KARASTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

Apa itu transistor bipolar !!!

Transistor merupakan dioda

dengan dua sambungan (junction).
Sambungan itu membentuk transistor
PNP maupun NPN. Ujung-ujung
terminalnya berturut-turut disebut
emitor, base dan kolektor. Base selalu
berada di tengah, di antara emitor dan
kolektor. Transistor ini disebut transistor
bipolar, karena struktur dan prinsip
kerjanya tergantung dari perpindahan
elektron di kutup negatif mengisi
kekurangan elektron (hole) di kutup
positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah
William Schockley pada tahun 1951
yang pertama kali menemukan transistor
bipolar.
.
Transistor bipolar bekerja dengan 2 macam carrier, sedangkan unipolar satu macam
saja, hole atau electron. Untuk dapat bekerja, sebuah transistor membutuhkan tegangan
bias pada basisnya. Kebutuhan tegangan bias ini berkisar antara 0.5 sampai 0.7 Volt
tergantung jenis dan bahan semikonduktor yang digunakan. Pembahasan berikut akan
membahas tentang dua biasing diantara empat yang umum digunakan yaitu Self Bias dan
Fixed. Sebagai salah satu komponen semikonduktor Transistor merupakan komponen
elektronika yang sangat dibutuhkan, banyak sekali fungsi-fungsi dari transistor yang bisa
digunakan, ada yang digunakan sebagai saklar, penyearah arus, pembangkit frekuensi dll.
Pada bab ini transistor digunakan sebagai penguat atau sebagai saklar, Sebagaimana tujuan
dari pembuatan transistor, maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan (amplifier)
signal-signal, daya, arus, tegangan dan sebagainya. Namun dikarenakan karakteristik
listriknya, penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan
juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan.
Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara
elektroda basis dan emitter (Ube), maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai
sebuah saklar elektronik, dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan
dibandingkan dengan saklar mekanik, seperti :Fisik relative jauh lebih kecil, Tidak
menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. danLebih ekonomis. Mengingat
banyaknya fungsi dri transistor sehingga pada bab ini membahas khusus karasteristik
output transistor bipolar, factor penguat dan garis beban
 KARASTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR
Bahreni, Irdayanti, Whinda J. Bata
Laboratorium Elektronika dan Instrumentasi Jurusan Fisika
Universitas Negeri Makassar
2016

LATAR BELAKANG
Walter H. Brattain dan John Bardeen pada akhir Desember 1947 di Bell Telephone
Laboratories berhasil menciptakan suatu komponen yang mempunyai sifat menguatkan yaitu
yang disebut dengan Transistor. Keuntungan komponen transistor ini dibanding dengan
pendahulunya, yakni tabung hampa, adalah ukuran fisiknya yang sangat kecil dan ringan.
Bahkan dengan teknologi sekarang ini ratusan ribu transistor dapat dibuat dalam satu keping
silikon. Disamping itu komponen semikonduktor ini membutuhkan sumber daya yang kecil
serta efesiensi yang tinggi.
Pada bab ini akan dibahas struktur transistor bipolar dan karakteristiknya. Pemberian
bias yang benar akan dapat menentukan daerah kerja transistor. Beberapa macam konfigurasi
transistor juga dikenalkan, sebelum nanti pada materi berikutnya akan sampai pada analisis
yang lebih mendetail.
TUJUAN PRAKTIKUM
Setelah melakukan eksperimen ini, mahasiswa diharapkan mampu:
1. Memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar
2. Membedakan karasteristik output dan factor penguat tegangan
3. Mengeinterpretasikan kurva karasteristik output transistor bipolar
4. Mengetahui titik kerja dan garis beban berdasarkan kurva pada karasteristik output
transistor bipolar

KAJIAN TEORI
Transistor dikutub dibuat dengan menggunakan semikonduktor ekstrinsik jenis p dan
jenis n, yang disusun seperti pada gambar 7.1 berikut. (Bakri,Haris, M.Saleh,2015: 59)

