DLTS RESUMEN AGUSTN RIVERA

Es una herramienta experimental para el estudio de defectos elctricamente

activos (conocidos como portadores de carga trampas) en semiconductores. La
DLTS establece parmetros fundamentales de defectos y mide su concentracin
en el material. Algunos de los parmetros son considerados como defectos o
"huellas dactilares", los cuales son utilizados para sus identificaciones y posterior
anlisis.
Los mtodos transitorios de capacitancia son varios, de entre destaca: El mtodo
de espectroscopa transitoria de nivel profundo (DLTS)5, que es un mtodo
utilizado para examinar transitorios trmicos de capacitancia a altas frecuencias y
permite observar una amplia variedad de trampas en semiconductores. Muestra el
espectro de trampas en un cristal, en forma de picos positivos o negativos sobre
una lnea de base, como una funcin de la temperatura, de manera que es posible
determinar si la trampa es de portadores mayoritarios o minoritarios. La posicin
en temperatura del pico nos da informacin de las propiedades de emisin trmica
de la trampa. El mtodo permite medir la energa de activacin de los niveles, as
como sus concentraciones, el perfil de concentracin y las secciones transversales
de captura de electrones y de huecos para cada trampa.
Resumiendo en trminos generales, la tcnica consiste en polarizar la unin de
manera inversa y posteriormente aplicarle pulsos de polarizacin a polarizacin
cero o polarizacin directa, para modificar la ocupacin de las trampas. El anlisis
de los transitorios de capacitancia a diferentes temperaturas da informacin de los
niveles profundos existentes. El espectro tpico de DLTS consiste en una grfica
de G(t2) - G(t1) contra temperatura, donde G(t2) y G(t2) son los valores medidos
de
la capacitancia a un tiempo t2 y a un tiempo t1 respectivamente, que son
asignados
con antelacin. Esta forma de muestrear la seal se conoce con el nombre de
"ventana de rapidez" (rate window) y se puede implementar a travs de un boxear,
un amplificador lock-in o con un puente de capacitancias con interfaz que permita
hacerlo eliminando el uso de los dos aparatos mencionados. Si el espectro
muestra picos, esto es seal de que hay niveles profundos. Por tanto, se puede
variar la posicin en temperatura de los picos cambiando los tiempos t1 y t2, como
se muestra en la grfico 1. Es importante que los tiempos t1 y t2 guarden una
relacin constante.

GRAFICO 1