LY DiKTAT IO ee 1 TEKNOLOGI RANGKAIAN TERINTEGRASI MATERI PENGANTAR PERKEMBANGAN DIVAIS MIKROELEKTRONIKA PROSES FABRIKASI IC PEMBUATAN WAFER [EPITAKSI DAN DEPOSIS! FILM OKSIDASI DIFUSI_ DAN IMPLANTAST ION ‘TEKNIK LITOGRAFI PROSES TSA ‘METALISASI DAN BONDING vyvvvyYyyvyyY UTS TEKNOLOGI Mos SIMULASI PROSES DAN DIVAIS. ATURAN DISAIN SIMULASI DAN PEMBUATAN DENGAN KOMPUTER vyvvy ACUAN ; 1, CONDUCTOR “TECNNOLOGY’ FAIR CHILD'1985, 2, PRINCIPLES OF MOS VLSi DESIGN, NEIL WESTE DAN KAMRAN ESHRAGHIAN'I985. 3. DESIGN DAN APPLICATIONS OF ANALOG IC, SOCLOF, PRENTICE HALL, 1991. —_—_—_——— Rayan TekIC-ke 1 tedoeRANGKAINN TERINTEGRAS | “Taregented Circuit CEC) Ng » DEFINISI + Redirsase secara Fuk days eleman-elemen rarpkatan yang sécard Teepriah Ninps eawrvpaion Say Waste yp berada dradas atau rdatam sebuah badan yg Kenny ane erenfomnivle ev rang « vatan. > KAPAETERISTIK DASARL + 4 vboran keoctt 2. Wargarya murah 3. Weondalan Krggi a. Tapa we mamperinyy’ sipat Yagunaan ¢ performance) D VUASIPIEAS! OTAMA TC a SrevE + Seri horaivietor yp Bypolar Mos CMe) Oxrde Semfandvetor? fe Lapnion /arbira 7p Lapsion bal : I Uapssan Apts x Funes! © Dipiial 2 OTL COredy Trmeune Tepe? E TTL CTransivor Tresor legie? Me Courrent Mode UgFe) au + Horr atag D> Torquay brdang, User Parga Dperagroral av A TNGYAT InTeERAS + Skala SST ( Simall Scale Tnhegrarea) Kurang dort 24 gals / leurarg dart sp transistor = Skala MSx C Mrdate sanie Inhgeahd) 24 Gans dan Lvrang dans 100 Gays ¢ 90 SA:a90 transis er) a Skala LS C Large Scale Integrated) too “7A 10-009 gums / ao 5/4 0 trande lor / Stain VusT (Very Lorgy Seal tnikpeana A {w.000 4d 500-600 gates / 20-000 Hd 1000-000 Arc der fe Skala Gst Catgn Seate Sonora) >sse0.000 sprang, | 71.000-000 Frantitor / Asumst st gale 2 4 2 transistor : u Saat ini > veovren muipe + 1 ranean mampy ber ponges soxnjpalt beoerapa galesIN ELERTROMIEA TSOLATOR ¢ Mempungas racistonas yy sangat beiur Co) fe borlvest CTA Ccensver tard) J aan am valent Cvatence Gana) 3 # KoNDUETOR + Mumpunypi TUAEMK yp Sargat Iacr\ (% 0) TIT ss BA: ee THA « ows es seminonpueTOR ¢ Mempunyas lang Kaci) Medak begs sajn ap dubailen condi WE A og. gacokenyn ava a= qeim Wongukss > ‘empat ¥/ beerwbyrgan / berendviet , shy eelewon yp, Toerada & pile kondvkss sp dinemalan “eleidren: bias” yas ia avenon yy Wy "KPa Dewy valent | Remnpat “leompuian® eeicivon valNnss yay “ellen pada “ Font tertvar drs sway aoen «Rada ptm Eni ordanpad “hele bedas gate Vain ein ver Petaric Va pte Vandoles miata, # Ine bon cum mencrgpatian "hel don sitktvenrya Acivtv¥! eleelrmn benas Coerods 6 pie Warstvit) aon hel nya arthur Felt bras (remade a gst voters) i and Gap +: doeah Rrlavary 2 TIPE SEMI KONDVETOR. 9 pet Contrinsk) | Semilondvedor yy lary murni Cesium dibs: Yengerer | doping 2-9 7m eleurron > rot @ tpt Gxsiring) + Semibondwier yg trdak. murnt: “wdah Pengotor | 20Hir) > gymiah ekkehon > hole Cpe maga dey) 8 Mpe p Gisirmae) - Sti ltondvicter yp Anal, mumnt’ Corda Aster Peryplor Fdopig) ~% pmlay eewen < holw € tHpe pertine) Kouser bond fe hipe n> er doping. ctom = 5 elictron valent wong to 8 Anping alvin = 3 eek hes tian wore @ wexreorgpn vee sation esoce eo6ée B> taryaen (2 SteurengiratenenNPUETOR Nive & Ih hole sevup cm /bonsentrayl Cimgka? Wepadatmn 3 pelea ny Cnet Ang) P ) ete dave Hpe tip ptt as tye pi levih padat ap Ape p pt = 5 Wornmg pauiat ap Meee Ly 3 orm yadat ap Hye RE ah 3 Sango} Fenda koneinbanye p= 10% 5g ap" i? JEMRONDVETOR TAPE -9 hpe pe 97 = 10% Sa 10% ow Aott Sta 1D om"? ge itt = 1O% Sia (OM Os Ype ne = vo ow” pe” a nts "ena hin v= wom om? E lo* $14 1D om Ma. 10" %a 107" em"? 10 cm 10% cm? 2 10% em?se-Jos (592590256 Joan)a MODUL KE 3 2. Teknologi Rangkaian Terintegrasi (3 sks) MATEBLKULIAH. ‘uallas sekaliqus karekteristik rangksian lerintegrasi sangat bergantung dar Bahan semikcrduklor dan “kosempumaan ‘rstel tunggal’ er Pentngnya “kesempurnaen kestal tunggar ati Bahan semikondukter, Karena SEmekin somouma krstainya make peluang kKerusakan lapisan kristalnya akan Remakin seal, beranipengarsh kerveane, {988)syaratutama delem hal bahan semizend ‘Nor yoy nentinya oasibuat sebagai substratrangkeianlerntegrai,yitu Bagaimana ceranya dalam momperclah tingket kemuian bahan tersebut > Bagaimana caranya dalam menambahken kelidakmurnian dalam bahan torsebut. SUBSTRAT, WAFER, dan INGOT Yong dimaksus dengan substret rangkaian terintegrasl adalah Ichen tau deerah Stay banan dase yang gunn sbaallempetishar unk menu argkaian Lerletegras, Untuk li jlasnys pad gambar bert in v suostrar ly (ditt ot samping) Pade amber tersebu, teapet stan ingot yall asi proses perurrian sekaigus ‘embuatan Wise tunggel dari behan semikondktorssbelum dipo long potong, ‘Wafer adalah has potongen dari ingot tersebul, yang berbertuk seperti CD. Bek ingot dan wafer, keduanya juga disebut substret.Tetapl ita ou in banyak ooipakel justru untuk menjelaskan hasil proses pembualan IC yang linet dan Polongan melintang bentuk goometrnys (althat dari samping) delam 2 dimenst, ¢ roses Pemurnian Semikonduktor Terdapet dua cara proses pemumian semikonduklor yas > Bemurnian Secara proses kimia Pemurnisn socara proses kimia diakuksn untuk memischkan semikonduktor dari behan kompon, misalnya + Ge (Germaniom) cipisankan dari bentuk 4AgS.GeS2 {Argyrodite) atau 7CUS FeS.GeS; (Germanite) dan sebagainya. * Si (Sitkon) cipisahkan deri bentuk SiC atau SIMCly atau! SiH atau Silan (ari bin besi dalam bentuk oksida Si HHasil pernurnian secara proses Kimia