PR04 G11

2016/17
TECNICAS DE SIMULACION AVANZADAS

Practica 4. Modelos, libreras, esquemas jerrquicos
Autor: Jos ngel Salvador Avendao, David Carceln Lpez
TSA Modelos, libreras, esquemas jerrquicos 2
ndice
Prctica 4. Tcnicas de Simulacin Avanzadas

1. TRADUZCA LAS SECCIONES DEL MANUAL DEDICADAS A .SUBCKT X .LIB .MODEL D Q TRAN SIN MEASURE
SW VSWITCH.....................................................................................................................................................4
2. SIMULACIN SIMPLE DE UN POTENCIMETRO ...........................................................................................5
3. MODELO DE POTENCIMETRO EN NETLIST .................................................................................................6
4. MODELO DE POTENCIMETRO EN LIBRERA ...............................................................................................7
5. SIMULACION EN ENTORNO HBRIDO GRFICO-TEXTUAL ............................................................................8
6. IMPLEMENTACIN DE UN SMBOLO ............................................................................................................9
7. IMPLEMENTACIN DE UN SMBOLO CORRESPONDIENTE A UN MODELO DE LIBRERA ...........................12
8. Modelo simple de amplificador operacional. .............................................................................................15
8.1 Netlist del circuito principal de la simulacin. ......................................................................................16
8.2 Calculo manual de la ganancia del circuito. .........................................................................................16
8.3 Ganacia en tension del circuito segn los resultados de la simulacion: ..............................................17
8.4 Principales limitaciones de este modelo de amplificador operacional. ...............................................18
9. Simulacin con amplificador LT1001. .........................................................................................................19
9.1 Niveles de tensin de alimentacin y rango de tensin de salida. ......................................................19
9.2 Ganancia del amplificador en la zona lineal. ........................................................................................21
9.3 Ganancia del amplificador operacional ................................................................................................21
10. Simulacin con macromodelo de operacional .........................................................................................22
10.1 Niveles de tensin y rango de tensin de salida. ...............................................................................23
11. Simulacin de un diodo con parmetros por defecto. .............................................................................24
11.1 El netlist del circuito. ..........................................................................................................................25
11.2 Descripcin del funcionamiento. ........................................................................................................25
11.3 Valor de la cada de tensin en el diodo cuando est en conduccin. ..............................................25
12. Diodo con tensin de ruptura inversa. .....................................................................................................26
12.1 El netlist del circuito. ..........................................................................................................................27

12.2 Valor de la cada de tensin en el diodo cuando est en conduccin. ..............................................27
13. Diodo con red snubber. ............................................................................................................................29
13.1 Netlist del circuito...............................................................................................................................30
13.2 Finalidad de la directica .MEASURE ....................................................................................................30
13.3 Valor medido de la potencia disipada por el diodo, incluyendo la red snubber. ...............................30
13.4 Valores de potencia para distintos valores de condensador de la red snubber ................................31
14. MODELO DE TIRISTOR ..............................................................................................................................32
15. MODELO MEJORADO DE TIRISTOR ...........................................................................................................34
16. DIMMER....................................................................................................................................................37
17. MODELADO ABM ......................................................................................................................................39
18. Modelo ABM de un diodo tnel. ..............................................................................................................42
18.1 EL netilist. ...........................................................................................................................................42
18.2 Importacin del grafico de la caracterstica tensin-corriente del dispositivo. .................................43
19. Valoracin de la prctica. .........................................................................................................................44
20. Directorio de la prctica. ..........................................................................................................................44
1. TRADUZCA LAS SECCIONES DEL MANUAL DEDICADAS A .SUBCKT X .LIB .MODEL D

Q TRAN SIN MEASURE SW VSWITCH
.SUBCKT: Como ayuda para definir un circuito, la circuitera que se vaya a repetir muchas veces en
un diseo, puede ser recogida en una definicin de subcircuito, y ser usada en numerosas ocasiones
en el mismo circuito. Antes de realizar la simulacin, el circuito se expande a un netlist plano
reemplazando cada invocacin del mismo con la circuitera definida en el subcircuito. No hay limite
en el tamao o complejidad de los subcircuitos. La definicin debe concluir con .ENDS
X: Prefijo que hace referencia a que la llamada que vaya a continuacin es a un circuito propio, no a
ninguno predeterminado de SPICE. SPICE lo buscar en el directorio de trabajo, o en alguna librera
indicada mediante el comando .LIB que se explica a continuacin.
.LIB: Esta directiva incluye los modelos y definiciones de subcircuitos de la misma como si estos
hubiesen sido escritos en el propio netlist del circuito en lugar de con el comando .LIB.
.MODEL: Define un modelo para un diodo, transistor, interruptor, lnea de transmisin con prdidas
o lnea RC uniforme. Algunos elementos del circuito como los transistores tienen muchos
parmetros. En lugar de definir todos los parmetros del transistor en cada llamada al mismo, se
agrupan por nombre de modelo y tienen parmetros en comn. Los transistores del mismo modelo
pueden tener diferentes tamaos y comportamiento elctrico escalado al tamao del transistor.
D: Prefijo que indica que el modelo que se va a usar es el de un diodo.
Q: Prefijo que indica que el modelo que se va a usar es el de un transistor.
TRAN: El anlisis transitorio resuelve las ecuaciones diferenciales no lineales del circuito. Los efectos
como la distorsin no lineal, intermodulacin, saturacin, recorte y oscilaciones se pueden modelar
con este anlisis. Las ecuaciones se resuelven por defecto utilizando el punto de trabajo como
condicin inicial
Algunos modificadores que acepta el anlisis transitorio son los siguientes:
UIC: Para especificar las condiciones iniciales.
Steady: Detener la simulacin cuando e ha alcanzado el rgimen estacionario.
Nodiscard: No eliminar la parte transitoria cuando se ha alcanzado el estado estacionario.
Startup: Resolver el punto de operacin con independencia de las fuentes de tensin y corriente.
Step: Calcular la respuesta a una entrada escaln del circuito.
SIN: EL sin(x) es el seno de X.
.MEASURE: Hay dos tipos bsicos de declaraciones de .MEASURE. Estas se refieren a un punto a lo
largo de la abscisa (variable independiente dibujada a lo largo del eje horizontal, por ejemplo, el eje
de tiempo en un anlisis .TRAN) y declaraciones de .MEASURE que se refieren a un rango sobre el eje
horizontal. La primera versin, que se realiza punto a punto de la abscisa, se usan para imprimir un
valor o una expresin de l en un punto especificado cuando se cumple una condicin. El otro tipo
de declaracin de .MEAS se refiere a un rango sobre la abscisa.
SW: EL SW es un componente de la librera por defecto de LT Spice que se comporta como un
interruptor controlado por tension.
VSWITCH: Es un modelo de SW incluida en las libreras de SPICE con el que se puede simular y
modelar algunos de sus parmetros.
2. SIMULACIN SIMPLE DE UN POTENCIMETRO
Simularemos un potencimetro cargado puramente con el esquemtico para ver su comportamiento y

compararlo con el resto de simulaciones mediante subcircuitos, libreras, smbolo, etc.
Como resultado de la siguiente simulacin obtenemos:
No tiene un comportamiento lineal puesto que el valor de la resistencia RAB del potencimetro no es
despreciable frente a la carga aplicada.
3. MODELO DE POTENCIMETRO EN NETLIST
En este apartado, realizaremos la misma simulacin anterior, con la salvedad de que no usaremos
esquemtico, sino que incluiremos la definicin del potencimetro como subcircuito dentro del propio
netlist del circuito general. El netlist escrito es el siguiente:
.SUBCKT potenciometro a b c PARAMS: RAB=1k cursor=0.5

