Dispositivos Optoelectrnicos

Jos Ramn Sendra Sendra

18 de abril de 2001

ndice General
1

Sensores
1.1 Funcionamiento bsico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.1 Cmo se detecta la radiacin electromagntica? . .
1.1.1.1 Cuantos de energa, efecto fotoelctrico. .
1.1.2 Conductividad elctrica. . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.2.1 Conductividad en general . . . . . . . . .
1.1.2.2 Conductividad en metales . . . . . . . . .
1.1.2.3 Conductividad en semiconductores . . . .
1.1.2.4 Fotoconductividad . . . . . . . . . . . . .
1.1.3 Transmisin y absorcin. . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.3.1 Qu zona del espectro se detecta? . . . .
1.1.4 Diferencias entre fotorreceptores . . . . . . . . . . .
1.2 Fotorresistencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.1 Teora de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2 Ejemplos de utilizacin. . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2.1 Bscula Schmitt-Trigger. . . . . . . . . .
1.2.2.2 Integrador . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2.3 Oscilador . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2.4 Oscilador controlado por luz. . . . . . . .
1.3 Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.1 Unin PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.2 Fotodiodos PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.3 Fotodiodos PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.4 Fotodiodos APD . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.5 Electrnica para fotodiodos . . . . . . . . . . . . .
1.3.5.1 Amplificador de transconductancia . . . .
1.3.5.2 Tensiones de offset . . . . . . . . . . . .
1.3.5.3 Ancho de banda . . . . . . . . . . . . . .
1.3.5.4 Amplificador oscilante . . . . . . . . . . .
1.4 Fototransistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4.1 Circuitera para aplicacin mediante un fototransistor
1.4.2 Caractersticas tcnicas . . . . . . . . . . . . . . .
1.4.2.1 Caractersticas estticas . . . . . . . . . .
1.5 Comparacin entre los dispositivos sensores . . . . . . . . .
1

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NDICE GENERAL
1.6

Circuitos Integrados Optoelectrnicos (OPICs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.6.1 TSL260 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Emisores
2.1 Diodos electroluminiscentes (LEDs) . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1 Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1.1 Eficiencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1.2 Potencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1.3 Distribucin angular y potencia externa . . . . . . .
2.1.1.4 Ancho de banda espectral . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1.5 Longitud de onda de emisin. . . . . . . . . . . . .
2.1.2 Caractersticas tcnicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2.1 Potencia ptica y espectro de emisin . . . . . . . .
2.1.2.2 Caracterstica tensin-corriente . . . . . . . . . . .
2.1.2.3 Mxima potencia disipable . . . . . . . . . . . . .
2.1.2.4 Emisin en funcin de la excitacin . . . . . . . . .
2.1.3 Cmo se usa un LED? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Fundamentos del lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.1 Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.1.1 Diferencia entre la emisin estimulada y espontnea
2.2.1.2 Ecuacin de equilibrio en un emisor ptico . . . . .
2.2.2 Caractersticas tcnicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.3 Cmo se usa un lser? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.3.1 Ejemplo 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.3.2 Ejemplo 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.3.3 Ejemplo 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pantallas electrnicas
3.1 Principios de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.1 Tubo de rayos catdicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.2 Pantallas de plasma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.3 Pantallas de LEDs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.4 Pantallas de cristal lquido . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Pantallas de cristal lquido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.1 Qu es un cristal lquido? . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.1.1 Cristal lquido y su relacin con las pantallas . . .
3.2.2 Caractersticas de una pantalla de cristal lquido . . . . . . .
3.2.3 Principio de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.3.1 Polarizacin de la luz . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.3.2 Filtros polariradores . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.3.3 Estructura fsica de una pantalla de cristal lquido
3.2.4 Tcnicas de excitacin de LCDs . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.4.1 Posibles estructuras de los electrodos . . . . . . .
3.2.4.2 Excitacin esttica . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.4.3 Excitacin multiplexada . . . . . . . . . . . . . .

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61

Introduccin
Esta asignatura va a tratar sobre los dispotivos optoelectrnicos, que son aquellos que trabajan conjuntamente con seales electrnicas y pticas. Ms concretamente son capaces de transformar seales
electrnicas en pticas o viceversa. Como ejemplo tenemos la lmpara incandescente, ms comnmente
conocida como bombillo o tambin un fluorescente, ambos transforman una seal elctrica o electrnica
en luz, es decir, transforman electrones en fotones. En el otro lado tenemos, por ejemplo, una clula
solar que hace la funcin contraria transforma fotones en electrones.
Durante la carrera hemos tenido mucha interaccin con seales electrnicas aunque siempre hemos
obviado el caracter de particulas elementales de los electrones y hemos trabajado con tensiones y corrientes aunque no sera complicado hacer la conversin. Nos falta profundizar un poco en la otra parte, es
decir, en los fotones o, pasando de las particulas elementales a las seales, las seales pticas.
Hasta principios de este siglo hubo una gran controversia entre quienes afirmaban que la luz estaba
compuesta por corpusculos, y quienes decan que la luz estaba compuesta por ondas. Haba experimentos
que permitan afirmar ambas cosas. Slo en este siglo qued definitivamente claro que haba una dualidad
onda-corpsculo, es decir, la luz est compuesta por paquetes de ondas individuales, cada uno de los
cuales tiene una energa determinada. Parece pues que la sea de identidad de cada uno de estos paquetes
(en adelante fotones) viene dada por su energa, que equivale a frecuencia de vibracin segn




 





  
 

(1)

donde es la frecuencia de vibracin y es la constante de Plank. Adems como estamos hablando de

luz, que tiene una velocidad en el vacio
tenemos que el tiempo que tardar una onda
en recorre una de sus longitudes de onda (valga la redundancia) ser el periodo de la seal, o sea, la
inversa de la frecuencia
(2)

as pues tenemos una relacin entre energa, frecuencia y longitud de onda, de forma que indicar una
equivale a indicar las otras.

Espectro electromagntico
Una vez definidas las relaciones internas de las seales pticas vamos a ver el espectro electromagntico
al completo para poder situarnos y ver cuales son los fotones que nos van a interesar a nosotros y tambin
el porqu de este inters.
En la figura 1 tenemos el espectro, podemos ver tres ejes de ordenadas distintos, uno de energas,
otro de frecuencias y otro de longitudes de onda suponiendo que las ondas se desplazan por el vacio. El
3

NDICE GENERAL

Frecuencia
(Hz)

Longitud
de onda
(m)

h
Energia
del foton
(eV)

-13

21

10

10

1 MeV 10
o

Rayos

-10

1A
10
-9
1 nm 10

-6

1 m 10

Rayos X

1 KeV

10

1 eV

10
0
10
-1
10

15

10

h
Energia
del foton
(J)

12

-18

10
-19
10
-20
10

Ultravioleta
Visible
Infrarrojo

1 THz 10

1 cm

-2

10

1 GHz 10

1m
6

1 MHz 10

1 KHz 10

10

10

-6

UHF
VHF TV

10
3
1 Km 10
5

10

10

10

Violeta
Azul
Verde
Amarillo
Naranja
Rojo

390nm
455nm
492nm
577nm
597nm
622nm
780nm

Microondas
Radar
Radio en FM

-27

Radiofrecuencia

-11

Figura 1: Espectro electromagntico

motivo de presentar los tres ejes es histrico, ya que, aunque ahora tengamos claro que el espectro es algo
continuo su estudio histrico no lo presenta como tal ya que distintas ramas de del saber se encargaban
de ellas, as pues:

!
!

en la parte baja del espectro nos encontramos con la zona en la que se ha trabajado para transmisin
de seal via radio y por lo tanto la nomenclatura de esta zona se hace en frecuencias, para darnos
cuenta de ello tan slo debemos reparar en que la seal elctrica es de 50Hz, que 500KHz es una
frecuencia en la que se oye la onda media, que la FM est entre los 88 y 108MHz. Todos los datos
los solemos utilizar como frecuencias.

cuando hablamos de las microondas o de la banda de las milimtricas ya estamos dando a entender que es la longitud de onda lo que se usa para nombrarlos, aunque ltimamente con la telefona
mvil o la comunicacin con satlites se habla de GHz, ltimamente nos bombardean con la cuarta
licencia digital (UMTS) en 1.8GHz, esta zona del espectro recibe pues ambos tipos de denominacin.

"

"

si seguimos subiendo en frecuencia llegamos al infrarrojo lejano que empieza en los 100 m y
sigue hasta el infrarrojo cercano sobre los 0.72 m o 720nm donde empieza el visible y ms concretamente el rojo, seguimos hasta el azul con una longitud de onda sobre 340nm para pasar al
los rayos ultravioleta, desde los bronceadores rayos UVA (ultravioleta A) hasta los perniciosos y
cancergenos UVC que llegan hasta 1nm.
ms arriba la denominacin ya pasa a ser energtica y estamos desde los rayos X que llegan desde
1KeV (baja energa) que se utilizan para las radiografas hasta los 100KeV, finalmente y por parar

NDICE GENERAL

en algn sitio tenemos los rayos que se usan en tratamientos de radioterapia, como por ejemplo
las bombas de cobalto o los aceleradores lineales con energa que superan 1MeV.

 "

El rango de energas interesante desde el punto de vista de los dispositivos optoelectrnicos va a estar
entre el infrarrojo medio ( <5 m) y el ultravioleta cercano, casualmente de todo el rango de frecuencias,
longitudes de onda y energas hemos ido a quedarnos con los alrededores del visible

Dispositivos
Una vez ya hemos definido nuestro rango de actuacin vamos a describir los dispositivos que vamos a
utilizar durante el curso. Los dividiremos en dos grandes grupos, los sensores que convertirn una seal
ptica en una eletrnica y los emisores que harn la labor contraria, utilizarn la energa de los electrones
para emitir fotones.
Entre los sensores veremos

!
!

fotorresistencias

fototransistores

fotodiodos

clulas solares

as como sus aplicaciones y circuitera par llevarlas a cabo.

Entre los emisores analizaremos

!
!

LEDs

lmparas incandescestes

lseres

lmparas halgenas

e igualmente ejemplos prcticos de montajes para su utilizacin.

Tambin se ver dentro de los emisores los dispositivos de representacin, que aunque algunos estn
dentro del campo de los emisores se usan en labores distintas y por tanto la electrnica cambia. Tambin
dentro de los dispositivos de representaciones se vern elementos no emisores como dispositivos de
cristal lquido.

Medio
Ademss de los dispositivos es importante analizar el medio por el que se propaga la seal ptica, aunque
sin nimo de ser excesivamente rigurosos ni exhaustivos. Se analizarn tan slo la fibra ptica como
medio de transmisin sumamente importante ya que soporta el campo de las comunicaciones pticas y
se har hincapie en analizar algunos componentes pticos como las lentes, los atenuadores, dispersores
y espejos.

Captulo 1

Sensores
1.1
1.1.1
1.1.1.1

Funcionamiento bsico
Cmo se detecta la radiacin electromagntica?
Cuantos de energa, efecto fotoelctrico.

$ %
&
$

Como ya dijimos la luz es radiacin electromagntica y una de las formas de identificar una zona del
espectro es a traves de (frecuencia de la onda), tambin sabemos que cada fotn es una partcula
con una energa dada por
. La energa es sea de identidad del fotn de modo que no puede
ni incrementarse ni disminuirse, slo puede mantenerse o cederse completamente a otra partcula por
medio de una interaccin. Albert Einstein obtuvo el premio Nobel precisamente por descubrir el efecto
fotoelctrico que daba cuenta de esta caracterstica de la radiacin electromagntica. El experimento que
realiz y que nos servir para entender el principio de la deteccin fotoelctrica fue el siguiente:

Figura 1.1: Esquema del efecto fotoelctrico. Los fotones inciden sobre un fotoctodo (inmerso en una
ampolla en la que se ha hecho vacio), su energa libera electrones que son acelerados por el campo
elctrico hasta el nodo, generando una fotocorriente. Este efecto sucede slo cuando la energa de los
fotones supera la energa de ionizacin del material que compone el fotoctodo.
En la figura 1.1 podemos apreciar como un haz de luz incide sobre un fotoctodo inmerso en una
ampolla en la que se ha realizado el vacio, el fotoctodo est polarizado negativamente respecto al electrodo situado en el otro extremo. El experimento consista en iluminar el fotoctodo con una luz de una
longitud de onda (o frecuencia, o energa) para comprobar que sucede cuando se produce un incremento
de intensidad de esta luz (incremento del nmero de fotones). Se observ que el incremento de intensidad de la luz produca un incremento de la corriente entre el fotoctodo y el electrodo slo si la energa
de cada fotn individual era suficiente para extraer un electrn. Hasta entonces se pensaba que la energa era una magnitud continua y que, por tanto, independientemente de la longitud de la onda se poda
6

CAPTULO 1. SENSORES

producir corriente elctrica mediante un incremento de la intensidad luminosa ya que este implicaba un
incremento de la energa. Con este experimento se demostr que esto slo suceda si la longitud de la
onda estaba por debajo de un umbral (a menor longitud de onda mayor energa), a su vez el posterior
decremento de la longitud de onda no ir acompaado de un incremento de corriente elctrica gradual,
sino por escalones. Esto nos indica como se realiza el proceso de la fotodeteccin, un fotn de una
determinada energa interacciona con una partcula en un determinado material cedindole su energa.
Este incremento en la energa de la partcula puede dar lugar a diversos eventos que describiremos en los
siguientes parrafos.
Fotoctodos, excitacin electrnica. Qu sucede cuando un fotn interacciona con una partcula? Al
chocar con la partcula le cede su energa elevndola, si esta energa es suficiente para modificar su estado
este cambiar. Pongamos el ejemplo ms simple, el electrn de un tomo de hidrgeno. El estado de

E1

En

E2
Nucleo
Electron

Orbitales

Figura 1.2: Representacin grfica del tomo de Hidrgeno

(' *)

,+ *)

mnima energa para el electrn se encuentra en el orbital ms cercano al nucleo, para pasar a un orbital
superior necesita un aporte de energa igual o mayor a la diferencia entre los niveles, con una energa
mayor de
y menor de
el electrn saltar desde el primer orbital al segundo liberando la
energa que le sobra mediante la emisin de un nuevo fotn. Si recibiera una energa
escapara
a la atraccin del nucleo ionizando el tomo y quedara libre. Esto ocurrira as para cualquier elemento
con la diferencia de que la distribucin de los orbitales sera distinta y de que puede aparecer un orbital
degenerado con cabida para muchos electrones en el caso de que en lugar de tener un nico tomo
tengamos un cristal. Los electrones pueden estar ligados a un tomo o pueden estar en la banda de
conduccin. Cuanto ms alejados se encuentren del nucleo la energa que les liga a l ser menor, si
consiguen esta energa pueden abandonar el material. Qu es entonces un fotoctodo? Es un material
(en un principio podra valer cualquiera) tal que al incidir sobre el un fotn libera un electrn gracias a
la energa aportada, lo que implica, como ya hemos dicho, que el susodicho electrn debe encontrarse
a una distancia (medida en energa) del nivel de vacio menor que la energa cedida por el fotn. El que
el electrn quede libre de la influencia del tomo, molcula o cristal es un caso extremo de excitacin
electrnica, de hecho sern cambios mucho menores los que utilizaremos para la deteccin de luz ya que
nuestro inters ser que un electrn ligado a un tomo pase a estar en conduccin y por tanto contribuya
a una seal electrnica.

/)
- ,.

CAPTULO 1. SENSORES

1.1.2

Conductividad elctrica.

1.1.2.1

Conductividad en general

La conductividad nos informa acerca de la capacidad de un material para conducir corriente elctrica,
cuanto mayor sea este parmetro mayor ser el flujo de corriente para la misma diferencia de potencial.
Como ejemplo simple vamos a estudiar lo que ocurre en una disolucin en la que hay aniones y cationes.
Si no hay diferencia de potencial entre dos puntos del material habr un cierto movimiento de las prticulas debida a la agitacin trmica, este movimiento tendr una media cero y no apreciaremos corriente
elctrica neta en ningn sentido, si ahora se aplica un campo elctrico las cargas elctricas tendern
a ser arrastradas por esta segn vemos en la figura 1.3 y aparecer una desplazamiento de carga en la

A
-

+
vd t
Figura 1.3: Movimiento neto de portadores de carga a travs de una seccin de rea A cuando se aplica
un campo elctrico.
direccin del campo que se corresponde con la siguiente expresin

1 3
2 5 47698;:=< > .7?@ :BA >DCFE

(1.1)
Arrastre de cargas en una disolucin donde : A es la valencia del catin, : < la del anin, 4 la carga del
>DC y > . las velocidades de las cargas
@
electrn, y 8 las densidades de la cargas positivas y negativas
2
positivas y negativas respectivamente, el rea y  el tiempo, a partir de esta expresin podemos deducir
la densidad de corriente que atraviesa el material para as liberarnos de consideraciones geomtricas y
temporales.
G

4/8;: < > .7? 4 @ : A >HC
(1.2)
La corriente tambin la podemos definir como,
G
IKJ
(1.3)
I
J
ya que es el producto entre la conductividad y el valor del campo elctrico . Ya ha aparecido el
trmino que estabamos buscando, la conductividad. Para seguir acercndonos a la expresin que define
J
la conductividad expresemos la velocidad de las partculas en funcin de .
>B
" J
(1.4)
donde el trmino " es la movilidad de una partcula. Si reunimos las ecuaciones 1.2, 1.3 y 1.4 obtenemos
que
IL
: A 4 @ " C ? : < 4/8M" .
(1.5)
Ya que todos los trminos de la ecuacin son directamente dependientes de la disolucin tambin lo ser
pues la conductividad.