tersebut, tingkat kemurniannya celalif ‘endah. ysitu hanya 99, 99 %, + Bemurnian Secara proses fisika Pemurnian secara proses fisika menggunakan sift fiske yang dken ‘sejala segregasi, yang ditemukan oleh Saft di Amerika fengan Dalam sifet_seareaas) tersebut, sejumich besar ketidsimumian atau ‘otovan dari bagian vang padat torearap ke bagisn yang sedanq meleleh Tahun 1852, Pfann dari Amerika mencoba proses ini dan menghasitken tingkst Komurnian £8,99999989 %. Seat ini dengan teknologi yang lebih bak dapat ihasitkan lingksl kemnurnian 99,999989908 %, Terdape! dua care pemurnian berdaserkan metodelsital segy yegasi tersebut, vyaitu + Yana_penama_disebut cara “Pembekuar yates ahaa semikonduktor dielehkan seluruhay, kemut n kernal darisalah salu ujungnya. Pada seat citekukan tersebut, Klidakmurniznny akan berpindahfoergeser ke daerah yang beku. Bagi seterusnya, schingga pede Ujunglakhir daerah yang dibekukan, disitulah menjadi daerah yang paling linggi Kemurniannya. Cara ini digunekan pada qetoda_penarikan Metoda Czockrais!), tetapl tidak untuk memumikan sub untuk memberikan ketidakmyrnian pada eubstrat, at, melainkan Baglan yang digekutcan Baglan yang masin ° < v Cara Pembokuan Normal Yang_kedua_disebut_Metoda_“Pemurnian _WilavahiDaerah_(Zone ‘efininaY” atau "Pelelehan Daorah (Zone Melting), yailu begion yang meleien digeserken sepanjang somikonduktor yeng berbentuk memanieng, sehingge seligp bagian yang dllelehkan dan langsung dibekukan Kembali secara beruruten, Sepeni heinya_metode yang pevtarna, bahwa kelidskmumiannye berpindahibergeser ke deeran yang lelen, sehingga dengan digesortersebut, ketidakmumianrya akan terbawe oleh daerah yang leten, Bagian yang metelen <Keuntengan melede pemuinian eeerah dbancingkan dengan penbekuen ‘ownal adalah : Pate metode pombekuan normal, volume deerah yang dbekukan mekin lama 'makin.besar, den sebalixnya volume deerah loleh makin tema makin kecil en Karena kolorankietidakmumian mengikuti daaran yang beku, maka konséntrasi kelidakmurnian pada daerah yang leleh semakin kecit, dan pada akhiraye di ujueg daersh yang dbskukan, xonsentesi Kal idekirurnlannya pallag rendah. Ini semua menunjudkan bahwa tinh kat hamurnivesnva fdake imeraia, otau Konsentasi ketdakmumiannya ken woman bo \aerah yang pertama kali dibekukan, 3° menuju kenya, meted isi dapat disivkan Berulang-larg, atau ke untuk kebutunon ‘meratekan r-utano, ‘etidakmemian, metode ini juga dapat dlakuken baru Metoge zone ming yeng cgunakan untuk menyebarkan ko “in dramakan dengan Metode Perntrataan Daerah, Paris ‘istéde pemarataan Idokmurnien tersebut, ‘daerah, bahan semikondukior yang aka (Gehl Suéah harus dalam koncisi muni Severt lan sect disingoung sebelumnya, banwa eu ES tr "aN ati misode inkadalah kelidakcmurnian yang siverikanidtambankan akan terbagi meraiz dalam soluruh dacranieubstraviistal jabung Kuarsa Pemanas, Sorel Senih Kristal —+~-Ketidakmurnian yang didopkan Baglan yang rolaion | Bolen od | | cawan Grafit Prinsip Pemerataan Daersh Pada gemvar tersebul, terdapat sebuah cawan graft yang didalarnaya (paling Kiri) diletakkan sekeping Kecilkristal tunggal yang disebut dengan beni Kristal. Di Teknik FLOAT ZONE. Proses area pengapungan sering digunakan untuk memproduksi batang kristal silicon tunggal, dimena khususnya dengan resistivity material paling tinggi > 100 A_cm yang diinginkan, Di dalam proses pertumbuhan Kristal ini sebuah tangkai dari polycrystalline. silicon diameter 100 mm akan ditempatkan di 4 tabung dan diproduksi dalam ruang vakum yang tinggi. Bagian bibit kristal silicon tunggal yang kecil ditempatkan di 4 tabung ditempatkan dengan hubungan satu dan akhir dari tangkai polycrystalline silicon, Seperti ditunjukkan didalam gambar 2.2. Sebuch air pendingin frekwensi radio (RF) mengurangi panas koil dari arus induksi eddy didalam silicon dan meningkatkan suhu dari bagian tertentu dari tangkai dekat induksi panas Koil diatas titik cairnya, Hasil dari area pencairan ini ditempatkan didalam permukean effect ketegangan pencairan ini dimulai pada akhir bibit dari tangkai polikristal silicon, dan pergerakan area pencairan induktansi panas coil dapat perlahan-lahan lebih duly berpindah ‘sepanjang tangkai Pengapungan area Kristal ditumbuhkan di dalam tabung vakum ‘atmosfir, dan tidak ada kontak dari batang dengan wadah tempatnya, ‘Sehingga hasil dari sini, kristal resistensi yang sangat tinggi dengan isi dari oksigen yang sangat rendah dan pengotoran lain dimungkinkan dengan proses area pengapungan, Didalam proses Czochralski, hubungan dari silikon cair dengan wadah kwarsa diperoleh kontaminasi dari cairan dengan oksigen dan pengotoran-pengotoran yang lain dari wadah, Pada tabel 2.1, sebuch perbandingan umum dari penyajian proses Czochralski dan float-zone,Tabel 2.1. Perbandingan proses Czochralski dan Float-zone. Parameter Czochralski Float-zone Resistivity (Q_cm) N-type (0.001-25 (0.001- 25 .001-100 (0,001-500 +0,005-20 10-50 P-type. ,0003-100 (0.001-10.000 Al: 0060-15 Gai 0.10-20 Radial resistivity Grodient (dari pusat sompai - setengah redius)%) 6 10 5 10 Lifetime(us)Resistivity (em) (us) L 15 10 5-10 25 10-50 50-100 ‘Above 50 75-200 Dislocation density 0-150 cm™ 10,000-30.000 em ‘Oxygen content 5-10 ppm 05-10 ppm 25X10 5/45 x10 em® | 25x10 s/4 5 X10 em*|} | |Lmonerte Yeu Water cooke | cooper RF i induction ong al ster | | th sien | sat (1 Rotation Quarts tube Poiyerytaline ‘Vecuum Silicon rod Molten zone Induction Direction of Heating coi