E (Emitter) C (Collector) E (Emitter) C (Collector)

p n p n p n

B (Base) B (Base)
Gambar 7.1. Susunan Transistor Dwikutub (a) Transistor pnp (b) Transistor
npn
Ketiga bagian transistor ini disebut emitter, base, dan collector. Pada dasarnya ada
tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi) untuk mengoperasikan transistor.
(Bakri,Haris, M.Saleh,2015: 60)
1. Basis ditanahkan (Common Base CB)
2. Emiter ditanahkan (Common Emitter CE)
3. Kolektor ditanahkan (Common Collector - CC)
Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga karakteristik statik, yang
digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan tegangan
pada transistor. Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam mempelajari
operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian. Ada tiga karakteristik
yang sangat penting dari suatu transistor, yaitu :
1. Karakteristik input.
2. Karakteristik output.
3. Karakteristik transfer arus konstan.

Dengan notasi atau simbol, skema dasar bias transistor bipolar dalam konfigurasi
emitter ditanahkan ditunjukkan pada Gambar 7.2 berikut. (Bakri,Haris, M.Saleh,2015: 60)

(a) (b)

Gambar 7.2. Rangkaian bias transistor, (a) transistor NPN, (b) transistor
Terminologi common-base diturunkan PNPdari kenyataan bahwa base meng ground
kan sisi input dan output dari konfigurasi. Catatan bahwa huruf B pada kedua sumber
tegangan menunjukkan bahwa base ditanahkan. Dalam kasus ini, semua arah arus mengacu
pada arah arus konvensional (aliran hole) dari pada aliran elektron. Untuk konfigurasi
common base, potensial yang diterapkan dituliskan dengan mengacu pada potensial base VEB
dan VCB. Pada semua kasus, subskribt pertama diposisikan sebagai titik berpotensial lebih
tinggi. Untuk transistor PNP, VEB adalah positif dan VCB adalah negatif (jika sumber VCB
diatur pada potensial yang lebih rendah). Untuk transistor NPN, VEB adalah negatif dan VCB
adalah positif. (Bakri,Haris, dkk,2015: 207)

Analisis setiap konfigurasi BJT selalu mengacu pada hubungan-hubungan dasar

berikut :

VBE = 0,7 V [7.1]

IE = ( +1) IB IC [7.2]

IC = IB [7.3]

Berdasarkan Pers. [7.1], 7.2] dan [7.3], nilai IB, IC dan IE sangat bergantung pada nilai ,
yaitu faktor penguatan arus BJT. Dalam mode dc, nilai IC dan IB dihubungkan oleh kuantitas
ini dan didefinisikan sebagai berikut. (Bakri,Haris, M.Saleh,2015: 61)

IC
dc [7.4]
IB
di mana nilai IB dan IC ditentukan dari titik operasi pada kurva karakteristik. Untuk
penggunaan praktis, nilai untuk berbagai jenis transistor berkisar dari 50 sampai 400.
Untuk transistor dengan nilai sebesar 200, arus kolektor sebesar 200 kali dari pada arus
basis berdasarkan Pers. [7.3]. Untuk mode ac, beta didefinisikan sebagai :

IC
ac [7.5]
IB VCE Tetap

Penamaan formal untuk ac adalah emitter ditanahkan (common emitter), arus arah
maju (forward current), faktor penguatan. Pada lembar data spesifikasi transistor, dc
biasanya dinyatakan dengan hFE dan ac dengan hfe. (Bakri,Haris, M.Saleh,2015: 61)

