Anda di halaman 1dari 3

Percobaan 1

Spesifikasi Dioda Si (Silikon) dan Ge (Germanium)


1.1 Tujuan
Memahami karakteristik dioda Si dan Ge
1.2

Landasan Teori
Dioda secara umum terbuat dari Si dan Ge. Dioda di susun
dari bahan semikonduktor tipe-P dan tipe-N yang bergantung
kepada jumlah ikatan elektron atau hole yang dimilikinya.
Ketika tidak diberikan sumber tegangan, pada bagian
sambungan tipe-P dan tipe-N atau disebut PN-Junction
terdapat daerah deplesi (daerah kosong), karena tidak adanya
pembawa elektron dan hole. Pada kondisi ini, PN-junction
memiliki potensial barrier. Apabila diberikan tegangan, maka
terjadi difusi (penyebaran)dan perpindahan elektron dan hole.
Forward bias (bias maju) terjadi ketika tipe-P terhubung ke
terminal positif dan tipe-N ke negatif, maka arus akan
mengalir searah anak panah dioda. Reverse bias (bias
mundur) terjadi ketika tipe-P terhubung ke terminal negatif
dan tipe-N ke positif, maka arus mengalir berlawanan arah
dengan anak panah dioda.
Dioda adalah komponen elektronika semikonduktor yang
memiliki 1 buah junction, sering disebut sebagai komponen 2
lapis (lapis N dan P). Dioda merupakan suatu semikonduktor
yang hanya dapat menghantar arus listrik dan tegangan pada
satu arah saja. Bahan pokok untuk pembuatan dioda adalah
Germanium (Ge) dan Silikon/Silsilum (Si).
Bias dioda adalah cara pemberian tegangan luar ke
terminal dioda. Apabila A diberi tegangan positif dan K diberi
tegangan negative maka bias tersebut dikatakan bias maju
(forward bias). Pada kondisi bias ini akan terjadi aliran arus
dengan ketentuan beda tegangan yang diberikan ke dioda
atau VA-VK > Vj dan selalu positif. Sebaliknya apabila A diberi
tegangan negative dan K diberi tegangan positif, arus yang
mengalir (IR) jauh lebih kecil dari pada kondisi bias maju. Bias
ini dinamakan bias mundur (reverse bias) pada arus maju (IF)
diperlakukan baterai tegangan yang diberikan dengan IF tidak
terlalu besar maupun tidak ada peningkatan IR yang cukup
signifkan.

1.3 Peralatan yang digunakan


-

Modul (HBE-B3E)
Board rangkaian dioda Si dan Ge (Chap 13, HBE-B3E)

Rangkaian dioda Si memiliki R1=270 , D1 dan D2 tipe


1N4001
Rangkaian dioda Ge memiliki R2=270 , D3 dan D4 tipe
1N34A
1.4 Langkah percobaan
Gambar 1.1 Rangkaian Dioda Si

Gambar 1.2 Rangkaian Dioda Ge

1.4.1 Dioda Silikon


a. Pasang board Si dan Ge di base board pada modul
b. Cek keadaan LED SW1 menyala dan SW2 terhubung ke
D1 untuk mengaktifkan dioda bias maju
c. Untuk memberikan daya, tekan tombol power input P1
dan masukkan nilai yang diinginkan, lalu tutp switch
Power1
d. Aktifkan tombol pengukuran tegang V1 dan buka
sakelar SW1, lalu aktifkan tombol pengukuran arus A1

e. Ukur dan catat hasil pengukuran arus yang mengalir


pada dioda Si dibias maju ke dalam tabel
f. Ulangi langkah c-e untuk harga P1 berlainan
g. Tekan tombol initial value pada sudut kanan atas untuk
menginisialisasi rangkaian seperti kondisi awal
h. Untuk pengukuran tegangan dan arus dioda dibias
mundur, maka hubungkan sakelar SW2 ke D2
i. Ulangi prosedur percobaan c-g
1.4.2 Dioda Germanium
a. Cek keadaan LED SW3 menyala dan SW4 terhubung ke
D3 untuk mengaktifkan dioda dibias maju
b. Untuk memberikan daya, tekan tombol power input P2
dan masukkan nilai yang diinginkan, lalu tutup switch
Power2
c. Aktifkan tombol pengukuran tegangan V2 dan buka
sakelr SW1, lalu aktifkan tombol pengukuran arus A2
d. Ukur dan catat hasil pengukuran arus yang mengalir
pada dioda Ge dibias maju ke dalam tabel
e. Ulangi langkah b-d untuk harga P2 berlainan
f. Tekan tombol initial value pada sudut kanan atas untuk
menginisialisasi rangkaian seperti kondisi awal
g. Untuk pengukuran tegangan dan arus dioda dibias
mundur, maka hubungkan sakelar SW4 ke D4
h. Ulangi prosedur percobaan b-f
i. Jika percobaan sudah selesai di lakukan, tekan tombol
initial value dan tekan to contens screen untuk
mengakhiri percobaan.