FEA Movement of Coil and molten zone Single-) Gambar 2.2. Vakum penyaringan float-zone dan penumbuihan Kristal {9} Penyasingnn Float-zone. [b). Penumbuhan krista, > TEKNIK BRIDGMAN. Digunakan untuk material Ga As. Proses : dalam oven pelebur terdapat dua daerah yang berbatasan dan dijaga pada dua temperatur yang berbeda. Kemudian dipanaskan ‘sampai pada titik lebur (1250°C) dan secara perlahan dilewatkan pada daerah temperatur lebih rendah yang secara perlahan berubah menjadi solid pada suhu 620°C (lihat gambar 2.3). temperatur ini ipilih agar sejumlah As (yang terjaga dalam zone nya) akan memberikan atmosfir As dimana proses kristalisasi Ga As terjadi Proses ini secara perlahan akan menggantikan teknik Czochralski.MATER! KULIAH Unuian proses pabrikasi rangkaian terintegrasi secara globel : layout maske Pencucian wafer, oksidasi, clfusi, fotoltageafi dan elsa olsida.( (pemberian Kontak meta), fotoltograf dan etsa meta POKOK BALASAN: masker, PENGANTAR PROSES PABRIKASI RANGKAIAN TERINTEGRASI (IC) LF — Oleh Ir, INDRAGUNG PRIYAMBODO, #7. | 3.1_Pendahuluan Pn Untuk lebih mudahnya diembll contoh sebueh Komponen datsm rang wksian terintegresi, yaity buah dioda pn seperti gambar berkut ini yang dlthat dari SAMPING (bentuk geometri salah satu penampang dioda pn delem rant Substrat tipePade gamber tersebut substratinya bertipe p. Jika substrat tersebut dari bahan sikon (Si) maka oxide-nya (oksidanys) adalah SiO: (siken dicks). .ike substat ‘ersebut dari behan germanium (Ge} maka oxide-nya (oksidanya) adalah n G20: (germanium dioksids), dan seterusnya, Kemudian metel dalam gamber tersebut dapat berupe emas, perek, atau ‘lumunium, ateu motel fainnya, PPacla gamber tersebut (oi semoing kir-kanan) terdapat tanda “yang menunjulkkan banwa substrsinye relaif sangat tinggi/tebal dibandingkan ketebalan oxice den metal, Pada umumnya substat tersebut mempunyai ketebalsr: eskitir $80 um-sid 420 um sedangkan oxide dan mstalnye setar 0,25 sid 1 pm. ‘Tebal substrat tidak mutlak seperti yang telah discbutken (waler yeng dijval . untuk difusi n® ————____ ~ —“T SSS \ sai sann a oo dari samping ee —_____. (ie ee we sil desain masing-masing+ Masker ke 2 untuk lubang kontak lari sampin dari atas ia a + Masker ke 3 > untuk kontak (metal ag SSS == lari sampi dariatas ——“@t samping Tekno Ranson ToPencucian wafer diwali dengen membersihkan Kentaminasl organik film Menggunakan pelarut bahan organik yaitu aceton konsentrasi tinggi, kemudian ‘menggunakan TriChloro-£thylene (TCE) konsentras tinggi. Pencucian terhadap bahan anorganik dan metal manggunekan teruisn asam buat yaitu HNO. den HsSO« Larutan pencuci terakhir adalah dir untuk membiles zat pencuel. air yang Sigunaken rela herus bebas ion (delonizad wateriDI-H;0), mempunyai resistivitas tinggi (> 15 MO.em), serta mengandung kurang dari 100 artikelorganisme hidup per cm. Seteleh dibilas OI-H,0, water dikeringken untuk proses selanjutrya, i Secara Global Proses pabrikesi secara global untuk membentuk Komponen (misalnya dioda pn ‘seperti contch tersebut) rangkian terintegrasi dangan urutan seperti beriku in 1 2. 3 4 Desain masker dan layout masker Pencucian water Proses oksidasi ke 1 Proses fotoltografi ke 1 (menggunakan masker ke 1, yeilu masker untuk Cifusi tie n* } dan etsa cksida Proses difusitipe at sms ates. Proses oksidasi ke 2 Proses fotoltograi ke 2 imenggunaken masker ke 2, yeitu mesker untuk ‘ubang Kontak) dan etsa okside Proses metalisesiinterkoneksi meta!) Prosas fotoltograi ke 3 (menggunakan masker ke 9, yailu masker untuk kontakimetal) dan etsa metal Diantara proses-proses tersebutterdapat proses pembersinsn atau pencucien yang memegang perenan sangat pening pada pabrkasi dan prektis 50% atau lebih dari seluruh proses pabrikasi [C adalah proses pembersihan atau) Pencucian tersebut. Pambersinen atau pencucian antar proses adalah pe\afersubstrat sobelum etsa (paca umumaya setetah fotoltograf) dan pencucian Waferisubstrat sebelum proses oksidasi. Pada prinsinaya proses pencucian tersebut adalah sama seperti yang teish dijelasken pada + lersebut, Borikut ini akan diureikan secare global hasil proses-: 289m bentuk ‘gambar penampang/geometrinys. Diasumsikan bahwa substrat yng diguinakan ‘adalah substrattipe p dari bahan silicon. esain masker dan layout masker Hasil desain masker dan layout masker dapat dia peda subbab 3.2 Pencucian wafer Gambar berikut adalah gambar sybstrat silcon tipe p dan semping (tampak samping), den gambar-gambar selanjutnya dalam bentuk gamber penampang ampak samping atau sering cinamakan “aentuk geometrinya”, ‘Substrat tipe p. Proses oksidasi ke 1 Proses oksidasi adalah proses molapisi substrat dengen okside. Karena substratnya deri bahan silcon maka oxide yang dihasilken adalah SiOx (Sitkon ‘slokside).Sifat dari oksida adalah isolator, jadi berfungs! untuk meng-"isolasi” Substrat dari pengaruh luar. Has deri proses oksidasi sepnet bent ni xia ——————sy ey ‘ Substrat tipe p (| ——4. Proses fotolitografi ke 1 (menggunakan masker ke 1, yaitu masker untuk difusi tipe n’ ) dan etsa oksida Proses fololitografi adalah proses mem-foto (memindahkanimencetak) pola yang ‘ada pada masker ke permukaan subsiral (oksida), Kemudian proses etsa oksida ‘adalah "melubangi" lepisan oksida sesust dengan pola masker yang lercelak tersebut, “Lubang’ tersebut nantinya digunaken unluk “jalan masuk" roses berikutnya, Hasil dari proses fotoltogratitdan etsa oksida seperti berkut in oxide oe wR Substrat tipe p 5. Proses