Teora de Bandas
Conductores (como los metales), que conducen muy bien la
electricidad.
Aislantes, que no conducen la electricidad.
Semiconductores, de conductividad que cambia bruscamente con la
temperatura
El enlace metlico puede verse como una deslocalizacin en tres
dimensiones
Interaccin de 2 OA 2 OM (1 enlazante y 1 antienlazante).
1,3-butadieno 4 OA 4 OM (2 enlazante y 2 antienlazante).
Benceno 6 OA 6 OM (3 enlazantes y 3 antienlazantes)
Naftaleno 10 OA 10 OM (5 enlazantes y 5 antienlazantes)
En general:
Interaccin de n OA n OM desde el ms bajo que ser enlazante a n
centros hasta el ms alto que ser totalmente antienlazante (n/2 nodos)
Na
[Ne]3s1 Cada tomo tiene un electrn de valencia en un orbital 3s.
Los tomos se encuentran empaquetados de manera muy compacta (muy
cerca unos de otros).
Los orbitales 3s de cada tomo de Na van a poder combinarse con los dos los
dems vecinos.
El n de tomos de Na en un pequeo trozo de Na metlico es enorme.
Solo en 23 gr de cristal de sodio hay 6.023 x 1023 tomos y cada uno aporta
un orbital 3s
Conclusin: se podrn formar 6.023 x 1023 orbitales moleculares
El mas bajo sin nodos:
Mg
[Ne]3s2
n tomos de Mg forman n OM deslocalizados banda de energa.
Cada tomo aporta 2 electrones 2 n en total.
La banda 3s est completamente llena.
Esto hara pensar (falsamente) que Mg es aislante.
Por qu?
3p
3s
Aislantes
La teora de bandas tambin explica porqu otro tipo de materiales son
aislantes y no conducen la corriente elctrica (madera, vidrio, diamante...).
En estos casos, hay una banda de valencia (BV) totalmente llena que est
separada por una brecha (gap) energtica de la primera banda vaca (la
banda de conduccin, BC).
Semiconductores
No hay solapamiento entre BV y BC existe band gap.
Pero, en los semiconductores intrnsecos, la anchura del band gap es lo
bastante pequea como para que, a T > 0 K, la energa trmica de los
electrones sea suficiente para promocionar algunos de BV a BC.
Semiconductor de tipo n
Pensemos en un semiconductor base de Si (4 e- de valencia) en que se sustituye
algn tomo de Si en el cristal por tomos de P o As (5 e- de valencia)
Sobra un e- por cada tomo de impureza.
Estas impurezas se llaman donadoras
La impureza donadora introduce niveles
llenos.
Dentro del gap, pero muy cerca de la
banda de conduccin.
Con una cantidad pequea de energa,
E, los e- de los niveles de la impureza
saltan a BC, donde son libres para
moverse: conduccin elctrica.
Se mueven electones en la banda de
conduccin
Mg
Al
Hvap (kJ/mol)
108
149
326
radio at. ()
1.9
1.6
1.4
Li
Na
Rb
Cs
108
83
79
Pf (C)
179.5
97.8
63.5
38.7
29.8
Pe (C)
1336
883
762
700
670
Dureza
(Mohs)
0.06
0.06
0.04
0.04
0.02