Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Aplicaciones de los Transistor FET y BJT
Practica # 2
APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES FET Y BJT
Fernando Chacn
fchacon@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana
Resumen en el siguiente informe veremos algunas de
las aplicaciones de los transistores, FET y BJT, para el cual
disearemos un circuito para que la corriente en el Drain
sea constante, la cual para el desarrollo de la prctica
tenemos que obtener datos mediante ecuaciones, para poder
calcular las resistencias, la resistencia en el Drain ir
variando, en nuestro caso desde 100 a 1 k, por ultimo
realizamos el circuito que genera un diente de sierra en el
cual mediante un capacitor el cual har el trabajo de carga
y descarga, y en la seal nos dar el diente de sierra.
I.
OBJETIVOS
II.
MARCO TERICO
Transistor FET:
Ic es igual a x Ib.
Ic = x Ib
2
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R1
2.2k
R2
1k
Q1
Q3
2N3903* 2N3903*
VCC
XSC1
5V
XFG1
R2
1.2k
ESQUEMAS
Q1
2N5557
R2
3.7
C1
10F
2N3903
15V
R1
1k
Resistencias
Potencimetro
Transistor FET
Transistor BJT
Capacitor
VCC
Q1
_
B
Ext Trig
+
R1
130k
Multmetro
Fuente DC
Generador de funciones
Osciloscopio
Sondas
Protoboard
V.
DESARROLLO
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CALCULOS:
Datos:
IDSS=5,16 mA
Vp=2 V
Vcc=5 V
Id=2 mA
Vds=7,5 V
V RD =VccVds
157,5
7,5V
Rd=
7,5
=3,75 k
2 mA
MEDIDO
0,46 V
0,62 V
0,86 V
1,34 V
1,60 V
1,98 V
2,05 V
2,49 V
2,97 V
3,66 V
VOLTAJE (V)
SIMULADO
0,424 V
0,635 V
0,931 V
1,394 V
1,981 V
2,148 V
2,357 V
2,857 V
3,394 V
3,734 V
R vs I
0
0
0
0
0
200
400
600
800
1000
1200
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R vs I
Datos:
0.01
0
=373
0
0
Ic=2 mA
0
0
Vcc=5 V
200
400
600
800
1000
R 1=
VccVbe
Ic
SIMULACIN:
R 1=2,2 k
MEDID
O
0,14 V
SIMULAD
O
0,201 V
150
0,21 V
0,302 V
220
0,31 V
0,442 V
330
0,50 V
0,661 V
470
0,70 V
0,938 V
510
0,74 V
1,017 V
560
0,81 V
1,116 V
680
0,95 V
1,351 V
820
1,12 V
1,623 V
1 K
1,44 V
1,97 V
CORRIENTE (I)
MEDID
O
1,58
mA
1,58
mA
1,36
mA
1,32
mA
1,32
mA
1,30
mA
1,24
mA
1,22
mA
1,18
mA
1,14
mA
SIMULAD
O
2,016 mA
2,014 mA
2,009 mA
2,004 mA
1,997 mA
1,995 mA
1,992 mA
1,987 mA
1,98 mA
1,971 mA
1200
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Rb=
Vbe
Ib
Rb=
0,7
5,361
Rb=130,57
1
1
T= =
=0,01
F 100
Fig. 28 Simulacin de la prueba 10
=10 mA
T =
C=
CALCULOS:
VccIcRcVce=0
IbRbVbe=0
10103
C=
1,25
C=8 F
2,5
=
2103
=1,25 k
Ic= Ib
3
Ib=
210
373
Ib=5,36106
CONCLUCIONES
V GS=0
la corriente en el Drain va
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V GS=0
the
VII.
BIBLIOGRAFIA
[1] http://unicrom.com/fet-de-juntura-o-jfet-transistorefecto-de-campo/
[2] http://unicrom.com/transistor-bipolar-o-bjt-npnpnp/
[3]
http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso0
304/cce/practicas/manuales/osciloscopio/terminos.htm
VIII.
REFERENCIAS
[1]
Roberto L. Boylestad. Teoria de circuitos y
dispositivos electrnicos. Dcima edicin.
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