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A cristalografia a cincia experimental que tem como objeto de

estudo a disposio dos tomos em slidos

2014, o Ano da Cristalografia

Prof. M.Sc. Antonio Fernando de Carvalho Mota


SEQUNCIA DE EMPILHAMENTO - RESUMO

(CFC)

(HC)
NMERO DE COORDENAO DA ESTR. CS
Para a estrutura CS o nmero de coordenao 6

4 no mesmo plano + 1 no plano de baixo + 1 no plano de cima


NMERO DE COORDENAO DA ESTR. CCC

1/8 de tomo

1 tomo inteiro
Para a estrutura CCC o nmero de coordenao 8

4
NMERO DE COORDENAO DA ESTR.S CFC

Empacotamento compacto CFC: ABC, ABC...

Para a estr.s CFC o nmero de coordenao 12.


6 no mesmo plano
+ 3 no plano de baixo
+ 3 no plano de cima
5
NMERO DE COORDENAO DA ESTR. HC

HC

Para a estr.s HC o nmero de coordenao 12

6
RESUMO:NMERO DE COORDENAO, NC
Representa o nmero de vizinhos mais prximos que um dado tomo tem

CCC CFC HC

ESTRURA NMERO DE
CRISTALINA COORDENAO
CCC 8
CFC e HC 12
TABELA RESUMO PARA O SISTEMA CBICO

tomos Nmero de Parmetro Fator de


por clula coordenao de rede empacotamento

CS 1 6 2R 0,52
CCC 2 8 4R/3 0,68
CFC 4 12 4R/2 0,74

CCC CFC
CS
8
EXEMPLO DE MATERIAIS QUE EXIBEM
POLIMORFISMO OU ALOTROPIAS
Ferro 912C

Fe Fe
Metais

Titnio 883C

Ti Ti

Carbono (Diamante e Grafite)

SiC (chega ter 20 modificaes cristalinas)


Etc
Obs.: As transformaes alotrpicas so acompanhadas de mudanas
na densidade e mudanas de outras propriedades fsicas
Alotropias do Ferro
o
C
Ferro lquido
150 0
Ferro CCC
140 0

Ferro CFC

9 10 preciso malhar o Ferro


enquanto ainda est quente.
Ferro CCC

Avaliao: Na transformao CFC CCC, durante o


resfriamento, o volume diminui ou aumenta?
1.394OC
SOLIDIFICAO
E
ALOTROPIAS
DO CFC
FERRO

4 tomos

912OC VCFC = (4R/2)3


2VCCC VCFC
VCCC = (4R/3)3
No magntico Ferro CCC
768OC
768C

2 tomos 2 tomos

Magntico
ALOTROPIAS DO FERRO (TRANSFORMAES DE FASE)

CFC
Temperatura C

Tc

CCC

Volume (mm3)
Instrumento: Dilatmetro
Variao brusca de volume
durante a mudana microestrutural
EXERCCIO
O ferro passa de CCC para CFC a 910C. Nesta temperatura
os raios atmicos so respectivamente , 1,258 e 1,292.
Qual a percentagem de variao de volume percentual
provocada pela mudana de estrutura?

Vccc = 2a3 Vcfc = a3


accc = 4R/ 3 acfc = 4R/ 2
Vccc = 49,1 3 Vcfc = 48,7 3
V%= 48,7 - 49,1 /48,7 = - 0,8% de variao
Para o clculo foi tomado como base 2 clulas unitrias CCC,
por isso Vccc= 2a3 uma vez que na passagem do sistema
CCC (2 t.s) para CFC (4 t.s) h uma contrao de volume
Alotropias ou Polimorfismo do Titnio
LIGAS DE Ti
PRTESE TOTAL DO QUADRIL
REVISO: Representao de uma direo (vetor)
Coordenadas da extremidade menos as coordenadas da origem
DETERMINAO DA DIREO ATMICA
DIREES ATMICAS

