Electrnica

Semiconductores
Profesor: Javier Urquizo Guevara
I Termino 2014-2015

Contenido

Materiales extrnsecos P y N.
Unin PN.
Polarizacin directa.
Polarizacin Inversa.
Curva caracterstica tensin-corriente.
Diodo ideal y diodo real.
Caractersticas y aplicaciones de los diodos.

Electrnica

Teora de Bandas
Conductores: Para los conductores la banda de conduccin y
la de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece
ya que as los electrones se mueven por toda la banda de
conduccin.
Aislantes: En este caso las bandas de valencia y conduccin se
encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los
electrones se muevan con mayor libertad y facilidad.

Semiconductores: En el caso de los semiconductores estas

dos bandas se encuentran separadas por una brecha muy
estrecha y esta pequea separacin hace que sea
relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no
les hace imposible el movimiento.
Electrnica

Teora de Bandas

Electrnica

Clasificacin de Semiconductores
Intrnsecos
Extrnsecos

Electrnica

Semiconductores Intrnsecos
El trmino intrnseco se aplica a cualquier material
semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para
reducir el nmero de impurezas a un nivel muy bajo; en esencia,
lo ms puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnologa
actual.

Electrnica

Semiconductores Intrnsecos
Un
semiconductor
semiconductor puro.

Intrnseco

Electrnica

es

un

Semiconductores Intrnsecos

Electrnica

Semiconductores Extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se caracterizan, porque
tienen un pequeo porcentaje de impurezas, respecto a
los intrnsecos; esto es, posee elementos trivalentes o
pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el
elemento est dopado.
Dependiendo de si est dopado de elementos trivalentes,
o pentavalentes, se diferencian dos tipos:
-Material semiconductor tipo p
-Material semiconductor tipo n
Electrnica

Material Tipo P
Este material se forma mediante el dopado de un
cristal puro de germanio o de silicio con tomos de
impurezas que poseen 3 electrones de valencia.
Los elementos que utilizan con mayor frecuencia
para este propsito son el boro, indio y galio.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de
valencia se conocen como tomos donadores.
Electrnica

Material Tipo N
Este material se crea a travs de la introduccin de elementos de
impureza que poseen cinco electrones de valencia, tales como el
antimonio, arsnico y fsforo. Las impurezas difundidas con tres
electrones de valencia se llaman tomos aceptores.
Es importante destacar que los materiales tipo p y n son
elctricamente neutros puesto que de manera ideal el nmero
de protones de carga positiva en los ncleos sigue siendo igual al
de los electrones de carga negativa libres y en rbita en la
estructura.

Electrnica

Portadores Mayoritarios y Minoritarios

En un material tipo n el electrn se llama portador
mayoritario y el hueco portador minoritario. En un
material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el
electrn el minoritario

Electrnica

Unin P-N
El diodo semiconductor se crea uniendo un material tipo n a un
material tipo p, es decir, slo la unin de un material con un
portador mayoritario de electrones a uno con un portador
mayoritario de huecos.
En el momento en que los dos materiales se unen, los
electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan y
provocan una carencia de portadores libres en la regin prxima
a la unin.
Esta regin de iones positivos y negativos revelados se llama
regin de empobrecimiento, debido a la disminucin de
portadores libres en la regin.
Electrnica

Unin P-N

Electrnica

Polarizacin Inversa (VD < 0)

La condicin de polarizacin en inversa o apagado se
establece aplicando el potencial positivo al material
tipo n y el potencial negativo al tipo p.

Electrnica

Polarizacin Inversa (VD < 0)

Al aplicar un voltaje negativo, el nmero de iones
positivos revelados en la regin de empobrecimiento
del material tipo n se incrementar por la gran cantidad
de electrones libres atrados por el potencial positivo
del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el nmero
de iones negativos no revelados se incrementar en el
material tipo p.

