A Pohl
Componentes de um Sistema de
Comunicao ptica
Sinal
Eltrico
tx
Fibra ptica
Emissor de
Luz
Sinal
Eltrico
rx
Fibra ptica
O/E
E/O
Regenerador
de Sinal
Emissor de
Luz
Receptor de
Luz
Receptor de
Luz
Amplificador
ptico
LASER: princpio de
funcionamento
DEFINIO: Oscilador ptico
d
Realimentao
Meio Ativo
Sada
Entrada
Bombeamento
Espelho
Semi-Espelho
Amplificador: princpio de
funcionamento
DEFINIO: Sistema Amplificado
d
Meio Ativo
Bombeamento
CEFET-PR/DAELN/Prof. Dr. A Pohl
BOMBEAMENTO
CEFET-PR/DAELN/Prof. Dr. A Pohl
Amplificao ptica
3) INCIDNCIA DE FTONS COM E = E2- E1
E2
E = h
E1
(Inverso de Populao)
BOMBEAMENTO
CEFET-PR/DAELN/Prof. Dr. A Pohl
Amplificao ptica
4) AMPLIFICAO
E2
E1
E = h
Amplificador ptico:
caractersticas principais
GANHO
POTNCIA PTICA
LARGURA DE BANDA
NO-LINEARIDADE E SATURAO DE GANHO
RUDO
EFICINCIA (dB / mW)
Amplificador ptico
(incoerente) real
CARACTERSTICAS
Sistema No Linear (Saturao)
Ganho varia na banda de freqncias
Fase varia com a freqncia
Rudo
Tabela Comparativa
Ganho de pequeno
sinal
Figura de rudo
Dependncia com
a polarizao
Diafonia entre
canais
Controlo intrnseco
da polarizao
Tamanho fsico
mdio
Custo
EDFA
30dB
EDWA
15dB
SOA
20dB
4 dB
0.5dB
4.5 dB
<0.1dB
6-7 dB
1.0dB
No
No
Alto
No
Sim
Sim
dezenas de
metros
Alto
milmetros
centmetros
Baixo
Baixo
Amplificador ptico a
Semicondutor
Seja a equao de taxa que governa a densidade de portadores
n(t) no estado excitado da regio ativa:
d n(t )
n(t )
= Rb (t ) Rst (t )
dt
r
Rb(t)
(1)
w
Regio ativa
J (t )
qd
e Rst (t ) = a v g [n(t ) nL ] N f g v g N f
onde R b (t ) =
(2)
Amplificador ptico a
Semicondutor
Rb(t) Taxa de bombeamento externo (injeno de corrente)
J(t) densidade de corrente
d espessura da regio ativa na juno PN
r constante de tempo de recombinao (emisso espontnea mais
transies no-radiativas)
Rst(t) Taxa lquida de emisso estimulada
vg velocidade de grupo da radiao propagante no amplificador
fator de confinamento ptico
a() constante de ganho dependente da frequncia
nL densidade de portadores de limiar
Nf densidade de ftons
g() coeficiente de ganho total por unidade de comprimento
CEFET-PR/DAELN/Prof. Dr. A Pohl
PS
(h )(w d )v g
d n(t )
n(t )
= 0 Rb (t ) = Rst (t ) +
dt
r
De a ( ) v g [n(t ) nL ]N f g v g N f
n(t ) =
g v g + nL a ( ) v g
a( ) v g
segue
(3)
1
g v g N f +
a r
J nL
=
q d r
J
n
qd L
g0
r
g=
=
1 + ( a r ) v g N f
v g N f + 1
a r
onde
J nL
g0
g 0 a( )
ou g =
N
qd r
1+ f
N sat
onde
N sat
1
a ( ) r v g
Pout
Pin
(4)
10
g0
g0
=
N
P (z )
1+ s
1+ f
Ps , sat
N sat
(5)
Ps
d z 1 + Ps ( z )
P
s
,
sat
Ps , sat
Integrando a equao acima de z = 0 a z = L, tem-se
1
1
+
P (z ) Ps, sat dP
0
Ps , in s
1
P
(Ps, out Ps,in )
g o L = ln Ps Ps , out +
s , in
Ps , sat
L
Ps , out
g 0 dz =
11
g o L = ln G +
G = 1+
Ps , sat
Ps , in
Ps , out
Ps , sat
Ps , in
Ps , sat
ou
G
ln 0
G
Ganho (dB)
3 dB
Regio de
ganho
unitrio
Ps, in
12
g0
2
1 + ( 0 ) T22 +
Ps
Ps , sat
(coeficiente de ganho)
g0 - valor de pico da curva de ganho
- frequncia do sinal ptico
0 frequncia da transio atmica
T2 - tempo relaxao dipolo (< 1 ps)
Ps - potncia ptica sinal amplificado
Ps, sat - potncia ptica saturao
Obs Na figura acima
Filtro
Acoplador
ptico
Laser de
Bombeamento
= 980 nm
CEFET-PR/DAELN/Prof. Dr. A Pohl
13
4I
11/2
Energia
4I
13/2
Estado
Metaestvel
Emisso
espontnea
Emisso
estimulada
Absoro
1480 nm
Absoro
estimulada
4I
Notao
da Fsica Quntica:
15/2
Estado
Fundamental
2s+1L
j
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Eficncia de Converso
A reduo do ganho ocorre quando a inverso de populao entre
os nveis de energia reduzida significativamente por um sinal
de nvel elevado.