CAPTULO 1. SENSORES

De todo lo deducido anteriormente debera quedarnos una fuerte duda y es la ecuacin 1.4, ya que
relaciona el campo directamente con la velocidad, cuando de nuestros conocimientos de fsica sabemos
que cuando se aplica un campo a una carga elctrica se produce una fuerza que la arrastra segn la
siguiente expresin

N

JRQ
4 J
PO 4 O 

(1.6)

aplicable a las cargas positivas, con un cambio de signo llegaramos a la adecuada para cargas negativas.
Parece que no hay una relacin directa entre las velocidades y el campo ya que la relacin es con las
aceleraciones, sin embargo las partculas aceleradas no recorren la distancia entre dos electrodos de
forma directa ya que se encuentran con obstculos que las frenan reducindo su velocidad a cero, de
modo que tienen que volver a acelerar. Parece por tanto que podramos con esta informacin calcular
una velocidad media si conocisemos el tiempo medio de colisin para una carga. Cul ser entonces
la velocidad de un in inmerso en un campo? podemos verlo en la figura 1.4

v
vmax
vd
2t

4t

Figura 1.4: Velocidad de un in inmerso en un campo elctrico en funcin del tiempo incluyendo las
colisiones.

>B
OT
:,4 J S



La velocidad media que hemos quedar definida como

(1.7)

Ahora podremos definir movilidad partiendo de las ecuaciones 1.4 y 1.7 como

"
:B 4/S

(1.8)

como se puede observar slo depende de las caractersticas del material.

1.1.2.2

Conductividad en metales

Si centramos nuestro estudio en metales y tenemos en cuenta que a nivel macroscpico un metal es un
mar de electrones movindose en infinidad de orbitales electrnicos (hay que conservar el principio de
Pauli) infinitesimalmente cercanos podemos utilizar el estudio anterior extrapolando, ya que nos encontramos que en este segundo caso slo tenemos un tipo de portadores: los electrones y que las valencias de
los portadores desaparecen ya que slo tenemos electrones y no aniones, por lo dems es todo idntico.
1.1.2.3

Conductividad en semiconductores

Una vez pasados los dos ejemplos anteriores vamos a centrarnos en nuestro mbito de estudio, los semiconductores dentro de los cuales hablaremos del Si aunque despus los resultados podremos exportarlos

CAPTULO 1. SENSORES

10

 @U

a todos los dems. El Si tiene cuatro electrones en la ltima capa que estn ligados a un orbital degenerado
, este orbital no pertenece a un nico tomo sino que adquiere un segundo nivel de degeneracin
al interaccionar con los tomos del cristal, por encima de este orbital hay otros libres.
Si todos los electrones estuviesen anclados a un tomo no habra cargas libres y por lo tanto sera un
aislante. Los orbitales libres no pertenecen a un nico tomo sino que al formarse un cristal se desarrolla
un orbital degenerado que pertenece a todos los tomos del cristal, este orbital al que llamaremos banda
de conduccin por contraposicin a los ligados a los tomos que son la capa de valencia.
Paremos un momento y establezcamos las diferencias aparentes con los metales: en los metales estas dos bandas se solapan con lo que los electrones pueden moverse libremente con un mnimo aporte
energtico, sin embargo en los semiconductores hay una banda prohibida similar a los saltos energticos
que se apreciaban en el tomo de hidrgeno, con lo que es necesaria una energa apreciable para que
un electrn pase a la banda de conduccin y pueda contribuir a la corriente elctrica. La energa trmica genera en un semiconductor pares electrn-hueco, es decir, suministra a un electrn ligado energa
suficiente como para saltar la banda prohibida y dejar tras de si una posicin electrnica libre a la que
llamaremos hueco. En un semiconductor intrnseco (puro) la conductividad vendr dada pues por

8
@
8V

IVW
YX 8 V " . ? @ V " C[Z 4
8 V 4 X " . ? " C[Z

(1.9)

ya que el nmero de electrones y de huecos ha de ser el mismo porque se generan por

donde
pares. Cuntos pares se generarn? Depender de la temperatura segn una frmula llamada de energa
de activacin que viene a ser

V8 M\  ] _@ ^(c ` d ba
fe

(1.10)

el 2 aparece ya que cada una de las partculas necesita la mitad de la energa de la banda prohibida, pero
ya sabemos que n=p slo para semiconductores intrnsecos, si no son intrnsecos el nmero de portadores
de cada tipo no ser el mismo, de hecho tendremos una dependencia para electrones y otra para huecos
las frmulas sern

8hg 8 u

i]
8
@
h8 g @  ] <M@ jlkrtm<ns kpoq
8Mu n< rtks o

,v

(1.11)

son el nmero de estados de la banda de conduccin-valencia y

la energa del nivel de
donde y
Fermi que es el nivel energtico donde, de haber un contnuo de niveles tendramos un 50% de llenado
de esos niveles.
Tenemos pues para concluir que la conductividad en un semiconductor cualquiera ser

I
Inw ] @^xc` d Bv

e

(1.12)

es decir que aumenta cuando aumenta la temperatura al contrario que en los metales. Adems de las
ecuaciones 1.9 y 1.11 podemos deducir que cuanto mayor sea el nmero de portadores mayor ser la
conductividad (aunque esto ocurre en cualquier material).
1.1.2.4

Fotoconductividad

Una vez hemos entendido cuales son los parmetros que influyen en la conductividad de un material
llegamos a la parte interesante que es como aprovechar esta caracterstica para medir la cantidad de luz
incidente sobre l, lo estudiaremos sobre los semiconductores ya que tanto sobre disoluciones como

CAPTULO 1. SENSORES

11

sobre metales los efectos son despreciables. Supongamos que tenemos un semiconductor tipo n (dopado
con impurezas donadoras), la conductividad como ya hemos deducido anteriormente ser,

In.y
8h4/" .

aunque la movilidad no sea una constante la vamos a considerar en un principio como tal, la carga del
electrn es constante as que slo nos queda la densidad de portadores, en este caso electrones en el
semiconductor. Esta densidad es fija para una determinada temperatura si consideramos que sta es la
nica fuente de energa que permite a los portadores saltar a la banda de conduccin. Aqu es donde
aparece la energa de los fotones incidentes, en la figura podemos observar un fotn creando un par
+ + + + + + + + +
+ + + + + + + + +

Ec

E>Ec-E =E
v
-

Ec

Ev

+ + + + + + + + +
+ + + - + + + + +

- + - - - - - - - - - - - -

Ev

Figura 1.5: Incidencia de un fotn y generacin de un par electrn hueco

electrn-hueco, su energa ha de ser igual o superior a la energa de la banda prohibida, el electrn sobre
el que ha incidido el fotn saltar a la banda de conduccin creando un hueco en la banda de valencia,
ambos portadores de carga participarn ahora en la conduccin aumentando la conductividad del material
y por tanto con una misma diferencia de potencial en los extremos del semiconductor la corriente ser
mayor debido a la disminucin de la resistencia. Qu longitudes de onda sern las que incrementen la
pero vemos
fotoconductividad? La respuesta parece evidente, aquellas cuya energa sea mayor que
que no es tan simple.

ba

1.1.3

Transmisin y absorcin.

Cuando un fotn de una energa determinada incide sobre una partcula esta absorbe el fotn como
ya hemos visto, cuando ha absorbido el fotn la partcula est excitada y puede realizar un cambio de
estado, como ascender a un centro (por ejemplo un orbital) de energa superior pero si la energa es
menor que la que necesita para cambiar de estado esta partcula liberara el fotn para volver a quedar
en un estado de energa mnima, en un principio podra emitirlo en cualquier direccin y sentido pero
para ello sera necesaria la participacin de otra partcula llamada fonn que sera la que recibira o
donara la cantidad de momento necesaria para cambiar la direccin del fotn y aunque esto ocurre lo
hace en una proporcin tan pequea que no vamos a considerarla. Si tras la interaccin con la partcula
tenemos un nuevo fotn con la misma energa y el mismo sentido tenemos transmisin. Cuando el fotn
tiene una energa superior a la necesaria para que la partcula con la que interacciona llegue a un nuevo
estado estable no se emite un nuevo fotn, la energa puede quedar atrapada en el material con el que ha
chocado el fotn y este ha sido absorbido. La absorcin slo ocurre cuando hay una interaccin, no todos
los fotones interaccionaran con la misma partcula ni a la misma profundidad del material absorbente,
hay una probabilidad de que el fotn choque y esta se suele representar como un camino libre medio. Si
el espesor del material es del orden del camino libre medio un 63% de los fotones se absorbern pero el

CAPTULO 1. SENSORES

12

resto atravesarn el material, este es un concepto que ser necesario asimilar para comprender la forma
de fabricacin de los dispositivos y tambin sus limitaciones.
1.1.3.1

Qu zona del espectro se detecta?

Con los datos que tenemos hasta ahora podramos entender porque no se detecta la zona del espectro
electromagntico con longitudes de onda superiores a la que proporciona una energa necesaria, pero
quiz resulte ms complicado entender porqu no se detectan todas las longitudes de onda inferiores
menores que sta. Aqu es donde aparece el problema de la absorcin, para longitudes de onda con una
energa muy superior a la anchura de banda prohibida la absorcin es muy fuerte de modo que en unas
pocas capas atmicas todos los fotones han cedido su energa a los electrones, estos electrones al estar
tan cerca de la superficie tienen un tiempo de vida muy corto ya que en la zona cercana a la superficie
hay una gran densidad de centros de recombinacin que no van a permitir que los electrones recorran un
camino apreciable de forma que no participan en el incremento de conductividad.

1.1.4

Diferencias entre fotorreceptores

Los fotorreceptores pueden ser usados en situaciones muy distintas, por ejemplo, la clula de deteccin
de un ascensor o el sistema de recepcin de un sistema de fibra ptica, se citan estos dos porque en ellos
hay una diferencia fundamental y es el tiempo de respuesta. Mientras que en la clula del ascensor el
tiempo de respuesta puede ser del orden de dcimas de segundo sin que se degraden las caractersticas
del sistema en la fibra ptica se pueden recibir seales a una frecuencia que puede llegar al gigaherzio, es
decir, los tiempos de respuesta han de ser menores de 1ns. No parece que los fotodetectores de respuesta
lenta tengan ninguna ventaja pero esto no es cierto, vamos a explorar el comportamiento interno del
fotodetector para analizar el tiempo de respuesta. Cuando el sistema se encuentra en equilibrio trmico
sin ningn tipo de excitacin adicional el nmero de portadores ha de permanecer constante, aunque
ello no signifique que deje de haber generacin trmica de pares electrn-hueco ni recombinacin de los
mismos, pero ambas magnitudes han de ser iguales. La probabilidad de que un electrn se encuentre con
un hueco y que por tanto se recombine ser proporcional a la densidad de huecos existentes, por tanto el
nmero total de recombinaciones ser proporcional a la probabilidad de que un electrn se recombine (ya
que el nmero de huecos no disminuye en equilibrio trmico) multiplicado por la densidad de electrones.

z{
3| 8 w}@w
@w w
donde B es la constante de probabilidad y y 8 son las densidades de portadores en equilibrio, como
hemos dicho esta tambin ser la generacin de pares electrn-hueco de forma que la variacin de la
densidad de portadores o lo que es lo mismo, del incremento de portadores sea nula.

~ ` {z


/ 8


Cuando aplicamos una radiacin electromagntica sobre el semiconductor la generacin de portadores

de forma trmica no cambia (la temperatura es la misma) sin embargo la recombinacin si ya que el
nmero de portadores es mayor, la frmula anterior nos queda entonces

/ 8
 C ? | @pw 8 w ` |X @w? 8 Z X 8 wx? 8 Z



CAPTULO 1. SENSORES

13

 C

siendo
la densidad de pares electrn-hueco generados de forma ptica, el segundo trmino la generacin trmica y el tercero la recombinacin trmica, n es el nmero de pares electrn-hueco generados
en exceso sobre los de equilibrio trmico, simplificando bajo la suposicin de que estamos en un semiconductor dopado con impurezas aceptoras (p) y con un bajo nivel de inyeccin llegamos a la siguiente
ecuacin,

| @pw

/ 8
 C ? | @w 8


S.

donde el trmino
es el inverso del tiempo de vida de un portador ( ) si resolvemos para regimen
permanente, en el que la variacin del nmero de portadores es nulo obtenemos que,

8
 C S .

de aqu podemos deducir que para tiempos de vida largos (tiempos de respuesta largos) la ventaja que
obtenemos es que para la misma densidad de radicin ptica, es decir, para el mismo nmero de fotones
y por tanto la misma densidad de generacin de portadores el incremento de portadores es mayor y est
es la gran ventaja, obtemos ms seal para la misma excitacin, lo que nos simplificar la circuitera aadiendo de forma gratuita un filtro paso bajo. Si resolvemos ahora la ecuacin para el rgimen transitorio
obtenemos que


Z


X
w
8 8  <9H
.
aqu vemos la otra cara de la moneda, la velocidad, si S es pequeo aunque tendremos menos respuesta
para la misma excitacin la respuesta ser mucho ms rpida.

CAPTULO 1. SENSORES

1.2
1.2.1

14

Fotorresistencias
Teora de funcionamiento

Las fotorresistencias son fotorreceptores con un tiempo de respuesta lento, antes hemos visto la ventaja
que esto supona, ahora vamos a intentar cuantificarlo definiendo la ganancia (G) que se obtiene gracias
a su respuesta lenta. Supongamos un semiconductor con forma de paraleleppedo como la figura 1.6
la ganancia vendr definida por cuantos electrones (huecos) vamos a poder contar por cada par que se

L
Figura 1.6: Movimiento de electrones y huecos en un semiconductor polarizado
genere, cuando un electn es generado y contribuye a la conduccin este viaja en direccin al electrodo
con potencial positivo, cuando llega all la carga abandona el semiconductor pero como la carga tiene
que mantenerse otro electrn es suministrado desde el electrodo contrario generndose algo similar a una
cinta sinfn, la carga desaparecer cuando se recombine con lo que la carga sigue en el semiconductor
pero ya no participa en la conduccin. La ganancia vendr pues determinada por cuantas veces atraviese
este electrn (hueco) el paraleleppedo,

)
~
> . S .
" .F J S .
" . + S .
(1.13)
.


>

.
es decir, si viaja a una velocidad
durante un tiempo S recorrer una distancia un nmero de veces
~
~
igual a y por tanto lo contaremos veces. Como podemos apreciar todos los parmetros dependen

del detector excepto la tensin en bornas (V), incrementando esta tensin incrementamos la velocidad
de los portadores y por tanto la ganancia, hasta un cierto lmite, ya que la velocidad tiene un mximo
para cada material ( disminuye cuando aumenta por encima de cierto valor). Tambin la longitud es
modulable en fabricacin pero si es muy pequea la cantidad de luz que detectamos tambin se reduce.
Ejemplos
El material que se usa como fotorresistencia es principalmente el Sulfuro de Cadmio (CdS). Los
parmetros que seutilizan para definirla son los siguientes:

"

Variacin de resistencia con la iluminacin: en la figura podemos ver varias curvas, tpicamente
no se da una sola sino una familia para que con una medida podamos situar un punto en la grfica
y a partir de la curva ms cercana extrapolar el resto de los valores. Podemos apreciar que el eje
de abcisas representa una magnitud denominada fc, son candelas pie, por el nombre podramos
deducir que 1fc es la luz que llega desde una vela situada aun pie de distancia, como esto posiblemente no nos de mucha informacin tenemos que para un da de sol hay 1000fc, en un da nublado
100fc en una noche con luna 0.1fc y en una noche estrellada sin luna 0.01fc.

Tiempo de respuesta, ste depende fuertemente de la cantidad de luz que est llegando, podemos
observar en la tabla ejemplos de los tiempos de subida (inicio de iluminacin) y de bajada (fin de
iluminacin) en funcin de la iluminacin.

CAPTULO 1. SENSORES

15
1000

Resistencia(K )

100
10
1
0.1
0.01

0.1

1
10
fc (candelas pie)

100

1000

Figura 1.7: Resistencia en funcin de la iluminacin

Iluminacin
1 fc
100fc

Tiempo de subida
18ms
2.8ms

Tiempo de bajada
120ms
48ms

Respuesta espectral. No toda la luz nos afecta por igual, como ya analizamos previamente, tan
slo un intervalo de longitudes de onda generar seal en nuestra fotorresistencia, si analizamos
el eje de abcisas de la figura 1.7 y la figura 1.8a veremos una posible contradiccin Qu pasa
si me llega la misma cantidad de luz pero de distintas longitudes de onda? La resistencia de la
fotorresistencia ser la misma? La respuesta a la segunda pregunta es no, de todas formaslas fc
estn referidas a la respuesta del ojo, no a la cantidad de fotones y la respuesta del CdS es bastante
similar a la del ojo.
100
90

Respuesta relativa

80
70
60
50
40
30
20
10
300

400

500 600 700 800

Longitud de onda (nm)

900 1000

Figura 1.8: Respuesta espectral de una fotorresistencia.