difusi tipe n' roses éfusi adalah proses untuk member’ ketidakmumian (‘mendoping") ke dalam substrat. Karena ditusinya adalzh tipe a‘ meka bahan yang digunakan adalah Dahan yang mempunyai § buah elektron valensi, salah satunya yang cukup populer ‘edzlah Boron (8), Hasil dari proses ditusitipe n° seperti berkat ii oxide once Substrat tipe p Proses oksidasi ke 2 Selelah dicifusi maka lubengnya harus ditutup lagi, oleh Karena itu cilakuken ‘Kembali proses oksidast untuk menulup lubang tad, setingga tevisolasi kemball Hasil dari proses oksidasi ke 2 tersebut, seperti berikut in,Substrat tipe p * Z. Proses fotolitografi ke 2 (menggunakan masker ke 2, yaitu masker untuk lubang kontak) dan etsa oksida Setelah lubangrya tertutup oleh oksida, lakukan Kembali proses fotottografi menggunakan masker ke 2 yaitu masker untuk lubang kontak. Setelah cifotoltografi ian dietsa okside, sehingga terbentuklah lubang untuk Kontak tereebut. Hast ari proses fotoltograf ke 2 dan etsa oksida seperti berikut in lubang lubang oxide kontak oxide kontak 5 SE fps Ce v Substrat tipe p Setelan terbentuk hubang untuk kontak, maka seluruh permukaan dilapici dengan metal, dan proses untuk itu disebut dengan proses metalisas Behan metal yang digunekan untuk proses metalisesi dapat berupa emas, persk, tau’ alumunium, atau metal lainnya yang resistansinya sengat kecil dan termasuk sebagai konduktor yang balk, Hes dari proses mieiaisis| adalah seperti beri inmetal oxide Cxice- é : Ce Substrat tbe p : 9. Proses fotolitografi ke 3 (menggunakan masker ke 3. yaitu masker untuk kontak/metal) dan etsa metal Seteleh selursn permukaan terutup oleh metal, kemudian bagian yang tidak memerlukan metal tersebut ciouang (albersihken metalnya). agian yang imemerluken metal sesuai dengan masker untuk kontakimetal yeitu masker ke Untuk tu dlakuken Kembali proses fotografi menggunakan masker ke. 3, emucian diets metal, sehingga tersisa metal sesual dengan pola meskor ‘ersebut, Hasil dari proses fotoltografl ke 3 dan etsa metal seperti beriku ni metal snetal oxide oxide ea n Substrat tipe p {11 Gldcleman, Stary, and Hochberg, AK, Process Enginaetiag Aaciysisn Semiconductor Device Fabrication, MeGraw Hil 1993, 12] Ruska, W. Sect, Microslectronic provessing: An Inroduction to the Integrated Circuits, MeGraw-Hil, 1987. [2] Rio, Reka, Fisika don Teknologi Semikonduktr,Prachya Peramite, 1900 {4 Semiconductor Technology Handbook, Tachnolagy Associates, toe {61 West Nel aud Eshragnian, Kamran, Principles of GMOS VS} Design «A Systems Perspective, AT&T Beli Laboratories, 1985 17 Wo Stanley, ang Tauber, Richard N, Siicon Processing for tho VLS) ra Volume 7 : Process Technology, LatteePress, 1985, Tae Manufacture of3. EPITAXY Epitaxy adaich penumbuhan lapisan pada semikonduktor Kristal tunggal, dengan doping yang berbeda pada substrat Teknik Epilaksi biesonya digunakan untuk pubrikasi divais bipolar dan sekarang digunaken juga untuk MOSFET Teknik epitaxy ada 3 macam yaitu 31 32 |. Vapor Phase Epitaxy [VPE] 2, Liquid Phase Epitaxy [LPE], dan 3. Moieiuler beam epitaxy (MBE] Vapor Phase Epitaxy [VPE] Aip untuk memutupi epitaxy, Susceptor grafit dmasukkan dalam oven kemudian dipanaskan dengan kumparan pemanas frekuensi tinggi (frekuensi radio). Temperatur dictur dibawah suhu ¥itik cair Substrat (untuk Si = 1200°C). Kedalam oven dipompakan campuran gas dengan komposisi, kecepatan alr dan temperaturyang diatur dengan tepat. Epitaxy pada Substrat berdasarkan rumus: 2H,+ SiCk1, racka persamaan (1) menjadi: BRVBE ET) nine 43] Sehingga x= f (B). konstanta kecepatan parabolik Untuk menghitung konstanta kecepatan: 44) Aosta ‘ecepat owf44] Ea adalah energi aktivasi, k=8.625x10%eV/k (konstanta Boltzmann). R kecepatan linier tergantung pada tipe proses dan orientasi permukaan kcristal (jun/h): = Re ® Orientasi Dry wet 100 41x10 1L07x10" ML 7.Bxt0® 1.8 xi0* Kecepatan parabolik, Ox .kering; R.=810 yuré/h Ox basah +R. =2Ser p/h a TeP-3Adoc 4Setelah permukean wafer teroksidasi, selanjutrya molekul-molekul Si akan bereaksi dengan mol pengoksidasi didalam pola lapisan yang lebih dalam dani kristal dan Si terus bergerak kedalamn kristal Mekanime ini akan mengakibatkan: 1, Memperhitungkan kerapetan dan berat molekul Si dan $i Oz, pada saat lapisan SiOz mencapai ketebalaan x, Si akan bergerak kedalam kristal sejauh 0,4x , sehingga ada lapisan isolasi yang tumbuh kedelam dan diatas kristal Si aslinya, eines Si0e i - = } Kristal Si (aslinya) 2, Molekul-molekul peng-oksidasi, agar supaya bereaksi lebih banyak lagi dengan Si, pertama-tama harus mencapai interface Si, setelah melewati layer SiO2, Penetrasi /rembesan ini terjadi oleh difusi solid state, sehingga laju pertumbuhan SiO2 yang dihasilkan dipengeruhi oleh laju difusi. (yaitu waktu yang dibutuhkan- untuk berdifusi menuju oxida, yang tergantung pada koefisien difusi D ) dan kecepatan reaksi atom (koefisien laju reaksi r.) Pada yang pertama, saat lapisan oksida terbentuk tipis, laju reaksi rmemniliki peran utama dan penumbuhan disebut “Pengaturan (korttrol) reaksi" Yang kedua, saat lapisan oksida menebal, proses difusi lebih banyak ditentukan oleh laju tumbuh dan proses ini disebut "Kontrol difusi” ‘Analisa matematike cederhana untuk daerah yang berdasarkan Kontrol reaksi, pertumbuhan pada dasarnya linier terhadap waktu. Sedangkan daerah Kontrol difusi, pertumbuharmya bervariasi parabolik #erhadap waktu. 