NDICES DE MILLER :
Direo hkl colchetes
Famlia de direes <hkl> aspas
Ex. <123> = 123, 231, 321 e 123
Linha de tomos na direo y 010
+z

+x +y
DIREES ATMICAS
AVALIAO:
REPRESENTE COM OS NDICES DE MILLER A DIREO INDICADA
z

Resposta:
--
[111]

0 y Ou
111

x
DIREO ATMICA

X y z
1 0
2[1/2 1 0]
[2/2 2 0]
[ 1 2 0]
DENSIDADE LINEAR

DL = nmero de tomos centrados no vetor direo


comprimento do vetor direo

DL = 3 tomos
6nm 6nm
DL = 1/2 tomos/nm
3.15- a) Qual a densidade atmica linear ao longo da
direo 112 do Ferro? B) e do Nquel?

Livro: Van Vlack

25
3.15- a) Qual a densidade atmica linear ao
longo da direo 112 do Ferro? B) e do Nquel?
a) Clculo da densidade atmica linear ao longo da direo 112 do Ferro

l
2a
[112]

a2
0
y accc = 4R/3
Densidade atmica linear
x CCC dl = 1 tomo/l
(Fe temp. amb.)

26
3.15- a) Qual a densidade atmica linear ao
longo da direo 112 do Ferro? B) e do Nquel?
b) Clculo da densidade atmica linear ao longo da direo 112 do Nquel

l
[112] 2a

a2
0 acfc = 4R/2
y
Densidade atmica linear
x CFC dl = 2 tomo/l
(Ni )

27
PLANOS CRISTALINOS
Um cristal contm planos de tomos e esses planos
influenciam as propriedades e o comportamento do cristal.
, portanto vantajoso identificar os vrios planos atmicos
que existem em um cristal.

Definio de Plano: X + Y + Z = 1 ou aX + bY + cZ = 1
z e m n

n
m
e y

x
PLANOS CRISTALOGRFICOS

NDICES DE MILLER PLANAR:

Planos hkl parnteses


Famlia de Planos {hkl} chaves
ROTEIRO PARA DETERMINAR OS NDICES DE UM PLANO:

1. Determina-se as intersees do plano com os


trs eixos;
2. Toma-se os inversos;
3. Multiplica-se por um fator para torn-los
nmeros inteiros;
4. ndices de Miller (hkl)
PLANOS CRISTALINOS

Plano paralelo aos eixos


x e z, corta o eixo y em 1.
1/ , 1/1, 1/
Plano (010)
X Y Z Famlia de planos 010
1 +z
1,1,1
Plano (001)
, 1 ,
(0 1 0) +y
+x

31
PLANOS CRISTALINOS

Plano paralelo ao eixo (z) e


corta os eixos (x e y) em 1
1/ 1, 1/1, 1/
Famlia de Planos 110
Plano (110)

32
FAMLIA {110}
paralelo um eixo

33
PLANOS CRISTALINOS
PLANOS CRISTALINOS

O Plano corta os 3 eixos cristalogrficos em 1


1/ 1, 1/1, 1/ 1 = (111)
Plano (111) Famlia de Planos 111

35
FAMLIA {111}
Intercepta os 3 eixos

36
AVALIAO: DETERMINE O PLANO ATMICO

Plano B (paralelo ao plano A)


Corta o eixo x em -a;
Corta o eixo z em (paralelo);
Corta o eixo y em a/2.