Gambar 7.1. Penentuan dc dan ac dari karakteristik output

Gambar 7.1 menunjukkan kurva karakteristik keluaran (Output) transistor bipolar

konfigurasi kolektor ditanahkan. (Bakri,Haris, M.Saleh,2015: 62).
Ada tiga cara yang umum untuk memberi arus bias pada transistor, yaitu rangkaian
CE (Common Emitter), CC (Common Collector) dan CB (Common Base). Namun saat ini
akan lebih detail dijelaskan bias transistor rangkaian CE. Dengan menganalisa rangkaian CE
akan dapat diketahui beberapa parameter penting dan berguna terutama untuk memilih
transistor yang tepat untuk aplikasi tertentu. Tentu untuk aplikasi pengolahan sinyal
frekuensi audio semestinya tidak menggunakan transistor power, misalnya.
Arus Emiter
Dari hukum Kirchhoff diketahui bahwa jumlah arus yang masuk kesatu titik akan sama
jumlahnya dengan arus yang keluar. Jika teorema tersebut diaplikasikan pada transistor,
maka hukum itu menjelaskan hubungan :
IE = IC + IB ........(1)
Persamanaan (1) tersebut mengatakan arus emiter IE adalah jumlah dari arus kolektor
IC dengan arus base IB. Karena arus IB sangat kecil sekali atau disebutkan IB << IC, maka
dapat di nyatakan :
IE = IC ..........(2)

Alpha ()
Pada tabel data transistor (databook) sering dijumpai spesikikasi dc(alpha dc) yang tidak
lain adalah :
dc = IC/IE ..............(3)
Defenisinya adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor.
Karena besar arus kolektor umumnya hampir sama dengan besar arus emiter maka idealnya
besar dc adalah = 1 (satu). Namun umumnya transistor yang ada memiliki dc kurang lebih
antara 0.95 sampai 0.99.
Beta ()
Beta didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus base.
= IC/IB
Dengan kata lain, adalah parameter yang menunjukkan kemampuan penguatan arus
(current gain) dari suatu transistor. Parameter ini ada tertera di databook transistor dan
sangat membantu para perancang rangkaian elektronika dalam merencanakan rangkaiannya.
Common Emitter (CE), Rangkaian CE adalah rangkain yang paling sering digunakan untuk
berbagai aplikasi yang mengunakan transistor. Dinamakan rangkaian CE, sebab titik ground
atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik emiter.

8.2 Konstruksi Transistor Bipolar

Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah bahan type p
dan diapit oleh dua bahan tipe n (transistor NPN) atau terdiri atas sebuah bahan tipe n dan
diapit oleh dua bahan tipe p (transistor PNP). Sehingga transistor mempunyai tiga terminal
yang berasal dari masing-masing bahan tersebut. Struktur dan simbol transistor bipolar dapar
dilihat pada gambar 8.1. Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan
Emitor (E), Basis (B) dan Kolektor (C). Emitor merupakan bahan semikonduktor yang diberi
tingkat doping sangat tinggi. Bahan kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang.
Sedangkan basis adalah bahan dengan dengan doping yang sangat rendah. Perlu diingat
bahwa semakin rendah tingkat doping suatu bahan, maka semakin kecil konduktivitasnya.
Hal ini karena jumlah pembawa mayoritasnya (elektron untuk bahan n; dan hole untuk bahan
p) adalah sedikit.
Transistor dikutub dibuat dengan menggunakan semikonduktor ekstrinsik jenis p dan
jenis n, yang disusun seperti pada gambar 8.1 berikut.

E (Emitter) C (Collector) E (Emitter) C (Collector)

p n p n p n

B (Base) B (Base)
Gambar 8.1. Susunan Transistor Dwikutub (a) Transistor pnp (b) Transistor
npn
Ketiga bagian transistor ini disebut emitter, base, dan collector. Pada dasarnya ada
tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi) untuk mengoperasikan transistor.
4. Basis ditanahkan (Common Base CB)
 5. Emiter ditanahkan (Common Emitter CE)
6. Kolektor ditanahkan (Common Collector - CC)

Disamping itu yang perlu diperhatikan adalah bahwa ukuran basis sangatlah tipis
dibanding emitor dan kolektor. Perbandingan lebar basis ini dengan lebar emitor dan
kolektor kurang lebih adalah 1 : 150. Sehingga ukuran basis yang sangat sempit ini nanti
akan mempengaruhi kerja transistor. Simbol transitor bipolar ditunjukkan pada gambar 8.1.
Pada kaki emitor terdapat tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu merupakan arah
arus konvensional. Pada transistor npn tanda panahnya menuju keluar sedangkan pada
transistor pnp tanda panahnya menuju kedalam.