RAC a c {RAB*cursor+0.001}
RCB c b {RAB*(1-cursor)+0.001}
.ENDS
V1 1 0 10
Xpot 0 1 2 potenciometro PARAMS: RAB=22k cursor={micursor}
R1 2 0 10k
.PARAM micursor=0.1
.STEP param micursor 0 1 0.01
.OP
.END
Obtenemos el siguiente resultado de simulacin:
Como vemos, obtenemos exactamente el mismo resultado que obtuvimos con el .asc, como era de esperar.
4. MODELO DE POTENCIMETRO EN LIBRERA
Introducir los subcircuitos recurrentes en algunos diseos en un archivo de libera .lib, puede sernos de gran
utilidad, pues reduciremos la complejidad del netlist del circuito principal, adems de que tendremos mayor
claridad, tanto en la librera, como en el archivo principal; ya que podremos distinguir entre el propio
circuito, y nuestros subcircuitos. Bien, el archivo de librera, el cual hemos llamado pr04.lib es el siguiente:
* LIBRERIA para la practica 4

* Pedro J. Morales. Octubre, 2006
* POTENCIOMETRO
.SUBCKT potenciometro a b c PARAMS: RAB=1k cursor=0.5
RAC a c {RAB*cursor+0.001}
RCB c b {RAB*(1-cursor)+0.001}
.ENDS
Este es el contenido de nuestra librera. La insertamos en el netlist mediante la sentencia .lib, como vemos a
continuacin:
* TSA. Modelos y librerias.

* Pedro J. Morales.
* Seccion 2. Modelo de potenciometro definido en una libreria.
.LIB pr04.lib
V1 1 0 10
Xpot 0 1 2 potenciometro PARAMS: RAB=22k cursor={micursor}
R1 2 0 10k
.PARAM micursor=0.1
.STEP param micursor 0 1 0.01
.OP
.END
Como era de esperar, obtenemos el mismo resultado de las simulaciones anteriores, pues lo que estamos
haciendo, es simular lo mismo de distintas maneras.
5. SIMULACION EN ENTORNO HBRIDO GRFICO-TEXTUAL
En el entorno hbrido grfico-textual prescindiremos del smbolo del componente, en este caso,
potencimetro, pues se indicar mediante texto. En su lugar, nombraremos los nudos en los que ir
conectado e introduciremos el componente previamente definido en un archivo de librera (.lib). Al ser este
un componente propio creado por el usuario, se llamar como anteriormente con la letra X al principio,
haciendo entender a SPICE que el circuito que se usar no es propio de las libreras del simulador. Al
potencimetro se llamar mediante una directiva, como si de una directiva de simulacin se tratase,
aadindola directamente en el archivo .asc del apartado como vemos a continuacin:
Cuando le digamos al simulador que lleve a cabo la simulacin indicada, obtendremos el siguiente resultado:
Como vemos, sigue correspondiendo con todas las simulaciones anteriores, pues este mtodo es otra
manera de realizar la misma simulacin.
6. IMPLEMENTACIN DE UN SMBOLO
Cualquier smbolo y el subcircuito que le corresponde, diseado en un fichero .asc deben tener el mismo
nombre, aunque con sus correspondientes extensiones (.asy para el smbolo, .asc para el subcircuito).
Primeramente, disearemos el smbolo grfico desde el comando File -> New Symbol. Diseamos el smbolo
del potencimetro mediante este entorno grfico, quedndonos un smbolo tal como el siguiente:
Es importante tener en cuenta el orden de colocacin de los nudos, pues se asignar el nmero
correspondiente a su colocacin, es decir, si colocamos primero el nudo a, ste ser el nudo 1 a la hora de
referenciarlo a un archivo .asc o .lib. En definitiva, en este apartado usamos un archivo .asc del mismo
nombre que el archivo de smbolo .asy para referirnos al funcionamiento del smbolo. El esquema diseado
para el potencimetro es el siguiente:
Cuyo NETLIST es el siguiente:
R1 b c {Rab*(1-cursor)+0.001}
R2 c a {Rab*cursor+0.001}
.backanno
.end
Cmo introduciremos este modelo en el circuito principal? Bien, nos hacemos nuestro esquemtico con el
circuito principal en el que queramos introducir el modelo creado de potencimetro. Clicaremos en aadir
componente, y tendremos que tener en cuenta lo siguiente:
Tendremos que tenerlo todo guardado en el mismo directorio en el que estemos trabajando, como puede
ser obvio, y seleccionar nuestro propio directorio, donde encontraremos sin problema nuestro modelo,
como se aprecia en la figura superior.
Con todo esto, diseamos nuestro circuito principal ya con nuestro smbolo implementado, de la siguiente
manera:
Pasamos los parmetros al potencimetro mediante las sentencias .param. El NETLIST generado por SPICE
en el circuito principal es el siguiente:
V1 N001 0 10V
XX1 0 N001 N002 pot
R1 N002 0 10k
* block symbol definitions

.subckt pot a b c
R1 b c {Rab*(1-cursor)+0.001}
R2 c a {Rab*cursor+0.001}
.ends pot
.param Rab=22k cursor={micursor}

.param micursor=0.1
.step param micursor 0 1 0.01
.op
.backanno
.end
Como podemos ver en el NETLIST, introduce el potencimetro como un subcircuito llamado pot, con los
nudos a, b y c. Esto es importante por lo dicho anteriormente del orden de colocacin de los nudos, pues
esto podra llevarnos a colocacin incorrecta en el NETLIST, aunque parezca una correcta colocacin en el
esquemtico.
Realizando la simulacin, obtenemos el siguiente resultado:
Obtenemos el mismo valor de simulacin que en el resto de simulaciones, por lo que nuestra
implementacin del smbolo ha sido correcta.
7. IMPLEMENTACIN DE UN SMBOLO CORRESPONDIENTE A UN MODELO DE