Usando os procedimentos j descritos


os ndices so determinadas:
a=1 -1 ; ; 1/2
-1/1 ; 1/ ; 2

Plano (-102)
PLANOS CRISTALINOS
DEVER DE CASA - CRISTALOGRAFIA
REPRESENTAO DE PLANOS NO SISTEMA CBICO

Obs.: Somente no Sistema Cbico,


Plano e Normal tm os mesmos ndices

PLANO (100) E DIREO (100) NO SISTEMA CBICO SIMPLES


REPRESENTAO DE PLANOS NO SISTEMA CBICO

(100)

A normal do plano (100) a direo [100]


A normal do plano (110) a direo [110]
A normal do plano (111) a direo [111]
e assim por diante
PLANOS ATMICOS
c/a = 1,633

a a2 a
(110) (100)
Parmetros dos reticulados dos sistemas HC, CCC e CFC
DIREES E PLANOS NO HEXAGONAL COMPACTO

(0001)

a1 = , a2 = , a3 = e c=1 a1 = 1, a2 = , a3 =-1 e c=
(1/, 1/, 1/, 1/1) (1/1, 1/, 1/-1, 1/)
PLANOS BASAIS PLANO ABCD
(0001)

NDICES DE MILLER
PRODUTO ESCALAR

u u

v v
u.v = ux.vx + uy.vy + uz.vz Se = 90
u.v = u . v cos u .v = 0
u = ux.vx + uy.vy + uz.vz Ex.: 110.110 = -1+1+0=0
Cos = ux.vx + uy.vy + uz.vz
ux2 + uy2 +uz2 . vx2 + vy2 + vz2

Ex.: 110 e 110 pertencem ao plano (111)


Porque: [-110].(111) = -1+1+0 = 0
[1-10].(111) = 1-1+0 = 0
AVALIAO:
Estrutura CCC
O sistema (112) [111] possvel?
No, A direo [111] mo pertence ao plano (112)
Porque [111] escalar [112] = 1+1+2 = 4 0
A direo [-1-11] sim, pertence ao plano (112)
z Porque [-1-11] escalar [112] = -1-1+2 = 0 (perpendiculares)

0 y

A direo [111] pertence ao plano (112)?


x

Ver pag.23
Direo comum a dois planos
Aplicao: calculo da direo comum aos planos (100) e (111)

(-) (+)
Soluo: atravs do produto vetorial
conveno
i j k i j k
ux uy uz = 1 0 0 = 0i + 0j + 1k - 0i 1j 0k = 011
vx vy vz 1 1 1

Para calcular o determinante de


matrizes de terceira ordem, utilizamos
a chamada regra de Sarrus:
EXERCCIO
DENSIDADE PLANAR

DP = nmero de tomos no plano


rea do plano
3.16 a) Quantos tomos por milmetro quadrado h no plano
(100) do Cobre? b) no plano (110)? (c) e no plano (111)?

a) No plano (100); rCu = 1,278 A = 1,278x10-8cm;


aCFC = 4r
z
2

x y

CFC (100)
Cu
Densidade atmica planar
dp = 2 tomos/a2

Livro: Van Vlack 49


Cont. questo 3.16 Van Vlack

b) No plano (110)
z

x y
a2
CFC (110)
Cu
Densidade atmica planar
dp = 2 tomos
a22

50
Cont. questo 3.16 Van Vlack

(c) No plano (111)


l = 2R
z

x y

CFC rea = l23


Cu (111) 4
Densidade atmica planar
n de tomos = 3 x 1/6 = 1/2 dp = 1/2 tomos
l23
4
51
DENSIDADE PLANAR
DP = nmero de tomos no plano
rea do plano

l = 2R;
rea = l23 ;
4
n de tomos = 3 x 1/6 =
R = raio atmico em nm

DP = = 1/2 = tomo
l23 (2R)2 3 ....nm2
4 4
REVISO DE DENSIDADE ATMICA
DIREES PARA O SISTEMA CBICO
A simetria desta estrutura permite que as direes
equivalentes sejam agrupadas para formar uma famlia de
direes:
<100> para as arestas das faces
<110> para as diagonais das faces
<111> para a diagonal do cubo
<110>

111 <111>
(direo compacta)
<100>

54
DIREES COMPACTAS DO SISTEMA CFC

No sistema CFC os tomos se


tocam ao longo da diagonal da
face, que corresponde a famlia
de direes <110>.
Ento, a direo <110> a de
maior empacotamento atmico
para o sistema CFC.