8.3 metode pemberian tegangan bias dan karasteristik outpu transistor

Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan
2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Seperti
pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika
tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). Pada gambar
ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-
colector mendapat bias negatif (reverse bias).

arus elektron transistor npn

Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron
mengalir dari emitter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat
tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak menuju kutup ini.
Misalnya tidak ada kolektor, aliran electron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda.
Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang dapat bergabung
dengan hole yang ada pada base.
Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya
mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena
persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron.
Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi aliran
electron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward
bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias
base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron yang
mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor,
karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. Istilah
amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya
yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang
lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus
emiter-kolektor (switch on/off).Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan
dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut
perpindahan arus adalah arus hole.

arus hole transistor pnp

 Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut adalah
terminology parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih
besar ke potensial yang lebih kecil.

IC : arus kolektor
IB : arus base
IE : arus emitor
VC : tegangan kolektor
VB : tegangan base
VE : tegangan emitor
VCC : tegangan pada kolektor
VCE : tegangan jepit kolektor-emitor
VEE : tegangan pada emitor
VBE : tegangan jepit base-emitor
ICBO : arus base-kolektor
VCB : tegangan jepit kolektor-base

Perlu diingat, walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan
kolektor, namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat
dibalik.

Dari satu bahan silikon (monolitic), emitor dibuat terlebih dahulu, kemudian base
dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. Terkadang dibuat juga efek dioda
pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang dikehendaki.

8.4 karasteristik output dan factor penguat tegangan

Seperti halnya dioda semikonduktor, sebagai kompon en non-linier transistor bipolar

mempunyai karakteristik yang bisa dilukiskan melalui beberapa kurva. Namun karena
transistor mempunyai tiga terminal, maka karakteristik transistor tersebut biasanya
dilukiskan dalam bentuk kurva parametrik. Kurva karakteristik transistor yang paling penting
adalah karakteristik input dan karakteristik output.

Dalam konfigurasi basis bersama (CB), Gambar 8.2 menunjukkan kurva

karakteristik output. Kurva ini menggambarkan hubungan antara arus output IC dengan
 tegangan output VCE untuk berbagai variasi arus input IE. Dalam hal ini arus IE disebut
sebagai parameter.

Dalam kurva output ditunjukkan adanya tiga daerah kerja transistor, yaitu daerah
aktif, daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (cut-off). Daerah kerja transistor ini ditentukan
berdasarkan pemberian tegangan bias pada masing-masing persambungannya. Tabel 8.1
menunjukkan kaitan daerah kerja dan tegangan bias tersebut. Agar dapat digunakan sebagai
penguat linier transistor perlu diberi tegangan bias sedemikian rupa sehingga bekerja pada
daerah aktif.

Daerah Aktif

Daerah

Jenuh

Daerah cut-off
(daerah mati)

Grafik 8.2 Hubungan Antara Tegangan collector-emitter dan arus kolektor

Tabel 8.1 Daerah kerja transistor berdasarkan tegangan bias

Pada daerah aktif, kurva terlihat mendatar dan lurus. Hal ini sesuai dengan kurva
input bahwa kenaikan tegangan VCB akan berpengaruh sedikit sekali terhadap arus IE.
Padahal arus IE adalah hampir sama dengan arus IC yaitu IC/IE = , dimana bernilai
hampir satu. Dengan demikian pada masing-masing kurva dengan harga IE tertentu besarnya
arus IC terlihat sama dengan IE tersebut.