Electrnica

Polarizacin Inversa (VD < 0)

El efecto neto, es una mayor apertura de la regin de
empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado
grande para que los portadores mayoritarios la puedan
superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios
se reduce efectivamente a cero.
La corriente en condiciones de polarizacin en inversa
se llama corriente de saturacin en inversa y est
representada por Is.
Electrnica

Polarizacin Directa (VD > 0)

La condicin de polarizacin en directa o encendido
se establece aplicando el potencial positivo al material
tipo p y el potencial negativo al tipo n.

Electrnica

Polarizacin Directa (VD > 0)

La aplicacin de un potencial de polarizacin positivo
presionar a los electrones en el material tipo n y a
los huecos en el material tipo p para que se
recombinen con los iones prximos al lmite y reducir
el ancho de la regin de empobrecimiento.
La reduccin del ancho de la regin
empobrecimiento produce un intenso flujo
portadores mayoritarios a travs de la unin p-n.
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de
de

Curva Caracterstica Tensin-Corriente

(T 25 C )

id mA

Ge

Si

Zona de
Conduccin

Voltaje
Inverso
de Pico

Regin de
polarizacin
en inversa
(VD < 0 V, ID = Is )

Zona de
Avalancha
Zona de
Polarizacin Inversa

1a10A

0.3

1a 2A

Vd V

0.7

Regin de
polarizacin
en directa
(VD > 0 V, ID > 0 mA)

Voltaje de
Umbral

Corriente de
Saturacin

Anlisis mediante recta de carga

La carga que se aplica determina el punto de operacin del
diodo. Se la obtiene dibujando una lnea recta que representa a
la carga y que se intersecta con la caracterstica propia del diodo.
VD

Id[mA]

ID
R

Vs

VR

Vs
R

I DQ

VDQ

Con:

LVK:
Vs VD I D (R)

VS
R
I D 0 VD Vs

VD 0 I D

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Vs

Vd [V ]

Diodo Ideal
El diodo semiconductor se comporta como un
interruptor mecnico en el sentido de que puede
controlar el flujo de corriente entre sus dos terminales.

Electrnica

Ideal vs Real

Electrnica

Diodos Silicio y Germanio

Los valores de PIV (tensin de ruptura en polarizacin inversa) para el silicio
pueden encontrarse en la vecindad de 1000 V, mientras que el valor mximo para
el germanio est alrededor de los 400V.
El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede
aumentar cerca de los 200 C, mientras que el germanio soporta un valor mximo
de 100C.

La desventaja del silicio comparada con el germanio es el mayor voltaje de

polarizacin directa que se requiere para alcanzar la regin de conduccin.
El voltaje umbral para el Silicio VT= 0,7 voltios.
El voltaje umbral para el Germanio VT= 0,3 voltios
Mientras ms cercana est la curva al eje vertical, ms cerca de lo ideal est el
dispositivo, sin embargo las otras caractersticas del silicio comparadas con las del
germanio, lo hacen ser el elegido en la mayor parte de unidades disponibles en el
mercado.
Electrnica

Circuitos Equivalentes
Circuitos Equivalentes de Segmentos Lineales
Id[mA]

Id[mA]

10

10

Vd [V ]

0.7

Si:

0.7

0.8

VT 0.7V

ac

Id

Real
Ge:

VT 0.3V

0.8

Vt

Electrnica

ac

0.8 0.7
10 0
10

ac
Diodo
Ideal

ac

Vd
I d

Circuitos Equivalentes
Simplificado

Id

VT

Id[mA]

Vd [V ]

0.7V

Ideal

Id[mA]

Vd [V ]

Electrnica

Diodo
Ideal

Diodo Zener
Para un Diodo Zener, la curva caracterstica cae casi
verticalmente con un potencial de polarizacin en inversa
denotado VZ. El hecho de que la curva caiga y se aleje del eje
horizontal en vez de elevarse y alejarse en la regin de VD
positivo, revela que la corriente en la regin Zener tiene una
direccin opuesta a la de un diodo polarizado en directa.