Filme 22

55
PLANOS DE MAIOR DENSIDADE ATMICA NO SISTEMA
CFC

Densidade Planar:
DP = nmero de tomos no plano
rea do plano
A famlia de planos
{111} no sistema CFC
o de maior
densidade atmica

56
TENSO EFETIVA DE CISALHAMENTO LEI DE SCHMID

A Plano de
escoamento

A0 = FA0 = Tenso Axial

F f = Fcos = Fora de Cisalhamento

57
Adapted from Fig. 7.8, Callister 7e.
Adapted from Fig. 7.9, Callister 7e.
Copyright 2006 by Nelson, a division of Thomson Canada Limited

4-59
TENSO EFETIVA DE CISALHAMENTO LEI DE SCHMID
= FA0 = Tenso Axial
F
f = Fcos = Fora de Cisalhamento

A0 = A.Cos = Seo Transversal

A A = ACos
Plano de
escoamento
= f
A0
A
= f = F . Cos = F . Cos . Cos
A A0 Cos A0
F
= . Cos . Cos
(Lei de Schmid)

60
TENSO EFETIVA DE CISALHAMENTO

resolvida = Fresolvida = F cos cos = cos cos


A resolvida Ao

A Tenso de Cisalhamento, , varia de 0 a da Tenso Axial,


Quando a Tenso de Cisalhamento mxima, a Tenso Axial
mnima.
mx. = 1/2 quando = = 45

Casos especiais: = 0 quando = 90 ou = 90

NO DESLIZA QUANDO
cos . Cos = 0
=0
TENSO DE CISALHAMENTO
So
Tenso de cisalhamento,
= F/So

Deformao de cisalhamento,
= tan

Mdulo de cisalhamento, G
= G

= E = G

Avaliao: Qual o maior valor da tenso de cisalhamento?


Resp.: mx. = 1/2 quando = = 45
Critical Resolved Shear Stress
Condition for dislocation motion: R CRSS
Crystal orientation can make typically
it easy or hard to move dislocation
10-4 GPa to 10-2 GPa
R cos cos

R = 0 R = /2 R = 0
=90 =45 =90
=45

maximum at = = 45 63
Ex: Deformation of single crystal
a) Will the single crystal yield?
b) If not, what stress is needed?
=60
crss = 3000 psi
=35
cos cos
6500 psi

Adapted from
Fig. 7.7,
(6500 psi) (cos35 )(cos60 )
(6500 psi) (0.41)
Callister 7e.

2662 psi crss 3000 psi


= 6500 psi
So the applied stress of 6500 psi will not cause the crystal to yield.

64
Ex: Deformation of single crystal
What stress is necessary (i.e., what is the
yield stress, y)?

crss 3000 psi y cos cos y (0.41)

crss 3000 psi


y 7325 psi
cos cos 0.41

So for deformation to occur the applied stress must


be greater than or equal to the yield stress

y 7325 psi
65
PLANOS E DIREES DE DESLIZAMENTO DA REDE CFC

CFC: 111 110 6 DIREES COMPACTAS 110


(DIAGONAIS DAS FACES)
Planos Direes 4 PLANOS COMPACTOS 111
compactos compactas
CFC
111 110

Sistemas = 4x3 = 12
PLANOS E DIREES DE DESLIZAMENTO DA REDE CCC
Planos 110
Direes 111 4 direes compactas
mais 112 Nenhum plano compacto
compactas
compactos 123
CCC
110 111

Sistemas = 6x2 = 12
Estrutura Cristalina CCC
6 x 2 = 12

(011)
z (01-1)

0
x (101) (-101)
y

(110) (-110)
A Metalurgia da deformao Sistemas de deslizamento
(cisalhamento)

Rede CFC:

CFC

4 Planos {1 1 1} e 3 direes <1 1 0>

12 sistemas de deslizamento (fcil)


A Metalurgia da deformao Sistemas de deslizamento
(cisalhamento)
Rede CCC:

6 Planos {1 1 0} e 2 direes <1 1 1>

12 sistemas de deslizamento
RESUMO: PLANOS E DIREES DE ESCORREGAMENTOS
NOS RETICULADOS CFC E CCC
A Metalurgia da deformao Sistemas de deslizamento
(cisalhamento)
A
Rede HC:
B

1 Plano {0 0 0 1} e 3 direes <1 1 -2 0>

3 sistemas de deslizamento fcil.