Evolucin con la temperatura. No nos podemos olvidar del efecto de la temperatura en el comportamiento de un semiconductor. Si bien con iluminaciones superiores a 5ftc la accin de la temperatura sobre una fotorresistencia es poco importante (alrededor del 1% en la gama de temperaturas
entre -60 y 70o C), donde si se aprecia una dependencia trmica acusada es en la resistencia para

CAPTULO 1. SENSORES

16

iluminaciones bajas. Para una iluminacin de 0.01ftc (oscuridad) la resisetncia puede variar en un
factor 4 entre 25 y 75o C. La grfica 1.7 estaba tomada a 25C.
Cmo es fsicamente una fotorresistencia? Podemos verla en la figura 1.9. Es un circuito con dos
contactos que internamente tiene est diseada como un zig-zag para que la longitud sea mayor y
que podamos detectar ms luz.

Figura 1.9: Forma de una fotorresistencia.

1.2.2

Ejemplos de utilizacin.

Oscilador de frecuencia dependiente de la luz

Para describir este circuito vamos a ver una breve introduccin a osciladores, para lo que describiremos dos subcircuitos, la bscula Schmitt-Trigger y el integrador.
1.2.2.1

Bscula Schmitt-Trigger.

Rf
Vref
Vin

R1

+
Vo

R2

Figura 1.10: Bscula Schmitt-Trigger inversora

)
gDg ` Dg g

El circuito de la figura es un operacional con realimentacin positiva, en este circuito no es aplicable

o
dependiendo de si la
el principio de tierra virtual, y el valor de la tensin de salida es bien
diferencia de tensiones en los terminales de entrada
es positivo o negativo. Cul ser entonces
su curva de funcionamiento? Para calcularla haremos dos suposiciones

A` <

) 
)
gDg , esto implica que
1. La tensin de salida es
)
) ? X ) ) Z z '
) z ? ) z '
gDg`
z '? z
z '? z gDg z '? z
(1.14)
A
)
) V.
) )
y por tanto
deber) ser menor
que este valor para que esto se cumpla, si
- A esto
)

<


<
ya no se cumple y por tanto
) 
) ` gDg
2. La tensin de salida es
` gHg , esto implica que
)
)55 ? X ) ) Z z'
) z ) zR'
z '? z
z '? z ` gDg z ';? z
` gDg`
(1.15)
A

)
) V.
) ) 17
y por tanto
deber) ser mayor
) que este valor para que esto se cumpla, si < A esto
b

<
gDg
ya no se cumple y por tanto
)
 ) )

Vamos
valores numricos para representar la grfica, por ejemplo elegiremos gDg
,

) za'poner
 y
3z . La grfica resultante ser
CAPTULO 1. SENSORES

Vo
5V
2.5V

Vin

-2.5V

-5V

) z z '

) V. )

Figura 1.11: Tensin de salida frente a tensin de entrada

Este tipo de circuito tiene dos variables de diseo,
y
. Un buen ejercicio para ver si se
tiene claro el funcionamiento es disear un circuito de forma que bascule para una tensin de entrada de
y
la bscula ya no ser inversora
-1 y 3V. Igualmente si cambiamos los puntos de aplicacin de
como la que hemos analizado (figura 1.12).

Rf
Vin
Vref

R1

+
-

Vo

R2

Figura 1.12: Bascula Schmitt-Trigger no inversora.

1.2.2.2

Integrador

El circuito integrador es conocido ya por todos por lo tanto no vamos a insistir mucho en l tan slo
recordar que la tensin a la salida se puede calcular como

) V.
) X Z
)
 ` z  

que para el caso de una tensin de entrada constante queda como

) X Z
) ) V.
 ` z 
es decir una rampa de signo contrario al de la seal de entrada.

(1.16)

(1.17)

CAPTULO 1. SENSORES

18

C
R

Vin

Vo

+
R1

Figura 1.13: Circuito integrador

1.2.2.3

Oscilador

c z '
z

)5



) '
)
)
gDg

La conjuncin de los dos circuitos anteriores puede generarnos un oscilador. Cmo? Veamos el circuito
y que
al igual que en el ejemplo del apartado
de la figura 1.14. Supongamos que
anterior para analizar el circuito supongamos tambin que el valor de
para
, esto




C
Vin

R in

Rf
+

R2

R1
Vo2
Vref

+
Vo1
-

R3

Figura 1.14: Oscilador

)

)

implica que)
, como
no sabemos cuanto vale vamos a aventurar un valor,
por ejemplo
)
)
A+ tambin vale . El valor de la tensin a la salida del integrador, en + valdr
y por tanto
) + X Z
) )

` zBV. 
)
es decir empieza a disminuir, el valor
de la tensin en
ser
)
) + z ? ) zR'
A c ) + ? )
)  )
z ';? z gDg z '? z
`
zBV. 
A

)
es decir que
A  para
 )
c zV.
) + )
z V.
c )
` zV. ) ' c
)
` )
` gDg ` y la corriente que circulaba por
en ese momento la bscula cambiar su salida y
zV. cambiar de signo y a partir de ahora si ponemos el reloj
a cero valdr
) + X Z
c ) ? )
zV. 
 `

CAPTULO 1. SENSORES

A  )
+

19

c ) C

su valor empezar a subir hasta que

momento en que volver a cambiar la salida de la bscula,
por tanto se produce una oscilacin. Qu periodo tiene esta oscilacin? Pues dos veces el tiempo de
carga o descarga. Como ya sabemos que
va a ser una seal triangular con una amplitud de
tenemos que un semperiodo durar

por tanto el periodo ser de

1.2.2.4

zV.

) + X Z
c )
c ) ? )

`
z V. 

zBV.

c zV.

Oscilador controlado por luz.

Si la resistencia
la sustituimos por una fotorresistencia el periodo de oscilacin depender directamente del flujo luminoso y por tanto midiendo la frecuencia de la oscilacin podemos saber cual es el
valor de la intensidad luminosa.

CAPTULO 1. SENSORES

1.3

20

Fotodiodo

Ya hemos visto como son las fotorresistencias y sus principales caractersticas, el motivo que las diferenciaba era que el tiempo de recombinacin de los portadores era alto, vamos ahora a analizar como
trabajar con tiempos de respuesta bajos. Cuando el tiempo de recombinacin es muy bajo la distancia
recorrida por los portadores fotogenerados ser corta (ya que la velocidad mxima est limitada por el
decaimiento de la movilidad) y slo vamos a poder detectar un portador si llega hasta el electrodo ya que
la corriente es carga por unidad de tiempo y si el par electrn-hueco se recombina durante el trayecto
se perdi la carga, esto implica que tenemos que o bien aumentar el tiempo de vida (y estropeamos la
principal ventaja), incrementar la velocidad de los portadores, pero ya hemos visto que no se puede incrementar mucho o disminuimos la distancia que hayan de recorrer los portadores. Aqu es donde entra
la idea del fotodiodo, pero para entenderla hagamos un pequeo inciso y recordemos la unin pn.

Ev
0%
100%
Semiconductor intrinseco

Ec
Ef

Ec
Energia

Ef

Energia

Energia

Ec

Ef
Ev

Ev
0%
100%
Semiconductor n

0%

100%
Semiconductor p

Probabilidad de encontrar un electron

en un nivel de energia

Figura 1.15: Distribucin de la probabilidad de encontrar un electrn a un determinado nivel energtico

en un semiconductor intrnseco, n y p. Posicin del Nivel de Fermi en cada caso.

1.3.1

Unin PN

Un semiconductor dopado tipo n tiene su nivel de Fermi (figura 1.15) cerca de la banda de conduccin ya
que este nos indica el lugar donde hay un 50% de probabilidades de encontrarnos con un portador y ahora
hay muchos en la banda de conduccin, por el contrario si est dopado tipo p el nivel de Fermi estar
muy cercano a la banca de valencia ya que la banda de conduccin estar muy despoblada de electrones
as como la parte alta de la banda de valencia (poblada de huecos). Cuando unimos ambos materiales y
mientras permanezcamos en equilibrio el nivel de Fermi ser nico, el principio de entropa har que el
exceso de portadores de signo contrario en cada uno de los materiales se uniformice, al producirse esta
difusin y debido al mantenimiento de la carga quedarn cargas positivas en el lado n (donadores sin
electrn) y negativas en el lado p (aceptores sin hueco) generndose un campo elctrico que impide que
esta difusin siga (figura 1.16a). Cuando aplicamos un campo elctrico contrario al generado disminuye
el campo que se opone a la circulacin de carga quedando el diodo en directa, mientras que cuando
aplicamos un campo elctrico que incremente el existente no se favorece la circulacin de corriente
(figura 1.16b). La frmula de la corriente en una unin pn ideal ser

5
>,
3i}  rts `
;

(1.18)

CAPTULO 1. SENSORES

i}

21

con lo que cuando V es positiva la corriente directa crece de forma exponencial y cuando V es negativa
la corriente es
en sentido inverso.

Zona p

Zona n
Id
Ec
Ef

Vd

Ev

ZCE

(a)

(b)

Figura 1.16: (a) Bandas de conduccin y valencia en una unin pn (b) Curva I-V de un diodo pn

1.3.2

Fotodiodos PN

8Y @

En la zona de carga de espacio (donde hay campo elctrico) hay portadores de ambos tipos, mientras
que en el resto del diodo (por ejemplo en la zona n) hay muchos electrones y pocos huecos
,un electrn en exceso en la zona n tiene pocas probabilidades de encontrarse con un hueco con quien
recombinarse por lo que el tiempo de vida ser alto, sin embargo en la zona de carga de espacio ser
bajo, lo mismo puede decirse para los huecos en el lado p. Supongamos un diodo pn sin polarizacin y
sobre el que incida radiacin electromagntica (figura 1.17), los pares electrn-hueco que incidan sobre
la zona n o p desaparecern rpidamente ya que el hueco generado en la zona n encontrar un electrn
con quien recombinarse e igualmente con el electrn generado en la zona p, pero los pares generados en
la zona de carga de espacio aunque tienen alta probabilidad de recombinarse tambin tienen un fuerte
campo elctrico que les aparta de la zona y separa al electrn y al hueco enviando a cada uno a la zona
en que son mayoritarios y por tanto tienen pocas probabilidades de recombinarse y velocidad para llegar
al electrodo, en ese momento si el electrn llega antes que el hueco y para mantener la neutralidad de
carga un electrn se generar en el otro electrodo recombinndose rpidamente con un hueco con lo que
desaparece el par (lo mismo si hubiese llegado antes el hueco). Acabamos de describir la gran ventaja
Zona n
-

Zona p

ZCE

Figura 1.17: Posibles zonas de generacin de un par electrn-hueco y su efecto en la deteccin

del fotodiodo, hay una zona muy estrecha y de alto campo elctrico (zona de carga de espacio) en que se
separan con facilidad los pares electrn-hueco y con un tiempo de vida corto pero inmediatamente llegan

CAPTULO 1. SENSORES

22

a una zona en la que tienen tiempo de vida largo por lo que son capaces de llegar al electrodo, este ser
un dispositivo rpido en contraposicin a las fotorresistencias.
Analicemos la fotocorriente para ello volvamos a mirar la figura 1.17b demonos cuenta que la corriente (que se considera positiva en el sentido de avance de las cargas positivas) va desde la zona n a la
p es decir es una corriente inversa ello implica que la frmula 1.18 se modifica apareciendo un trmino
negativo de la siguiente forma
(1.19)


>B
3i}  rts ``
W

donde
es la corriente debida a los fotones o fotocorriente, as pues cuando tengamos luz incidiendo
sobre sobre nuestro fotodiodo la relacin I-V evolucionar quedando de la forma que podemos ver en la
figura1.18
Id
Sin luz
If

Vd
Con luz

Figura 1.18: Modificacin de la relacin I-V en un fotodiodo cuando hay luz incidente.

1.3.3

Fotodiodos PIN

Cul es el principal problema de un fotodiodo pn? Pues que la zona til para la generacin efectiva
de un par electrn hueco es pequea, tan slo la zona de carga espacial. Cmo solucionarlo? Pues
incrementando la zona de carga espacial. Para incrementar la zona de carga de espacio se puede hacer de
dos formas. Polarizando fuertemente el diodo en inversa (Despues describiremos los fotodiodos APD)
o aadir entre la zona n y la p una zona no dopada, es decir, una zona intrnseca de ah el nombre de
fotodiodo pin.
Qu sucede en el interior de un fotodiodo pin? Bueno pues apliquemos la misma lgica que es el
caso anterior. Un par electrn hueco generado fuera de la zona de carga de espacio tiene pocas posibilidades de ser til, ahora la zona de carga de espacio ha aumentado ya que al tamao de esta zona en un
diodo pn hay que aadir la zona i. Podemos hacerla tan grande como queramos. Pues desgraciadamente
no ya que el incremento de la zona de carga de espacio hace disminir el campo elctrico y por tanto la
velocidad de los portadores y al final lo que queda perjudicado es la velocidad as que hay que cumplir
un compromiso entre velocidad y volumen de captacin de portadores.

1.3.4

Fotodiodos APD

Por timo describiremos los fotodiodos APD que es el acronimo de avalanche photodiodes o traducido
fotodiodos de avalancha. Su funcionamiento se basa en la polarizacin inversa muy fuerte (la segunda
posibilidad que habamos comentado previamente) al hacer esto se consigue que la zona de carga de
espacio crezca pero tambin que crezca fuertemente el campo elctrico en la ZCE. El efecto avalancha lo
podemos ver en la figura 1.19 los portadores generados al ser acelerados por el campo elctrico chocan

CAPTULO 1. SENSORES

23

Par fotogenerado

Generados
por avalancha

Figura 1.19: Efecto avalancha: un par electrn-hueco generado por un fotn incidente genera por
choques otros pares electrn-hueco por lo que aparece ganancia.
con tomos cedindoles su energa de esa forma la energa puede aprovecharse para la generacin de
nuevos portadores lo que permite que haya ms de un portador de carga por fotn lo que nos devuelve al
concepto de ganancia que vimos con las fotorresistencias.1
Cmo se consigue aumentar esta ganancia? Pues incrementando el campo elctrico aunque esto
tambin tiene un lmite que viene impuesto por algo similar a la ruptura zener en los diodos, con lo que
la corriente aparece ya no por motivos pticos sino electrnicos.

1.3.5

Electrnica para fotodiodos

Empecemos representando el circuito ms simple que se nos podra ocurrir para obtener la seal de un
fotodiodo. podemos apreciar que la respuesta en tensin no es lineal respecto a la iluminacin, pero si

Vd

Id

Vo

Id
R

Sin luz
If

Vd
Con luz

Vo

Figura 1.20: Diodo en paralelo con una resistencia y clculo grfico de la tensin de salida.

) >B
>iz

no lo vemos claro resolvamos la ecuacin siguiente

donde

>

) >B
i }  rts
z

`



`
;

(1.20)

tena el valor que vimos en la ecuacin 1.19 si sustituimos tenemos

(1.21)

y esta ecuacin adems de ser trascendente nos confirma que la respuesta no es lineal, por lo que no es
la mejor electrnica para un fotodiodo.
Otra posibilidad sera la representada en la figura 1.21 ahora la ecuacin a resolver sera
1
En la figura vemos el par que est a la izquierda que ha sido fotogenerado y despus los otros han sido generados por
avalancha, el apilamiento de los electrones a la derecha es la suma de los generados ms los que ya estaban.

CAPTULO 1. SENSORES

24
Vcc

Id

Id
Vd

Sin luz

R
Vcc
Vo

IfCon luz

Vd
Vo

Figura 1.21: Diodo en serie con una resistencia y cculo grfico de la tensin de salida.

)
>z ) >
gDg ` `
(1.22)
donde nos volvemos a encontrar con una ecuacin
y otra vez con problemas de linealida,
> ya trascendente
que la corriente inversa es pequea.
aunque es este caso son menores ya que 
1.3.5.1

Amplificador de transconductancia

La solucin si seguimos el razonamiento del diodo en serie con la resistencia sera eliminar totalmente
de la solucin la parte de corriente debida a que el diodo est en inversa, esto se podra hacer si la tensin
en inversa del diodo fuera constante (aparecera el trmino de corriente inversa pero sera fijo) o incluso
mejor si adems de ser constante fuera cero ya que entonces la corriente del diodo sera exclusivamente
debida a . Cmo hacer esto ltimo? La solucin es utilizar un amplificador operacional con realimentacin negativa y aprovecharnos as del cortocircuito virtual. Veamos la figura 1.22 en ella podemos
ver un fotodiodo conectado en inversa a la entrada inversora de un operacional con una realimentacin a
travs de una resistencia
la tensin de salida
si consideramos que el operacional es ideal ser

Rf

Vp
-I

-I

Vo

Rc

Figura 1.22: Amplificador de transconductancia.