1C-P-3Adoc eProses perancangan juga membutuhkan perhitungan konstanta y + X74 Ax - 7 ee Re 4s ‘Adan ® dihitung dari konstanta laju linier 2 laju parabolik. Sedangkan Xo adalah ketebalan oxidasi yang terdapat pada permukaan water pada saat wal sebelum proses oksidasi dimulai Xo dapat terjadi Karena adanya perpanjangan suhu ruang oksidesi, terjadi eebelum i masuk dalam tungku (conteh selama penyimpanan. Biasa Xe rmencapal 30 A°, tetapi dalam prateknya diabaikan (untuk proses basah ). Sedangkan pada proses ering (dalam 02), tapisan kira-kira 200 A* umbuh dalam waktu yang sangat singkat sesaat sampai di masukan dalam oven. Kesimpulonnya : untuk Lotihen perhitungan: ‘Ox kering XO diasumsikan 200 A®, sedangken ox. Basah Xo= 0 dan 0 Konstanta di dapatkan : xBeaty 5 = 7 ‘A&B didopat dari kenstanta kecepatan linier & parabolik Xo = ketebalan oksida pada awal proses. Sudah ada sebelum proses Oksida pada proses basah ~ 30 A° & proses kering» layer 200 A°. 42.1. Wet Oksida B/A= 3,24 mm/h. 6 um?/h => A= 0,18 pm T 20 (karena wet) =st x 4B/A’= 66,5 x = 0.65 yn Proses oksidasi tergantung pada impurity & tekanan udara saat operasi Doping tingkat tinggi pada p & 8 akan menyebabkan konstanta kecepatan bertambeh. Ketebalan lapisan oksidasi juge tergentung pada kecepatan operasi pada tekanan tinggi Sebelum oksidasi sebagian permukean Si di lapisi oleh SisNl (lihet gambar). 4A, Tt. IC-P-3Adoe 6Selama proses oksidasi, permukaan Si dibawah Sishy tidak teroksidasi, hanya pada ujung-ujung SisNy yang menyebar di bawahrya dengan jarak tertentu (SiO; mendorong dan menyangkat SisNs pada ujungnya gambar b) sehingga terbentuk pada gambar c setelah maskernya (SisNs) diangkat gambar proses oksidasi 4b. Chemical vapor Deposition (CVD). CVD biasa nya di gunakan jika divais bukan Si den lapisan isolasi bukan SiOz (selain SiOz) Oven CVD mirip dengan tungku oksidasi dan melalui tahap-tahap proses pisikal secara kitnia atmostir oven berbeda & lapisan isolasi di ‘tempatkan dari fasa gas diatas permukaan substrat, Komposisi kimia fasa gas, temperatur dan tekanan bervariasi tergantung pada karakteristik kimia & fisika dari lapisan dielektrik yang dibutuhkan Energi CVD berasal dari medan listrik atau sumber lain (seperti; radiasi Ultraviolet, cahaya elektron) pada temperatur rendch untuk mendapatkan area yg tepat. 4b.2, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) + Biasanya digunakan untuk divais selain $i, sebagai lapisan isolator tetapi bukan Si. * Proses secara fisikal sama dengan oxidasi. © Secara kimiawi, lapisan isolator ditempatkan diatas permukaan substrat dari/pada kondisi fasa gas. Komposisi kimiawi dari fasa gas, temperatur dan tekanan bervariasi ‘tergantung pada karakteristik fisik dan kimia yang dibutuhkan sebagai lapisan dielektriknya. ‘Menggunakan temperatur rendah, Silicon nitride, yg di gunakan untuk mendapatkan konstanta dieletrik Tinggi Lapisan polisilicon yg di dep sangat tinggi didapat dg cara CVD, yang digunakan sebagei elektroda yg memiliki resistansi yg balk pada ‘temperatur tinggi dan keunggulan lainnya. IC-P-3Adoc 7VW Teknologi Rangkaian Terintegrasi (3 sks) 4 Mi MODUL KE > 4 MATERLKULIAH Pengertian oksidasi, Proses pabrikasi oksidari keting (dry oxygen] dan oksidasi baseh {sleem), seria persamaan kimienya. Keuntungan, kerugian, dan pengounaan okeidarl ering dan oksidasi basah, POKOK BAHASAN., PROSES OKSIDASI BASAH DAN OKSIDASI KERING Oleh Ir, INDRAGUNG PRIVAMBODO, Mr. [2.1 Pendahuivan Proses oksidasi merupekan pembentukan alau eenumbunan lagisarcksida (oide) peda permukean waferfsubsirat \Lapisan oksica ini merupaken tapisan isolator yang akan ‘elincungt IC berhubungan langsung dengan ulera terbuka; + digunakan untuk mengisolasi IC terhadap interkoneks': cigunakan sebagai maskeripelindung pada seat cifusi sehingga ketidakmrsian ‘dapat dicegah masuk ke daerah yang tidak dikehendaki- ‘lgunaken untuk Kebutunan fungs! isolator pada Komponen seperti MOSFET, FLOTOX, CCD, dan sebageinya. Terdapat cua metode uniuk membentul/menumaunkan oksida tersebut, yaity + metode dengan temperate tinggi; dan + motode dengan ternparatur rendah‘Metode penumbuihan oisida dengan temporatur rendah saat ini reall sudah jarang cigunakan untuk proses oksidasi, karen kuslites isolator yang cihasitkennya relat lebih burulc dibandingkan menggunekan metode temperaiur tinggi. Metode ini ikukan dengan CVD (Chemical Vepor Deposit, pengendepan uap kimia), dan serena jarang digunakan lagi, maka metode ini tidek cibehes disini Terdepat dus proses yang menggunskan metode penumbuhan oksida dengan temperatur inggi, yaitu 1. Proses Oksidasi Basan: dan 2. roses Oksidasi Kering, ‘Keciua proses inl akan djslaskan pada subbab berkut in Proses Oksidasi Basah Untuk mempermudah pembahasannya diberikan satu contoh walerisubsirat yaitu $1 (slikon), seningga oksida yang dimaksud nantinye adelati Sid (siikon dioksida). Pada prosos oksidasi basah ini oksida yang tumbun ke atas dan tumbuh ke dalam ermukaan silkon dengan perbandingen 5 % oksida ci atas psrmukaan awal dan 44 % Gi bawah permukaan awal ‘seperti diunjukkan gambar berikut in oxide > 56% > 44% permukean— [- awal Substrat Silicon Pada proses ini oksigen akan mangoksidesl siliton manjadi silken dioksicla (SiO), gan selenjuinya masui/iarul menembus lapisen oksida yang sudan ada menujuInterface siikon ~ oksida dan membentuk lapisan yang lebih tebat lag. Kerena proses oksidasi dan xelaruten cksigen delam oksida hanya terjadi pada Suhu tinggi, maka digunaken tungku oksidasi Porsamean kimia untuk oksidesi besah seperti berkut