LIBRERA
Consiste en asignar a nuestro smbolo creado, un archivo de librera, tambin creado por nosotros, en el que
el propio simulador busque el modelo de subcircuito definido para el potencimetro, sin necesidad de
indicrselo nosotros mediante algn .asc o sentencias .subckt en el NETLIST principal. Modificaremos los
atributos del smbolo abriendo el archivo .asy con LTSpice, y ah clicaremos en Edit -> Attributes -> Edit
Attributes donde nos encontraremos el siguiente men:
Muy importante tratar la imagen anterior. Es de vital importancia que en el apartado Prefix aparezca la letra
X, haciendo referencia a que el modelo ser tomado de un subcircuito o una librera propia del usuario, en
caso contrario, el simulador arrojar errores y no llevar a cabo la simulacin. Por otra parte, aadimos en
ModelFile el archivo de librera en el que se encuentra el potencimetro. En el apartado SpiceModel
introduciremos el nombre del modelo, en nuestro caso, potenciometro. Aadiremos la palabra PARAMS:
para indicar, a continuacin, los parmetros que regirn el funcionamiento de modelo. Estos los indicaremos
en los apartados Value y Value2. Ahora con el smbolo asignado a la librera, disearemos el siguiente
circuito principal mediante un archivo .asc:
Cuyo NETLIST es:
V1 N001 0 10V
R1 N002 0 10k
XU1 0 N001 N002 potenciometro PARAMS: Rab={Rab} cursor={micursor}
.param Rab=22k cursor={micursor}
.param micursor=0.1
.step param micursor 0 1 0.01
.op
.lib pr04.lib
.backanno
.end
Realizamos la simulacin y obtenemos el siguiente resultado:

Como podemos ver, esta grfica ya no se corresponde con las anteriores, si no que obtenemos una tensin
que parece lineal con la variacin del cursor, como si el potencimetro no estuviese cargado. Por qu pasa
esto? Bien, todo radica en los atributos del componente creado por nosotros. Si hacemos click derecho en el
smbolo del potencimetro sobre el esquema, podremos ver lo siguiente:
Tras muchas pruebas, nos dimos cuenta que el potencimetro tomaba el valor Rab=1k siempre,
independientemente de que le indicsemos un valor distinto mediante la sentencia .PARAM Rab=22k.
Este error lo solventamos igualando, en este editor, Rab={Rab}, de manera anloga a como se hace con la
variable cursor, como indicamos en la siguiente imagen:
Una vez editado este parmetro, realizamos la simulacin, con las mismas directivas que indicamos en la
figura del esquemtico, obteniendo el siguiente resultado:
Ahora s que podemos deducir que tenemos bien realizada la simulacin. Antes nos sala lineal porque se
consideraba un potencimetro de 1k, frente a una carga de 10k, por lo que la variacin de tensin en el nudo
c del potencimetro producido por la carga era despreciable y se obtena un divisor de tensin casi ideal. Al
equiparar el valor del potencimetro con la carga, como es el caso del potencimetro de 22k, junto a la
carga de 10k, no es despreciable, por lo que, como vemos, ya no obtenemos la tensin lineal en el nodo c.
8. Modelo simple de amplificador operacional.
En modelo ms simple de amplificador diferencial que podemos implementar es mediante una fuente de
tensin controlada por tensin con una ganancia elevada.
Se simula el modelo de operacional opmod1 que est incluido en la librera pr04.lib.
El subcircuito opmod1 se adjunta acontinuacion:
.SUBCKT opmod1 in1 in2 sal

Eop sal 0 in1 in2 20k Fuente de tensin de valor 20k (in1-in2) V, entre los nodos sal y 0.
.ENDS
Se dibuja el simbolo del operacional opmod1 de forma analoga a como se habia hecho con el
potenciometro, y se le asignan los corespondientes atributos.
Se dibuja el esquema electrico de un amplificador inversor, utilizando el opmod1 como operacional.
8.1 Netlist del circuito principal de la simulacin.
El netlist del circuito que se observa en la figura

es:
V1 ent 0 1V
R2 N001 ent 1K
R1 sal N001 10k
R3 sal 0 1k
XU1 N001 0 sal opmod1
.step V1 -2 2 0.1
.op
.lib pr04.lib
.backanno
.end
8.2 Calculo manual de la ganancia del circuito.

Se calcula la ganancia del circuito amplificador, aplicando las dos leyes de kirchoff y tomando la
consideracin de que el amplificador operacional es ideal, es decir, resistencia de entrada infinita y
resistencia de salida nula:
- De acuerdo al principio de tierra virtual en el OPAM, la tensin en V (+) = V (-) = 0V.

0
- Por lo tanto la intensidad que circula por el generador es 1 = 1 = 1
2 2
1
- La tensin de la resistencia 1 se calcula como 1 = 1 1 = 2
1

- La tensin en el nudo de salida ser = () 1 = 0 1 = 1 1
2

- La ganancia en tensin del circuito calculada como =
= 1
=

8.3 Ganacia en tension del circuito segn los resultados de la simulacion:
De forma manual se haba calculado en el apartado anterior que la ganancia para un amplificador no
inversor es:
1 10
= = =
2 1
Al representar el circuito se tiene en la ganancia:
()
El valor que devuelve la simulacin al calcular = () es de . / . Se comprueba que por lo
tanto que el valor terico coincide con el valor de la simulacin.
8.4 Principales limitaciones de este modelo de amplificador operacional.
El modelo da como resultado de la simulacion el comportamiento de un operacional ideal, donde la

resistencia de entrada es infinita, la resistencia de salida es nula.
La tension de salida no esta limitada como puede estarlo un operacional real, porque el modelo con el que
se ha simulado el comportamiento de una operacional es una fuente de tension dependendiente
multiplicada por una ganancia, resulta un poco burda la simulacion, pues la tension de salida del operacional
no debiera ser mayor que la tension de alimentacin.
Ademas como el modelo esta formado por una fuente de tension ideal, se puede cargar la salida del
operacional con cualquier valor de carga sin alterar el comportamiento del operacional, este efecto junto
con los anteriores descritos hacen que el operacional no tenga un comportamiento fiel al de un operacional
real.
Este modelo tan simple puede ser util para diseos donde se requiera el comportamiento de un OPAM ideal,
sin importar que el resultado no sea exactemente el mismo en la realidad.
9. Simulacin con amplificador LT1001.
En este apartado se usara como operacional el modelo LT1001 que suministra el fabricante para realizar el
amplificador inversor.
El circuito es el mismo que el apartado anterior pero en esta ocasin el operacional tiene pines de
alimentacin.
9.1 Niveles de tensin de alimentacin y rango de tensin de salida.