)
>z
(1.23)
) b
i}   ` rts
z
` ) C ; ``
(1.24)
)>
como en este caso
es fija e igual a `
(tensin de polarizacin inversa) el trmino exponencial es
constante y nos queda
)
3 z z
(1.25)
` g


donde g es la llamada corriente de oscuridad del fotodiodo, es decir, la corriente resultante de no haber
iluminacin.

CAPTULO 1. SENSORES
1.3.5.2

25

Tensiones de offset

La corriente de oscuridad genera, como ya hemos visto, una tensin de offset que sera conveniente
eliminar para ello lo ms simple es que la tensin de polarizacin sea cero ya que esto genera una
corriente de oscuridad nula
(1.26)

>B
 3
iH  w rts `

parece que ya tenemos la solucin ideal aunque esto sera si el amplificador operacional lo fuera, pero
no lo es, de hecho tiene unas corrientes de offset y una tensin de offset, en la hojas de caractersticas las
podemos ver como

 V
i

A ?c

A `c

<

<

(1.27)
(1.28)

) i

ambos valores son estimados, pero veamos cual sera la salida si tenemos en cuenta estas desviaciones
de la idealidad, para ello en la figura 1.23 hemos puesto todas las corrientes y tensiones deseadas y no
..
deseadas, incluyendo la corriente de oscuridad que ha vuelto a apararecer debido a
Rf

If-I osc
+I -

I
If-I osc- Voff
I+

Vo

Rc

Figura 1.23: Amplificador de transconductancia con todos los componentes no ideales.

La tensin resultante sera

)
YX ? Z z z ) i
` g < ` A g`

z zg

la nica forma de reducir aqu la tensin no deseada es igualar las resistencias

y
de forma que la
tensin debida a las corrientes se reduzca lo ms posible, ya que para grandes amplificaciones el trmino
debido a las corrientes es el que ms afecta.
1.3.5.3

Ancho de banda

Una vez hemos conseguido un circuito que transforme linealmente la iluminacin en seal elctrica
vamos a ver si cumple la caracterstica que se espera de un fotodiodo, es decir, velocidad. Vamos a ver
el ancho de banda del circuito, para ello sustituimos el fotodiodo por su circuito equivalente que que no
es ms que un condensador en paralelo con una fuente de corriente ( ) y un condensador (ZCE). Para
efectos temporales el nico elemento de inters es el condensador. Veamos pues la respuesta temporal
del circuito de la figura1.24 si tenemos en cuenta (a efectos de ancho de banda) que la variacin de
tensin que ve el condensador es la tensin de salida dividido por la ganancia del operacional en lazo
abierto que es

~
? 2 ` W
 

CAPTULO 1. SENSORES

26
Rf

Cfot

Vo

+
Rc

Figura 1.24: Amplificador con el circuito equivalente del fotodiodo para efectos de clculo de ancho de
banda.

es el polo del operacional en lazo abierto,

la ganancia en lazo abierto y
el producto
donde
ganancia-ancho de banda del operacional, por tanto el condensador ve en paralelo con l una resistencia
de valor

z
z~ 3
z

con lo que tenemos que la frecuencia de corte del amplificador es

c z = Q g
c z
es decir el punto
z medio (en escala logartmica) entre la frecuencia de ganancia unidad del operacional y
la dada por

1.3.5.4

Amplificador oscilante
Cf
Rf

Cfot

Vo

+
Rc

Figura 1.25: Amplificador compensado para evitar la oscilacin

El amplificador de transimpedancia tiene un problema y es que oscila, debido a que se produce un
desplazamiento de fase de -180o cuando la ganancia est por encima de la unidad. Fijemonos que hay
un polo a bajas frecuencias
debido al operacional y otro a la frecuencia , como un polo tarda
dos decadas en desarrollar los -90o , -45o la decada anterior a y -45o en la posterior tenemos que en la
frecuencia
la fase habr cambiado -180o y como a partir de esa frecuencia la ganancia cae a razn
de 40dB por dcada (hay dos polos) si era superior a 40dB (100) tenemos oscilacin.

 g

c

CAPTULO 1. SENSORES

27

z g

Cmo evitarla? Para evitarla hemos de poner un cero que compense el desfase, el stio adecuado
para ponerlo es en para que la fase no pase de -90o , as pues lo lgico ser situar un condensador en
paralelo con
y de valor tal que

c z
g

as pues el circuito ideal nos quedara como en la figura 1.25.

1.4

Fototransistores

El fototransistor sigue el mismo principio de funcionamiento de la fotorresistencia o del fotodiodo, su

peculiaridad consiste en su amplificacin de seal debido al efecto transistor, la fotogeneracin de portadores se realiza en la base, los smbolos con los que nos podemos encontrar un fototransistor podemos
verlos en la figura1.26. Hay dos smbolos (en este caso para dispositivos npn, que son los normales)
C

Figura 1.26: Smbolos del fototransistor

uno con terminal de base y el otro sin l, en el primer caso la corriente que entra por la base es la suma
de la seal electrnica y la fotogenerada mientras que en el segundo caso slo podemos tener seal
fotogenerada.
Si nos olvidamos por un momento de la seal fotogenerada el comportamiento del dispositivo es
exactamente igual que el del transistor convencional.

1.4.1

Circuitera para aplicacin mediante un fototransistor

El uso del fototransistor se puede dividir en dos grupos dependiendo de si el dispositivo tiene dos o tres
terminales (figura 1.26).
En el caso de que tenga tres terminales su uso ser idntico al de un transitor normal, con la nica
diferencia de que la seal en lugar de venir dada de forma electrnica nos llega de forma fotnica. Si
comparamos los circuitos de la figura 1.27 vemos que el primero tiene una corriente de base en pequea
seal de
(1.29)

)a
x
3z ' z +
 z a ? z' z7+ H

mientras que en el segundo viene dada por la fotocorriente, es decir por la irradiancia, si asumimos
esto todos las configuraciones que conocemos para el transistor pueden extrapolarse para el fototransistor
de tres terminales.
Si slo disponemos de dos terminales la polarizacin del transistor viene forzada y entonces
, esto nos puede incitar a pensar que no vamos a poder usar el transistor como amplificador, y de
hecho para una alimentacin antisimtrica no podramos tener corrientes de pequea seal negativas ya
que el transistor estar cortado. Si nos fijamos un poco mejor veremos que esto no puede suceder, las
fotocorrientes son siempre positivas, no podemos tener una seal senoidal alrededor de la de polarizacin

ih

CAPTULO 1. SENSORES

28
Vcc

Vcc

Rg

R1

RC

R2

RE

CL

R1

RC

R2

RE

CL

Ci

Vg

(a)

CE

RL

CE

RL

(b)

Figura 1.27: Circuitos con la misma funcionalidad con (a) un transistor convencional y (b) un fototransistor.

ya que podemos tener ms o menos iluminacin aunque nunca iluminacin negativa. Lo que si podremos
vendr dada
tener es seal senoidales sobre un nivel de contnua (ambos fotnicos) y entonces la
por la iluminacin media del sistema.

1.4.2

Caractersticas tcnicas

En este apartado vamos a describir y explicar los detalles especficos del fototransistor (respecto al transistor) con los que nos encontraremos en una hoja de caractersticas. Por ejemplo cogeremos el fototransistor PT481F de Sharp que es el que tenemos en el laboratorio.
1.4.2.1

Caractersticas estticas

Mxima potencia disipada El transitor no debe superar una potencia mxima para evitar daarse, el
daado se produce al superarse una mxima temperatura en las uniones, siendo la daada en este caso
la tensin colectro-base ya que es la que ms potencia soporta (su tensin es mayor que la de emisorbase). La temperatura mxima se compone de dos trminos, la temperatura ambiente y el incremento
de temperatura producida por la disipacin, como nosotros no podemos medir la temperatura interna
del dispositivo fijamos unos mximos de disipacin, que como es lgico dependern de la temperatura
ambiente, ya que ser necesario una elevacin menor de temperatura debida a la disipacin cuanto ms
alta sea la temperatura externa. Para el dispositivo elegido podemos ver esta grfica de comportamiento
en la figura 1.28a
Corriente de colector de oscuridad. En todo dispositivo sensor hay una cantidad de seal que no es
generada por fotones sino que aparece por efectos electrnicos internos del dispositivo, pero es importante conocer su magnitud para poder saber la fiabilidad de la seal final que se obtenga. En la figura
1.28b podemos ver un ejemplo de una curva de la corriente de colector de oscuridad frente a la temperatura, estamos hablando de corrientes del orden entre picoamperios y miliamperios dependiendo de la
temperatura. Hemos de tener en cuenta que no podremos aceptar como seales correctas aquellas que
sean del orden (en este dispositivos en particular) del que aparece en la figura
Variacin de la corriente de colector con la temperatura ambiente La corriente fotogenerada depende de la temperatura principalmente cuando la irradiancia es baja. Debemos recordar que la gen-

CAPTULO 1. SENSORES

29
Corriente de colector de oscuridad(A)

Maxima potencia permitida Pc(mW)

80
70
60
50
40
30
20
10
0
-25

0
25
50
75
Temperatura ambiente (C)

10-4
10-5
10-6
10-7
10-8
10-9

3 V =20V
CE
3
3
3
3
3

10-10

10-11

10-12
-25

100

25
50
75
Temperatura (C)

(a)

100

(b)

Figura 1.28: (a) Mxima potencia disipada permitida en la unin base-colector. (b) Evolucin de la
corriente de colector de oscuridad frente a la temperatura.
eracin de portadores espontnea depende de la temperatura y que no depende de la temperatura, por
ello debemos tener principal cuidado cuando trabajemos con bajos niveles de seal ya que la seal puede
variar mucho dependiendo de la temperatura ambiente tal y como podemos apreciar en la figura 1.29a

150

VCE=2V

E e =0.1mW/cm 2

Corriente de colector (mA)

Corriente de colector relativa (%)

175

125
100
75
50
-25

25
50
75
Temperatura (C)

(a)

100

100
80 V =2V
CE
50 Ta =25C
30
20
10
8
5
3
2
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
Irradiancia E (mW/cm2)

0.5

(b)

Figura 1.29: (a) Evolucin de la corriente de colector frente a la temperatura para bajos niveles de
irradiacin. (b) Corriente de colector frente a la irradiancia

Corriente de colector frente a la irradiancia. El dato interesante ser que corriente generara el dispositivo cuando una determinada cantidad de luz incida sobre l, este dato lo tenemos en la figura 1.29b
si comparamos con la figura 1.29a podemos ver que para una irradiancia de 0.04
la seal sugo
iere ser del orden de la magnitud la corriente de oscuridad para una temperatura de 100 C lo cual nos
indica que no seran vlidas las medidas tomadas.

/

CAPTULO 1. SENSORES

30

Corriente de colector frente a tensin colector-emisor Esta familia de curvas que podemos ver en la
figura 1.30a son iguales a las un transistor normal salvo que cada curva lleva asociada una irradiancia en
lugar de una corriente de base.
16

100

0.2mW/cm 2

T=25C

14
0.15mW/cm2

12

Intensidad relativa (%)

Corriente de colector IC(mA)

T=25C

10
0.1mW/cm 2

8
6

0.06mW/cm2

0.02mW/cm2

2
0

4
6
8
10 12
Tension colector-emisor(VCE)

14

80
60
40
20
0
400

600
800
1000
Longitud de onda (nm )

1200

(b)

(a)

Figura 1.30: (a) Curvas de la corriente de colector frente a la tensin colector-emisor. (b) Sensibilidad
espectral del fototransistor PT430

Sensibilidad espectral Como en todo sensor fotnico un parmetro fundamental es la respuesta relativa del dispositivo a distintas longitudes de onda, en este caso podemos ver en la figura 1.30b que la
mxima sensibilidad se produce a los 860nm (esta cifra tambin las da el fabricante de forma numrica)
y el rango til se extiende desde los 700 hasta los 1100nm
Diagrama de sensibilidad angular Otro parmetro importante es la sensibilidad angular, esta caracterstica nos da informacin acerca de respuesta a frente a excitaciones dependiendo de la direccin de la
que llega la escitacin, si nos fijamos en la curva 1.31a podemos ver que la mxima respuesta se da para
iluminacin frontal y que la respuesta se reduce a la mitad para un ngulo de 12o y a tan slo un 10%
para un ngulo de 20o . Este sera un fototransistor de ngulo de aceptacin estrecho, por contraposicin
podemos encontrarlos que tengan una respuesta del 50% para un ngulo de recepcin de 60%.
Seal relativa frente a distancia Por ltimo los fabricantes suelen ofrecer para cada detector un emisor
que es el ms conveniente, de forma que para determinadas aplicaciones el uso del uno implica usar
tambin el otro, en este caso podemos ver para esta pareja de dispositivos cual sera la respuesta relativa
frente a la distancia para nuestro fototransistor para una excitacin fija del emisor. Podemos ver en la
figura 1.31b que el incremento de distancia baja mucho la respuesta y que para una distncia de 50mm
tenemos ya tan slo un 1% de la respuesta para los dos dispositivos pegados. Ms adelante cuando
estudiemos las aplicaciones veremos que esta disminucin dela seal obliga a sistemas de recepcin que
sean capaces de separar la seal de inters de seales espreas.
Otro detalle de inters en esta grfica es que no se cumple la norma de que un incremento de distancia
d debera decrementar la seal en un factor ya que la emisin no es istropa sino direccional.
Adems de las caractersticas reseadas nos encontraremos con todas las de una transistor normal.

CAPTULO 1. SENSORES
-10

Sensibilidad relativa (%)

80

+10
100

+20

-30

-40
-50
-60
-70
-80
-90

100
50

+30

20
60

+40

40

+50
+60

20

Desplazamiento angular

+70
+80
+90

Salida relativa (%)

-20

31

10
5
2
1
0.5
0.1

0.5 1
5 10
Distancia al emisor (mm)

(a)

50

(b)

Figura 1.31: Respuesta relativa del fotodetector a: (a) Irradiaciones iguales llegadas desde distintos
ngulos. (b) Distancia del fotoemisor

1.5

Comparacin entre los dispositivos sensores

Una vez desarrollados los distintos dispositivos vamos a ver las ventajas e inconvenientes de cada uno en
la tabla 1.1 para poder escoger una vez establecida la aplicacin
Fotosensor
Fotorresistencias
Fotodiodos
Clulas solares
Fototransistor
Fotodarlington

Ventajas
Gran sensibilidad radiante. Responden al espectro visible.
Respuesta rpida.Dependencia lineal con la irradiacin.Ancho margn de respuestaespectral.
No necesitan tensin de polarizacin.Se usan para la generacin de potencia.
Fotocorriente elevada.
Gran ganancia de corriente.
Tabla 1.1: Comparacin entre dispositvos sensores

1.6

Circuitos Integrados Optoelectrnicos (OPICs)

Los dispositivos que hemos visto hasta ahora son discretos, sin embargo, podemos encontrar en un
slo integrado una aplicacin, por ejemplo un fotodiodo con un amplificador compensado para obtener
directamente tensin a partir de luz o un sensor con una bscula Schimtt-Trigger que permita difernciar
entre niveles lgicos pticos, etc. Vamos a dar algunos ejemplos prcticos y a analizar sus caractersticas
fundamentales.

1.6.1

TSL260

Elevad

Captulo 2

Emisores
Consideraremos emisores optoelectrnicos todos aquellos que son capaces de convertir energa elctrica
en luz, y analizaremos tres tipos de emisores aunque nos centraremos especialmente en unos. Estudiaremos con profundidad los emisores electroluminiscentes (LEDs y lseres) y describiremos someramente
los termoluminiscentes (bombillas) y los basados en plasma (halgenos).