ESPAAMENTOS INTERPLANARES

No sistema cbico, o espaamento entre os planos :


1 = 10-10m = 10-8cm
dhkl = a (angstrom)
(h2+k2+l2)1/2 nano, n = 10-9m
ESPAAMENTOS INTERPLANARES

d110= a .= a . = a 2
d111= a .= a . = a 3
(12+12+02)1/2 2 2
(12+12+12)1/2 3 3

d220= a .= a . = a 2 d200= a .= a . = a .
(22+22+02)1/2 8 4 (22+02+02)1/2 22 2

d100= a .= a
(12+02+02)1/2
DISTNCIA INTERPLANAR (dhkl)
uma funo dos ndices de Miller e do parmetro
de rede

dhk l = a
(h2+k2+l2)1/2

75
ESPAAMENTOS INTERPLANARES

d110= a . = a . = a 2
(12+12+02)1/2 2 2

d200= a . = a.=a.
(22+02+02)1/2 22 2

Obs.:
Os ndices de Miller so reduzidos aos menores nmeros inteiros;
Os espaamentos interplanares no so.

d111 d222.
DETERMINAO DA ESTRUTURA
CRISTALINA POR DIFRAO DE RAIO X

Raos-x tem comprimento de onda similar a


distncia interplanar 0,1nm

77
O espectro eletromagntico
DETERMINAO DA ESTRUTURA CRISTALINA POR
DIFRAO DE RAIO X

Interferncia Construtiva

Interferncia Destrutiva

79
INTERFERNCIA DESTRUTIVA
Experincia: Variao do ngulo de incidncia
at obter um pico de intensidade na reflexo

80
INTERFERNCIA CONSTRUTIVA

Plano cristalogrfico em posio refletora Pico de intensidade


Para certos ngulos a lei de Brag satisfeita para determinado plano.
DIFRAO DE RAIOS X
LEI DE BRAGG

Lei de Bragg:
dhkl.Sen = n/2

DIFRAO DE RAIOS X
Theory - Braggs Law

Determines the
angle required to
detect a
characteristic
X-ray
n 2d sin

n: integer - indicates the diffraction order


: wavelength of the X-ray that will be diffracted
d: interatomic spacing for the diffracting crystal
: angle at which diffraction is occurring
i.e. the angle between the crystal planes and the diffracted X-ray
DIFRAO DE RAIOS X - LEI DE BRAGG (1913)

n= 2 dhkl.sen

comprimento de onda
n um nmero inteiro de
ondas
Vlido d a distncia interplanar
para O ngulo de incidncia
dhkl = a sistema
(h2+k2+l2)1/2 cbico

85
DIFRAO DE RAIOS X

a(ccc)=4R
3

a(cfc)=4R
2

d(hkl)= a .
h2+k2+l2

d/n=/2sen
LEI DE BRAGG

n= 2 dhkl.sen

Schematic diagram of an
x-ray diffractometer; T x-ray source,
S specimen, C detector, and O
the axis around which the specimen
and detector rotate.
Theory - Braggs Law

Determines the
angle required to
detect a
characteristic
X-ray
n 2d sin

n: integer - indicates the diffraction order


: wavelength of the X-ray that will be diffracted
d: interatomic spacing for the diffracting crystal
: angle at which diffraction is occurring
i.e. the angle between the crystal planes and the diffracted X-ray
DEVER DE CASA
CALLISTER, Jr.,William D. Cincia e Engenharia de Materiais:
Uma Introduo. Rio de Janeiro, LTC, 2012. Oitava Edio.