in, Si* 0; “> SiOz o Si+ 2H.0 SiOz + 2H, @ Proses oksidesi basah, slain menggunakan oksigen, juga dikombinasikan dengan ep air (H:0). Seperti ctumkkan peda persamaen (2), molekul air akan ‘mengoksidasisilkon menjad) sikcn dioksida dengan melepaskan hidragen. Silixon icksiéa yang dinasiikan proses oksidasi basah, penumbuhannya cukup cepat sehingga cepat menjadi tebel tapisan oksidanya. Hal ini dkarenakan motekul ait ade proses oksidasi basah relaiflebin mudah menembus lapisan slikon diokside yang sudah dihasilkan, Poses oksida dapat cllakukan jk tungku oksidasi sudah mencapai suhu yang Alinginkan (antara 800 °C sie 1300 °C), sika subu yang dlinginkan sudan tercepal, make gas oksigen (03) dialrken, dan bersamaan dengan itu gas hicrogan (Hs) juga cialirkan, Gas oksigen yang bertemy dengen waler (slikon) ckan langsung bereaks! ‘membeniuk slikon dioksida. Gas oksigen yang berternu dengen ges Hcrogen akan memboniuk uap air, dan bila uap air tersebut hertems dengan wafer siikon) akan langsung bereaks! mementuk siikon dfoksida dengan nienghasilkan ges buang yailuhichoyen, demikian soterusnya, 2.3 Proses Oksidasi Kering Sepertihelnya dengan proses oksidasi_basah, uniuk mempermudah pembahasannyg disini diberiken satu contoh weferisubet lral_yaitu Si (siken), Sehingga (oksids yang dimakeud naniinya adalah S10 (silikon dioksida Pada proses oksidasi Kering in, oksida yang turibuh ke alas dan tumbuh ke dalampermukaan silikan dengan pesbancingan 45 % oksida di atas permukaan awal dan 55 % di bawah permukean awal, seperti dtunjukkan gambar berikut i oxide TET» 45% ermukaang- | =F 5 wal Geely 55% Substrat Silicon Pada proses ini oksigen akan mengoksidasi silkon menjadi silkon dicksida (SiOz, dan selaniutnya mesuk/larut menembus lapisan oksida yong sudan ada menuja interface sion — oksida dan memsentuk lapisan yang lebih tebel lagi Kerena proses oksidasi can kelarutan oksigen dln sila teriadl pada Ssunu tinggi, maka pada proses oksidasi Kering juga digit ars vksidas Persamaan kimia untuk oksidasi basah seperti berkut i Sit O SiO; 8 Proses oksidasi kering hanya menggunakan oksigen, seperti. citunjukkan pada ersamaan (3), oksigen akan langsung mengoksidesi silixon menjadi sitkon diokside, Silken cioksida yang dihasilken proses cksidesi kering, panumbunannye relat lebih tambat cibandingken oksidasi basah, sehingga rolatif lembal kelebalan Sapisan oksidanya, Proses oksida kering dapat dilakuican jika tunghu oksidasi sudah mencagai suhu yang diinginkan (antara 900° sid 1300 °C), Ske Suh yang dlinginkan sudah lefcapai, maka gas oksigen (02) dialivan. Gas ‘oksigen yang bertemu dengan water (silken) akan langsung bereaksi membentulc sikon dioksida, ee¥ roses oksidasi kering ini mempunyai kualitas sebagai isoiator yang lebih balk lbandingkan cksidasi aasah Pada umumnya proses oksidasi Kkering digunaken untuk membentuk gate oxide (thin oxide), yaitstepisan oksica tivis di bawah gate pads MOSFET. DAFTAR PUSTAKA 1] Middleman, Stanley, and Hochberg, A. K., Process Engineering Analysis in ‘Semiconductor Device Fabrication, MeGraw-lil, 1993, [2] Ruska, W. Scot, Microelectronic processing : An lnlredlustion fo the Manufacture of Integrated Cireuits, MeGraw-Hil, 1987, {3} Rio, Reka, Fisita dan Teknologi Semikonduktor, Prackiya Peramita, 1880, [4] Semiconductor Technology Handbook, Technology Aswocistes, 1982 18] Weste, Noil, and Eshraghian, Kamran, Princioles cf C0 ‘Sysiems Perspective, ATAT Bell Laboratories, 1585, [7] Wolt, Stanley, and Tauber, Richard N., Siicon Processing for he VLSI Ero, Volume 1: Process Technology, LatticePress. 1988. [8] Streetman, Ben G., Sold State Electronic Devices, Prentice Hall, 1995. ELS Design ATeknologi Rangkaian Terintegrasi (3 sks) LS MATERLKULIAH : Penjelasan singkat pioses pambuaten shask Penjelasen proses fotcllograll beserta lrutan prosesnya mulai deri pelapisan foloresist, prebake, pelurusan masker (algment) dan penyinaran, development foloresist, postbake, elsa, dan pembersinan/pencucian (strip fotoresist): Perbedaan penggunaan loleresist postif dan negatt terhadap hasi fotoltograt, POKOK BAHASAN: |__PROSES FOTOLITOGRAFI DAN ETSA Oleh Ir. INDRAGUNG PRIVAMBODO, NT. Proses fotolitegrafi merupakan proses yang menggunekan image optik dan Sebuah film fotoresis untuk menghasilkan suatu pola tertenty pada substrat Sedangkan proses elsis merupekan proses untuk menghilangkan lapisan yang tidak ‘ertutup fotoresis, Pada modlul ini, proses else dilakuken pada okside, dan untuk memudahkan Pemaharnennya, ciambil satu jenis oksida saja yaitu Silicon ioksida (SiO;). Oleh Karena itu substral yang digunakan adalsh semikenduktor deri bahan Silikon (Si) Sebenatnya proses etsa buken bagian dai proses fotoltograf Tetag!, dlkarenakan proses etsa berada diantara tahap-tahap dalam proses fotolitgraf. Maka i modul ini proses tersebut dijadkan satu Proses fotolitoarafi + proses etsa terdiri dari beberapa tahap, yaitu : proses polapisan resis, pemanasan‘awal (probake), enepatan (alignment) master dan penyinaran, Pembentukan (development) resis, Pemanasan akhir (postbake), proses etsa, Pembuangan resis (resist stripping)5.1_Proses Pelapisan Resis Fotoresis, atau singkatrya resis, mempunyalsifat bahwa dengan pencahayaan pada radiasi yang lepat akan menyebabkan sustu perubahan daya lerut resis. Terdapat dua macam rasis, yaitu resis negat dan resis posit Pacasresis egati, saat dilakukan development, maka bagian yang tidak disinarl akan larut dan membentuk pols