2.1
2.1.1

Diodos electroluminiscentes (LEDs)

Introduccin

La emisin de un fotn en un semiconductor se produce cuando un electrn se recombina con un hueco,

el fotn emitido tendr la energa resultante de la diferencia entre los niveles inicial y final del electrn
(figura 2.1b). Este proceso es el inverso que ocurre cuando se produce la absorcin de un fotn en un
fotodiodo, donde la energa de un fotn se utiliza para generar un par electrn-hueco (figura 2.1a). Para

(a)

(b)

,a

Figura 2.1: (a) Generacin de un par electrn-hueco por la absorcin de un fotn de energa superior a
(b) Emisin de un fotn por recombinacin de un par electrn-hueco de forma radiativa.
que un electrn se encuentre con un hueco deberemos tener electrones en la banda de conduccin y
huecos en la banda de valencia cuando la situacin en reposo es que los electrones estn en la banda
de valencia y los huecos en la de conduccin (mnima energa). Para tener electrones en abundancia en
la banda de conduccin deberemos tener un material n, pero en este caso la banda de valencia estar
tambin repleta de electrones y por tanto no hay huecos para recombinarse, igualmente si encontramos
un nmero apreciable de huecos en la banda de valencia es que tenemos un material p y por tanto la
banda de conduccin estar llena de huecos y tampoco habr un gran nmero de recombinaciones. Por
ello parece lgico que la forma de conseguir recombinaciones de manera fcil es inyectar electrones en
32

CAPTULO 2. EMISORES

33

un material p o huecos en un material n. La nica forma de conseguir ambas cosas es mediante una unin
pn.
En la figura 3.1.3a tenemos una unin pn en equilibrio, si la polarizamos en directa (fig.3.1.3b)
tenemos que los huecos de la zona p pueden entrar en la zona n y los electrones de la zona n entrar en
la zona p y se producen recombinaciones. No hemos descubierto nada nuevo, es el modo de operacin
normal de cualquier diodo, hemos utilizado diodos algunas veces en prcticas de laboratorio y nunca los
hemos visto lucir. Por qu? Hay mucha formas de que se produzca una recombinacin de un electrn
Zona p

Zona n

Zona p

Ec
-

Zona n
Ec
-

Efn
+

+
+

+
+

+
+

Ef
+

Efp
+

Ev

+
+

Ev
ZCE

ZCE

(a)

(b)

Figura 2.2: (a) Unin pn en equilibrio, los electrones y los huecos no pueden desplazarse ya que tienen
barrera que se lo impiden (b) Unin pn polarizada positivamente, las barreras han bajado y ahora los
electrones se mueven de n a p y los huecos de p a n cuando llegan la la zona contraria se puede producir
una recombinacin.
con un hueco y no todas las veces la energa generada con el cambio de nivel se utiliza para la emisin
de un fotn, puede perderse en calor, a las recombinaciones que produzcan un fotn las llamaremos
radiativas y a las que no pues no radiativas (ingenioso eh!). Nos encontraremos con materiales cuya
probabilidad de tener transiciones (otra forma de llamar a las recombinaciones) radiativas es mayor que
en otros. Podremos deducir que el Silicio es de los que sus transiciones son principalmente no radiativas
mientras que en otros como el GaAs (Arseniuro de Galio) sern radiativas. Esta diferencia es debida a
un factor que hasta ahora no hemos tenido en cuenta y es que la representacin que hemos hecho de las
bandas de conduccin y valencia pertenecen al espacio real, pero hay otra forma de representarlas y es
en el espacio recproco. Este no es un curso de fsica del estado slido as que no vamos a describir este
fenmeno slo diremos que a los materiales que no emiten se les llama de Gap directo y a los que no de
gap indirecto. Entre los primeros se encuentra en GaAs y entre los segundos el Si.
2.1.1.1

Eficiencia interna

Hemos conseguido separar materiales que pueden utilizarse como emisores de luz y otros que no, dentro
de los que pueden emitir nos encontramos que por desgracia no todas las recombinaciones van a ser
radiativas ya que an nos encontramos son una descripcin demasiado ideal, no vamos a profundizar
ms en los motivos para que una transicin sea o no radiativa pero si vamos a evaluar sus consecuencias
y las vamos a utilizar para el clculo de la eficiencia de un diodo emisor de luz (LED). Definiremos
eficiencia interna como:
(2.1)

V.


 X  Z 

CAPTULO 2. EMISORES

34

donde es la densidad volmica y el nmero de fotones generados en el interior del semiconductor, j

es la densidad superficial de corriente que al ser dividida por d (espesor del diodo) y por e (carga elctrica
del electrn) nos da la densidad volmica de electrones inyectados en el LED por unidad de tiempo. El
lado derecho de la frmula utiliza nmero en lugar de densidad y por tanto obtenemos una igualdad.
Tambin podemos definirla como:
(2.2)

V.

s

aqu es la densidad de recombinaciones radiativas por unidad de tiempo en el material y s

la densidad
total de recombinaciones tambin por unidad de tiempo, y ya que la densidad de recombinaciones de
cualquier tipo viene dada por

8
S

(2.3)

la densidad de portadores y S el tiempo de vida de estos portadores, y ya

s
8 el?incremento
. podemosde obtener
que

V.
8;/S

.

8;/S S
(2.4)
8;/S s 8;/S ? 8;/S . S ? S .
con lo que a partir de parmetros del semiconductor como son los tiempos de vida para recombinaciones
radiativas y no radiativas podemos obtener la eficiencia para emisin de luz
V. ? Podemos evaluarlas a partir de los datos de tiempo de
De que orden de magnitud son las
recombinacin
' U para varios semiconductores, veamos algunos ejemplos para Si, Ge y GaAs con dopados

de10  cm < a una temperatura de 300K.

.
V.
Semiconductor
S
S
[ <  c
=F <n  T  <n
Si
Ge
 [ <n  ,F <n 
c T  <
GaAs
 R[ <n 

=F <n  
siendo
que

V.
Una vez visto la relacin entre la
V. )y los tiempos de recombinacin podemos desarrollar una frmula
para la potencia interna emitida (
V.
.
(2.5)

2.1.1.2

Potencia interna

es decir, el nmero de fotones emitidos por la energa de cada fotn individual, si suponemos que el LED
emite a una nica longitud de onda (es una simplificacin) la energa de cada fotn podremos extraerla
de su frecuencia o de su longitud de onda

V . 

V.
 X   Z
V.      
^    e 

(2.6)

con lo cual tenemos que la potencia emitida internamente por el LED es directamente proporcional a la
corriente que lo atraviesa. Esta es una de las caractersticas ms importantes de un LED y nos indica
que la excitacin debe realizarse mediante corriente en lugar de mediante tensin para poder modular
correctamente la seal de salida.

CAPTULO 2. EMISORES
2.1.1.3

35

Distribucin angular y potencia externa

Preguntmonos ahora acerca de la distribucin angular de los fotones fuera del emisor. En el interior
los fotones son emitidos uniformemente en todas direcciones, como podemos ver en la figura 2.3, si
recordamos las leyes de la refraccin para un rayo de luz que pasa de un medio de mayor ndice de
refraccin a uno de menor tenemos que hay un ngulo lmite a partir del cual hay reflexin total. Esto
nos lleva a dos hechos: el primero es que la luz tendr una mayor intensidad segn el vector normal a la
superficie e ir disminuyendo para vectores con mayor ngulo, el segundo es que parte de la luz no lograr
salir del semiconductor resultando en que la potencia externa es menor que la generada internamente.
Zona n

Zona p

+ + + + +

ZCE

Figura 2.3: Emisin omnidireccional de fotones en el interior de un diodo electroluminiscente.

La distribucin angular de la luz emitida no es igual para todos los emisores, para los ms simples en
cuanto a su fabricacin esta es Lambertiana, es decir, la densidad de luz emitida en funcin del ngulo
es
, para este tipo de emisin que podemos ver en la figura 2.4a la emisin se reduce
al 50%, es decir, la apertura angular es de 120o (60o a cada lado de la normal). Hay emisores con una
apertura menor como podemos ver en la figura 2.4b. Esta apertura ser importante cuando intentemos
enfocar la luz mediante una lente ya que slo podremos aprovechar la luz hasta un ngulo determinado
y el resto se perder.
-10

-20

+10
100

-50
-60
-70
-80
-90

+30
Sensibilidad relativa (%)

-30

-40

-20

+20

60

+40

-40

40

+50

-50

+60

-60

+70

-70

+80
+90

-80
-90

Desplazamiento angular
(a)

80

+10
100

+20

-30

80

20

-10

Sensibilidad relativa (%)

X Z
Y wMF X Z

+30

60

+40

40

+50
+60

20

Desplazamiento angular

+70
+80
+90

(a)

Figura 2.4: Espectros de emisin de diferentes dispositivos (a) Lambertiano (b) Emisin direccional
Siguiendo con el tema tenemos que la potencia externa ser menor que la interna segn la siguiente

CAPTULO 2. EMISORES

36

N
}
V .  + 8 + > Vl
= 8 V H

relacin

(2.7)

donde F es la transmitividad desde el emisor hasta el medio y es una funcin de los ndices de refraccin
de ambos o tambin de la reflectividad R

N
{z
M^ 8 V `8 +
b` b ` 8 V ? 8 e

Ejemplo

(2.8)

.S
c S

Intentamos enfocar la salida de luz de un emisor LED a travs de una lente, si tenemos
, que el emisor tiene un ndice de refraccin de 3.6, que la luz
en cuenta que
es emitida de forma Lambertiana y que el ngulo slido que recoge la lente es de
.
Calcular: la eficiencia interna, la eficiencia externa y cuantos electrones inyectados en el
LED se convierten en fotones enfocados por la lente.



V.

+ +



1.
}
V HAp
 H.A v H . V 
}. . ^ .. .. +
2.
}
w ' ^ U  '' +
 b` U A< e
[ <
U b` U A< > e
>

K

M

>
>


3.
+ jq jlq jq jlq
 D H
j + q  59
' < j+ + ' q
+ X  Z

V D H
V j q  D H
 < U













 

h 9 j + + q + + > >
j q
  c

tenemos como resultado que la eficiencia final es de tan slo un 0.1%.

2.1.1.4

Ancho de banda espectral

Definiremos como ancho de banda espectral la diferencia en longitud de onda entre los dos puntos en
los que la amplitud de la seal ha caido hasta un 50%. El GaAs que tiene el pico de emisin en 870nm
tiene un ancho de banda entre 20 y 40nm, dependiendo del tipo de LED. A qu es debido este ancho de
banda? Por qu no todos los fotones son emitidos con la energa (equivale a longitud de onda) del acho
de banda prohibida del material. La respuesta podemos obtenerla si analizamos cuales son las posibles
transiciones en un semiconductor, veamos algunas de ellas, las ms interesantes para nosotros. En la
figura 2.5 podemos ver las posibles transiciones
Dentro de ellas algunas sern radiativas y otras no y adems vemos que para cada una la energa
liberada es distinta por tanto los fotones emitidos sern distintos. Como punto en que la probabilidad
de emisin es mayor tenemos la transicin banda-banda, pero tenemos longitudes de onda mayores (energas menores) como las emisiones desde o hasta los centros donores o aceptores y tambin longitudes
de onda menores como en las que intervienen los portadores calientes (sobre-excitados). Una vez ya
podemos comprender el motivo para una emisin distinta de la monocromtica surge una nueva duda.
Si generamos luz cuya energa es la del ancho de banda prohibida, Por qu esta luz no es absorbida
en el mismo semiconductor por el mismo principio por el que funciona un fotodiodo? En realidad si

CAPTULO 2. EMISORES

37
-

+
+

(a) (b) (c) (d) (e) (f)

Figura 2.5: Posibles transiciones en un semiconductor (a) electrn relajado- hueco relajado (bandabanda); (b) electrn caliente-hueco relajado; (c) electrn relajado-hueco caliente; (d) nivel donor-hueco;
(e) electrn-nivel aceptor; (f) nivel donor-nivel aceptor
que se absorbe parte de la luz, pero si nos fijamos en la figura 2.2 en la que se representa una unin pn
veremos que si el dopado es alto la parte inferior de la banda de conduccin en la zona n est poblada
de electrones y la parte superiorde la banda de valencia en la zona p est poblada de huecos con lo que
no hay posibilidad de absorcin banda a banda slo sern absorbidos aquellos fotones con energa algo
mayor que la de la banda prohibida, de esta forma una gran parte del espectro de emisin no se ver
afectado.
2.1.1.5

Longitud de onda de emisin.

Ya hemos dado un repaso algunas de las caractersticas del LED, nos quedara dentro de la distribucin
espectral el punto de mxima emisin. Por lo que conocemos del funcionamiento de los emisores electroluminiscentes el punto terico de emisin debera venir fijado por el ancho de banda prohibida, si
pudisemos modificar ste a voluntad podramos construir LEDs que emitiern en la longitud de onda
que desearamos.
En la figura 2.6 se representa el ancho de banda prohibida (o longitud de onda para esa energa) frente
al tamao de la red cristalina (separacin media entre tomos en el material, este dato lo utilizaremos
ms adelante). Podemos apreciar que se representan gran cantidad de semiconductores, entre ellos el
Si, el Ge y el GaAs a los que ya hemos aludido anteriormente, adems nos encontramos con todas las
posibles combinaciones (tabla 2.1) entre los tres elementos del grupo III (Al, Ga, In) en negrita y los
tres elementos del grupo V tambin en negrita, estas combinaciones nos dan lugar a 9 posibles comB
Al
Ga
In
Tl

C
Si
Ge
Sn
Pb

N
P
As
Sb
Bi

Tabla 2.1: Tabla peridica de los elementos incluyendo las columnas

@W' , @p+ y @ U

puestos binarios. Todos estos semiconductores pueden encontrarse en la figura y podemos ver que tienen
anchos de banda prohibida distintos, a su vez estos elementos estn unidos por lneas que representan
compuestos ternarios, ejemplo, entre el GaAs y el AlAs nos encontramos con una lnea que representa

CAPTULO 2. EMISORES

38
3.0

Ancho de banda prohibida (eV)

ZnSe
AlP

CdS
AlAs

GaP

2.0
AlSb

CdTe

GaAs
Si

InP

1.0
Ge

GaSb

InAs

InSb
HgTe

5.4

5.6

6.2
6.0
5.8
Constante de red (A)

6.4

6.6

Figura 2.6: Representacin de los semiconductores ms conocidos mostrando la energa de su banda

prohibida frente a la separacin entre tomos.

~ ' 2
2
O <  , donde x puede variar entre 0 y 1. Los caso extremos son GaAs para x=0 y
el compuesto
AlAs para x=1, en cualquier punto intermedio nos encontraremos con el compuesto ternario que tendr
un ancho de banda prohibida que podemos calcular aproximadamente como:
a K
3,a K  X ` ] Z ? a K  ]
(2.9)

2 ' como podemos observar en la

(el clculo no es tan simple para otros ternarios como el 8 
< prohibida situada entre ambos,
la' zona
2 de anchos de banda
grfica), con ello vemos que podemos recorrer
~
8 <  vemos que podemos barrer desde el AlAs hasta
si hacemos una extrapolacin para el O
el InAs una zona que va desde los 600nm hasta los "M o incluso hasta los "M si incluimos al












InSb. Como conclusin podemos extraer que se pueden fabricar emisores de luz con emisin mxima
controlable a voluntad en un amplio rango de longitudes de onda.
Ejemplo
Cul ser la longitud de onda de emisin para un LED de GaAs?
Solucin:
A partir de la grfica 2.6 trazamos una lnea horizontal y vemos donde corta en el eje y,
esa ser bien la energa de la bandaprohibida (eje izquierdo) o la longitud de onda para un
fotn con esa energa (eje derecho)
Ejemplo
De qu material tendra que ser un LED que emitiera en el amarillo (550nm)?
Solucin:

2 ~ O'
<

Trazando una lnea en la figura 2.6 vemos que nos corta en la lnea que une el AlP y el GaP,


as que el material deber ser

CAPTULO 2. EMISORES

2.1.2

39

Caractersticas tcnicas

Si olvidamos la configuracin externa y el encapsulado los detalles de funcionamiento de mayor inters

para la utilizacin de LEDs son

!
!

Potencia ptica y espectro de emisin

Comportamiento en rgimen no contnuo

Caracterstica tensin-corriente.

Influencia con la temperatura

2.1.2.1

Potencia ptica y espectro de emisin

Para los LEDs que emiten en en el visible, el color percibido por el ojo humano depende del espectro
de emisin aunque no tiene porque haber una dependencia directa, de hecho nos encontramos con dos
parmetros:

 C , que es la que corresponde a la intensidad mxima de emisin

! Longitud de onda dominante  > , que est relacionada conC el color captado por el ojo humano,C
como dijimos previamente no tiene porque coincidr con  . As que dos emisores con distinta 
!

Longitud de onda de pico

pueden tener aparentemente el mismo color.