Electrnica

Diodo Zener

Diodo LED
Es un diodo que produce luz visible (o
invisible, infrarroja) cuando se encuentra
polarizado.
En
una
unin
P-N
polarizada
directamente, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unin, ocurre
una recombinacin de huecos y
electrones. Esta recombinacin requiere
que la energa que posee un electrn
libre no ligado se transfiera a otro
estado. En todas las uniones P-N una
parte de esta energa se convierte en
calor y otro tanto en fotones.
Electrnica

Foto Diodo
Son diodos sensibles a la luz. Generan un
voltaje
de
corriente
continua
proporcional a la cantidad de luz que
incide sobre su superficie, es decir, son
diodos de unin PN cuyas caractersticas
elctricas dependen de la cantidad de
luz que incide sobre la unin. Se utilizan
como medidores y sensores de luz y en
receptores pticos de comunicaciones.

Electrnica

Diodo Tnel
Los diodos de efecto tnel. Son
dispositivos muy verstiles que pueden
operar como detectores, amplificadores
y osciladores. Poseen una regin de
juntura extremadamente delgada que
permite a los portadores cruzar con muy
bajos voltajes de polarizacin directa y
tienen una resistencia negativa, esto es,
la corriente disminuye a medida que
aumenta el voltaje aplicado.

Electrnica

Diodo Schottky
Son diodos de alta velocidad de
conmutacin
Caractersticas:
Unin Metal-Semiconductor
Tensin umbral reducida (0.3 a
0.4V)
Tiempo de conmutacin muy
pequeos (picosegundos)
Aplicaciones en circuitos digitales de
alta velocidad
Electrnica

Circuitos con Diodos

Recortadores
Rectificadores

Electrnica

Recortadores
Los recortadores son redes que emplean diodos para
recortar una parte de una seal de entrada sin
distorsionar la parte restante de la forma de onda
aplicada.

Electrnica

Rectificador
Rectificador de media onda

Electrnica

Rectificador
Regin de Conduccin

Regin de no Conduccin

Electrnica

Rectificador

Electrnica

Rectificador
Rectificador de onda completa

Electrnica

Rectificador
Ruta de conduccin Vi positivo

Ruta de conduccin Vi negativo

Rectificador

Electrnica

Resumen
Las caractersticas de un diodo ideal son exactamente las de
un interruptor simple, excepto por el hecho importante de
que un diodo ideal puede conducir en slo una direccin.
El diodo ideal es un corto circuito en la regin de conduccin
y un circuito abierto en la regin de no conduccin.
Un semiconductor es un material que tiene un nivel de
conductividad entre la de un buen conductor y la de un
aislante.
Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que
tienen un nivel muy bajo de impurezas, en tanto que los
materiales extrnsecos son semiconductores que se
expusieron a un proceso de dopado.
Electrnica

Resumen
Un material tipo n se forma agregando tomos donadores
que tengan cinco electrones de valencia para establecer un
alto nivel de electrones relativamente libres. En un material
tipo n, el electrn es el portador mayoritario y el hueco es el
portador minoritario.
Un material tipo p se forma agregando tomos aceptores con
tres electrones de valencia para establecer un alto nivel de
huecos en el material. En un material tipo n, el hueco es el
portador mayoritario y el electrn el minoritario.
La regin cerca de la unin de un diodo que tiene muy pocos
portadores se llama regin de empobrecimiento.
Sin ninguna polarizacin externa aplicada, la corriente en el
diodo es cero.
Electrnica

Resumen
En la regin de polarizacin en directa, la corriente en el
diodo se incrementa exponencialmente con el aumento del
voltaje a travs del diodo.
En la regin de polarizacin en inversa, la corriente en el
diodo es la corriente de saturacin, la cual es muy pequea
hasta que se alcanza la ruptura Zener y la corriente fluye en la
direccin opuesta a travs del diodo.
El voltaje de umbral es aproximadamente de 0.7 V para
diodos de silicio y de 0.3 V para diodos de germanio.
La direccin de conduccin de un diodo Zener se opone a la
de la flecha en el smbolo y el voltaje Zener tiene una
polaridad opuesta a la de un diodo polarizado en directa.
Electrnica