sesuai dengan maskemya, Sedangken pada resis positf berlaku sebaliknya, yaitu bagian yang disinari akan larut dan membentuk pola sesuai dengan maskernya, Untuk melarutken bagian yang tidak tertutup resis, digunaken proses etsa, + Pada resis negalit, bagian yang mendapat sinarlcahaya jika cipanasi akan memadatimengeras dengan cepat. Alau dengan kata lain bahwa bagien yang mendanat sinar, daya laruinya skan berkurang, Sehingga seat diakuikan development, maka bagian yang tidak disinari akan tarut dan membentuk pola sesuai dengan maskernya, + Pada resis posit, bagian yang tidak mendapat sinarleahaya jks dipanesi ‘akan memadatimengeras dengan cepat, Atau dengan kaia lain bahwa Degian yang mendapat sinar, daya laruinya akan meningkat, Sehingga seat iiakuken development, maka bagian yang disinari akan larut dan ‘membentuk pola sesual dengan maskernya Oleh Karena itu, jka menggunakan resis inegatit, maka proses pelapisan resis harus dlakuken oi ang gelap, atau minimal seperti ruang pencucian fm yang hanya menggunakan cahaya merah, Oemikian juga sebalinya, jka menggunekan resis Positif, maka proses pelapisan resis dapat dakukan di ruang tereng. Proses pelapisen resis dimulai dengan meneteskan resis pada water (substrat) yang dipermukaannya terdapet lapisen Silken dioksida (oxide). Sehingga ‘airan resis tersebut bereda di atas lapisan Silikon dioksida Kemudian resis diratakan menggunakan spinner, dengan terlebih dahulu mengatur Kecepetan puter dan alckasi waktu putarnya, Putaran spinner lersebut akan menimbulkan gaya sentrifugal yang membuat ketebslan resis menjadi relatf rata padasoluruh permukaan wafer. ‘Mula-mula kongjsi waferisubstratnya sobelum dilapisi cairan resis seperti ‘gambar berikut in oxide sion 4 ‘Substrat Slicon (Si) Selelah melalui proses pelapisan resis (dilepisi cairan resis), menghasiiken kKeadean seperti gambar berkut in. resis cair oxide (S02) Substrat Silicon (Si) Ld $.2_Proses Pemanasan Awal (Prebake) ‘Soper teleh dielaskan Sebelumnya, bahwa resis yang berade di permukaan Silkon dioksida masih dalam bentuk cair, Schingga, jka wafer tersebut dimiringken maka resis yang masin air tersebut akan bergerak ke bawah dan mengakibatken ketebalenrya tidek merate lagi, Oleh karens it resis yang mash car torsebut sebelum liekuken proses Isinnya, harus dibuat menjadl lebih padat Profes pemoriasen awal mempunyai tuuen untuk menguapkan pelarut padaseluruh permukaan wafer. Mula-mula konejsi waferisubstratnya sebelum dilapish cairan resis seperti gambar berikut ini oxide isin Substrat Silicon (Si) Setelsh melalui proses pelapisan resis (cilapisi calran resis), menghasiken keadean sepert gambar berikut in resis cair wide BY "si02) ———— Substrat Silicon (Si) 5.2 Proses Pemanasan Awal (Prebake) Sepert telah diaskan sebolumnya, bahwa resis yang bereda SiF,+ 24:0 \Larutan asam hidrofotk pade umumnya merupakan campuran buffer HF dengan ‘emmonium florida NH, yaltu senyawa asam yang memisahkan ion florid (F) dan ion ‘emmanium (NH). Ammenium florida digunekan untuk mengurangi pengeruh HF dalam mongikis fotorsis (dampek negatiaya). Perbandingan volume yang digunekan pada roses ini adalah enam atau tujuh bagian NH4F dengan satu bagian HF. Lerutan’seperti Ini disebut etsa butter oksida (BOE) Setelah melalui proses etsa SiOz maka lepisan Sitkon dicksida yang tidek (ertutup resis akan Klang, sebingga menghasiiken kondisi seperti gambar berikut in resis resis 7 Substrat Silicon (Si) 7_Proses Pembuangan Resis (Resist Stripping) Proses pembuangan resis merupekan proses untuk menghilangkan sisa resis Sslolah diskukan proses etsa, Proses ini dperikan agar tidak mongotor’ proses Selenjutnya (terutama proses difusi dan oksidasi), konteminasi rl oxide (S02) maka wafer dicuci Kembali agar ‘af dapat cihilangkan, u fan proses stripping resist cimulei dengan pencucian menggunekan scaton ‘onserlras tinggi beberapa ka samp bersin, kemudin dblas dengan DL Setelah motalui proses stigping resist, m ‘aka sisa lapisan resis akan hilang, sehingga menghasikan kondisi seperti gambar be rikut inoxide 7(Si02) we Substrat Sllicon (Si) Dati gambar tersebut terihat bshwa pola masker sudah berpindah ke permukean Sulbstra, yal tercotak pada lapisan Sitkon dioksida dan slap untuk dilakukan proses ‘Yang lainaya (pada umumnya llanjuikan dengan proses dius. DAFTAR PUSTAKA M1 Ulddlaman, Stanley, and Hochberg, A. K., Process Engineering Analysis in ‘Semiconductor Device Fabrication, McGraw-Hill, 1988, 12] Rieke, W. Scot, Microstectronic processing: An Introduction tothe Manufacture of Integrated Circuits, MeGraw-Hil, 1987, [81 Rio, Reka, Fisika dan Teknologi Semikondutter, Pradnya Peranita, 1960 {41 Semiconcuctr Technolegy Hencbook, Technology Associates, 1982. {51 Gesto, Nel. and Eshraghian, Kamran, Principles of CMOS VLSI Design : A Systems Perspective, AT&T Bell Laborateries, 1905 Hr Vou Staniey and Tauber, Richard Ni, Silcon Processing forthe VLSI Era, Volume 1 : Process Technoiogy, LaticePress, 1960, 19] Stroetman, Ben G., Sod State Electronic Devices, Prentice Hal, 1006,6. PROSES, TEORI, DAN APLIKASI DIFusSI Oleh Ir. INDRAGUNG PRIYAMBODO, NT. Proses dus! merupeksn selah satu cara pemberian impurity (kelidekmutrian, doping) pada bahan semikonduktor (untuk mudahrye, pada modu ini bahan semikondultor yang digunskan adalah Silkon (Si). Dengan proses cfus, konsenisi impurity tering terdapat pada permukaan viater Pengaluran profil imourty pada proses difus| dilakukan dalam dua tahap. Tahap