Informe de Laboratorio de Electrnica II

Simulacin de MOSFET en Software Archimedes

Christian Fabricio Tenicota Toapanta
Cdigo: 435
Escuela Superior Politcnica de Chimborazo
christian07-07@hotmail.com
Abstract- The document will be referred data obtained by
implementing the Archimedes software to simulate behavior
of a Mosfet, taking into account the parameters of each
mosfet will alter their specific values for different data and a
better idea of how it affects each value in the performance of
a Mosfet..

INTRODUCCIN
A partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET
han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con
los BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es
decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase
un nmero mayor. Adems su proceso de fabricacin es
tambin ms simple. Adems, existe un gran nmero de
funciones lgicas que pueden ser implementadas
nicamente con transistores MOS (sin resistencias ni
diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente
principal de la electrnica de utiliza preferentemente en
la electrnica digital.
OBJETIVOS
A. Objetivo general:
Describir la estructura del MOSFET y su modo
de operacin y verificar su funcionamiento
mediante el simulador archimedes introduciendo
en el simulador los datos propuestos por el
docente para anlisis de la diferente reaccin que
tendr el mosfet al estar sujeto a estos valores.

En un MOSFET el canal se forma dentro del sustrato,

pero, a diferencia de un JFET, este ltimo est conectado
elctricamente a la fuente y no a la compuerta.
Es de gran importancia saber en qu consiste el efecto
de modulacin de longitud del canal como bien sabemos
la corriente del drenaje es proporcional al cociente entre
el ancho del canal W y su longitud L, de esta forma como
diseadores se pueden seleccionar los valores, para
obtener determinadas curvas caractersticas en intensidad
y voltaje.
Para valores mayores de vDS la corriente del drenaje
aumenta cada vez ms lentamente; esto se debe a que el
extremo del canal ms prximo al drenaje se halla
polarizado en inversa a causa de la fuente de tensin
vDS.
A medida que vDS aumenta el canal se alarga ms y
su resistencia aumenta de manera correspondiente, por
tanto la caracterstica iD VDS no continua como recta
si no que se curva, entonces VDS llega al valor de Vt que
reduce el voltaje entre compuerta y canal en el extremo
del drenaje disminuye casi a cero y se dice que el canal
esta estrangulado; el aumento de VDS ms all de este
valor tiene poco efecto en la forma de canal y la corriente
que lo atraviesa permanece constante al valor alcanzado
para VDS = VGS Vt , es entonces cuando el transistor
entra a la regin de saturacin. 1

B. Objetivo especfico:
Conocer las ecuaciones que gobiernan a los
MOSFETs.
Observar de una forma grfica el desempeo de
un MOSFET al cambiar sus variables y
determinar nuevas variables para mejorar el
rendimiento del MOSFET.
I.

MARCO TERICO

Los MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field

Effect Transistors) o MOS, (figura 1) son FETs en los
cuales la compuerta est elctricamente aislada del canal
mediante una fina capa de bixido de silicio (SiO2), la
cual le confiere unas caractersticas muy especiales, por
ejemplo, una extremadamente alta impedancia de
entrada.

Figura 1. Diseo interno del dispositivo MOSFET.

II.

PROCEDIMIENTO

Lo principal para este laboratorio es instalar el

programa de simulacin archimedes en una mquina
virtual o en el sistema operativo Ubuntu, de no tener
1

W.R. Curtice. A MoSFET model for use in the design of GaAs integrated
circuits, IEEE Trans. MTT, vol. MTT-29, pp. 448-456, May 1980.

acceso lo podemos realizar desde la pgina en lnea del

simulador (https://nanohub.org/resources/archimedes), en
donde encontraremos un entorno amigable al usuario
para realizar nuestra prctica.

Figura 4. Electron Density.

Figura 5. Electrostatic Potential.

Figura 2. Simulador en lnea del programa Archimedes.

Para realizar nuestra prctica de laboratorio

utilizaremos el script de este simulador para el cual
cargaremos la programacin de un mosfet para realizar
los cambios determinados por el docente para esta
prctica de laboratorio.

Figura 6. Electron Energy.

Figura 3. Script con la programacin de un mosfet.

Figura 7. Conduction Band in X

Para la prctica de laboratorio realizaremos los

cambios en nuestro script, los datos a cambiar estn
determinados por el docente previamente los cuales estn
determinados en la figura 4.

Los datos obtenidos en la primera simulacin con un

vds = 1, y un vg = 2.2 son los siguientes.

Figura 4. Parmetros establecidos por el docente.

Los datos obtenidos en la primera simulacin con un

vds = 1, y un vg = 0.8 son los siguientes.

Figura 8. Electron Density.

Figura 13. Electrostatic Potential.

Figura 9. Electrostatic Potential.

Figura 14. Electron Energy.

Figura 10. Electron Energy.

Figura 15. Conduction Band in X

Los datos obtenidos en la primera simulacin con un

vds = 1, y un vg = 3.4 son los siguientes.

Figura 11. Conduction Band in X

Los datos obtenidos en la primera simulacin con un

vds = 1, y un vg = 3.0 son los siguientes.

Figura 12. Electron Density.

Figura 16. Electron Density.

Figura 17. Electrostatic Potential.

Figura 18. Electron Energy.

Figura 19. Conduction Band in X

III. CONCLUSIONES

Para escoger un dispositivo de potencia es

imperativo tener en claro con que valores de
voltajes y de corrientes se va a trabajar adems
que este simulador nos ayuda a tener una
perspectiva amplia de cmo est formado el
MOSFET internamente y como es su
funcionamiento dependiendo del nivel de dopaje
al que este sujeto.
Al modificar los datos en nuestro simulador
podemos observar los diferentes cambios de nivel
de energa, esto se debe al dopaje de nuestro
mosfet y a los diferentes voltajes que hemos
sometido al mosfet.
Es muy importante conocer los parmetros de
funcionamiento de los dispositivos MOSFETs
ya q nos ayuda a comprender mejor su
funcionamiento.
El simulador Archimedes es una gran ayuda para
comprender el comportamiento de un MOSFET
gracias a su entorno grfico.
REFERENCIAS

[1]W.R. Curtice. A MESFET model for use in the design

of GaAs integrated circuits, IEEE Trans. MTT, vol.
MTT-29, pp. 448-456, May 1980.
[2]https://nanohub.org/tools/mosfet/session?
sess=1036762
[3]http://www.cartagena99.com/recursos/electronica/apun
tes/Electronica%20Basica%20Para%20Ingenieros.pdf