MAKALAH FISIKA ZAT PADAT

SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK
Makalah ini ditujukan untuk memenuhi tugas mata kuliah Fisika Zat Padat
Dosen Pengampu: Fathiah Alatas, S.Pd. M.Si.

Disusun Oleh:
Fatimah
Dwi Sugiarti
Efi Siti Alfiah

: 1113016300042
: 1113016300062
: 1113016300068

PROGRAM STUDI PENDIDIDKAN FISIKA

JURUSAN PENDIDIDKAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
FAKULTAS ILMU TARBIYAH DAN KEGURUAN
UNIVERSITAS ISLAM NEGERI SYARIF HIDAYATULLAH
JAKARTA
2016 M /1437 H

KATA PENGANTAR

Puji syukur kehadirat Allah swt. yang telah melimpahkan rahmat-Nya

sehingga kami dapat menyusun makalah yang berjudul Semikonduktor
Ekstrinsik.
Shalawat serta salam semoga tercurahkan kepada Nabi Muhammad saw.,
yang telah membimbing umat Islam dari zaman ketidaktahuan kepada zaman
yang penuh dengan ilmu pengetahuan.
Makalah ini kami susun untuk memenuhi tugas mata kuliah fisika zat
padat, serta menambah pengetahuan tentang Semikonduktor Ekstrinsik.
Makalah ini tidak dapat terselesaikan tepat waktu tanpa bantuan dari
berbagai pihak. Dalam kesempatan ini kami mengucapkan terima kasih kepada:
1. Ibu Fatiah Alatas,M.Si selaku dosen mata kuliah Fisika Zat Padat.
2. Teman-teman mahasiswa program studi Pendidikan Fisika.
3. Semua pihak yang telah membantu dalam penyelesaian makalah ini.
Kami menyadari jika dalam penyusunan makalah ini masih terdapat
kekurangan, kami mengharap kritik dan saran sebagai penyempurnaan ke depan.

Ciputat, 9 Maret 2016

Penyusun

DAFTAR ISI

Kata Pengantar......................................................................................................ii
Daftar Isi................................................................................................................iii
BAB I.......................................................................................................................1
PENDAHULUAN...................................................................................................1
1.1.

Latar Belakang..........................................................................................1

1.2.

Rumusan Masalah.....................................................................................2

1.3.

Tujuan Penulisan.......................................................................................2

1.4.

Metode Penulisan......................................................................................3

BAB II.....................................................................................................................4
PEMBAHASAN.....................................................................................................4
2.1.

Pengertian Semikonduktor........................................................................4

2.2.

Klasifikasi Semikonduktor Berdasarkan Tingkat Kemurnian Atom

Penyusun..............................................................................................................4
2.3.

Tingkat Energi Donor dan Akseptor..........................................................6

2.4.

Konsentrasi Elektron dan Hole................................................................11

2.5.

Efek Termoelektrik..................................................................................13

2.6.

Semi Logam............................................................................................14

BAB III..................................................................................................................18
PENUTUP.............................................................................................................18
3.1.

Kesimpulan..............................................................................................18

3.2.

Kritik dan Saran.......................................................................................20

Daftar Pustaka......................................................................................................iii