pertama adalah proses predeposition dan tahap kedua adalah proses drive in. - ey 6.1_Proses Predeposition | PProses predisposition merupakan proses untuk mengendapkan bahan doping pada ‘ermukaan wafer. Salah satu conich bahen doping (source) tie p" adalah menggunakan ‘boron diffusion source tive GS-245. Source (boron padat) torsebut dipanaskan pada suhw 1400 °C selama 90 merit sesual desain proses, Akibat dipanaskan saimpai 1100 °C tersebut, make begian permukean boron pada skan menguap dan terbawa oleh gas inert Pembawa (ai dalam tungku ilfusi), Kemudian, menempel sebagal lapisan tipis. pada ermukasn wafer sion. Setelah proses predeposition, maka bahan boron diffusion source diambil, dan selanjutnya dilakakan proses ahve in, yaitu mendifusikan boron yang menempel sebagai lepisen tis tersebut ke dalam wefer, Pada saat yang bersamaan ‘ksigennya mengoksidas!silkon membentuk lapisan oksids tips. 6.2 ProsesDriveIn. __ Khusus pada proses chive in yang menggunakan wakt relati lama, maka perl diperhitungkan dampak oksidasinya torhacep ketebalan lapisan sliton dioksida, Misainya untuk sekitar 5 jam pertama menggunakan ges oksigan, Sedangkan untuk selaniutnya gas cksigen tidak digunakan dan diganti dengan ges nitrogen. Pada prose drive in tersebut yang cibutuskan hanya energi panesnya seje, sehingga depat dlakukan socara bersamaan dengan proses oksidasi .6. Localized doping-diffusion dan lon implantation Penggaturan konsentrasi impuriti secara tepat dapat dicapai selama pemberian dopan dalam kondisi cair (contoh untuk persiapan pembuatan wafer), tetapi untuk melokalisir variasi pemberian dopan sangat susch, seperti pada persambungan pn. oleh Karena itu maka dibuatlah suatu cara pemberian atom impuriti kedalam Kristal semikonduktor dalam solid state, yaitu yang beroperasi dibawah titik cair. Prosesnya adalah melokalisir dengan masker pelindung yang tepat. Dua metode tersebut adalah: difusi solid state (proses pada ‘temperatur tinggi) dan ion implantation (proses temperatur-rendah). 6.1. Difusi. Daerah yang dipilih pada permukaan Kristal semikonduktor dibuka untuk pemberian atom dopan pada konsentrasi tinggi dibawah kondisi difusi tinggi (contoh temperatur tinggi) kemudian atom impuriti dimasukan kedalam solusi solid pada permukaan Kristal don difusi dimasukan kedalam body Kristal melalui permukaan tersebut. Oven difusi sama dengan tungku oksidasi, tetapi atmostir gasnya terdini dari senyawa kimia yang cocok sebagai impuriti. Dopan dapat berupa solid, liquid atau gas. Z ‘Senyawa yang biasanya digunakan sebagai dopan adalah (tabel 63) 5 Tabel 6.1 senyawa untuk dopan 8 (tipe-p) As (tipe-n) P (tipe-n) Solid state BN S203 P2.05 Liquid state BBrs AS Ch PO Gls Gaseous state Bz Hé As Hs PHs Salah satu contoh difusi dengan sumber liquid (gambar 6.1), gas lembam atau aktip dipompakan Kedalam oven yang berisi wafer. pada ‘temperatur oven, gas bereaksi dengan material lain pada daerah yang tidak tertutup masker Si Oz, Tops 3Slice on carrier = SF LLL fer Vs at ‘Sumber Liquid rel xe penbowe Gambar 6.1. Sistem difusi untuk sumber liquid. Reaksinya dopat berupa’ 4B Br; + 302 => 6Bre + 2B203 .. Pada permukaan Si: . 3Si + 2 B20; >0< 35i O2 + 4B... 6.1) (6.2) Reaksi berbeda, jika gabungan gasnya berbeda, tetapi semua hasil reaksi mengandung gas dopan dengan konsentrasi tinggi [(contoh Boron’ dari pers..(6.2)], pada permukaan semikonduktor yang terbuka. Depan akan larut kedalam semikonduktor seperti pada gambar 6.2. eepeeeee: Gambar 6,2. Skema proses difusi To7-4nsentrasi permukaan dari dopan setelah pengentalan tergantung pada dopan dan jenis semikonduktor (contoh B dan Si), temperatur ‘oven dan tekanan partial dari doping gas. Jika tekanannya + suhu cukup tinggi, Konsentrasi dopan sama dengan “solid solubility” No Disamping itu lama proses difusi juga mempengaruhi doping permukaan No. Laju aliran atom difusi untuk sistem 1-dimensi adalah: av, a ~ (6.3) N_ adalah konstanta impuriti dan D adalah atom impuriti yang +terdifusi kedalam kristal semikonduktor. (difusivity = D). Profil doping yang terjadi tergantung pada difusi D dan kondisi baundary Difusivity di dapatkan dari persamaan: D=Di.e™O) | ot 16.4) Ea adalah energi aktivasi dalam electronvolt dan, k = 8,625x10 ev/K. Perdeposition, kondisi baundary adalah N(O)=No : N(~}=0, predeposisi dalam semikonduktor murni adalah: ) Karokteristik penting dari prose predeposisi adalah dosis impuriti: NOD=Ny ene ( GO) (65) (0) = AEDS Foy DE 8. 16.6) Ic-P-4 5Dosis impuriti, diwakitkan oleh total jumlah atom impuriti yang terinjeksi kedalam kristal per unit area permukaan terbuka selama t. Untuk predeposisi didalam semikonduktor extrinsik dengan kerapatan awal Nec untuk tipe dopan yang berlawanan sebagai impuriti difusi, suatu persambungan pn dengan jumlah/net distribusi. konsentrasi impuriti (profil doping): NOGD=Ny ote sip) ie §2052...16.71 kedalaman persambungan Xd, dengan set N-O dalam persamaan (6.7) maka; X= 2VDE efe (42) Lo Difusi drive-in. ‘Adalah pemberian total jumlah molekul impuriti yang disuntikan kedalam semikonduktor, bukan melalui permukaan, [6.9] Iw (asp) dx = Q (tp) = konstant a N Wt) oe disebut juga sebagai profil gaussian /distribusi gaussian 16.10] Drive-in profil dapat dilihat pada gambar 6.6 dari gambar terlihat bahwa kerapatan impuriti permukaan N (0,t) tidak konstan selama proses drive-in tetapi berkurang terhadap lama proses, sehingga: N (0,1) = 222 /xDt wuntuk .....t>0.. pada t=0 => N(0.0) = No [6.11] TC7-4 6