La tensin de alimentacin del amplificador operacional LT1001, es de +/- 15V, se comprueba en las hojas
del fabricante, por lo tanto al hacer el barrido de la fuente de tensin, el amplificador debera saturar para
valores de salida superiores e inferiores a la tensin de alimentacin, sin embargo se trata del modelo real
del fabricante y existe una ligera cada de tensin a la salida.
- Para saturacin positiva -> Vsalida = 13.54 V

- Para saturacin negativa -> Vsalida = -13.54V
El rango de variacin de tensin a la salida es por lo tanto [-13.54 , 13.54] V.
Y el rango de variacin de tensin que puede tomar la entrada para que la salida no sature, con una ganancia
del circuito de -10 V/V, debiera ser de [-1.5,1.5] V , no obstante como estamos ante un modelo de un
componente real, s que el rango es [-1.399,1.399] V.
9.2 Ganancia del amplificador en la zona lineal.
La ganancia en la zona lineal debiera estudiarse en el operacional para los valores comprendidos entre -1.5V
y 1.5 V de la fuente de tensin de entrada, sin embargo a pesar de que es un modelo bastante cercano a uno
real, la ganancia no comienza a ser lineal hasta el intervalo [-1.3 , 1.3] V.

Para valores de zona lineal la ganancia de tensin es = 9.99 ,

9.3 Ganancia del amplificador operacional

La ganancia del operacional en lazo abierto se calcula como = ( .
+ )
En la grfica se observa que para valores de tensin en la entrada por encima y debajo de la tensin de
alimentacin no amplifica (G = 0), y para valores comprendidos en la zona lineal la ganancia del amplificador
es de -720K V/V.
Como es un amplificador de instrumentacin la ganancia es alta y como tiene una topologa no inversor la
ganancia es negativa.
Para una tensin de entrada de 0V, no hay tensin de salida amplificada, sin embargo en la representacin la

funcin tiene a infinito debido al clculo de la ganancia como el cociente de la divisin de ( donde el
+ )
denominador (+ ) = 0.
10. Simulacin con macromodelo de operacional
Una vez observado un modelo de operacional ideal, y un modelo de operacional que facilita el fabricante
muy cercano al componente real, en este apartado se propone generar un macromodelo, es decir, generar
un modelo para obtener resultados tan prximos a los datos reales.
Al introducir este modelo en LTSPICE ha dado problemas debido a que como atributo no se seleccion Prefix
= X, esto produjo que simulador no encontrase el fichero .asc asociado al icono .asy.
Se explica a continuacin el esquemtico realizara el comportamiento funcional de un operacional.
En este esquemtico se intenta emular el comportamiento de un operacional, la fuente de tensin

dependiente E1 multiplica la diferencia entre el terminal positivo y negativo por una ganancia de 20k.
La fuente de tensin E2 es una fuente dependiente de tensin, esta fuente junto con la resistencia R2
conforman la etapa de salida, la finalidad de E2 es asilar el circuito de los terminales de salida. La fuente con
ganancia unidad se comporta como un bfer de forma que al cargar la salida, es decir, al sacarle corriente, el
circuito fije siempre una tensin constante a la salida.
EL circuito recortador de la rama D1, fija la tensin a la salida en 15V cuando el diodo D1 comienza a
conducir, esta condicin se produce cuando la fuente E1 suministra ms de 15V y por lo tanto 1 > 0.
De forma anloga el circuito recortador de la rama D2 fija la tensin a la salida en -15V cuando el diodo D2
comienza a conducir, esta condicin se produce cuando la fuente E1 suministra menos de 15 V y por lo tanto
2 > 0.
Estos circuitos recortadores simulan el comportamiento del operacional en saturacin y la tensin de salida
en el operacional es la tensin de alimentacin.
La resistencia R1 sirve para no cortocircuitar la fuente E1 porque se quedara en cortocircuito si conduce

alguna de las ramas del diodo.
La resistencia R2 es la resistencia de salida, que para modelos de opam de propsito general suele ser de
entorno a 75 ohms.
Los distintos modos de operacin de este circuito son:
- Opam en zona lineal : (1 2 ) 20 ignorando la cada de tensin en R1.

- Opam en saturacin positiva 1 = 15 ignorando la cada de tensin en el diodo D1.
- Opam en saturacin negativa 2 = 15 ignorando la cada de tensin en el diodo D1.
10.1 Niveles de tensin y rango de tensin de salida.
Los circuitos recortadores limitan la tensin de salida del opam a 15 V, los diodos escogidos para el circuito
recortador que son ideales, y la resistencia de salida del operacional hace que sature un poco antes de los
15V.
El rango de tensin de salida es [14.62, -14.62] V.

El resultado que obtenemos al representar la ganancia es muy parecido al obtenido para un modelo
comercial de LTSpice, consiste en una zona de no linealidad y una ganancia de -10 V/V para el margen lineal.
11. Simulacin de un diodo con parmetros por defecto.

El simulador LTSpice tiene implementados en el cdigo fuente distintos modelos que pueden ser utilizados
nicamente modificando los valores que se requieran.
En este ejemplo se utiliza un tipo de diodo del modelo D de LTSpice, con los valores por defecto del mismo.
Se utiliza una fuente con una forma de onda

definida por una funcin temporal que
especifican los argumentos.
La entrada es una onda triangular con mximos

en 5V y de offset nulo.
Se realiza un anlisis transitorio para un periodo

y se estudia el comportamiento del diodo tipo D.
11.1 El netlist del circuito.

V1 n1 0 PWL 0 0 10m 5 20m 0 30m -5 40m 0
D1 n1 n2 adcacDIODO Definicin del diodo
R1 n2 0 100 Modelo del diodo utilizado
.model D D Librera donde est definido el comportamiento
.lib C:\Program Files (x86)\LTC\LTspiceIV\lib\cmp\standard.dio del modelo del diodo utilizado.
.model adcacDIODO D
.tran 0.1m 40m
.backanno
.end
11.2 Descripcin del funcionamiento.
La fuente V1 genera una onda triangular, cuando la tensin de la fuente supere la tensin umbral del diodo
que est definida en el modelo por defecto, el diodo conducir dejando pasar la corriente entre sus
terminales y prcticamente toda la tensin del generador V1 excepto una ligera cada de tensin en el diodo
polarizar los terminales de la resistencia.
11.3 Valor de la cada de tensin en el diodo cuando est en conduccin.
Se representa la entrada y la tensin en la resistencia R1.
El valor de tensin umbral en el diodo para el que empieza a conducir es de 563.4mV

La cada de tensin del diodo en conduccin es de entorno 0.74 mV, se observa como el diodo tarda
un poco en entrar en conduccin hasta que supera la tensin umbral y tambin se puede comprobar en la
grfica como el diodo deja de conducir cuando la tensin de entrada cae por debajo de la tensin .
12. Diodo con tensin de ruptura inversa.
En este apartado utilizaremos el mismo modelo general de diodo pero particularizando para la tensin de
ruptura en inversa.
Se modifica el parmetro para asignar una tensin de ruptura inversa de 10V.
Ahora la onda triangular tiene una amplitud

de 20 V
Se realiza un transitorio de un periodo.
Se aade el parmetro BV a la directiva

.model
12.1 El netlist del circuito.
V1 n1 0 PWL 0 0 10m 20 20m 0 30m -20 40m 0

D1 n1 n2 adcacDIODO Definicin del diodo
R1 n2 0 100
.model D D Modelo del diodo utilizado
.lib C:\PROGRA~2\LTC\LTSPIC~1\lib\cmp\standard.dio Librera donde est definido el comportamiento
.model adcacDIODO D BV=10 del modelo del diodo utilizado.
.tran 0.1m 40m
.backanno
.end
12.2 Valor de la cada de tensin en el diodo cuando est en conduccin.
Cuando la tensin inversa en el diodo supera los -10V, el diodo entra en avalancha y comienza a conducir en
inversa.
La tension en bornes del diodo crece junto con el valor de la fuente V1 para valores negativos, cuando llega
al valor de tension de ruptura el diodo fija la tension entorno a la tension de ruptura -10.52V.
Por lo tanto es -10.52V la caida de tension del diodo en conduccion inversa.

