dicho
cuerpo y que difieren en el tipo de conductividad de la misma, un contacto de toma de electrodo
emisor con dicha capa, un electrodo colector en contacto con una parte diferente del elemento
de la parte contactada por dicho electrodo emisor y dispuesta para recoger actual se extiende
desde dicho electrodo de emisor, y un contacto de toma de electrodo de base con el cuerpo.

7. Aparato como se define en la reivindicacin 6 en el que el rea de contacto del electrodo

emisor con la capa semiconductora es grande en comparacin con el espesor de la capa.
8. Aparato como se define en la reivindicacin 6 en el que el electrodo emisor es un punto de
contacto.
9. Aparato como el definido en la reivindicacin 6 en el que el electrodo emisor y el electrodo
colector son contactos puntuales.
10. Aparato como se define en la reivindicacin 6 en el que el electrodo emisor y el electrodo
colector de maquillaje rectificador de contacto con el cuerpo por medio de la capa de
semiconductor.
11. Aparato como se define en la reivindicacin 6 en el que el electrodo colector est separado
del electrodo emisor por una distancia del orden de 1 a 2 mils.
12. Aparato como se define en la reivindicacin 6 en el que el electrodo colector est separado
del electrodo emisor en una distancia que es pequea comparada con el rea de la capa de
semiconductor, pero grande en comparacin con el espesor de la capa.
13. Aparato como el definido en la reivindicacin 6 en el que el cuerpo de soporte
semiconductor se separa de la capa superficial por una barrera de alta resistencia, y en el que el
electrodo de base hace contacto con dicho cuerpo a travs de una amplia rea de una superficie
del mismo que es opuesta a la superficie de rodamiento la capa semiconductora.
14. En combinacin con un aparato como se define en la reivindicacin 6, medios para polarizar
el electrodo de emisor con respecto a dicha capa semiconductora en un sentido para suministrar
los mismos cargos de la seal para el que la capa es conductor, y medios para empujar el
electrodo colector para recoger cargas del mismo signo.
15. En combinacin con un aparato como se define en la reivindicacin 6, un circuito de trabajo
que interconecta el electrodo colector con el electrodo de base, y las conexiones para la
aplicacin de un voltaje de la seal entre el electrodo emisor y el electrodo de base.
16. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor que se
caracteriza por cargas fijas de un lado y que tiene una capa superficial delgada, separada del
cuerpo principal del bloque por una barrera de alta resistencia, caracterizado por las cargas
mviles de la misma seal, una electrodo de base en contacto con dicho cuerpo, un electrodo
emisor en contacto con dicha capa, una fuente potencial conectado a dicho electrodo de base y a
dicho electrodo de emisor al sesgo de dicho electrodo emisor en un sentido para suministrar
cargas mviles del mismo signo a dicha capa, un electrodo colector en contacto con dicha capa,
y una fuente potencial conectado a dicho electrodo de base y a dicho electrodo colector al sesgo
de dicho colector en un sentido para establecer un campo elctrico a travs de dicha capa entre
dicho electrodo colector y cargos fijos en el cuerpo de dicha bloque.
17. Un elemento de circuito que comprende un cuerpo semiconductor, una fina capa superficial
de material semiconductor separado de dicho cuerpo por una alta impedancia de la realizacin
de barrera, al menos dos electrodos, de los cuales uno es un punto fuerte de material conductor,
en contacto en espacio cerrado con dicha capa de superficie, y un tercer electrodo en contacto
con dicho cuerpo.
18. Un elemento de circuito que comprende un bloque 18 de material semiconductor, un
electrodo de toma de contacto de baja resistencia con una parte de la superficie del bloque, una
pluralidad de electrodos que hacen contacto rectificador con otras partes de la superficie del