En la figura 2.7a podemos ver el espectro de emisin de cinco LEDs distintos, de menor a mayor
longitud de onda tenemos un LED azul (poner ref), verde (HLMP3950), amarillo (HLMP3850), rojo
(HLMP3750) e infrarrojo (GL480)
Amarillo
Verde

Rojo

Infrarrojo

T=25C

80
60
40
20
0

100

Corriente directa (mA)

Intensidad relativa (%)

100

Azul

400
600
800
1000
Longitud de onda (nm )
(a)

T=25C

80
60

Amarillo

40

Infrarrojo

Rojo

Verde

20

Azul

0
0

1
2
3
Tension directa (V)

(b)

Figura 2.7: Caractersticas de cinco LEDs (a) Espectro de emisin (b) Curvas I-V

CAPTULO 2. EMISORES
2.1.2.2

40

Caracterstica tensin-corriente

Est caracterstica tiene la misma forma que cualquier diodo, ya sea un diodo rectificador, un fotodiodo, un LED o incluso un lser, podemos verla en la figura 1.16, las diferencias entre los distintos
componentes estarn en la pendiente de la curva en directa (que tiene que ver con la resistencia serie
del dispositivo), la tensin de ruptura en inversa y la tensin umbral para la que la conduccin se hace
importante.
Si analizamos slo los LEDs nos encontramos que la principal diferencia entre ellos es la tensin
umbral, esto es debido a que como vimos en el apartado 2.1.1.5 la longiutd de onda de emisin depende
directamente de la anchura de la zanda prohibida del dispositivo y esta va a ser tambin la que nos fije
cuanta tensin de directa hay que poner para que las bandas de conduccin de la zona p y n se acerquen lo
suficiente para que empiece la conduccin. De esto podremos deducir que cuanto mayor sea la longitud
de onda de emisin mayor ser la tensin umbral. En la figura 2.7b tenemos las curvas I-V de los mismo
cinco LEDs de los que se represento su espectro de emisin, podemos apreciar que la tensin umbral
crece cuando la longitud de onda decrece, es decir, cuando crece la energa de los fotones emitidos
(mayor ancho de banda prohibido).
La curva tensin- corriente habr que tenerla muy en cuenta cuando diseemos un circuito ya que
estamos acostumbrados a decir que en un diodo en directa caen 0.7V y vemos que esto no es cierto para
los LED ya que no son de Si, al contrario que la mayoria de los diodos rectificadores.
2.1.2.3

Mxima potencia disipable

Como en cualquier dispositivo hay una mxima potencia que se puede disipar en su interior, en el caso
de los LEDs se especifica una mxima corriente para evitar que la temperatura interna supere un cierto
valor. En el caso de los LEDs el funcionamiento puede ser pulsado, por contraposicin a funcionamiento
en contnua y esa mxima corriente puede aumentar respecto a la que el fabricante nos da dependiendo
tanto de la fraccin temporal en la que el LED est emitiendo como del periodo absoluto de esta emisin,
en la figura se aprecia esta caracterstica, vemos que para una determinada anchura de pulso la corriente

Relacion entre corriente de pico

y correinte media maxima

6
5
4

10KHz
300 Hz
30 KHz
1 KHz
100 KHz
3 KHz
100 Hz

1
100

101
102
103
Duracion del pulso en s

104

Figura 2.8: Mxima corriente de pico en funcin de la duracin del pulso y de la frecuencia.
mxima disminuye cuando aumenta la frecuencia ya que el periodo til llega a un valor crtico.

CAPTULO 2. EMISORES
2.1.2.4

41

Emisin en funcin de la excitacin

En la explicacin terica del funcionamiento del LED dedujimos que la intensidad luminosa emitida era
proporcional a la corriente directa, sin embargo esto deja de ser cierto cuando trabajando en rgimen de
pulsos sobrepasamos la corriente media recomendada, ambos detalles pueden apreciarse en la figura 2.9.
1.5
1.4

2.5

1.3

2.0

Eficiencia relativa

Intensidad luminoso relativa

3.0

1.5
1.0

1.2
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6

0.5

0.5
0

5
15
25
10
20
Corriente continua media (mA)

0.4
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Corriente de pico (mA)

30

(a)

(b)

Figura 2.9: (a) Luminosidad relativa a la corriente media (b) Eficiencia relativa a la corriente de pico

2.1.3

Cmo se usa un LED?

En esta seccin describiremos unos pocos circuitos para LEDs, lo primero que habremos de tener en
cuenta es la limitacin de corriente para no daar el LED y su curva tensin -corriente que nos informa
de la tensin que caer en bornas del dispositivo par la corriente deseada.
Para limitar la corriente que pasar por un LED de forma rpida y sin fijarnos en la curva I-V el
mejor sistema con emisin contnua ser el que se ve en la figura 2.10a para determinar el valor de la
resistencia aplicaremos la frmula siguiente

) )
z(
V . ` > >


) >

(2.10)

recordemos que
no es 0.7V como en los diodos rectificadores ino que depende de la longitud de
onda de emisin y que por tanto deberemos mirar las hojas de caractersticas, de todas formas muchas
veces tan slo deseamos saber si un LED funciona o no, para ello unos valores siempre vlidos seran:
=6V y =220.

) V.

z(

Excitacin de un LED en circuitos lgicos Veamos un par de ejemplos para integrados TTL y CMOS.
El primer circuito (figura 2.10b) exige que el integrado sea capaz de drenar la corriente que necesita el
LED y esto slo es posible a nivel bajo que es donde la corriente en un integrado es alta, sin embargo
tanto para salidas CMOS como en las TTL a nivel alto la corriente no es lo suficientemente alta como
para excitar un LED y hay que recurrir a amplificacin, un circuito ejemplo es el de la figura 2.10c,

CAPTULO 2. EMISORES

42

Vin

Vin

Rs

Rc

Rs

Iled
Vled

Vin

IN
Enable

Rb

IN
Enable

(a)

(b)

(c)

Figura 2.10: Circuitos para excitar un LED con limitacin de corriente mxima.

) ) >

z7

fija junto con

y
la corriente, mientras que
donde la resistencia
por si cometemos un error en el diseo del resto del circuito.

z g limita la corriente mxiam

Control de corriente en LEDs En los circuitos anteriores no hemos controlado la corriente en el LED
tan slo la hemos limitado, si deseamos que la corriente que atraviese el LED sea proporcional a la
tensin con la que deseamos excitarlo podemos llevarlo a cabo con cualquiera de los circuitos de la
figura 2.11 en ambos casos la corriente que excita el LED es

R1
Vin

Rin

Iled

Iled

Vin

Rin

R2

(a)

Rin

(b)

Figura 2.11: Circuitos de control lineal de la corriente de excitacin a partir de tensin.

)
,>
z VV. .


) V.

(2.11)

en el primer circuito es muy simple gracias al cortocircuito virtual, pero tiene un problema y es que si
es negativa obligaremos a pasar corriente en inversa por el LED lo que no es aconsejable. En el
segundo caso la situacin parece un poco ms compleja pero es fcil de analizar, si el diodo rectificador
est polarizado en directa la tensin en el emisor del transistor ser

)
) V . ? ) > )
(2.12)
`
y como las tensiones del diodo y de la unin base-emisor ser prcticamente iguales tenemos que
) ) V.
(2.13)


CAPTULO 2. EMISORES

43

zV.

y por tanto ya tenemos la ecuacin ??, la ventaja de este circuito respecto al anterior es que no podemos
hacer pasar corriente en inversa a travs del LED y que
nos sirve como resitencia limitadora ya que
para una corriente demasiado alta el transitor se saturar y por tanto la corriente por el LED no podr
elevarse.

2.2

Fundamentos del lser

2.2.1

Introduccin

En los fotones emitidos en un LED no hay ninguna relacin entre ellos, cada uno se emite sin correlacin
alguna con los parmetros de los otros, cada uno tiene su energa su direccin y sentido y su fase independientemente de los parmetros de los dems fotones, sin embargo en un lser vamos a tener emisin
coherente y en sta cuando un totn se emite tiene una correlacin muy fuerte con los dems en todos los
parmetros que se acaban de citar. A qu es debido esto? Se debe a lo que se llama emisin estimulada.
2.2.1.1

Diferencia entre la emisin estimulada y espontnea

El descubrimiento de la emisin estimulada es otro de los hallazgos que le debemos a Albert Einstein, l
describi una nueva posibilidad a la interaccin entre un fotn y un par electrn-hueco (figura 2.12) que
se aade a las dos ya descritas (fig 2.1) con anterioridad. Esta nueva interaccin consiste en que un fotn
-

Figura 2.12: Emisin estimulada de un fotn

estimula a un electrn situado en la banda de conduccin para que se recombine con un hueco emitiendo
un fotn con la misma energa, direccin, sentido y fase que el fotn que le estimulo. Ahora tenemos
que en cualquier emisin en un semiconductor tendremos emisin espontnea y estimulada Cal predomina? Evidentemente la espontnea, porque sino no tendramos que molestarnos en fabricar lseres,
ya estaran hechos. Ya que la respuesta es que predomina la emisin espontnea un dato interesante sera
ver que relacin hay entre el nmero de los fotones emitidos de cada tipo. Tambin debemos a Eistein
la frmula para obtener esta relacin, si denominamos
al nmero de fotones generados por emisin
espontnea y
al de generados estimuladamente tenemos que:

S C

C   ] _@ ^ ` d 

Ejemplo

C
c T+  < U 
7F
^` d

`

7 e

F < U 
=i F <n

(2.14)

Calcular la relacinentre
y
para fotones con una longitud de onda de 900nm en un
emisor a una temperatura de 300K.

PC 





como podemos comprobar no es muy probable la emisin estimulada

"$#&%
!

+
<

CAPTULO 2. EMISORES
2.2.1.2

44

Ecuacin de equilibrio en un emisor ptico

En un emisor vamos a tener los tres procesos de interaccin entre fotones y pares electrn-hueco de los
que ya hemos hablado, es decir, absorcin, emisin espontnea y estimulada de forma que en regimen
permanente tengamos el mismo nmero de absorciones que de emisiones y el nmero de portadores
')( *
')+-,
')+/.
quede constante
'0(1*325
(Fotones
47698
absorbidos)=
' +-, 2<4767=>@? +A, (Fotones
' +/. 2<47espontneos)+
67=
47698
(Fotones estimulados)
";:
";:
donde
,4 67=
y
siendo
la densidad de electrones existentes
:
en la banda de valencia,
en la banda de conduccin y la densidad de fotones, en estas condiciones
nunca se podr conseguir radiacin estmulada ya que los fotones se pierden por absorcin en lugar de
utilizarse para generar otros fotones de forma estimulada.
P RIMERA CONDICIN para conseguir emisin lser, salirnos del equilibrio ya que tenemos que
eliminar la absorcin de los fotones y para ello tendremos que disminuirla cantidad de electrones que
hay en la banda de valencia (parece simple, tan slo hay que tener un semiconductor p) y a la vez
incrementar el nmero de fotones estimulados y para ello hay que incrementar el nmero de electrones
en la banda de conduccin. Parece que las dos condiciones que sera fcil conseguirlas por separado va a
ser complicado ponerlas juntas, pero vamos a intentarlo. Volvamos a nuestra querida unin p-n, cuando
est en directa tenemos que la zona de carga de espacio disminuye ya que la barrera de potencial entre
las dos zonas disminuye, esto permite que las zonas p y n se acerquen. Si incrementamos el dopado de
las dos zonas de forma que el nivel de Fermi de la zona n est por encima de la banda de conduccin y el
de la zona p por debajo de la banda de valencia tambin y debido al incremento de carga voy a disminuir
la zona de carga de espacio de forma que va a haber una zona que cuando yo ponga el diodo en directa
en que la banda de conduccin est repleta de electrones y la de valencia de huecos. Esto es lo que se
llama inversin de poblacin y con ello conseguimos nuestro primer objetivo.
Pero an no hemos conseguido nuestro objetivo final porque aunque hemos eliminado la absorcin
seguimos teniendo emisin espontnea y hemos visto que es mucho ms probable que la estimulada.
S EGUNDA CONDICIN, hemos de conseguir que haya una amplificacin interna selectiva en el lser
de forma que slo aquellos fotones que nos interesen se autoestimulen y los que no que desaparezcan,
bueno el concepto no parece muy claro pero vamos a intentar aclararlo. Imaginemos una cavidad ptica
terminada en dos espejos paralelos entre si de modo que los fotones sean reflejados y vuelvan hacia
atrs, pero no todos, slo aquellos que vayan perpendiculares al espejo por que los que no se saldrn
de la cavidad cuando reboten, slo quedarn dentro los perpendiculares. Pensemos ahora en que los
fotones son ondas (realmente lo son) y que por tanto en el interior de la cavidad habr interferencias, tan
slo aquellas ondas que generen una interferencia construtiva permanecern en la cavidad, las que no se
autodestruirn. Qu fotones tendrn interferencia constructiva? Aquellos que en todos sus trayectos de
ida y vuelta al pasar por el mismo sitio en el mismo sentido tengan la misma fase, esto implica que un
nmero entero de longitudes de onda del fotn tienen que caber en un camino completo. Si analizamos
BDC
la cavidad de la figura tenemos que:
4
!FEHG

(2.15)

donde q es un nmero entero, n es el ndice de refraccin del medio y L es la longitud de la cavidad.

La frmula obtenida nos servira para ms cosas en un futuro pero de momento podemos extraer
como consecuencia que no todas las longitudes de onda van a tener una interferencia constructiva, slo
las que cumplan con la ecuacin planteada van a poder automantenerse en el interior de la cavidad
resonante. Supongamos ahora que se cumplen nuestras dos condiciones anteriores, es decir, la inversin
de poblacin y la existencia de una cavidad ptica.

CAPTULO 2. EMISORES

45

Qu ocurre en el interior del lser? Por un lado tenemos un incremento en el nmero de fotones
debido a la emisin estimulada de aquellos fotones que permanezcan en el interior de la cavidad (interferencia constructiva).
Cmo variar el nmero de fotones en el interior de la cavidad tras un desplazamiento completo
por ella?
I

Aparece el concepto de ganancia g como el inverso de la distancia que tendr que recorrer un
nmero dado de fotones para que su nmero se multiplique por el nmero e, es decir, cuando
recorramos una distancia 2L el nmero de fotones se habr incrementado por exp(2Lg).

Tambin tenemos el concepto de perdida J de fotones debido a absorcin (aunque tenemos inversin de poblacin el nmero de fotones en la banda de conduccin no es cero), tras el recorrido de
una distancia 2L el nmero de fotones se habr decrementado por exp(2LJ ).
Por ltimo tenemos que cada vez que el haz de fotones incide sobre uno de los espejos no todos se
reflejan, tambin alguno sale al exterior, esto decrementa el nmero de fotones que pueden participar en generacin de nuevos fotones estimulados. Definiremos como KL y KNM a las reflectividades
de cada uno de los espejos.
')P$>'0QR

Ahora ya podemos responder a la pregunta anterior sobre la variacin del nmero de fotones
en la cavidad, este responder a la siguiente frmula:
')P

'SQ
O

!<TUWV

EHGYX

R
TUV

OZ

EHG

K L K M

(2.16)

donde la primera exponencial responde a las ganancias, la segunda a las prdidas y el producto de las
reflectividades es la cantidad de luz quenos queda tras incidir sobre los dos espejos consecutivamente.
En esta relacin vemos que como mnimo tiene que ser 1 para que se automantenga la emisin siendo
la luz transmitida la que seremos capaces de detectar. Ya vamos acabando con todo lo necesario para
comprender la emisin lser ahora nos queda entender como evoluciona el proceso desde que el lser
est apagado hasta que le suministramos potencia. Para ello debemos plantear las ecuaciones dinmicas
tanto para la densidad de portadores como para la de fotones, ests se plantean a continuacin:
4

[]\

[ :
[]\
!

" [`Z

"

?a+-,

Zcb

"

4
"N:edgf ?a+A,
Z

"N:

:
? a
, h

(2.17)
(2.18)

en la primera ecuacin tenemos que la densidad de portadores aumenta con la corriente (son cargas
que estn entrando en el sistema) y que se decrementa por la emisin espontnea de fotones (dada por
la densidad de portadores y el tiempo de vida para una recombinacin espontnea) y por la emisin
estimulada de fotones, esta ltima es proporcional al producto de las densidades de fotones y electrones
(un fotn slo podr estimular a un electrn si este existe). Como podremos apreciar en esta frmula
hemos despreciado las transiciones no radiativas, pero no va a influir en el resultado del proceso. En la
segunda ecuacin vemos la evolucin de la densidad de fotones, en ella slo hemos incluido aquellos
fotones interesantes para la emisin lser, es decir, los emitidos de forma estimulada. La densidad de
fotones se incrementar por emisin estimulada, es la misma magnitud que en el caso de los electrones,

CAPTULO 2. EMISORES

46

tambin participar una pequea parte de las emisiones espontneas que casualmente emitan fotones
f
idnticos a los que necesitamos, es un nmero tan pequeo que podremos despreciar esta contribucin,
por ltimo habr un decaimiento del nmero de fotones relacionado con la densidad de fotones y con su
vida media.
Cuando el sistema est estable tanto la densidad portadores como de fotones ser fija y por tanto las
derivadas sern nulas, sin embargo cuando el sistema se inicie el nmero de fotones tendr que empezar
a crecer hasta alcanzar un regimen estable, por tanto veamos primero cual ser la condicin para que la
emisin lser se inicie
[ :
:
#
4
4on
%ji
"
"@:
? ,ahlm
? ,ah
[$\lk
(2.19)
b
Z
b

4 . h un determinado valor umbral que viene fijado en la

la densidad de portadores tendr que ser mayor que
ecuacin anterior, a este valor lo denominaremos
.
4
4 . h dinmica para los electrones a cero cuando
Si ahora llegamos a la estabilidad e igualamos la ecuacin
:
%
se est iniciando la emisin lser y por tanto4 k
y k
tenemos4 que:
. h
%
k
_
^

" [

? +-,
Z

"

Zcb

"@:
m

. h

? +A,
k

" [

(2.20)

a la corriente que obtenemos la llamaremos

y ahora si resolvemos la ecuacin en rgimen estacionari
cuando ya tenemos emisin lser
podemos
concluir
que
^
4
%
k
_
^

" [
Z

?a+A,

"

Zpb

"@:

:
m

k
b

"

. h R

" _

O
^

. h R

krq
Z
^

(2.21)

Z
^

la densidad de fotones ser cero hasta que se alcance una densidad de corriente umbral (o una corriente
si tenemos en cuenta el rea del dispositivo) y que a partir de ah ya tendremos incremento de emisin
directamente proporcional al incremento de corriente.
Visin de conjunto Ahora podemos ver el funcionamiento del sistema. Inicialmente no hay excitacin
4 . h
(corriente) en el lser y por tanto no hay luz, se inyecta una corriente
menor que la umbral y no obte:
%
nemos luz coherente, en este momento no hemos llegado a la
y k
, la ganancia de la cavidad no
4 . h
es lo suficientemente grande como para que haya amplificacin ptica,
ahora incrementamos la corriente
:
>'SQ0
n
de forma que sobrepasamos el umbral,')P$por
tanto
sobrepasamos
y se incrementa lo cual implica
#
')P$>'SQ
que la ganancia se ha incrementado y
hasta que alcanzamos el regimen permanente y tanto
:
#
k
n como permanecen constantes, ahora
. Como las perdidas y la reflectividad en la cavidad permanecen aproximadamente constantes durante el proceso podremos definir una ganancia umbral
R
R
segn la siguiente relacin
"
"
"
"
#
(2.22)
O
OsZ
J
KLsKtM k
TUV

G . h

TUV
d

KLsKtMy

(2.23)

EHGcu vxw
una vez definida la ganacia umbral toda la disquisicin
anterior podra realizarse en funcin de la
variacin de este parmetro. De hecho y para lseres con alto grado de confinamiento (entraremos ms
tarde con este tema) se cumple que
. h
. h
kz{
(2.24)
X

y por tanto

. h
k

z}|

EHGcu v

#
KLsKtM y~

con lo que a partir de datos del lser se puede obtener su densidad de corriente umbral.