BAB I
PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang

Bahan-bahan penghantar adalah bahan yang memiliki banyak elektron bebas
pada kulit terluar orbit. Elektron bebas ini akan sangat berpengaruh pada sifat
bahan tersebut. Jika suatu bahan listrik memiliki banyak elektron bebas pada
orbit-orbit elektron, bahan ini memiliki sifat sebagai penghantar listrik.
Penghantar listrik dapat dikelompokkan sebagai konduktor, semikonduktor, dan
isolator.
Masyarakat pada umumnya mengetahui konduktor, semikonduktor dan
isolator sebagai bahan penghantar listrik sebatas ukuran baik atau tidaknya bahan
tersebut menghantarkan listrik. Umumnya konduktor didefinisikan sebagai bahan
yang mudah mengalirkan arus listrik jika dihubungkan dengan sumber tegangan;
isolator sebagai bahan - bahan yang akan menghambat arus listrik bila
dihubungkan dengan sumber tegangan; semikonduktor adalah bahan-bahan yang
pada kondisi tertentu akan bersifat sebagai isolator dan pada kondisi lain akan
bersifat sebagai konduktor.
Pada makalah ini akan dibahas mengenai SEMIKONDUKTOR yang
merupakan bahan penghantar listrik tidak murni yang memiliki sifat dual-karakter
(bisa berupa konduktor atau isolator). Pembahasan mengenai semikonduktor ini
akan dibatasi pada definisi, klasifikasi, ionisasi termal donor dan akseptor, tingkat
energi donor dan akseptor,konsentrasi elektron dan hole, efek termoelektrik dan
semilogam.

1.2. Rumusan Masalah

Dalam penyusunan makalah ini, penyusun membuat rumusan masalah yang
berkaitan dengan judul yang dibahas, yaitu:
1. Apa yang dimaksud dengan semikonduktor?
2. Apa saja klasifikasi semikondutor berdasarkan tingkat kemurnian atom
3.
4.
5.
6.
7.

penyusun?
Bagaimana ionisasi termal donor dan akseptor pada semikonduktor ekstrinsik?
Bagaimana tingkat energi donor dan akseptor pada semikonduktor ekstrinsik?
Bagaimana konsentrasi elektron dan hole pada semikonduktor ekstrinsik?
Bagaimana efek termoelektrik pada semikonduktor?
Bagaimana semi logam pada semikonduktor?

1.3. Tujuan Penulisan

Adapun tujuan penyusunan makalah semikonduktor ekstrinsik, yaitu:
1. Untuk mengetahui pengertian dari semikonduktor.
2. Untuk mengetahui klasifikasi semikondutor berdasarkan tingkat kemurnian
atom penyusun.
3. Untuk mengetahui ionisasi termal donor dan akseptor pada semikonduktor
ekstrinsik.
4. Untuk mengetahui tingkat energi donor dan akseptor pada semikonduktor
ekstrinsik.
5. Untuk mengetahui konsentrasi elektron dan hole pada semikonduktor
ekstrinsik.
6. Untuk mengetahui efek termoelektrik pada semikonduktor.
7. Untuk mengetahui semi logam pada semikonduktor

1.4. Metode Penulisan

Metode penulisan yang digunakan dalam makalah ini adalah metode

kepustakaan. Metode kepustakaan merupakan pengutipan dari sejumlah karya
yang berkaitan dengan tema yang dibahas.

BAB II
PEMBAHASAN

2.1. Pengertian Semikonduktor

Semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah
energi yang dibentuk oleh struktur bahan ini lebih kecil dari celah energi bahan
isolator tetapi lebih besar dari celah energi bahan konduktor, sehingga
memungkinkan elektron berpindah dari satu atom penyusun ke atom penyusun
lain dengan perlakuan tertentu terhadap bahan tersebut (pemberian tegangan,
perubahan suhu dan sebagainya). Oleh karena itu semikonduktor bisa bersifat
setengah menghantar.1

2.2. Klasifikasi Semikonduktor Berdasarkan Tingkat Kemurnian Atom

Penyusun
Berdasarkan tingkat kemurnian atom penyusun semikonduktor terbagi menjadi
dua, yaitu:
a. Semikonduktor Intrinsik
Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas satu
unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja. Pada kristal semikonduktor Si, 1
atom Si yang memiliki 4 elektron valensi berikatan dengan 4 atom Si lainnya.2

1 Ichwan Yelfianhar. Semikonduktor,

https://iwan78.files.wordpress.com/2010/11/9_semikonduktor.pdfhttps://iwan78.files.wordpress.com
/2010/11/9_semikonduktor.pdf