bloque, las conexiones que incluye dicha primero el nombre de electrodos para aplicar una
polarizacin directa direccin a uno de dichos electrodos de contacto rectificador, y conexiones
incluyendo dicho electrodo primero nombrado para aplicar una polarizacin direccin inversa a
otro de dichos electrodos de contacto rectificador.
19. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor, un electrodo
de toma de contacto de baja resistencia con una parte de la superficie del bloque, una pluralidad
de electrodos que hacen contacto rectificador con otras partes de la superficie del bloque, las
conexiones que incluye dicha primera llamado electrodo para aplicar una direccin hacia
adelante sesgo ms pequeo a uno de dichos electrodos de contacto rectificador, y las
conexiones incluyendo dicho electrodo mencionado en primer lugar para la aplicacin de un
mayor sesgo direccin inversa a otro de dichos electrodos de rectificador.
20. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor, un electrodo
de toma de contacto de baja resistencia con una parte de la superficie del bloque, una pluralidad
de electrodos que hacen contacto rectificador con otras partes de la superficie del bloque y
separados por una distancia que no es mayor que la dimensin ms pequea del bloque, las
conexiones incluyendo dicho electrodo primero el nombre de la aplicacin de una direccin de
avance sesgo ms pequeo a uno de dichos electrodos de contacto rectificador, y las conexiones
que incluye dicho electrodo primero nombrado para aplicar un mayor sesgo direccin inversa a
otro de dichos electrodos de contacto rectificador.
21. En combinacin, un bloque de material semiconductor, una toma de contacto con el mismo
electrodo colector rectificador, un segundo electrodo conectado a dicho bloque, un circuito que
incluye una fuente de tensin y una carga conectada a dicho electrodo colector y a dicho
segundo electrodo, dicha fuente siendo tan polarizado como para dibujar de corriente inversa
desde el bloque a travs de dicho contacto, y otro electrodo de toma de contacto con el bloque
rectificador y dispuesto para controlar la magnitud de la corriente desde el bloque a travs de
dicho primer contacto.
22. La combinacin se expone en la reivindicacin precedente en el que dicho material
semiconductor comprende germanio
23. Un dispositivo de traslacin que comprende un semiconductor, tres electrodos en contacto
con la misma, un circuito de salida de alta impedancia que incluye dos de dichos electrodos y
haciendo una alta resistencia a la inversa rectificador contacto con el mismo por medio de uno
de dichos dos electrodos, y una entrada de baja impedancia circuito que incluye uno de los dos
electrodos primero y el tercer electrodo y haciendo un contacto con los mismos hacia adelante
resistencia rectificador de baja por medio de la tercera de dichos electrodos.
24. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor, un contacto
de baja resistencia del electrodo de decisiones con una parte de la superficie del bloque, un
electrodo emisor y un. electrodo colector hacer contacto rectificador con otras partes del bloque,
medios para empujar el electrodo emisor para la conduccin en la direccin de avance, medios
para empujar el electrodo colector para la conduccin en la direccin inversa, las conexiones
para la aplicacin de una seal entre el electrodo de baja resistencia y la electrodo emisor para
introducir una corriente de cargas mviles en dicho bloque a baja impedancia por medio de
dicho electrodo emisor, que los cargos son de signos opuestos a los signos de las cargas mviles
normalmente presentes en exceso en el material semiconductor en condiciones de equilibrio, las
conexiones para la retirada dicho cargos de dicho bloque en alta impedancia a travs de dicho
electrodo colector, por lo que el voltaje a travs de dicho contacto electrodo colector contiene un
componente que es una versin amplificada de la tensin de la seal, dijo que los cargos que
acta, por razn de su acumulacin en el bloque en el proximidad del electrodo colector, para
modificar la impedancia de su contacto a la corriente que fluye desde el electrodo de contacto