(2.25)

CAPTULO 2. EMISORES

2.2.2

47

Caractersticas tcnicas

Cuando compramos un lser este viene junto a un fotodiodo en la misma carcas, siendo este ltimo para
poder medir la potencia ptica emitida por el lser. La configuracin tpica con la que nos encontramos
podemos verla en la figura 2.13, en el apartado 2.2.3 veremos como se usa el lser aprovechando la
existencia del fotodiodo.
1

Laser

1.- Catodo
del diodo laser
Fotodiodo

2.- Anodo
del diodo laser

Catodo
del fotodiodo

3.- Anodo
del fotodiodo

Figura 2.13: Configuracin tpica de un lser comercial

Las caractersticas con las que nos encontraremos en una hoja de caractersticas son las siguientes:
Corriente umbral Esta caracterstica como ya hemos visto es fundamental, nos indica a partir de que
corriente el diodo lser va a cambiar de emisin espontnea a estimulada y por tanto cuando va a ser
til. Esta corriente umbral est lejos de ser una constante, de hecho tiene una variacin acusada con
la temperatura de la unin. Tpicamente en las hojas de caractersticas (figura 2.14a) tendremos una
representacin de la potencia ptica emitida en funcin de la corriente, lo que nos permite extraer esta
corriente umbral, a su vez esta evolucin se presenta para varias temperaturas para darnos una idea de
los mrgenes en . que
se mueve este parmetro. De la misma forma en la figura 2.14b podemos ver la
h
evolucin de la  en funcin de la temperatura directamente.
4.0

10

3.0

8
50C
6
25C
4
2
0

20

40

60

Corriente directa (mA)

(a)

80

100

Corriente umbral (mA)

Potencia optica de salida (mW)

0C

2.0

1.0
0.7
0.4

0.2
-20

0
20
40
Temperatura de la carcasa (C)

60

(b)

Figura 2.14: (a) Potencia ptica en funcin de la corriente de excitacin (b) Caracterstica tensin corriente

Caracterstica tensin-corriente Como estamos hablando de un diodo la curva I-V ser la tpica de
tal dispositivo, con una tensin umbral que depender como ya sabemos del ancho de banda prohibida

CAPTULO 2. EMISORES

48

(mayor para menor longitud de onda), debido a las grandes variaciones de comportamiento que tiene este
dispositivo con la temperatura esta curva nos vendr para varios valores de temperatura (figura 2.15b)
80

680

50C

Po =10mW
Longitud de onda (nm)

Corriente directa (mA)

25C
60
0C

40

20

675

670

665

660
-10

10

20

30

40

Tension directa (V)

Temperatura de la carcasa (C)

(a)

(b)

50

Figura 2.15: Variacin de las caractersticas del lser con la temperatura de la carcasa (a) Corriente
umbral (b) Longitud de onda central de emisin

Longitud de onda de emisin La longitud de onda en un lser es su principal sea de identidad pero
tampoco es una constante, esta varia con muchos parmetros pero principalmente con la emperatura
(figura 2.15b) y con la potencia ptica de emisin (figura 2.16a). Esta ltima como ya veremos es
proporcional a la corriente de excitacin.

Corriente en el fotodiodo

2.0

Intensidad relativa

10mW

5mW

1.6

TC=25C
VPD =5V

1.2
0.8
0.4

1mW
665

670
Longitud de onda (nm)
(a)

675

4
6
8
10
Potencia Optica (mW)

12

(b)

Figura 2.16: (a) Variacin de la longitud de onda con la potencia ptica de salida (b) Corriente en el
fotodiodo de referencia en funcin de la potencia ptica de salida

CAPTULO 2. EMISORES

49

Control de la potencia ptica de salida Como la potencia ptica de salida no depende linealmente de
la corriente de excitacin como vimos en la figura 2.14a, principalmente debido a la variacin de la corriente umbral tenemos que buscar un mtodo fiable para medir esta potencia ptica, para ellos tenemos el
fotodiodo de referencia, adems como ya vimos los fotodiodos polarizados de modo fotoconductivo (sin
variacin de la tensin entre sus bornas) tienen una corriente de salida que es directamente proporcional
a la potencia ptica que les llega. En la figura 2.16b podemos ver la respuesta lineal del fotodiodo de
referencia a la potencia ptica del lser, esto nos permitir saber en cada momento que valor tiene esta
ltima sin interrumpir el haz.

2.2.3

Cmo se usa un lser?

Los lseres comerciales como vimos en la figura 2.13 vienen con un fotodiodo de referencia, el lser
emite luz por sus dos extremos, uno de ellos est enfocado sobre el fotodiodo para poder medir su
potencia ptica mientras que el otro emite la luz aprovechable. Debido a que la potencia ptica tiene una
variacin tan grande con la corriente dependiendo de cual sea la corriente umbral no es posible fijar la
potencia ptica en un circuito sin realimentacin.
2.2.3.1

Ejemplo 1

Para empezar analicemos el circuito de la figura 2.17, y la grfica que aparece a su derecha, en ella est
Vcc
RL

T2

Vcc- VBE
RF
IDL
Laser
IFD

RF

T3

T1

IFD
FD

RE
IDL

Vcc- VBE
R E+RL

Vcc- VBE
RE

Figura 2.17: Circuito realimentado para control de la potencia ptica de un lser

representada la corriente del fotodiodo en funcin de la corriente del lser. En la figura 2.16b vimos
que la corriente en el fotodiodo de referencia era directamente proporcional a la potencia ptica, por
tanto el eje de abcisas con el adecuado escalado podra representar la potencia de salida del lser (figura
2.14a), ya tenemos una relacin entre &7 y & , que viene dada por las caractersticas del dispositivo.
El circuito fuerza otra relacin entre ambas magnitudes que viene dada por la ecuacin siguiente

==

&7p3

d

aj3

(2.26)

donde hemos supuesto que la corriente de base del transistor es despreciable frente a la corriente del
fotodiodo y a la de excitacin del lser, vemos que tenemos dos puntos en la grfica que vienen dados
por
a
&7

k
k

%
m

&7- aW

a k
- aW

(2.27)

CAPTULO 2. EMISORES

50

y que unidos vienen a ser algo as como una recta de carga. Los puntos de corte entre las dos relaciones,
la del lser con el fotodiodo por sus caractersticas internas y las que vienen dadas por el circuito sern
los puntos en que se anclar el sistema. La funcin de la resistencia es limitar la corriente mxima
que puede pasar por el lser sin daarlo, por ello la mxima corriente viene dada por
=/=

(
k

a

6 Z
d

(2.28)

y como tal est representada en la figura 2.17.

Cmo calculamos los valores de las resistencias? Vamos a hallarlos a partir de las hojas de caractersticas cuyas grficas estn representadas en el apartado anterior. Partiremos del punto de trabajo que
deseemos, por ejemplo, la temperatura ambiente es de 25o C y queremos una potencia ptica de salida de
7mW, adems vamos a utilizar una tensin de alimentacin de 15V. A partir de la figura 2.16b tenemos
#l
que la corriente del fotodiodo de referencia debe ser de
y la corriente de excitacin (figura 2.14a)
%Hl
, si sustituimos ambos valores en la ecuacin2.26 tenemos que
de r
#a
k

#l"

d%d

#

%Hl"

donde los valores de las resistencias vienen dados en q . Podemos apreciar que tenemos un grado de
libertad, aunque no total ya que tenemos una limitacin
I

deber permitir que la corriente a necesaria no sature el transistor para las temperaturas

posibles, supongamos
que la mxima sea 50o C, esto implica una a de 75 mA y como la es
6

ha de ser mayor de 0.2V para no saturar nos encontramos con que

de unos 2.3V y

==

6 + ( .

a

(
6

 5k

Podemos ver que la solucin que hemos elegido no es perfecta ya que slo funciona bien para la temperatura deseada, en cuanto esta cambia la potencia ptica ya es distinta
6 a la deseada ya que la pendiente de

la recta de carga no es cero, esto nos indica que cuanto menor sea
conseguiremos un mejor control de
6
%
k
la potencia ptica de salida. Pero en el caso ptimo que es
tenemos que ya no tenemos control
sobre a ya que ahora dependemos de la z del transistor, lo ideal es quedarnos en un punto intermedio
y entonces deberemos aadir una resistencia limitadora de valor
(
6

6
Zo

el nico problema que quedara por resolver es el de las variaciones bruscas del sistema, por ejemplo los
problemas relacionado con el arranque del sistema, esto se resolveran aadiendo una red RC en la base
del transistor, en paralelo con el fotodiodo de referencia que limitara la frecuencia mxima del sistema.
2.2.3.2

Ejemplo 2

Hemos visto en el circuito anterior que la limitacin fundamental era que no podamos fijar la potencia
ptica ya que la recta de carga no era de resistencia cero, podramos buscar algn sistema que resolviera
esto?. Veamos el circuito de la figura 2.18 Analicemos su funcionamiento partiendo de que el fun
cionamiento est en rgimen permanente, por tanto la tensin
ha de ser un valor prefijado y estable e

CAPTULO 2. EMISORES

51

FD

Laser
IC

IFD
IR

Cf

IDL

RL

P
RF

V+

VB

RE

Figura 2.18: Circuito realimentado para control de potencia ptica de un lser

P

igualmente b est cargado y la corriente que lo atraviesa es cero, lo que implica que &7 k   . Ahora
>
supongamos que la temperatura vara incrementndose de forma que la corriente umbral se incrementa
y

P )
la potencia ptica disminuye, entonces &7 tambin disminuye pero como   es un valor fijo (
i
  y por tanto empieza a circular corriente por b
debido al cortocircuito virtual tenemos que &7

k
con un valor 

Zp 7 , como el condensador est puesto en forma de integrador la tensin
se incrementa, incrementando a que a su vez hace incrementarse a &7 hasta que alcance el valor de
  que estabiliza el sistema.

 7o

(2.29)

Queocurrir si la potencia del lser es superior

a la deseada? Veamosl el la siguiente ecuacin

a

&7

a

Cual ser el valor de &7 deseado? El que se extrae de la grfica 2.16b para la potencia de salida del
lser que necesitemos.
==

Calculemos los valores de los componentes para el caso del ejemplo 1. (Fijemos
a 5V)
Necesitabamos una potencia ptica que generara un fotocorriente de 1mA, para ello fijaremos me
diante el potencimetro P la tensin a 1V (por ejemplo) est implica que

#
k

#l

respecto a la resistencia
deber permitir que circule una corriente de al menos 75mA sin saturar el
transistor, Como el operacional puede dar una tensin de6 salida de al menos 4V este no ser un lmite.

La tensin en directa del lser ser de 2.3V y por tanto

deber ser de a lo sumo
6g

y por tanto

6g

==

jZ
(

a]

(

6 + ( .

k
$

HE @l

$
E


(

(
6

5k

(limitadora

si ponemos este valor de resistencia no ser necesario poner una resistencia

6
6
en el colector
del transistor, si ponemos una valor menor deberemos poner una k
. Por ltimo nos
Z
queda definir el valor del condensador, este depender de la mxima frecuencia que permitamos para la
variacin de la corriente de excitacin del lser

CAPTULO 2. EMISORES
2.2.3.3

52

Ejemplo 3

En los dos ejemplos anteriores hemos generado circuitos para el mantenimiento de una potencia ptica
fija en un lser, esto no nos permite enviar informacin de forma ptica, ya que para ello necesitamos
variar la cantidad de potencia emitida. En este ejemplo veremos como fijar la corriente para enviar
informacin digital mediante un lser suponiendo que slo se modifica la corriente umbral y nunca la
pendiente que relaciona la potencia ptica con la corriente de excitacin tras la corriente umbral. Veamos
el circuito de la figura 2.19, ste nos permite excitar un diodo lser para emisin de informacin digital
C1
R15
R16
R

FD

A1

+
-5V

"1"=-0.8V

R14

Laser

R10

5V

Ipol

Imod

V
Q1

"0"=-1.8V

Q2

A3

Q5

R1

Q4
Q

D1

-2.5V

D2

R4
-5V

R5

R11
R11

Vref (Ipol )
P1

-1.2V

R6

R11

R10

-5V

R2

C2

-5V

R7

Vref

R12

R13

A2

+
Q

R8
-5V

Figura 2.19: Circuito para control de corriente de excitacin y de referencia de entrada para transmisin
de datos digitales
controlando por un lado la corriente umbral o de polarizacin y por otro la de modulacin. Vamos a
analizar el circuito paso a paso:
I

El circuito est basado en tecnologa ECL (emiter coupled logic) que es muy rpida y se basa en
que los transistores que excitan al lser no estn completamente en corte ni en saturacin, por ello
el lser est montado en la rama de un par diferencial. En tecnologa ECL el cero lgico es una
tensin de -1,8V y el uno -0.8V.
Los transistores

eL

forman el par diferencial, para que durante el cero lgico no se emita y

CAPTULO 2. EMISORES

53

s durante el uno lgico la base del transistor M ha de estar polarizada a -1.2V.

El transistor junto con  forman la fuente de corriente de modulacin, la tensin en la base

es fija porque se supone (es un aproximacin) que el incremento de corriente a partir de la umbral
para conseguir una potencia ptica determinada es tambin fija.

El transistor junto con L , M , , L y M forman una fuente de tensin de 1.2V para la base
de M . No se usa un simple divisor de tensin para evitar problemas trmicos y de carga debido a
variaciones de corriente de base.

El transistor junto a es la fuente de corriente de polarizacin del lser. Esta corriente situa
una corriente fija en el lser de forma que cualquier incremento lo haga emitir. Esta corriente
umbral es necesaria porque acelera mucho la velocidad del sistema.
El par diferencial formado por y
para el control de potencia del lser.

nos sirve paraextraer una tensin de referencia necesaria

El amlificador L est montado para amplificar la tensin generada por la corriente del fotodiodo
de referencia de forma que en condiciones normales haya a su salida 1V, la realimentacin RC
sobre el amplificador sirve de filtro paso bajo para extraer un valor de tensin contnua, relacionado
con el valor medio de emisin de potencia del lser.

El amplificador M hace una labor similar, al L de forma que amplifica de igual forma la seal
que genera el par diferencial de referencia, de forma que tambin en condiciones normales haya

1V de contnua a la salida de M .
El amplificador

hace la funciones de sumador-restador. La tensin a su salida es


k

L/
LsL

D
Z

En condiciones normales la tensin de salida la tensin de salida de L y M se anulan y slo es

la que fija la corriente umbral. Si la temperatura sube la potencia de salida del lser disminuye, por

tanto la corriente del fotodiodo de referencia baja y lo mismo ocurre con la salida
de L y por tanto
,

sube incrementando
la tensin que hay en la base de se hace menos negativa y la corriente 
la potencia ptica.