2 Anonim. Kristal Semikonduktor, file.upi.edu/.../KB-2_modul_6_Fis_Zat_Padat.pdf

Sumber: hyperphysics.phyastr.gsu.edu

b. Semikonduktor
Ekstrinsik
Semikonduktor
ekstrinsik

adalah

semikonduktor murni yang dicampur (dikotori) oleh atom-atom lain yang

berasal baik dari golongan IIIA maupun golongan VA. Elemen semikonduktor
beserta atom pengotor yang biasa digunakan diperlihatkan pada Tabel 1.3
Tabel 1. Elemen Semikonduktor pada Tabel Periodik

2.3. Tingkat Energi Donor dan Akseptor

3 Anonim. Semikonduktor, http://documents.tips/documents/bab-6-bahansemikonduktor.html

a. Tingkat Energi Donor

Dalam semikonduktor murni (intrinsik), konsentrasi elektron konduksi
adalah sama dengan konsentrasi hole didalam pita valensi. Baik elektron
konduksi maupun hole adalah berfungsi sebagai pembawa muatan listrik.
Dalam tekhnologi industri elektronika, ternyata semikonduktor intrinsik jarang
dipakai. Sebab dalam teknologi elektronika dibutuhkan hanya salah satu dari
kedua

pembawa

muatan

listrik

tersebut.

Dengan

cara

mengotori

semikonduktor intrsik tersebut,kita dapat memperoleh semikonduktor yang

hanya memilki salah satu pembawa muatan listrik yang dominan titik. Sebagai
contoh jika kita mengotori semikonduktor intrinsik itu dengan atom-atom
golongan VA, maka hasilnya adalah berupa semikonduktor ekstrinsik tipe-N
(tipe negatif). Sebab atom-atom dari golongan VA tersebut akan menyebabkan
setiap atom semikonduktor intrinsik kelebihan satu elektron. Oleh karena
itu,hasilnya disebut semikonduktor ekstrinsik tipe-N. Sebaliknya,jika kita
mengotori (doping) semikonduktor intrinsik dengan atom-atom dari golongan
III A maka kita akan memperoleh semikonduktor tak murni (ekstrinsik) tipe-P
(tipe positif), karena atom-atomdari golongan III A akan meyebabkan setiap
atom semikonduktor intrinsik seolah-olah kekurangan satu elektron.
Kekurangan satu elektron ini di asumsikan sama dengan kelebihan satu
muatan listrik positif elektron. Oleh karena itu hasilnya disebut semikonduktor
ekstrinsik tipe-P.
Pada semikonduktor tipe-N, atom-atom dari golongan VA seolah
menyumbang kelebihan satu elektron. Oleh karena itu,atom-atom dari
golongan VA ini sering disebut sebagai atom-atom donor.
Elektron-elektron yang berasal dari atom donor dalam semikonduktor tipeN akan mengorbit atom donor itu sendiri mirip seperti orbit elektron dalam
atom hidrogen tetapi dengan interaksi coulomb yang sangat lemah,karena
adanya efek penghalang interaksi screening effect yang ditimbulkan oleh
adanya polarisasi dalam kristal semikonduktor yang berfungsi sebagai

medium untuk donor. Elektron-elektron tersebut sangat mudah melepaskan

diri dari atom donor dan pindah ke pita konduksi untuk berfungsi sebagai
elektron konduksi,dan atom donor akan menjadi ion positif dengan sedikit saja
tambahan energi dari luar, maka elektron itu akan mampu loncat ke pita
konduksi. Dengan demikian, kita dapat dengan mudah untuk memahami
bahwa tingkat energi donor adalah sangat denkat ke pita konduksi,
seperti ditunjukan pada Gambar 3.