Aunque el diodo fija la tension en sus terminales el valor de la corriente que circula por la rama crece hasta
que la fuente V1 alcanza el maximo, por lo tanto el diodo comienza a disipar cada vez mas potencia.
El diodo que trabaja con tension de ruptura inversa se denomina diodo zener y a la hora de dimensionar un
cirucito se debe considerar la potencia que debe ser capaz de disipar.
13. Diodo con red snubber.
En un circuito con carcter inductivo se produce una sobretensin en el circuito debido a la conmutacin de
la bobina.
En un circuito RL como es el que se estudia en este caso, en ausencia de circuito de proteccin snubber, se
obtiene una sobre oscilacin en conmutacin con la siguiente respuesta:
Unas oscilaciones muy prximas entre s, aunque se atena la amplitud de aproximadamente 19V, estos
rebotes tan rpidos en apenas centenas de milisegundos pueden deteriorar algn dispositivo del circuito.
A continuacin se analiza la respuesta del circuito con red snubber, donde la capacidad del condensador es
de 10nF.
La amplitud de la onda ha disminuido, el mximo en este caso es de entorno 12V, esta onda tambin se
atenua pero de forma prolongada en el tiempo, la perturbacin se extingue en 0,2 milisegundos, mucho ms
lenta que en el caso de circuito sin red snubber.
Queda probada por lo tanto la eficiencia de la red snubber contra sobretensin.

13.1 Netlist del circuito

El subcircuito utilizado como red snubber es el que se adjunta en la prctica y el netlist se cita a
continuacin.
TSA. Rectificacin con diodo de potencia
.LIB pr04.lib
* Circuito
V1 1 0 SIN 0 {220*1.4142} 50 ; tension de red 220Vef/50Hz

XD1 1 2 Dsnub1
RL 2 3 10
L1 3 0 2m
.MEASURE TRAN potencia_med AVG {(V(1)-V(2))*I(L1)}
* Simulacion
.TRAN 0.01m 11m 9m
.PROBE
.END
13.2 Finalidad de la directica .MEASURE
Con la directiva .measure podemos en un anlisis transitorio buscar en los ejes X e Y un valor determinado
para el que se cumple las especificaciones que se desean.
En este netlist la directiva .measure que se introduce es la siguiente:
.MEASURE TRAN potencia_med AVG {(V(1)-V(2))*I(L1)}
Que viene a decir a LT Spice que apara el anlisis transitorio que se realiza calclese el valor medio de la
potencia disipada en el diodo, incluyendo la red snubber.
13.3 Valor medido de la potencia disipada por el diodo, incluyendo la red snubber.
EL valor medio de la potencia calculado con la potencia disipada por el diodo se encuentra en el fichero .log
AVG((v(1)-v(2))*i(l1))=1.68887
El valor medio de la potencia en el diodo, sin capacitancia en la red snubber es de :
AVG((v(1)-v(2))*i(l1))=1.66515 W
Es decir la potencia que disipa el diodo con el sistema de proteccin es prcticamente insignificante en
comparacin con la ventaja que supone para atenuar las sobreoscilaciones producidas por la bobina.
13.4 Valores de potencia para distintos valores de condensador de la red snubber

Para C = 1
AVG((v(1)-v(2))*i(l1))= 3.98552 W
La sobreoscilacin generada por la bobina es nula en la conmutacin, el efecto de la red snubber es

prcticamente perfecto, no obstante al calcularse la potencia para el diodo y su conjunto la potencia
aumenta hasta casi 4W que deben poder disiparse.
Para C = 1
Para un condensador ms pequeo el efecto de la red subber es peor, sigue habiendo componentes
bastantes grandes de rebote en la conmutacin, pero las oscilaciones son ms lentas en el tiempo que sin
una red snubber. AVG((v(1)-v(2))*i(l1) =1.66753W
Concluyendo, se puede afirmar que un circuito de proteccin de red snubber es crucial para suavizar la
sobretensin de la bobina a lo largo del tiempo. Cuanto ms grande sea el valor de la capacitancia mejor
resultado se obtiene, es decir, menor amplitud de los rebotes y mejor distribucin en el tiempo de los
mismos, sin embargo el equipo de proteccin debe estar ms capacitado para disipar ms potencia.
Efecto contrario ocurre para valores de condensador pequeos, donde la potencia no crece excesivamente
pero el suavizado de los rebotes es ms tenue.
La mejor opcin es encontrar el equilibrio entre ambos parmetros, en este caso para C = 10 se obtienen
resultados aceptables.
14. MODELO DE TIRISTOR
En este apartado, usaremos el modelo de tiristor que nos viene definido en la librera pr04.lib en el anexo a
esta prctica. El modelo del tiristor puede representarse como el siguiente esquema elctrico:
Como vemos, el tiristor se modela con un interruptor controlado por tensin emulando la puerta, y un diodo
en serie, que conducir slo cuando haya seal en la puerta, y su tensin andica sea mayor de la tensin de
conduccin del diodo, dependiendo qu modelo de diodo utilicemos, con respecto a la catdica. Cuando la
tensin de puerta cese, el tiristor dejar de conducir, cosa que no se corresponde con la realidad, pues para
que el tiristor real deje de conducir, debe cesar la tensin nodo-ctodo. En conduccin inversa, no debe
conducir pese a tener impulsos de puerta positivos, pues tendramos un diodo polarizado en directa.
El NETLIST del circuito principal de la simulacin, en el que introduciremos nuestro modelo es el siguiente:
* Fuente de control de puerta