Ps , out Ps , in +
Conservao de energia:
b
P
s b
onde b < s
e Ps, in << Pb
Ps , out Ps , in
Pb
Ps , out
Pb
b
1
s
s
FCE eficincia mxima = 1
b
1+
b Pb
s Ps , in
G 1+
b Pb
s Ps , in
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15
Ganho do Amplificador
Quando
Ps , in >>
b
P
s b
s Ps , in
Ps , in
s G 1
980 30 103
= 190 W
1550 100 1
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Ganho
30
20
10
Pb= 4 mW
Pb= 3 mW
Pb= 1 mW
Pb= 2 mW
20
30
40
16
Notas
Transio entre bandas 4I13/2- 4I15/2
E = 0,841 eV (1477nm) do nvel superior do estado
metaestvel para o nvel inferior do estado fundamental
E = 0,814 eV (1527nm) do nvel inferior do estado
metaestvel para o nvel inferior do estado fundamental
E = 0,775 eV (1600nm) do nvel inferior do estado
metaestvel para o nvel superior do estado fundamental
Transio entre bandas 4I11/2- 4I15/2
E = 1,27 eV (980nm) banda de bombeio
20
16
12
Figura de Rudo
Ganho
8
4
0
1522
1529
1536
1543
1550
1557
1564
17
Rudo do Amplificador
Pout
Sinal
amplificado
Rudo ASE
980 nm
bombeio
1520 nm
1570 nm
Rudo do Amplificador
A densidade espectral de potncia ASE expressa como:
S ASE ( ) = h nsp [G ( ) 1] =
onde n sp =
PASE
opt
n2
n2 n1
18
2
I f (Es + Erudo ) = Es2 + Erudo
+ 2 Es Erudo
Contribuio dos
batimentos
RMS
2
2
2
2
= shot
+ T2 + shot
ASE + sinal- ASE + ASE ASE
I2
R 2 G 2 Ps2,in
R Ps ,in
G
S
= 2f =
2
2 q opt 1 + 2 nsp (G 1)
itot
itot
N fotodeteto r
Tx
Rudo de
Intensidade Relativa (RIN)
No-linearidades
Rx
AFO
Rudos de Batimentos:
Sinal ASE
Balstico ASE
ASE - ASE
Rudo
Balstico
Trmico
19
T2 = 4
K B T FnRx
Rx
RL
2
2
RIN
= FnRIN ,Tx (R Pin ) Rx
2
ASE
sinal
Rx
- ASE = 2 q R Pin Fn
ASE
2
2
balstico
opt Rx
- ASE = 2 q G Fn
2
ASE
ASE
) opt Rx
ASE = ( q G Fn
2
Exerccio:
Derive uma expresso para o SNR de um sistema composto por um transmissor, um amplificador ptico e
um receptor ptico considerando todas as contribuies de rudo existentes no sistema.
Simplifique posteriormente essa expresso, considerando, no caso do amplificador,
apenas a contribuio de rudo devido ao batimento entre o sinal e a emissso espontnea do mesmo.
20
Cascata de Amplificadores
Tx
AFO
1 , L1
G1
AFO
2 , L2
Rx
AFO
G2
GN
N +1, LN+1
Fn 2
F
FnN
+ n 3 + ... +
G1 G1 G2
G1 G2 L GN 1
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30
20
10
0
-10
1520
1530
1540
1550
1560
1570
wavelength (nm)
21
Espalhamento Raman*
Figura: Transferncia de energia entre fton e molcula.
(a) processo Stokes e (b) processo anti-Stokes.
Espalhamento Raman
Estimulado
O espalhamento Raman pode ser gerado (estimulado) por uma onda com frequncia
apropriada (onda de bombeio). Neste caso, um foton de bombeio convertido em
um fton de sinal mais uma diferena de energia que corresponde a um fnon
(estado de vibrao) da rede cristalina.
Caractersticas
1) O ganho Raman possui uma forma espectral que depende da frequncia de
separao entre o sinal e o bombeio (mas NO de suas frequncias absolutas).
2) O ganho Raman no depende da direo relativa de propagao da onda
correspondente ao sinal e ao bombeio.
3) O espalhamento Raman um processo rpido, da ordem de subpicosegundos
(no h energia acumulada em estados superiores ou metaestveis).
4) Processo possui eficincia baixa, o que requer o uso de muitos quilmetros de
fibra.
5) O ganho Raman dependente da polarizao. O ganho mais intenso quando
a onda de bombeio e a onda de sinal possuem a mesma polarizao.
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( s , b )[Pb+
d Pb
= b P b s
d z
b
P s potncia
da onda
P b potncia
da onda
+ Pb P s
C R ( s , b )P s P b
de sinal
de bombeio
coeficient
e de atenuao
da onda
de sinal
coeficient
e de atenuao
da onda
de bombeio
coeficient
e de ganho
Raman
23
24
Amplificadores pticos em
Efeito Raman
Configurao de Amplificadores
Configurao
Distribuda
Configurao
Discreta
25
Amplificador Raman
com vrios lasers de bombeio
Amplificador Raman
com vrios lasers de bombeio
Amplificao
em NZDSF com
bombeio contra-propagante
26
Fontes de Rudo
A fonte mais importante de rudo o rudo de emisso espontnea
amplificado (ASE). No caso de amplificadores Raman, a ASE
gerada pelo espalhamento Raman espontneo.
Mecanismos de Rudo
Rudo de batimento sinal-espalhamento espontneo
Interferncia multicaminho
Efeito de mistura de quatro ondas (FWM) gerado
na interao (batimento) entre os lasers de bombeio
Rudo de batimento entre o sinal e o bombeio (FWM)
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