Gambar 3. Posisi tingkat energi atom donor ed pada bagian pita energi.
Agar elektron itu berpindah dari atom donor ke pita konduksi,maka kita
harus mengionisasi atom donor itu dengan energi dari luar. Karena orbit dari
elektron dalam atom donor ini mirip dengan orbit elektron dalam atom
hidrogen, maka nilai energi ionisasinya pun dapat menggunakan persamaan
energi ionisasi untuk atom hidrogen tetapi dengan sedikit modifikasi karena
adanya efek screening tadi. Energi ionisasi atom hidrogen (eh) adalah sebesar:
e4 m
e h=
2 h2

dalam cgs

(1)

e h=

e 4 m
2(4 0 )2

dalam si

(2)

nDimae=utklsro,d n.
Dalam semikonduktor tipe-N, energi ionisasi atom donor (ed) adalah sama
dengan energi ionisasi atom hidrogen tetapi dengan mengganti masa diam (m)

oleh masa efektif elektron (me) dan mengganti e dengan

e4

akibat adanya

screening. Jadi
4

e
me
2

e d=
2
2 (4 0 )
4

e d=

e me
2
2
2(4 0 )
e4 me
1
e d=

(4 0 )2 2 2

Ed =

e 4 me
1
= 2
2 2
2

me
m

e4 m
dalam cgs
22

( )( )( )

e 4 me 1 me
1
Ed =
= 2
2
2 2
(4 0 ) 2 m

( )(

e4 m
dalam SI
2
2 ( 4 0 )

me

me
me
E <E
Sukterahidnspm-(1)2landegorismthyl6a13V,.Jdpern()2tkihbwagosmdnrl m2 E .Karenil m2 jauhlebkicdr,stm d h ,yaitu Ed = 2 m Eh
h

me

=10,
dan
=0,2 p,bhakernogisd( Ed ?
oCnkh:taji
m
bJaw:dripesm1n)(olh
Ed =

Ed =

me
2 m

Eh

1
13,6
Eh=
eV
500
500

Ed =0,0272 eV =27,2meV
b. Tingkat Energi Akseptor
Pada semikonduktor ekstrinsik tipe-P, setiap atom dari golongan III-A agar
dapat berikatan secara kovalen dari dengan setiap atom dari semikonduktor
murni maka ia meminjam/menerima satu elektron. Oleh karena itu, atomatom dari golongan III-A sering disebut sebagai atom akseptor.
Pindahnya elektron dari semikonduktor murni ke atom

donor

menimbulkan lubang (hole) di dalam kristal semikonduktor. Lubang-lubang

ini bebas bergerak di sepanjang kristal. Dengan demikian, dengan cara
mengotori semikonduktor murni oleh atom akseptor dalam jumlah yang cukup
besar akan menghasilkan semikonduktor tipe-P dengan konsentrasi hole yang
cukup tinggi.
Dengan adanya tambahan satu elektron pada setiap atom akseptor, maka
atom-atom akseptor tersebut sudah terionisasi dan menjadi ion negatif. Oleh
karena itu, maka hole-hole yang bermuatan positif akan ditarik oleh atomatom akseptor. Besarnya energi ikat hole oleh atom akseptor dapat dihitung
dengan cara yang sama seperti pada atom donor. Nilai energi ikat ini pun
adalah sangat kecil, yaitu memiliki orde sekitar 0,01 eV.
Timbulnya hole dalam semikonduktor tipe-P adalah akibat pindahnya
elektron dari pita valensi semikonduktor intrinsik ke dalam atom
akseptor untuk berikatan secara kovalen dengan atom-atom tetangganya

(dalam hal ini Si atau Ge murni). Oleh karena itu, letak tingkat energi
akseptor adalah sedikit di atas pita valensi, seperti ditunjukkan dalam
Gambar 4.

Gambar 4. Posisi tingkat energi atom Akseptor (Ea) pada bagan pita energi
Ketika elektron pindah dari pita valensi ke atom akseptor, sehingga atom
akseptor terionisasi menjadi ion negatif, maka di dalam pita valensi timbul
hole yang bertanggu-jawab dalam hal pengaliran muatan listrik. Jadi dalam
hal ini jumlah hole akan lebih banyak dari pada jumlah elektron, sehingga p >
n.
Karena dekatnya tingkat energi akseptor, maka pada suhu kamar pun akan
ada banyak elektron yang akan mampu loncat ke tingkat energi akseptor itu.
Hasilnya adalah bahwa pada suhu kamar akan ada banyak hole di dalam pita
valensi.4