Vtrig g 0 PWL 0 0 2.9m 0 3m 1 13m 1 13.5m 0 16.9m 0 17m 1 17.5m 1 17.6m
+ 0 34.9m 0 35m 1 45m 1 45.5m 0
* Fuente de potencia
Vred 1 0 SIN 0 {220*1.4142} 50
Xtir 1 2 g tiristor
Rl 2 0 100
.lib pr04.lib
.TRAN 0.1m 60m
.PROBE
.END
Este circuito se basa en una fuente de seal senoidal de 220V de valor eficaz a 50 Hz, conectado al nodo de
un tiristor, cuyo modelo hemos explicado anteriormente. Del ctodo del tiristor, se conecta una resistencia
de carga Rl de 100 ohmios, y de ah al nudo de masa de referencia. Este circuito est complementado con
una fuente generadora de seal PWL, que ser la fuente que controlar los impulsos de puerta. Como
podemos ver en la simulacin siguiente, y debido al modelo de tiristor utilizado, el tiristor entrar en
conduccin cuando tenga un impulso por la puerta:
Este tiristor conduce debido a que se ha activado el SWITCH de su modelo mediante el impulso de puerta, y
comienza a conducir el diodo, con la cada tpica de unos 0.7V. El tiristor conducir, dejando pasar la seal de
la fuente senoidal a la carga (puesto que V(2) es la tensin en la carga) siempre que exista un impulso de
puerta positivo. Cuando el impulso cesa, el SWITCH se cierra y deja de conducir. De igual manera cuando el
diodo se encuentre en polarizacin inversa. Sin embargo, encontramos unos picos de conduccin a pesar de
tener el modelo de diodo en el modelo de transistor polarizado en inversa. Esto se debe a un error en SPICE,
que trata de entrar el diodo en conduccin, aunque acto seguido cesa la misma. Este problema en la realidad
no sucede, pues el diodo nunca conducir en inversa a no ser que se supere la tensin de ruptura y se
alcance el efecto avalancha. Por lo dems, vemos lo adelantado anteriormente.
15. MODELO MEJORADO DE TIRISTOR
En este apartado, usaremos un modelo mejorado del tiristor usado en el apartado 14. Este modelo se
asemeja ms al modelo real, como que ahora seguir conduciendo pese a que cese el impulso de puerta. El
NETLIST del modelo mejorado es el siguiente:
.SUBCKT scr 101 204 PARAMS: Tdelay=1m ICgate=0V pulseWidth=0.5ms

+ period=20ms
*Power Electronic Simulation & Education by N. Mohan
SW 101 102 53 0 SWITCH
Lxx 103 204 1uH
Vsense 102 103 0V
Rsnub 101 104 200
Csnub 104 103 1uF
Vgate 51 0 PULSE 0 1V {Tdelay} 0 0 {pulseWidth} {period}

Rgate 51 0 1MEG
Egate 52 0 TABLE {I(Vsense)*30 + V(51)} = (0,0)(0.1,1.0)(1.0,1.0)
Rser 52 53 1
Cser 53 0 1uF IC={ICgate}
.MODEL SWITCH VSWITCH RON=0.01
.END
Para verlo ms claro, lo dibujamos en forma de esquema:
Quiz con el esquema se vea algo ms ambiguo. En este modelo de tiristor, ya llamado como SCR, tenemos
el nodo en el nudo 101 y el ctodo en el nudo 204. Este modelo de tiristor no tenemos acceso al terminal
de puerta, pues est predeterminado para enviar pulsos por la puerta, pasando como parmetros el tiempo
de disparo (Tdelay) el ancho del pulso (pulseWidth) y el periodo (period). La fuente de tensin Vsense es una
fuente de tensin de 0V que se encarga de detectar si hay corriente o no por el SCR, para controlar el
impulso por puerta del switch
Si realizamos una simulacin, usando el siguiente NETLIST:
TSA. Tiristor
.lib pr04.lib
*Circuito
V1 1 0 SIN 0 {220*1.4142} 50 ; TENSION DE RED 220Vef/50Hz
Xtr1 1 2 scr PARAMS: Tdelay=3m
RL 2 3 10
L1 3 0 2m
*Simulacion
.TRAN 0.1m 80m
.PROBE
.END
Como vemos, tenemos un modelo ms semejante a la realidad de tiristor. Ese pico de conduccin inversa en
el cambio de la seal de positiva a negativa, se debe a la inductancia del modelo, pues como sabemos, la
inductancia mantiene la corriente fluyendo durante un breve periodo de tiempo hasta que deja de conducir
totalmente. En este modelo, al no tener diodos en el mismo, se debe a que la bobina mantiene un cierto
nivel de corriente, que hace que no se anule la seal de activacin del switch hasta un pequeo tiempo. Este
tiempo depender del valor de la inductancia considerado. En este caso, al tener una inductancia de 1 uH, la
conduccin inversa se da un breve instante de tiempo.
16. DIMMER
El circuito dimmer lo tenemos disponible en la seccin de ejemplos de LTSpice. En ejemplos educacionales.

Es un diseo de un regulador de potencia para lmparas de incandescencia, muy usado en la realidad. Este
diseo del ejemplo, como podemos ver, est diseado para EEUU, debido a que se realiza con una
frecuencia de red de 60Hz. Con esta simulacin pretendemos ver las curvas de potencia entregada a la carga
para distintos valores de la resistencia Rdim, que normalmente ser un potencimetro que nosotros
podremos modificar a nuestro libre albedro para ajustar la intensidad lumnica a nuestro gusto. El esquema
del atenuador electrnico es el siguiente:
Como vemos, V1 ser la entrada de seal de red, en este caso de una seal senoidal de valor eficaz
aproximadamente 120V a 60 Hz. Rdim controlar el momento en el que el TRIAC se dispara mediante el
DIAC. El condensador C1 se cargar con mayor o menor velocidad, dependiendo de su constante de carga
que, como sabemos, depende directamente de R1 y de la propia C1. A valores menores de R1, el
condensador se cargar ms rpidamente, y el disparo del TRIAC suceder antes, aportando as mayor
tiempo seal a la carga, lo cual se traducir en mayor potencia, y, por tanto, mayor intensidad lumnica.
En la segunda parte del circuito, B1 ser un generador de tensin que, en realidad, estar generando
potencia. La potencia ser proporcional a la tensin entre A y B, que es donde tenemos la carga, adems
consideramos la corriente por la misma, por lo que, es una fuente que en realidad, est simulando la
potencia entregada a la carga. Esta parte est cargando un condensador mediante una constante RC
predeterminada. Esta carga y descarga del condensador, simula la inercia trmica de la lmpara de
incandescencia, pues, como sabemos, este tipo de lmparas mantienen durante un breve periodo de tiempo
la luz del filamento. Este condensador en carga y descarga simula este efecto de enfriamiento y
calentamiento del filamento, para darnos una idea de la cantidad de luz que emite la lmpara con dichas
condiciones.
Realizamos la simulacin de este diseo, y vemos el siguiente resultado:
Analizamos la tensin en el nudo loadpower, o lo que es lo mismo, la potencia de la lmpara. Como vemos,
para el primer valor de Rdim de la lista de la simulacin, que es 1k, obtenemos la mxima potencia en la
lmpara, por aquello que explicamos de la constante de carga del disparo del TRIAC. Para el valor ms alto,
la potencia es prcticamente nula.
Nos planteamos ahora, usar este mismo diseo para un red elctrica Europea, de 220V/50Hz. Lo primero
que haremos, ser adecuar la fuente de entrada senoidal a la red elctrica europea, y simular el circuito para
ver su comportamiento:
Como es apreciable, el comportamiento del circuito es errneo, pues para un rango de valores de Rdim
bastante amplio, la potencia instantnea entregada a la carga apenas vara. Tendremos que configurar el
valor del condensador para configurar correctamente el disparo del TRIAC y que este esquema se parezca en
funcionamiento al diseado por el apartado de ejemplos proporcionado en dimmer.asc
Si hacemos varias pruebas, variando el valor de C1, veremos que obtenemos una respuesta muy parecida a
la original, con nuestra tensin de 220Vef/50Hz, usando un valor C1=0.14uF. Vemos aqu la respuesta
obtenida:
Como vemos, la respuesta es prcticamente igual a la del esquema ejemplo de dimmer.asc
17. MODELADO ABM
Mediante este modelado, se especifican fuente de corriente y tensin, cuyo valor se especificar mediante
expresiones matemticas. De esta manera, podemos modelizar dispositivos o fuentes de seal de manera
sencilla, mientras que con otro modo seran muy complejos de modelizar.
Modelizamos en este ejemplo un multiplicador de seal. Lo realizamos mediante un generador de tensin,