Transistor silikon akan mati (cut-off) apabila tegangan VBE = 0 Volt atau basis
dalam keadaan hubung singkat (dengan emitor). Pada saat ini pada kolektor mengalir arus
bocor sebesar ICES. Apabila basis terbuka (tergantung) yang berarti IB = 0 dimana
sebenarnya VBE = 0.06 Volt, maka pada kolektor mengalir arus bocor sebesar ICEO. Dalam
gambar terlihat bahwa ICES dan ICEO hampir sama. Dan bahkan karena kecilnya nilai arus
bocor ini, biasanya dalam perhitungan praktis sering diabaikan.

Tegangan cut-in V adalah tegangan VBE yang menyebabkan arus kolektor kira-
kira mengalir sebesar 1 persent dari arus maksimum. Besarnya V ini untuk silikon adalah
0.5 Volt dan untuk germanium adalah 0.1 Volt. Besarnya arus kolektor pada saat VBE belum
mencapai tegangan cut-in adalah sangat kecil, yakni dalam orde nanoamper untuk silikon
dan mikroamper untuk germanium.

Setelah VBE mencapai tegangan cut-in ini transistor masuk ke daerah aktif dimana
arus IC mulai naik dengan cepat. Untuk silikon daerah aktif ini antara 0.5 - 0.8 Volt, dan
pada umumnya tegangan VBE aktif dianggap sebesar 0.7 Volt. Tegangan VBE lebih besar
dari 0,8 Volt (atau 0,3 Volt untuk germanium) menyebabkan transistor masuk daerah jenuh
(satu rasi). Tabel 8.2 memberikan beberapa tegangan pada persambungan transistor baik
untuk germanium maupun silikon.

Tabel 3.2 Berbagai tegangan persambungan transistor npn pada suhu 25 oC

METODELOGI EKSPERIMEN
Alat dan Bahan
a. Power Supply 12 Vdc, 2 buah sebagai sumber tegangan pada rangkaian
b. Voltmeter 0 10 Vdc, 1 buah untuk mengukur tegangan pada arus keluaran dan arus
input pada rangkaian
c. Amperemeter 0 1 Adc, 1 buah untuk mengukur arus keluaran dan arus input pada
rangkaian
d. Transistor Bipolar NPN, 1 buah berfungsi sebagai jangkar rangkaian
e. Kabel penghubung beberapa buah berfungsi untuk menghubungkan komponen yang satu
dengan komponene lainnya dalam sebuah rangkaian
f. Resistor 100 ohm berfungsi untuk menghambat arus yang masuk pada rangkaian

Identifikasi variable
Kegiatan I : Karakteristik output
a. Variabel Manipulasi : Tegangan Collector-Emitter (VCE), (Volt (V)).
b. Variabel Respon : Arus Collector (IC), (milli Ampere (mA)).
c. Variabel Kontrol :Arus Basis (IB), mikro Ampere (A), Resistansi Resistor
(R),
(Ohm () ) dan Tegangan Sumber (VS), (Volt (V)).

Defenisi Operasional Variabel

Kegiatan II : Karakteristik output
a. Tegangan Collector-Emitter (VCE) adalah beda potensial antara kaki Collector dengan
kaki emitter, yang terbaca pada penunjukkan Voltmeter dimana nilai tegangan berubah
seiring dengan perubahan potensiometer dan dinyatakan dalam satuan Volt (V).
b. Arus Collector (IC) adalah arus dari kaki collector yang terbaca pada penunjukkan
amperemeter dan dinyatakan dalam satuan mili Ampere (mA).
c. Arus Basis (IB) adalah arus dari kaki basis yang terbaca pada penunjukkan amperemeter
dan dinyatakan dalam satuan mikro Ampere (A). Resistansi resistor (R) adalah nilai
hambatan yang yang tertera pada resistor dan satuannya adalah ohm () . Sedangkan
Tegangan Sumber (VS) adalah tegangan yang berasal dari power supplay yang terbaca
pada voltmeter dan satuannya adalah Volt (V).