2.4. Konsentrasi Elektron dan Hole

a. Konsentrasi elektron
Konsentrasi elektron di dalam semikonduktor ekstrinsik tipe-N merupakan
gabungan dari konsentrasi elektron yang secara termal terekstasi dalam
4 Kardiawarman,Ph.D. fisika zat padat modul,
http://file.upi.edu/Direktori/FPMIPA/JUR._PEND._FISIKA/19590527198503
1-KARDIAWARMAN/Modul_UT/KB-2_modul_6_Fis_Zat_Padat.pdf

10

semikonduktor intrinsik dengan konsentrasi atom-atom donor (N d). Sebab sumber

elektron di dalam semikonduktor ekstrinsik adalah elektron konduksi yang
terseksitasi secara termal dan elektron-elektron yang berasal dari atom donor. Setiap
satu atom donor (atom golongan V-A) menyumbang satu elektron konduksi ke
dalam semikonduktor ekstrinsik. Oleh karena itu, konsentrasi elektron ini (yang
berasal dari donor saja) sama dengan konsentrasi atom donor itu sendiri.

Cara menentukan konsentrasi elektron konduksi yang berasal dari atom

donor yang terionisasi adalah sama dengan cara yang digunakan dalam
mekanika statistika untuk menentukan konsentrasi elektron atom hidrogen
yang terionisasi secara termal. Jika di dalam semikonduktor ekstrinsik ini
hanya ada atom-atom donor dan tidak ada atom-atom akseptor, maka secara
matematika konsentrasi elektron konduksi secara keseluruhan di dalam
semikonduktor ekstrinsik tersebut adalah
E d
1/ 2
n=( no N d ) exp
2 kb T

( )

me k b T
Dimana no =2 2 2

(49)

N d =konsentrasi atom don,me =massa efektif elektron dan E d=energi ionisasi donor .
b. Konsentrasi Hole pada Semikonduktor Ekstrinsik
Sama halnya dengan konsentrasi konsentrasi elektron konduksi dalam
semikonduktor tipe-N, konsentrasi hole dalam semikonduktor tipe-P juga
merupakan gabungan dari hole yang timbul secara termal akibat elektron
loncat ke pita konduksi dengan hole yang berasal dari atom-atom akseptor
(golongan III-A). Dengan argumen yang sama, secara matematika konsetrasi
hole ini dapat ditulis sebagai berikut:
E a
2
p=( p0 N a ) exp
,
2 k bT

( )

11

Dimana p0=2

mh k B T
2 h23 /2

, Na = konsentrasi atomakseptor, mh = massa

efektif hole, dan Ea = energi ionisasi akseptor.5

2.5. Efek Termoelektrik
j=

I
(1)
A

E
( 2)
j

1
= (3)

=n e (4)

j=

j= E

j= E n e
Anggap sebuah semikonduktor dengan suhu yang dipertahankan konstan
sementara medan listrik dapat menembusnya dengan kecepatan arus ja. Jika aru
hanya dibawa oleh elektron maka fluks muatan yaitu
j a =n (e ) ( e ) E=ne e E

5 Ibid

12

Energi rata-rata yang ditransformasikan oleh elektron menunjukan tingkat energi

,

fermi

( Ec ) + 2 k B T ,
Dimana

Ec

adalah energi pada pita kounduksi. Kita menunjukan tingkat energi

Fermi karena permukaan kontak yang berbeda pada konduktor memilki tingkat
energi yang sama. Fluks energi yang disertai fluks muatan yaitu
3
j u=n E c + k B T (e ) E
2

Koefisien Peltier

didefinisikan oleh hubungan

j u=n j a

, yaitu energu

yang dibawa setiap oleh satuan muatan. Untuk elektron,

3
e = Ec + k B T /e
2

Dan negatif karena fluks energi berlawanan arah dengan fluks muatan. Untuk
hole
3
j q =pe h E ; j u= p Ev + k B T h E
2