cuyo valor ser el producto de otras dos fuentes de tensin, V1 y V2, de 150 y 25Hz, respectivamente.
Ambas fuentes de amplitud 1. Trabajaremos sobre este NETLIST:
TSA. Multiplicacion de dos seales

* Fuentes de seales
V1 1 0 SIN 0 1 150Hz
R1 1 0 1k
V2 2 0 SIN 0 1 25Hz
R2 2 0 1k
* Multiplicador
Emult 3 0 VALUE={V(1,0)*V(2,0)}
.TRAN 0.1m 200m
.PROBE
.END
Realizamos la simulacin de este NETLIST, trazando las tensiones V1, V2 y V3:

Como vemos, la tensin V3, es producto de la tensin V1 y V2. Trazamos ahora las transformadas de Fourier
de las seales, mediante el men View-> FFT, donde obtenemos las siguientes grficas:
Vemos que la correspondiente componente espectral de la tensin V1, corresponde a la frecuencia del
generador sinusoidal V1, de 150Hz. Veamos que sucede exactamente lo mismo con V2:
Como vemos, tenemos la componente de 25 Hz, correspondiente a la frecuencia del generador.
Usando la trigonometra, sabemos que:
1
cos() cos() = [cos( + ) + cos( )]
2
Por tanto, como cabe de esperar, al realizar la transformada de Fourier, obtendremos dos componentes
espectrales, una de 125Hz, y otra a 175Hz, de amplitud 0.35, ya que aqu la amplitud la tenamos en 0.7.
Comprobamos que esto se cumple:
Como vemos, tenemos dos componentes espectrales de la seal resultante V3, de amplitud 0.35 y
frecuencias suma y diferencia de las seales multiplicadas.
18. Modelo ABM de un diodo tnel.
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que
da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-
tensin.
Mediante la tcnica modelado ABM se pueden especificar las caractersticas del dispositivo punto a punto,
como es el caso del comportamiento del diodo tnel especificado en el siguiente tnel en forma de tabla.
18.1 EL netilist.
* Modelado de un diodo Tunel

GTUNEL 3 0 TABLE {V(3)} =
+ (0,0) (.02,2.690E-03) (.04,4.102E-03) (.06,4.621E-03)
+ (.08,4.460E-03) (.10,3.860E-03) (.12,3.079E-03) (.14,2.327E-03)
+ (.16,1.726E-03) (.18,1.308E-03) (.20,1.042E-03) (.22,8.734E-04)
+ (.24,7.544E-04) (.26,6.566E-04) (.28,5.718E-04) (.30,5.013E-04)
+ (.32,4.464E-04) (.34,4.053E-04) (.36,3.781E-04) (.38,3.744E-04)
+ (.40,4.127E-04) (.42,5.053E-04) (.44,6.380E-04) (.46,7.935E-04)
+ (.48,1.139E-03) (.50,2.605E-03) (.52,8.259E-03) (.54,2.609E-02)
+ (.56,7.418E-02) (.58,1.895E-01) (.60,4.426E-01)
Vpol 3 0 ; Se representa I(GTUNEL) ajustando Eje Y(0,6mA)
.dc Vpol 0 .6 .01
.end
18.2 Importacin del grafico de la caracterstica tensin-corriente del dispositivo.
El diodo tnel comienza a conducir con una cada de tensin umbral muy pequea, a partir de ese momento
crece junto con la tensin de entrada hasta que llega a un mximo ( entorno 60 mV) donde se produce el
fenmeno inverso y la corriente decrece de forma exponencial hasta el punto mnimo de corriente (valle
360 mV). La variacin de corriente del mximo al mnimo es muy rpido.
19. Valoracin de la prctica.
Jos ngel Salvador Avendao: Esta prctica ha sido la ms larga hasta el momento. Hemos visto cmo
modelar componentes de varias maneras. Esta prctica quiz haya sido la menos amena debido a su
longitud, o aparatosidad. Sin embargo, es til aprender cmo definir subcircuitos y empaquetarlos en
smbolos o libreras, lo que nos ser muy prctico en diseos en los que algunos tipos de subcircuitos sean
repetitivos, como podra ser un modelo de tiristor o de diodo tnel, por ejemplo, como hemos visto en esta
prctica.
David Carceln Lpez: En esta prctica hemos visto distintas formas de modelar componentes, diferentes
tipos de modelar comportamientos de dispositivos de acuerdo a la funcionalidad que se requiera, desde los
modelos ms simplones prcticamente ideales, hasta modelos basados en ecuaciones matemticas. Alguno
de estos modelos tan burdos a priori me parece no encontrarle aplicaciones, adems creo que con menos
subcircutios o apartados en la parte de modelados habra sido suficiente para comprender los conceptos. Ha
sido interesante las aplicaciones del dimmer y del comportamiento del diodo tnel, el modelado ABM en mi
opinin lo ms til e interesante, pues lo ms cercano a la realidad.
20. Directorio de la prctica.