Prosedur Kerja
Awal praktikum kami Merangkai dan mempelajari kit percobaan Common
Emitter (CE) berikut.

a. Kegiatan II : Karakteristik Output

Pengukuran karakteristik Output menunjukkan bagaimana arus collector IC bervariasi
dengan perubahan VCE ketika IB dibuat konstan.
1. IB diset pada suatu nilai yang konstan yaitu 20
2. VCE divariasikan secara linier untuk setiap kenaikan 1 Volt
3. IC akan menunjukkan nilai tertentu dan mencatat nilai ini.
4. Selanjutnya, VCE dikembalikan ke keadaan nol dan IB diset pada nilai yang lain
yaitu 40 dan 60 . Dan untuk langkah selanjutnya sesuai dengan langkah 2
sampai 4 dan begitu seterusnya hingga diperoleh 3 data.
5. Dicatat hasil pengamatan dalam tabel hasil pengamatan

HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS DATA

Hasil percobaan
Kegiatan I: karasteristik output
Tabel 2. Hubungan antara Tegangan Collector-Emitter (VCE) dengan Arus Kolektor (IC)

Nilai Ic untuk VCE

No VCE (Volt)
20 40 60
1 0 0 0 0
2 1 0.91 2.30 3.84
3 2 0.94 2.31 3.86
4 3 0.94 2.32 3.90
5 4 0.94 2.33 3.90
6 5 0.94 2.34 3.95
7 6 0.94 2.36 3.96
 8 7 0.95 2.37 3.99
9 8 0.95 2.37 4.00
10 9 0.96 2.40 4.04
11 10 0.96 2.41 4.10
12 11 0.96 2.41 4.16

Hasil analisis
Kegiatan II : Karakteristik Output
Titik kerja transistor
Untuk Tegangan pada diode (VD)
= +
=
= =0
=
Untuk arus yang melalui transistor (ID)
= +
= =0
=
10
= = = 10
100
Menentukan faktor penguatan arus () transistor
I
=
I
dimana diketahui
Ic1 = 0,95 10 A
Ic2 = 2.40 10 A
IC3= 3.95 10 A
1) Untuk IB1 = 0 A dan IB2 = 20 A
I I
=
I I
(0.95 0) 10 A
=
(20 0) A
0.95
= 10 = 47,5
20
2) Untuk IB2 = 20 A dan IB3 = 40 A
I I
=
I I
(2.40 0.95) 10 A
=
(20 0) A
1.45
= 10 = 72,5
20
3) Untuk IB3 = 40 A dan IB3 = 60 A
I I I
= =
I I I
 ( 3.90 2.40) 10 A
=
(60 40) A
1.50
= 10 = 75
20
Jadi diperoleh nilai penguatan arus sebesar :
47.5 + 72.5 + 75
=
3
195
=
3
= 65

Analisis grafik

Grafik 1. Hasil eksperimen

Hubungan Antara Tegangan collector-emitter dan arus kolektor

PEMBAHASAN

Telah dilakukan eksperimen tentang karasteristik transistor bipolar dengan tujuan