de baja resistencia al electrodo colector, por lo que la corriente extrada del electrodo colector
contiene un componente que es una versin amplificada de la corriente de la seal.
25. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor de la cual el
cuerpo es de un tipo de conductividad, mientras que una capa superficial delgada es del tipo de
conductividad opuesto, un contacto de toma de electrodo emisor con la capa superficial,
haciendo un contacto con el electrodo colector capa superficial y dispuesta para recoger actual
se extiende desde el electrodo emisor, haciendo un contacto electrodo de base con el cuerpo del
bloque, un circuito de entrada que incluye una fuente conectada al electrodo de base y al
electrodo emisor, respectivamente, y un circuito de salida que incluye una carga conectada al
electrodo de base y al electrodo colector, respectivamente.
26. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor de la cual el
cuerpo es de un tipo de conductividad, mientras que una capa superficial delgada es del tipo de
conductividad opuesto, un contacto de toma de electrodo emisor con la capa superficial,
haciendo un contacto con el electrodo colector capa superficial y dispuesta para recoger actual
se extiende desde el electrodo emisor, haciendo un contacto electrodo de base con el cuerpo del
bloque, un circuito de entrada que incluye una fuente conectada al electrodo emisor y al
electrodo de base, respectivamente, y un circuito de salida que incluye una carga conectada al
electrodo emisor y el electrodo colector, respectivamente.
27. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor de la cual el
cuerpo es de un tipo de conductividad, mientras que una capa superficial delgada es del tipo de
conductividad opuesto, un contacto de toma de electrodo emisor con la capa superficial,
haciendo un contacto con el electrodo colector capa superficial y cerradas de la DIS para
recoger actual se extiende desde el electrodo de emisor, una toma de contacto electrodo de base
con el cuerpo del bloque, un circuito de entrada que incluye una fuente conectada al electrodo
colector y al electrodo de base, respectivamente, y un circuito de salida que incluye una carga
conectada al electrodo colector y al electrodo emisor, respectivamente .
28. Un dispositivo de traslacin que comprende un semiconductor, dos contactos de rectificador
respecto, otro respecto de contacto, una fuente de variaciones de corriente de entrada. una carga,
las fuentes de tensin de polarizacin, un circuito que se extiende entre dicho otro contacto y el
primero de dichos contactos rectificador incluyendo al menos dicha fuente de entrada de
variaciones de corriente y una de dichas fuentes de polarizacin polarizados para rectificador
hacia adelante fiujo corriente a travs de dicho primer contacto rectificador, y un circuito que se
extiende desde el otro contacto del rectificador a travs de dicha carga a uno de los otros dos
contactos mencionados y que incluye una fuente de voltaje de polarizacin polarizado para el
flujo de rectificador de corriente inversa a travs de dicho otro contacto rectificador.
29. Un dispositivo de traslacin segn la reivindicacin 28 en el que dicha carga est incluido
entre dicho contacto otra rectificador y dicho otro contacto.
30. Un dispositivo de traslacin segn la reivindicacin 28 en el que dicha carga est incluido
entre dichos dos contactos de rectificador.
31. Un dispositivo de traslacin segn la reivindicacin 28 en el que dicha carga est incluido
entre dichos dos contactos rectificador y en el que el mencionado en primer circuito est
conectado a dicho primero de dichos contactos rectificador independientemente de dicha carga.
32. Un dispositivo de traslacin segn la reivindicacin 28 en el que dicha carga est incluido
en una parte de circuito que es comn a dichas dos circuitos mencionados, un terminal de dicha
carga que est conectado a dicho primero de dichos dos contactos de rectificador.

33. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor, un contacto

de toma de electrodo emisor con el bloque, una regin del cuerpo del bloque inmediatamente
debajo del contacto y acoplado por dicho electrodo emisor se caracteriza por una inversin de
tipo de conductividad, una electrodo colector dispuesto en acoplamiento con el bloque para
recoger la corriente que fluye al bloque por medio del electrodo de emisor, y un contacto de
toma de electrodo de base con el cuerpo del bloque para variar la magnitud de dicha corriente.
34. Aparato como el definido en la reivindicacin 33 en el que dicho electrodo colector hace
contacto rectificador inversa con el bloque
35. En combinacin con un aparato como se define en la reivindicacin 6, conexiones para la
alimentacin de una corriente en dicho cuerpo por medio de dicho electrodo emisor, conexiones
para la retirada de una corriente de dicho cuerpo por medio de dicho electrodo colector, dicha
corriente est llevando dentro de dicho cuerpo de dicho electrodo emisor a dicho electrodo
colector por las compaas cuyos signos son opuestos a los signos de las cargas mviles
normalmente presentes en exceso en el material del cuerpo en condiciones de equilibrio, y las
conexiones para aplicar una seal a amplificar entre el electrodo emisor y la base electrodo, lo
que la corriente retirada desde el electrodo colector contiene un componente que es una versin
amplificada de dicha seal.
36. Un elemento de circuito como se define en la reivindicacin 6 en el que el cuerpo de soporte
semiconductor tiene la forma de una pirmide truncada y en el que la capa de superficie cubre la
cara ms pequea de la pirmide.
37. Un elemento de circuito como se define en la reivindicacin 6 en el que el cuerpo tiene al
menos una cara de rea sustancial y en el que la capa superficial delgada ocupa una pequea
parte de dicha una cara.
38. Un elemento de circuito que comprende un cuerpo de material semiconductor, material que
normalmente contiene un exceso de cargas mviles de un signo ms de las tarifas de mviles de
otro signo, un electrodo de base haciendo contacto de baja resistencia con dicho cuerpo, un
electrodo emisor de hacer contacto con dicho cuerpo en una regin separada de dicho electrodo
de base, un circuito de entrada conectado entre dicha base y emisor incluyendo electrodos y una
fuente para empujar dicho electrodo de emisor con dicho otro signo, de ese modo inyectar en
dichos cargos cuerpo de dicho otro signo, una conexin de electrodo de salida a dicho cuerpo, y
un circuito de salida conectado entre dicha conexin de electrodo de salida y uno de dicho
emisor y la base de electrodos y que incluyen una fuente para empujar dicha conexin de
electrodo de salida con dicha una seal, con lo que se retire de dicha una corriente de los cargos
de cuerpo dicho otro signo introducido en dicho cuerpo a travs de dicho electrodo de emisor
39. Un dispositivo de traduccin .signal que comprende un cuerpo de material semiconductor,
material que normalmente contiene un exceso de cargas mviles de un signo ms es de char
mviles de las otras conexiones de signos, de colector y de base a dicho cuerpo, una fuente de
energa de entrada, medios separada de dicho colector y conexiones de base y que incluye dicha
fuente para aplicar a una regin de dicho cuerpo separado de dicho energa conexin del
colector para establecer en dicha regin de cargas elctricas mviles de dicho otro signo, y un
circuito de salida conectado entre dichas conexiones de colector y la base, dicho circuito de
salida que incluye medios para aplicar a dicho colector de conexin de un sesgo de la polaridad
opuesta a la seal de cargos dicho establecidos, por lo tanto para atraer a dicha conexin del
colector dijo que los cargos establecidos.
40. Un elemento de circuito que comprende un cuerpo de material semiconductor, una parte de
la cual es de un tipo de conductividad y otra porcin de los cuales es de tipo de conductividad
diferente, un electrodo emisor acoplar la primera porcin del cuerpo, un electrodo de colector de
enganchar el cuerpo para recoger la corriente que fluye al cuerpo por medio de dicho electrodo

de emisor, y un electrodo de base que proporciona una conexin de baja resistencia a la dicha
otra parte del cuerpo para variar la magnitud de dicha corriente.
John Bardeen. Walter H. Brattain.
22 Referencias Orren Las siguientes referencias son de registro en el archivo de esta patente:
ESTADOS UNIDOS PATENTESertificate de la patente No. 2,524,035 Correction
03 de octubre 1950 John Bardeen ET AL.
Se certifica que el error aparece en la especificacin impresa de la patente requiere correccin
numerada anterior de la siguiente manera:
La columna 6, lnea 54, para ar lectura son; columna 8, lnea 73, para leer y la columna 17, lnea
51, la palabra lado leer signo; V y que dicha Cdula debe leerse en su versin corregida por
encima, por lo que la misma puede cumplir con el expediente del caso en la O fi cina de
Patentes.
Firmado y sellado este segundo da de enero de 1951 ADs F. PHY, Comisionado Adjunto de
Patentes.