Ev

dimana

adalah energi pada pita valensi . Dan

3
h= Ev + k B T /e
2

13

Dan positif. Persamaan diatas merupakan hasil sederhana dari teori kecepatan
drift; perlakuan dari persamaan transformasi Boltzman memberikan perbedaan
yang kecil.
Kekuatan termoelektrik absolut Q didefinisikan dari rangkaian terbuka medan
listrik yang diciptakan oleh gradien temperatur.
E=Q grad T
Koefisien Peltier dihubungkan dengan kekuatan termoelektrik oleh
=QT

Ini merupakan hubungan Kelvin yang terkenal tentang keseimbangan dalam

Termodinamika

2.6. Semi Logam

Dalam semilogam tepi pita konduksi sangat sedikit lebih rendah dalam energi
dari tepi pita valensi. Sebuah kecil tumpang tindih dalam energi konduksi dan
valensi band menyebabkan srnall konsentrasi lubang di pita valensi dan elektron
pada pita konduksi (Tabel 7).

Sumber : Charles Kittel, introduction to solid state physic

14

Tiga dari semirnetals, arsenik, antirnony, dan bisrnuth, berada dalam

kelompok V dari tabel periodik. Atom mereka mengasosiasikan berpasangan
dalam kisi kristal, dengan dua ion dan sepuluh elektron valensi per sel
primitif. Para bahkan jumlah elektron valensi akan memungkinkan elemen-elemen
ini menjadi isolator. Seperti semikonduktor, semimetals dapat diolah dengan
kotoran

cocok

untuk

memvariasikan

jumlah

relatif

dari

lubang

dan

elektron. Konsentrasi mereka juga dapat divariasikan dengan tekanan, untuk

tumpang tindih pita tepi bervariasi dengan tekanan.6

Unsur semilogam (Metaloid) adalah unsur-unsur yang memiliki beberapa sifat

logam dan nonlogam. Berikut beberapa contoh unsur semilogam dan lambangnya.

Nama Unsur Nama Latin/

Lambang

Internasional

Unsur

Silikon

Silicon

Si

Boron

Boron

Arsen

Arsenic

As

6 Charles Kittel, introduction to solid state physics, Jons Willey & Sons, 2005.hlm 237

15

Sifat : peralihan antara unsur logam dan unsur non logam.

Contoh unsur semi logam :
a. Golongan IIIA = boron
b. Golongan IVA = silikon, germanium
c. Golongan VA = arsen, antimoni
d. Golongan VIA = telurium, polonium
Semi-Logam (juga disebut logam tanggung atau semimetal) merupakan
unsur yang mempunyai sifat-sifat di antara logam dan bukan logam. Contoh
Semi-Logam yang paling terkenal adalah unsur silikon. Contoh lainnya adalah
arsenik (As) dan stibium (Sb). Unsur-unsur tersebut mempunyai penampilan
seperti logam, tetapi warnanya gelap. Hal itu berbeda dengan penampilan logam
yang mengilap. Semi-Logam adalah adalah semikonduktor (penghantar listrik
yang tidak sebaik logam). Sifat semikonduktor dipelajari dalam pelajaran Fisika
secara khusus. Semi-Logam banyak diperlukan dalam industri elektronik. Piranti
elektronik seperti kalkulator dan mikro komputer memungkinkan dibuat dari
bahan-bahan Semi-Logam.