Problema-exemplo 3.13 pgina 67


Problemas de Difrao de Rais X:
3.58 a 3.66 pgina 76
Difrao de Raios X
DIFRATMETRO DE RAIOS - X O INSTRUMENTAL DO IPT

A difratometria de raios X
corresponde a uma das principais
tcnicas de caracterizao
microestrutural de materiais cristalinos.
O ngulo , no qual o cristal pode
refletir o raio-X, depende Difratmetro de Raios X em julho de 1979

fundamentalmente da distancia
interplanar dhkl do retculo.
n= 2 dhkl.sen

91
DIFRATMETRO DE RAIOS X

Difratmetro de p, Philips, modelo Pw 1880


(instalado no LCT EPUSP)

n = 2 dhkl . sen

92
EFEITO DA DEFORMAO NO NGULO DE BRAGG

= E.
93
DIFRATOMETRO PORTTIL DE RAIOS X LEI DE BRAGG

94
DIFRATOMETRO PORTTIL DE RAIOS X LEI DE
BRAGG

Dr. Joel Teodsio


Professor da COPPE/UFRJ
MINIDIFRATMETRO DESENVOLVIDO NA
INCUBADORA DA COPPE/UFRJ

A vista geral do minidifratmetro: 1-fonte de alta tenso; 2-


blindagem com ampola de raios X; 3-Colimador; 4-porta de
amostra; 5-detector sensvel posio; 6- Unidade de controle do
detector; 7-computador.

96
INOVAES TECNOLOGICAS DO MINIDIFRATOMETRO

Neste trabalho, o controle de corrente de nodo, foi feito atravs da


potncia aplicada ao filamento, e foi implementado por meio de um
circuito PWM (Pulse Width Modulation) em malha fechada, o que
permitiu uma grande estabilidade de corrente.
Todo circuito eletrnico descrito est contido em um gabinete de
alumnio com dimenses de 320x280x80 mm.
O difratmetro desenvolvido no tem o gonimetro como uma
unidade separada. As funes do gonimetro so cumpridas por um
motor de passo controlado pelo computador.
Esta substituio, do gonimetro tradicional por motor de passo,
simplifica a determinao da posio angular do detector e diminui
significativamente o peso total do difratmetro.
O computador controla a rotao de detector e permite determinar
aposio angular deste com preciso 0,05 graus.

97
APLICAO EM CONDIES DE CAMPO

Utilizao do minidifratmetro em medidas de tenses em


condies de campo.

98
Equipamentos

A microssonda EDX, disponvel na Gerdau Aos Especiais Piratini


desde 1996, um equipamento complementar ao MEV capaz de
realizar anlises qualitativas e quantitativas (bem como mapeamentos)
de elementos qumicos, assim auxiliando na caracterizao de
incluses no-metlicas presentes nos aos.
POR QUE OS PLANOS CRISTALINOS SO
IMPORTANTES?

Para a determinao da estrutura cristalina;


Para a deformao plstica;
Para as propriedades de transporte.

dhkl = a
(h2+k2+l2)1/2

n= 2 dhkl.sen
LEI DE BRAGG
Centro Tecnolgico da GE no Rio - 02 de Novembro de 2014

Parque Tecnolgico da Universidade Federal do Rio de Janeiro (UFRJ)


um dos maiores plos do tipo no mundo.
"A GE uma das maiores multinacionais do mundo e ter no Rio de Janeiro
uma equipe de 160 pesquisadores dedicados a desenvolver inovaes em
reas como petrleo e gs, energia, aviao e turbinas"

OBRIGADO
PRXIMA AULA: PROJEES ESTEREOGRFICAS

Prof.: M.Sc. Antonio Fernando de Carvalho Mota 102


Mtodos de difrao de Raios-X

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