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[.] [p04_11] [P04_14] [P04_17] [P04_3] [P04_6] [p04_9]

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AVANZADAS\Practica4\p04_10
[.] [macromodelo_4_3_13]
[..]
0 archivos 0 bytes

AVANZADAS\Practica4\p04_10\macromodelo_4_3_13
[.] ejemplo_mmodelo.log macromodeloop.log

[..] ejemplo_mmodelo.net macromodeloop.net
4_3_13.log ejemplo_mmodelo.raw macromodeloop.raw
4_3_13.net macromodeloop.asc
ejemplo_mmodelo.asc macromodeloop.asy
11 archivos 9.259 bytes

[.] diodo_modelo.log diodo_modelo.raw

[..] diodo_modelo.net
diodo_modelo.asc diodo_modelo.op.raw

[.] diodo_modelo2.log diodo_modelo2.raw

[..] diodo_modelo2.net
diodo_modelo2.asc diodo_modelo2.op.raw

[.] diodo_potencia.log pr04.lib

[..] diodo_potencia.op.raw
diodo_potencia.cir diodo_potencia.raw

AVANZADAS\Practica4\P04_14
[.] P04_14.cir pr04.lib

[..] P04_14.log V1 y V2.JPG
esquematiristor.bmp P04_14.op.raw vg.JPG
modelotiristor.asc P04_14.raw
9 archivos 2.689.081 bytes

[.] pr04_15.log V1,V2.JPG

[..] pr04_15.op.raw
pr04.lib pr04_15.raw
pr04_15.cir tiristor_mejorado.asc

[.]
[..]
dimmer .raw
dimmer.asc
dimmer.bmp
dimmer.log
dimmer.net
dimmer.op.raw
dimmer.plt
dimmer.raw

[.] P04_17.cir P04_17.op.raw

[..] P04_17.log P04_17.raw

[.] diodo_tunel.cir diodo_tunel.raw

[..] diodo_tunel.log diodo_tunel.txt

[.] P04_2.log P04_2.raw

[..] P04_2.net p04_2_simulacin.JPG
P04_2.asc P04_2.plt

[.] P04_3.net
[..] P04_3.raw
P04_3.log p04_3_simulacin.JPG

[.] P04_4_simulacion.net pr04.lib

[..] P04_4_simulacion.raw
P04_4_simulacion.log p04_4_simulacin.JPG

[.] P04_5.net pr04.lib

[..] P04_5.raw
P04_5.asc p04_5_simulacin.JPG
P04_5.log p04_esquema.JPG

[.] p04_6_esquemaprincipal.JPG
[..] p04_6_sym.JPG
P04_6.asc pot.asc
P04_6.log pot.asy
P04_6.net pot.net
P04_6.raw pr04.lib
p04_6_asc.JPG

[.] P04_7.raw p04_7_simFAIL.JPG

[..] p04_7_editatt.JPG pot.asy
P04_7.asc p04_7_main.JPG pr04.lib
P04_7.log p04_7_repairFAIL.JPG
P04_7.net p04_7_repairFAIL2.JPG

[.] [..] [p04_8_mod1] [P04_opmod2]

0 archivos 0 bytes

AVANZADAS\Practica4\P04_8\p04_8_mod1
[.] p04_opmod1.asc p04_opmod1.raw

[..] p04_opmod1.log pr04.lib
opmod1.asy p04_opmod1.net

AVANZADAS\Practica4\P04_8\P04_opmod2
[.] p04_opmod2.asc p04_opmod2.raw

[..] p04_opmod2.log pr04.lib
opmod2.asy p04_opmod2.net

[.] [..] [LT101]

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AVANZADAS\Practica4\p04_9\LT101
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2016/17

TECNICAS DE SIMULACION AVANZADAS

Prctica 4. Tcnicas de Simulacin Avanzadas

12.1 El netlist del circuito. ..........................................................................................................................27

1. TRADUZCA LAS SECCIONES DEL MANUAL DEDICADAS A .SUBCKT X .LIB .MODEL D

2. SIMULACIN SIMPLE DE UN POTENCIMETRO

Simularemos un potencimetro cargado puramente con el esquemtico para ver su comportamiento y

Como resultado de la siguiente simulacin obtenemos:

3. MODELO DE POTENCIMETRO EN NETLIST

.SUBCKT potenciometro a b c PARAMS: RAB=1k cursor=0.5

Obtenemos el siguiente resultado de simulacin:

4. MODELO DE POTENCIMETRO EN LIBRERA

* LIBRERIA para la practica 4

* TSA. Modelos y librerias.

5. SIMULACION EN ENTORNO HBRIDO GRFICO-TEXTUAL

Cuyo NETLIST es el siguiente:

* block symbol definitions

.param Rab=22k cursor={micursor}

Realizando la simulacin, obtenemos el siguiente resultado:

7. IMPLEMENTACIN DE UN SMBOLO CORRESPONDIENTE A UN MODELO DE

Cuyo NETLIST es:

Realizamos la simulacin y obtenemos el siguiente resultado:

8. Modelo simple de amplificador operacional.

Se simula el modelo de operacional opmod1 que est incluido en la librera pr04.lib.

El subcircuito opmod1 se adjunta acontinuacion:

.SUBCKT opmod1 in1 in2 sal

Se dibuja el esquema electrico de un amplificador inversor, utilizando el opmod1 como operacional.

8.1 Netlist del circuito principal de la simulacin.

El netlist del circuito que se observa en la figura

8.2 Calculo manual de la ganancia del circuito.

- De acuerdo al principio de tierra virtual en el OPAM, la tensin en V (+) = V (-) = 0V.

8.3 Ganacia en tension del circuito segn los resultados de la simulacion:

Al representar el circuito se tiene en la ganancia:

8.4 Principales limitaciones de este modelo de amplificador operacional.

El modelo da como resultado de la simulacion el comportamiento de un operacional ideal, donde la

9. Simulacin con amplificador LT1001.

9.1 Niveles de tensin de alimentacin y rango de tensin de salida.

- Para saturacin positiva -> Vsalida = 13.54 V

El rango de variacin de tensin a la salida es por lo tanto [-13.54 , 13.54] V.

9.2 Ganancia del amplificador en la zona lineal.

9.3 Ganancia del amplificador operacional

10. Simulacin con macromodelo de operacional

Se explica a continuacin el esquemtico realizara el comportamiento funcional de un operacional.

En este esquemtico se intenta emular el comportamiento de un operacional, la fuente de tensin

La resistencia R1 sirve para no cortocircuitar la fuente E1 porque se quedara en cortocircuito si conduce

Los distintos modos de operacin de este circuito son:

- Opam en zona lineal : (1 2 ) 20 ignorando la cada de tensin en R1.

10.1 Niveles de tensin y rango de tensin de salida.

El rango de tensin de salida es [14.62, -14.62] V.

11. Simulacin de un diodo con parmetros por defecto.

Se utiliza una fuente con una forma de onda

La entrada es una onda triangular con mximos

Se realiza un anlisis transitorio para un periodo

11.1 El netlist del circuito.

11.2 Descripcin del funcionamiento.

11.3 Valor de la cada de tensin en el diodo cuando est en conduccin.

Se representa la entrada y la tensin en la resistencia R1.

El valor de tensin umbral en el diodo para el que empieza a conducir es de 563.4mV

12. Diodo con tensin de ruptura inversa.

Se modifica el parmetro para asignar una tensin de ruptura inversa de 10V.

Ahora la onda triangular tiene una amplitud

Se realiza un transitorio de un periodo.

Se aade el parmetro BV a la directiva