Integrantes:
Docente:
Ing. Galo Garcia Vidal
Periodo
Mayo 2016 - Septiembre 2016
OBJETIVOS.
Objetivo general.
Objetivo especfico.
MARCO TERICO.
La impedancia compleja del circuito serie de la Fig 8-1 es Z= R + j(L-1/ C)= R + jX.
Dicho circuito entra en resonancia cuando X=0, es decir, cuando L= 1/ C o bien w=
1/= 0. Ahora bien, = 2f, con lo que la frecuencia de resonancia viene dada por:
El circuito paralelo de la Fig 8-3 es un circuito ideal formado por tres ramas con elementos
simples R, L, C. Sin embargo, el anlisis de este circuito presenta un enorme inters en el
estudio general de la resonancia. Este circuito paralelo ideal se puede reducir al circuito
serie que acabamos de ver sin ms que establecer la dualidad completa que existe entre
ambos.
El circuito entra en resonancia cuando la admitancia compleja sea un nmero real. Es decir,
XC /(RC2+XC2)=XL/(RL2+XL2), y
Ecuacin 1
Para conseguir la resonancia se puede actuar sobre cualquiera de las cinco magnitudes que
aparecen en la formula anterior.
Despejando
Ecuacin 2
Por tanto, la pulsacin
O bien como:
Ecuacin 3
Ahora bien, si en esta ecuacin 3 Zc4>4RL2XC2 el circuito entrara en resonancia para L=1/2
ZC2. Si Zc4<4RL2XC2 no existe valor absoluto de L para el cual se presente la resonancia del
circuito dado.
Despejando C en la ecuacin 1 resulta,
Ecuacin 4
En este caso, si ZL4>4RC2XL2 habr dos valores de C para los que el circuito entra en
resonancia.
Despejando RL en la ecuacin 1 resulta,
Ecuacin 5
y si despejamos RC
Ecuacin 6
Si el subradical de la ecuacin 5 o la ecuacin 6, es positivo, existe un solo valor de R L o de
RC para el cual el circuito entra en resonancia.
Factor de calidad Q
El factor de calidad de una bobina, de un condensador, o de un circuito en general se define
por:
Q=2
En los circuitos de la figura 8.6 y 8.7, la energa disipada por periodo es el producto de la
I
potencia media disipada en la resistencia R max/ 2 2 multiplicada por el periodo
T o 1/
7
1
LI
2
max.
Por
tanto
1
I
2
max
1
CV
2
max
C. Por consiguiente,
En la figura 8.8 se representa la intensidad que circula por un circuito RLC en funcin de
o bien mediante un cambio de escala apropiado, en funcin de . En el valor 0 la
intensidad de corriente I0 es mxima. Se han sealado los puntos en los que la intensidad
toma el valor 0,707 del mximo. Las pulsaciones correspondientes son 1 y 2.
mide en hertzios o ciclos por segundo (c.p.s) y se llaman ancho de banda AB.
En estas condiciones, podemos expresar el factor de calidad por la relacin entre la
frecuencia de resonancia y el ancho de banda; es decir:
La pulsacin de resonancia
es la media geomtrica de
En resonancia, las tres ramas del circuito paralelo de la figura 8.9 almacenan una energa
constante.
max
. Es decir,
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Esta ecuacin (3) representa una circunferencia, es decir, el lugar geomtrico de Y es una
circunferencia con centro el punto (1/2RL,0) y radio 1/2RI
A cada punto del lugar geomtrico de Z le corresponde un punto del lugar geomtrico de Y.
Los puntos del lugar de Z por encima del eje R se corresponden con los puntos de la
semicircunferencia por debajo del eje G en el plano Y. Al punto + del lugar de Z le
corresponde el origen del plano Y. Anlogamente, los puntos del lugar geomtrico de Z por
debajo del eje de R se corresponden con los puntos de la circunferencia por encima del eje
G en el plano Y. Al punto - del lugar Z le corresponde el origen en el plano Y. Conviene
observar las posiciones relativas de Z, Y. Las distancias de Y, Z , a los orgenes respectivos
son distintas , mientras que los ngulos que forman con el eje horizontal son iguales y de
signo contrario .
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En el caso de una reactancia inductiva fija y una resistencia variable, como indica la figura
el lugar geomtrico de Z es una semirrecta horizontal situada en el primer cuadrante del
plano Z a una distancia de X = Xl del origen. Por el mismo procedimiento que antes se
obtiene la ecuacin del lugar geomtrico de Y:
El lugar geomtrico de Y es, pues, una circunferencia de centro (0, -1/2X L) y radio de
1/2XL, en el plano Y. Sin embargo, como el lugar geomtrico de Z, en la Fig. 8-11(b), es
una semirrecta del primer cuadrante del plano z el transformado de lugar geomtrico de Z,
para este circuito, es nicamente la semicircunferencia del cuarto cuadrante del plano Y.
En el caso de una reactancia capacitiva fija en serie con una resistencia variable, como
indica la Fig. 8-12(a), el lugar geomtrico de Z es una semirrecta horizontal situada en el
cuarto cuadrante del plano Z a una distancia X= -XC, del origen. Por el mismo
procedimiento que antes se obtiene la ecuacin del lugar geomtrico de Y:
El lugar geomtrico de Y es, pues, una semicircunferencia de centro (0,1/2X C1) y radio
1/2XC1, situado en el primer cuadrante del plano Y.
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Sumando el lugar de Y2 de la segunda rama al punto fijo Y1 se obtiene el lugar de YT, como
muestra la figura 8-13(b).
La intensidad de corriente viene dada por I=VY y, en la Fig. 8-13(c), puede observarse
como al sumar la intensidad fija I1a la corriente variable I2 se obtiene el lugar geomtrico de
la intensidad total. Este diagrama muestra que existen los valores de C para los cuales la
intensidad de corriente total est en fase con la tensin V.
Examinando la Fig. 8-13(c) se desprende como se puede dar el caso de que no exista
ningn valor de C para el que el circuito entre resonancia. Si el radio, 1/2R 2, de la
semicircunferencia del lugar es tal que la curva no corta el eje V, no existir ningn valor de
C que produzca resonancia.
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CONCLUSIONES
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BIBLIOGRAFA:
Circuitos Elctricos (Schawn) Joseph A. Edminister
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ANEXOS.
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