Captulo 3

Pantallas electrnicas
Las pantallas electrnicas son los que sirven como interfaz entre el hombre y la mquina de forma que
convierten seales electrnicas en seales pticas que son reconocibles visualmente por un ser humano.
Qu tipos de sistemas de pantallas electrnicas nos podemos encontrar? Aunque hay muchos tipos
en investigacin y otros que no han pasado de ella no vamos a nombrar todos los tipos sino tan slo
aquellos de uso comn con los que estamos o debemos estar familiarizados, como por ejemplo:
I

Tubos de rayos catdicos (CRT)

I

Pantallas de plasma (PDP)

I

Pantallas de LEDs (LED)

I

Pantallas de cristal lquido (LCD)

hay ms tipos posibles de sistemas pero los arriba enumerados son los ms habituales, entre ellos hay
una divisin que es que los cuatro primeros estn formadas por dispositivos activos y la ltima por
dispositivos pasivos, es decir, los primeros son capaces de emitir luz mientras que el ltimo slo la
permite o no pasar.

3.1

Principios de funcionamiento

Veamos someramente cual es el principio de funcionamiento de cada uno de ellos.

3.1.1

Tubo de rayos catdicos

Es el ms conocido y el nico de los nombrados que no vamos a analizar, ya que est fuera de los
objetivos del curso, aunque es muy familiar y por ello le dedicamos unas pocas lneas. Su funcionamiento
se basa en un barrido electrnico sobre una superficie fosforescente. En el extremo ms alejado de la
pantalla hay un filamento que por efecto termoinico libera electrones que son focalizados en un haz y
con l se barre la pantalla mediante lnes, durante el barrido se interrumpe o no el haz, cuando el haz
incide en una zona esa zona emite luz y si no no lo emite.

54

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

3.1.2

55

Pantallas de plasma

Su funcionamiento es similar al de los fluorescentes, es decir, un pixel es una zona cerrada en la que
se encuentra un gas enrarecido (presin baja), cuando con unos electrodos se aplica un campo (variable
o contnuo) el pixel luce. El funcionamiento permite la existencia simple de pantallas palnas ya que
las celdas puden serlo y tambin los electrodos. El problema se encuentra en generar una matriz lo
suficientemente densa como para permitir imgenes.

3.1.3

Pantallas de LEDs

Las pantallas de LEDs son matrices de estos dispositivos, que pueden ser monocromas o bien policromas,
la excitacin de estos mediante inyeccin de corriente los hace emitir luz. Se puede conseguir mediante
la combinacin de 3 colores la gama completa con la variacin de la potencia emitida por cada uno de
ellos. No es posible hoy en da la consecucin de pantallas de TV, por ejemplo, por la baja eficiencia de
los emisores de azul.

3.1.4

Pantallas de cristal lquido

Su principio de funcionamiento difiere de las anteriores en que est basada en dispositivos pasivos. Esto
podemos apreciarlo en que no podemos ver la hora de los relojes digitales en oscuridad y tenemos que
recurrir a fuentes externas de luz, ese mismo problema es una ventaja ya que al no haber emisin el
consumo es muy bajo. Su funcionamiento se baja en la polarizacin de la luz mediante filtros y la
rotacin o no del eje de polarizacin mediante el cambio de orientacin de las molculas del cristal
lquido. Ahora nos parece muy confuso pero posteriormente se aclarar.

3.2
3.2.1

Pantallas de cristal lquido

Qu es un cristal lquido?

La mayoria de las sustancias tienen un nico punto de fusin que cuando se supera su estado cambia de
slido a lquido, pero hay un grupo de materiales, denominados cristales lquidos, que a una temperaturase transforman en un lquido opaco y como nuboso para a una temperatura superior transformasrse
en un lquido tpico. El trmino cristal lquido a esa fase intermedia y tambin al material que tiene esta
caracterstica. A partir de ahora llamaremos cirstal lquido a al material que tiene este doble punto de
fusin a una temperatura intermedia entre stos.
Un cristal lquido se comporta externamente como un fluido, pero a su vez tiene internamente una
estructura cristalina que presenta doble refraccin ptica.
La mayora de estas sustancias son compuestos orgnicos que tienen unas molculas alargadas en
forma de puro o bien pueden ser planas. En la fase de cristal lquido las molculas se ordenan de forma
especial. Segn la organizacin los cristales lquidos se dividen en tres tipos: smecticos, nemticos y
colestricos, podemos verlos en la figura 3.1. No vamos a hacer ms hincapie en las diferencias entre las
configuraciones, slo que cuando veamos una pantalla que nos suene el nombre de la estructura porque
suele venir en las hojas de caractersticas.

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

56

Figura 3.1: Orientaciones moleculares en los tres tipos de cristal lquido

3.2.1.1

Cristal lquido y su relacin con las pantallas

La organizacin estructural de molculas en una cristal lquido no es tan rgida como en una estructura
cristalina. Las molculas se pueden reorientar fcilmente como resultado de un estmulo externo como
puede ser un campo elctrico, magntico, cambios de temperatura o tensin mecnica y de sete modo
pueden cambiar las propiedades pticas del material. Es precisamente esta posibilidad de cambio de la
orientacin molecular en los cristales lquidos lo que abre la puerta a las aplicaciones tanto en dispositivos
de representacin como en sensores.
En particular, en la aplicacin como pantalla, las molculas estn en una orientacin inicial, esta
puede cambiarse mediante una tensin elctrica y el cambio producido en las propiedades pticas como
la doble refraccin, la rotacin del eje ptico, el dicroismo, etc consigue un cambio visible externamente.
Dicho de otro modo una pantalla de cristal lquido utiliza la modulacin de la luz externa y por tanto es
un dispositivo pasivo (no emisivo).

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

3.2.2

57

Caractersticas de una pantalla de cristal lquido

Las principales caractersticas de los LCDs, cuando se las compara con otros tipos de pantallas son su
bajsimo consumo y la baja tensin necesaria para su funcionamiento. Son muy apropiados para el uso
en sistemas de larga vida. Enumeros, pues, sus ventajas
>@
I

Bajo consumo de potencia (unas pocas decenas de

par las bateras. Ahorro energtico.
I

) lo que significa largo tiempo de vida

Con bajas tensiones (10V o menos) se consigue el correcto funcionamiento del circuito. La circuitera es compacta y simple.
I

El dispositivo es delgado y se puede aplicar a pantallas grandes y minsculas, de modo que es muy
adecuado para dispositivos portables.
I

Debido a que es un dispositivo pasivo, la pantalla est clara incluso con mucha luz incidiendo
sobre ella.
I

Se pueden hacer pantallas a color.

I

Se puede usar este tipo de pantallas para proyeccin de modo que pueden conseguirse imgenes
grandes (varios metros cuadradros).

Aunque tambin hay inconvenientes, enumermoslos.

I

Como es un dispositivo pasivo no puede verse en sitios oscuros.

I

El contraste de la imagen depende del ngulo de visin.

I

3.2.3

La respuesta depende de la temperatura, no funciona bien para temperaturas bajas (<-20o C)

Principio de funcionamiento

El mdo exacto de funcionamiento varia entre las distintas variedades de cristales lquidos, como el
objetivo del curso radica ms bien en el funcionamiento externo vamos a describir slo un modo de
funcionamiento, el del tipo Twisted nematic, o sea, cristales del tipo nemtico rotados.
Los dispositivos se preparan de la siguiente forma: una capa del material de grosor aproximado de
10 m se sita entre dos electrodos transparentes, de forma que en el interior de la celda el eje de rotacin
molecular del cristal rote 90o entre los dos sustratos. Como el grosor de la capa es mucho ms grande que
la longitud de onda de la luz visible que atraviesa el material ocurre que la direccin de la polarizacin
de la luz linealmente polarizada rota 90o debido a la orientacin molecular del cristal, si la luz que ha
llegado al cristal estaba polarizada de forma lineal acabar igualmente polarizada pero con giro ngular
de 90o . Veamos la figura 3.2 para entender el proceso, supongamos que la luz entra desde abajo y que la
flecha que se muestra es el eje de polarizacin de la luz, podemos ver como segn ascendemos el eje rota
hasta que al salir por la parte superior ha girado 90o . Esto ocurrir con cada polarizacin lineal de la luz.
Esto que hemos visto no tiene mayor inters si no se aplican otros conceptos, para ello vamos a
explicar brevemente que es la polarizacin de la luz y que son los filtros polarizadores.

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

58

(a)

(b)

(c)

Figura 3.2: Rotacin del eje de polarizacin de luz al atravesar el cristal lquido; (a) Vista lateral (b) Vista
superior (c) Imagen tridimensional
3.2.3.1

Polarizacin de la luz

Cuando vimos la forma de emisin de una bombilla o un fluorescente se explic que la emisin era
omnidireccional y de banda ancha y no correlacionada, en cuanto a los LEDs emitan en todas direcciones
y sin ninguna correlacin entre los fotones, pero no un menor ancho de banda sin embargo, en los lseres
los fotones estaban correlacionados, la emisin era coherente, y el espectro era muy estrecho. Pero qu
es un fotn? para nosotros es una onda de una determinada longitud de onda que se desplaza, qu
caractersticas tiene? pues la ya sabidas para cualquier radiacin: longitud de onda, direccin, fase y
polarizacin. La polarizacin nos indica el eje de oscilacin, si viesemoa la intensidad de una onda en
un determinado punto sera como un vector cuya amplitud vara de forma senoidal, este vector tendr
una direccin, pues eso es la polarizacin. Dos ondas que tengan la misma energa, la misma direccin,
sentido y fase pueden diferir en la polarizacin.
Pero difcilmente nos vamos a topar con un fotn solitario, lo tpico es que nos encontremos con
muchos de ellos, Cual ser su polarizacin? pues la suma de las polarizaciones y aqu tenemos varias
posibilidades:
I

Luz no coherente: Cuando la luz sale del emisor no tiene una polarizacin definida, lo normal es
que sea elptica, es decir, que el eje de polarizacin global vaya girando sobre dos ejes de distinta
magnitud, esta luz estar compuesta por multiplies polarizaciones lineales
Luz coherente: En este caso los fotones son coherentes y por tanto tienen la misma fase, no tienen
porque tener la misma polarizacin pero la suma de vectores que varan todos a la vez es un vector
que no gira.

3.2.3.2

Filtros polariradores

Estos filtros slo permiten el paso de la luz polarizada en una determinada direccin, la figura 3.3 nos
muestra el modo de funcionamiento de estos filtros. Si nos fijamos veremos que los vectores resultantes
de atravesar el filtro tienen una amplitud mayor que los iniciales, con esto se quiere indicar que no

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

59

Figura 3.3: Luz no polarizada en la parte superior y ya polarizada en la parte inferior tras pasar por el
filtro.
solamente pasa la luz polarizada en el sentido del filtro sino que cada vector se puede descomponer en
un vector que pasa y uno ortogonal y que por tanto la resultante es la suma de todos las componentes en
el sentido del filtro.
3.2.3.3

Estructura fsica de una pantalla de cristal lquido

La figura 3.4 nos muestra la seccin transversal de un LCD , en ella hay una capa de cristal lquido de
unas 10 m entre dos capas de orientacin molecular que fijan el eje de las molculas del cristal que las
tocan. la celda adems tiene dos barreras para que el cristal no fluya, los electrodos para la polarizacin
y los polarizadores externos. Esta estructura sera la misma que en un reloj digital.

Polarizador
Sustrato de vidrio

Barrera
lateral

Electrodo transparente
Capa de orientacion molecular
Cristal liquido
Capa de orientacion molecular
Electrodo transparente

Barrera
lateral

Sustrato de vidrio

Polarizador
Sustrato reflector

Figura 3.4: Estructura de un LCD reflectivo tipo twisted nematic y transparente por defecto.

El funcionamiento global de esta estructura sera:

Sin polarizacin en los electrodos
la luz externa incide sobre el polarizador superior y tras l nos encontramos luz polarizada
de forma lineal en la direccin que permite el filtro.
la luz linealmente polarizada atraviesa el sustrato de vidrio, el electrodo y la capa de orientacin molecular sin ningn cambio.
en el interior del cristal lquido la luz sufriraun giro del eje de polarizacin de 90o
tras el filtro la luz atraviesa de nuevo el sustrato de vidrio, el electrodo y la capa de orientacin
molecular sin ningn cambio.

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

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el siguiente filtro ha sido colocado de forma que permita pasar la luz polarizada a 90o respecto
al primer filtro y como es el caso la luz lo atravesar.
la luz se refleja en el espejo inferior
recorre el camino de vuelta desandando los pasos descritos y sale al exterior y por tanto si lo
miramos se ve claro.
I

Con polarizacin en los electrodos.

hasta llegar al cristal lquido el proceso es el mismo.
el cristal al estar polarizado se ha reorientado de forma que ya no gira el eje de la luz por lo
que sta lo atraviesa sin cambiar su polarizacin.
cuando la luz llega al segundo polarizador no est orientada a 90o ya que no ha girado y por
tanto no atravesar el segundo.
no queda luz que reflejar en el espejo y por tanto desde el exterior se ve algo oscuro

De la misma forma si evitamos el reflector trasero se podra hacer una pantalla trasmisiva como en el
caso de una pantalla de ordenador.

3.2.4

Tcnicas de excitacin de LCDs

3.2.4.1

Posibles estructuras de los electrodos

Los tipos de electrodos con los que nos encontramos en pantallas de cristal lquido son de tres tipos
I
I

Electrodos segmentados (pantallas numricas, grficos de barras, etc)

Electrodos de patrn fijo (smbolos, tragaperras, las antiguas mquinas de marcianos)

Electrodos matriciales (caracteres, graficos y pantallas de video)

Las ms comunes son las de electrodos segmentados y entre ellas una de las ms tpicas es la que
se presenta en la figura 3.5a que es lo comnmente conocido como display de siete segmentos. Los
electrodos de patrn fijo tambin son corrientes y podemos verlos en los relojes, son por ejemplo el
smbolo AM o PM que nos indica si es por la maana o por la tarde. Por ltimo los ms complejos pero
tambin extendidos son los matriciales en ellos se puede representar cualquier cosa, los tenemos desde
para representacin alfanumrica como para imagen (figura 3.5b).
Para excitar estas pantallas tenemos tres posibilidades principales que son la excitacin esttica,
multiplexada y la de matriz activa que vamos a describir de forma somera
3.2.4.2

Excitacin esttica

Puede aplicarse cuando cada electrodo se activa de forma diferenciada, es decir, tiene su propia lnea de
seal, esta puede aplicarse, por ejemplo, a los displays de siete segmentos, en ese caso las formas de
onda tpicas con las que nos encontraramos seran del tipo de la figura 3.6, en ella podemos ver que no
se excita con una seal contnua, esto es debido a que la seal contnua degrada el cristal lquido. Vemos
que se aplica una seal pulsada al electrodo comn y aparte en cada electrodo tendremos tambin una
seal pulsada de forma que si est en fase con la del electrodo comn el sgmento estar en OFF y si est
en contrafase estar en ON (suponiendo un LCD normally OFF).

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

61

Electrodo comun

Electrodos fila

Electrodo
segmentado

X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
X8
X9
X10
X11
Xn
Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 Y8

Ym

Electrodos columna
(a)

(b)

Figura 3.5: Tipos de electrodos: (a) Segmentados (b) Matriciales

Seal del
electrodo comun
Seal del
segmento
Seal aplicada al
cristal liquido
segmento ON

segmento OFF

Figura 3.6: Ejemplos de formas de onda para excitacin esttica

3.2.4.3

Excitacin multiplexada

El problema de la excitacin esttica es que necesita una conexin diferenciada para cada segmento,
esto slo se puede hacer si tenemos un nmero bajo de ellos. Imaginemos una pantalla con 12 digitos,
nos encontramos con 12 electrodos comunes ms 12x7 segmentos, lo que resulta en 96 conexiones, un
nmero demasiado elevado para ponerle pines a un integrado. Cmo proceder en este caso? La solucin
es la multiplexacin temporal.
Dispondremos de un contacto distinto para cada electrodo comn y todos los segmentos correspondientes a la misma posicin tendrn un nico contacto, para el caso de electrodos matriciales tendremos
un contacto por fial y uno por columna. El tipo de seal apropiado para esta excitacin particularizando

en el caso matricial puede verse en la figura 3.7 donde se ha considerado que los electrodos fila son los

>N4
comunes (similitud con los n dgitos).
Analicemos el funcionamiento del circuito: cada se activa una
de las filas durante un tiempo
, cada una de las columnas puede estar activada si presenta un nivel
de seal de signo opuesto al de la fila o desactivada con un nivel de seal del mismo signo que la fila.

La tensin que hay en cada pixel>N4 se puede ver en las ltimas lneas de la figura 3.7, el pixel Ls estar
activado durante un tiempo
, sin embargo el pixel M& estar desactivado aunque tambin hay
una determinada tensin en el cristal lquido. Esta tensin es un problema ya que la accin del cristal

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

TF

62
TF n

V(X1)
V(X2)

V(Xn)

V(Yj )

activar

V(Yk)

desactivar

V(X1Yj )pixel on

V(X2Yk )pixel off

Figura 3.7: Seales para activacin por multiplexacin temporal.

no es abrupta sino lineal y por tanto disminuye el contraste entre un pixel activado y desactivado. Otro
problema es el tiempo mnimo que puede estar activado cada pixel, esto viene dado por el tiempo de
respuesta entre otras cosas y nos limita el nmero mximo de filas y columnas o dgitos que pueden
multiplexarse, este nmero est alrededor de 200.