agar mahasiswa dapat memahami karasteristik transistor bipolar, mengetahui pemberian bias
tegangan dan arus transistor bipolar dan menginterpretasikan kurva karasteristik tegangan.
Eksperimen ini terdiri atas tiga kegiatan. Pada eksperimen ini kami juga mengucobakan
pemberian tegangan bias dan arus biar pada transistor dimana Metode pemberian bias
tegangan dan arus pada transistor bipolar yakni untuk transistor NPN, tegangan bias pada
basis harus lebih positif dari emitor. Semakin tinggi arus bias pada basis, maka transistor
semakin jenuh dan tegangan kolektor-emitor (VCE) semakin rendah.
Kurva karakteristik input, output suatu transistor bipolar dinyatakan dalam grafik
yang menyatakan hubungan antara tegangan kolektor-emitor dan arus kolektor untuk
beberapa nilai arus basis yang konstan, semakin besar dan ternyata semakin besar
pula nilai . Namun pada kegiatan ini kami hanya vokus pada karasteristik output pada
transistor bipolar.
Pada kegiatan kami memplot grafik hubungan antara arus kolektor dan tegangan
kolektor-emitor. Pada kegiatan ini arus meningkat sangat lambat untuk setiap kenaikan
tegangannya. Hal inilah yang menunjukkan bahwa pada output resistor arus yang mengalir
selalu pada kondisi reverse bias. Dimana arus meningkat sangat kecil dan resistansi
meningkat sangat besar. Pada kegiata ini berdasarkan hasil analisis perhitungan dan analisis
grafik kami memperoleh besar factor penguat tegangan () sebesar 65. Menurut teori besar
factor penguat tegangan transistor bernilai 50-100. Dan hasil yang kami peroeh telah sesuai
teori. Transistor ini bekerja dengan terkendali tegangan. Artinya karakteristik keluaran
bergantung kepada arus masukan pada transistor. Transistor dapat bekerja apabila diberi
tegangan, tujuan pemberian tegangan pada transistor adalah agar transistor tersebut dapat
mencapai suatu kondisi menghantar atau menyumbat. Baik
transistor NPN maupun PNP tegangan antara emitor dan basis adalah forward
bias,sedangkan antara basis dengankolektor adalah reverse bias.
Namun hasil keseluruhan data yang telah kami lakukan telah sesuai teori. adapun
data yang yang tidak sesuai dengan teori disebabkan karena kesalahan dalam melakukan
praktikum, pada saat proses eksperimen berlangsung pembacaan tegangan dan arus
dilakukan secara terburu-buru. Tegangan yang ditunjukkan pada multimeter belum
spenuhnya stabil namun kami langsung memindahkan ke rentang interval selanjutnya
akibatnya ada bebarapa data yang sedikit melenceng dari teori. namun hasil keseluruhan data
yang telah kami lakukan telah sesuai teori.
Selain karasteristik output kita juga dapat menentukan karakteristik transfer arus
konstan yang dapat ditentukan dalam grafik yang menyatakan hubungan antara arus basis
dan arus kolektor untuk tegangan kolektor-emitor yang bernilai konstan, semakin besar nilai
semakin besar pula nilai .

KESIMPULAN
1. Metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar yakni untuk transistor
NPN, tegangan bias pada basis harus lebih positif dari emitor. Semakin tinggi arus bias
pada basis, maka transistor semakin jenuh dan tegangan kolektor-emitor (VCE) semakin
rendah.
2. Karakteristik output adalah keadaan dimana arus dan tegangannya sealu be suatu
kondisi reverse bias. Pada eksperimen ini dilakukan pula pengamatan dengan
memanipulasi , mengonstankan dan yang menjadi respon adalah . Dan
berkebalikan dengan itu karasteristik input selalu berada pada kondisi forward bias.
Sedangkan transfer arus konstan memiliki karakteristik yang sebagai variable
manipulasi adalah dan variabel responnya adalah .
3. Kurva karakteristik output suatu transistor bipolar dinyatakan dalam grafik yang
menyatakan hubungan antara tegangan kolektor-emitor dan arus kolektor untuk
beberapa nilai arus basis yang konstan, semakin besar dan ternyata semakin
besar pula nilai .

REFERENSI
Bakri. A.H, Martawijaya.M.A, Saleh. M. 2015. Dasar-dasar elektronika. UNM Makassar:
Edukasi Mitra Grafika.
Sutrisno. (1986). Elektronika, Teori dan Penerapannya, Jilid 1. Bandung: Penerbit ITB.
Tim Penyusun. 2014. Penuntun Praktikum Elektronika Dasar I. Makassar: FMIPA UNM.