16

BAB III
PENUTUP

3.1. Kesimpulan
Berdasarkan pembahasan yang telah dijabarkan pada bab sebelumnya, maka
dapat disimpulkan, bahwa:
1. Semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor dan bersifat
setengah menghantar.
2. Berdasarkan tingkat kemurnian atom, semikonduktor terbagi menjadi dua,
yaitu:
c. Semikonduktor intrinsik
d. Semikonduktor ekstrinsik
3. Perhitungan

konsentrasi

equilibriurn

elektron

konduksi

dari donor terionisasi identik dengan perhitungan standar dalam mekanika

statistik dari ionisasi termal dari atom hidrogen (TP, hal. 369). Jika tidak ada
k b T E d
akseptor ini, hasil dalam batas suhu
n ( n0 N d )1 /2 eE / 2 k
d

adalah

4. Tingkat Energi Donor dan Akseptor

a. Tingkat energi donor
Dalam semikonduktor murni (intrinsik), konsentrasi elektron konduksi
adalah sama dengan konsentrasi hole didalam pita valensi. Baik elektron
konduksi maupun hole adalah berfungsi sebagai pembawa muatan listrik.
Energi ionisasi atom hidrogen (eh) adalah sebesar :

17

e h=

e4 m
2 h2

e h=

e m
2
2(4 0 h)

dalam cgs

(1)

dalam si

(2)

mDanie=utlsrko,d n.
b. Tingkat energi akseptor
Pada semikonduktor ekstrinsik tipe-P, setiap atom dari golongan III-A
agar dapat berikatan secara kovalen dari dengan setiap atom dari
semikonduktor murni maka ia meminjam/menerima satu elektron. Oleh
karena itu, atom-atom dari golongan III-A sering disebut sebagai atom
akseptor.
5. Konsentrasi Elektron dan Hole
a. Konsentrasi elektron
Konsentrasi elektron di dalam semikonduktor elstrinsik tipe-N merupakan
gabungan dari konsentrasi elektron yang secara termal terekstasi dalam
semikonduktor intrinsik dengan konsentrasi atom-atom donor (Nd).
b. Konsentrasi hole pada semikonduktor ekstrinsik
Sama halnya dengan konsentrasi konsentrasi elektron konduksi dalam
semikonduktor tipe-N, konsentrasi hole dalam semikonduktor tipe-P juga
merupakan gabungan dari hole yang timbul secara termal akibat elektron
loncat ke pita konduksi dengan hole yang berasal dari atom-atom akseptor
(golongan III-A). Dengan argumen yang sama, secara matematika
konsetrasi hole ini dapat ditulis sebagai berikut:
2

p=( p0 N a ) exp

( )
E a
2 k bT

6. Efek termoelektrik

18

Pertimbangkan semikonduktor rnaintained pada

suhu

konstan

sementara

medan listrik yang mendorong melalui itu sebuah JQ kepadatan arus listrik.
Jika saat ini dilakukan hanya oleh elektron, fluks muatan adalah:
j q =n (e ) ( e ) E=ne e E
3

( Ec ) + 2 k B T
3
j u=n E c + k B T (e ) E
2

3
e = Ec + k B T /e
2

3
j q =pe h E ; j u= p Ev + k B T h E
2

3
h= E v + k B T /e
2

3.2. Kritik dan Saran

Penyusun menyadari bahwa masih banyak kekurangan pada makalah ini. Oleh
karena itu, penyusun mengharapkan kritik dan saran yang membangun dari
pembaca agar penyusunan makalah di kemudian hari lebih baik lagi.

19

DAFTAR PUSTAKA

Charle Kittel, Introduction to Solid State Physics, sixth ed., John Wiley & Sons, Inc., New
York, 2005

Adi Eka S, Nur Dewi S, dkk. Semikonduktor, https://xa.yimg.com/kq/groups/35669780

Anonim. Kristal Semikonduktor, http://file.upi.edu/.../KB-2_modul_6_Fis_Zat_Padat.pdf
Anonim. Semikonduktor, http://documents.tips/document/bab-6-bahan-semikonduktor.html
Ichwan Yelfianhar. Semikonduktor,
https://iwan78.files.wordpress.com/2010/11/9_semikonduktor.pdf
Kardiawarman,Ph.D. fisika zat padat modul,
http://file.upi.edu/Direktori/FPMIPA/JUR._PEND._FISIKA/195905271985031KARDIAWARMAN/Modul_UT/KB-2_modul_6_Fis_Zat_Padat.pdf