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UNIVERSIDADE FEDERAL DO ABC

Relatrio 8 Clculos de Primeiros Princpios

Elton Ogoshi de Melo


R.A.: 11025010
Prof. Dr. Caetano Miranda

Santo Andr
2013
Sumrio
1. Introduo .................................................................................................... 3

2. Objetivos ...................................................................................................... 3

3. Densidade de estados ................................................................................. 3

3.1. Densidade de estados do Si ................................................................. 4

3.2. Densidade de estados do Al ................................................................. 7

4. Mdulo bulk ................................................................................................. 9

4.1. Mdulo bulk do Si .................................................................................. 9

4.2. Mdulo bulk do Al ................................................................................ 10

5. Concluso .................................................................................................. 10
1. Introduo

Entende-se como clculos de primeiros princpios como a fixao dos


parmetros tericos de equaes da mecnica quntica. Embasada na teoria do
funcional da densidade eletrnica (DFT) e utilizando a aproximao da
densidade de spin local (LDA) ou de gradiente generalizado (GGA), este mtodo
uma ferramenta poderosa na descrio de sistemas na escala manomtrica.

Neste mtodo, o primeiro teorema de Hartree-Fock pode simplificar muito


os clculos e, consequentemente, reduzir bastante o tempo computacional. Este
define que o estado fundamental dos eltrons pode ser dado exclusivamente em
funo da densidade eletrnica. Assim, o sistema passa de vrias equaes de
onda de N (nmeros de eltros) vetores espaciais, para o valor de densidade
(dependente de apenas um vetor). Define-se assim o mtodo de funcional de
densidade eletrnica (DFT).

2. Objetivos

Determinar e analisar os resultados de densidade de estados e mdulo


de bulk para as estruturas cristalinas do Si e do Al obtidos pelos clculos de
primeiros princpios.

3. Densidade de estados

Foi utilizado o programa Quantum Espresso para realizar as simulaes.


H dois arquivos de input: o script de entrada e o de pseudopotencial. No script
de entrada so determinados:

Variveis que definem o sistema;


Formato da clula unitria;
Massa de cada espcie atmica;
Pseudopotencial de cada espcie atmica;
Coordenada de cada tomo dentro da clula unitria;
Pontos k utilizados.

No arquivo de pseudopotencial so definidos todos os parmetros de


energia potencial efetiva de um eltron em relao ao ncleo considerado
estacionrio.

3.1. Densidade de estados do Si

Para aproximar o pseudopotencial com o potencial real do eltron no


tomo de Si, primeiramente necessrio determinara energia de corte ecutwfc
e os pontos-k mnimos.

Na determinao de ecutwfc foi necessrio utilizar diferentes valores de


ecutoff. Ainda nesta parte, o sistema foi definido como cbico e com parmetro
de rede de 5,4307 Angstrom. Alm disso, foram determinadas as posies
atmicas dentro da clula unitria de forma a representar uma estrutura cristalina
do tipo diamante, como a da figura abaixo.

Figura 1 Estrutura do tipo diamante.

Foram testados valores de 15 a 40 eV, com passo de 5 eV a cada teste.


Abaixo est o resultado obtido de energia total do sistema para cada valor
utilizado.
Figura 2 Grfico de energia total do sistema em funo da energia de corte do eltron no sistema
cristalino de Si.

Nota-se pelo grfico que a energia total do sistema se estabiliza a partir


da energia de corte de 25 eV. Dessa forma, esse valor foi o utilizado nas
simulaes posteriores.

Para determinar os pontos k do Si, utilizou-se o mesmo mtodo utilizado


para achar a energia de corte. Foram testados valores de k de 1 a 5 com passo
de 1 a cada simulao. Foi gerado um grfico da energia total do sistema em
funo dos pontos k. O resultado est apresentado abaixo.
Figura 3 - Grfico de energia total do sistema em funo dos pontos k no sistema cristalino de Si.

Analisando o grfico possvel perceber que a energia total do sistema


se estabiliza a partir dos pontos k 3 3 3. Dessa forma, esse valor foi o utilizado
nas simulaes posteriores.

Com os valores de energia de corte e de pontos k estabelecidos para o


Si, foi possvel simular a densidade de estados dos(E) de sua estrutura cristalina.
Assim, simulou-se com um valor de energia mnima de -6 eV, energia mxima
de 15 ev e passo de 0,2 eV.

O resultado obtido de densidade de estados para o Si em funo da


energia est apresentado abaixo.
Figura 4 Grfico de densidade de estados em funo da energia total do sistema para o sistema
cristalino de Si.

Analisando o grfico, pode-se identificar a energia de Fermi (E ~ 6,0 eV),


que definida como a regio nula (bandgap) de mais alta energia. Alm disso,
pela largura dessa bandgap que em torno de 1 eV, pode-se inferir que o Si no
seu estado cristalino se trata de um semicondutor, uma vez que para materiais
isolantes essa valor muito maior.

3.2. Densidade de estados do Al

Foram realizadas as mesmas simulaes para o Al nesta parte do


experimento. Os parmetros utilizados foram os seguintes:

Estrutura cbica;
Parmetro de rede: 4,0496 Angstrom;
Posies atmicas de acordo com uma estrutura CFC.
Figura 5 Estrutura CFC.

Em seguida, simulou-se o sistema otimizado para obter a densidade de


estados em funo da energia. O resultado obtido est apresentado abaixo.

Figura 6 - Grfico de densidade de estados em funo da energia total do sistema para o sistema
cristalino de Al.

Pode-se notar pela anlise do grfico acima que o sistema de Al puro se


trata de um material condutor. Tal fato j era esperado pelo fato do Al se tratar
de um metal. Ainda, pelo grfico pode-se definir o nvel de Fermi do Al em ~7,5
eV (ponto mximo da curva).
4. Mdulo bulk

Atravs da determinao do mdulo bulk, pode-se entender o


comportamento de materiais expostos a esforos de compresso, uma vez que
este estabelece a resistncia do material a este tipo de esforo.

Desse modo, foi utilizado o Quantum Espresso para simular os valores de


energia total do sistema em funo de diversos valores de volume de clula
unitria para o Si e para o Al.

4.1. Mdulo bulk do Si

Abaixo est apresentado os resultados de energia total do sistema para


diferentes valores de volume de clula unitria de Si do tipo cbica simples.

Figura 7 Grfico de energia total do sistema em funo do volume de clula unitria cbica simples de
SI.
Analisando os resultados, o ponto mnimo da curva indicou um valor de V
de aproximadamente 1125 au, indicando um parmetro de rede de 10,4 au.

Com o software Grace, foi encontrada uma equao de E(V) por


regresso linear.

() = 2,4968106 2 0,0056456 59,775

Utilizou-se a seguinte equao para determinar o mdulo de bulk.

2
0 = 0
2

Desse modo, obteve-se um mdulo de bulk para a estrutura cristalina do


Si de 86,5 GPa. Comparando-se com dados da literatura (~76 GPa), obtm-se
um erro relativo de 12,14%.

Devido a problemas de execuo do programa ev.x no computador


pessoal do aluno, infelizmente esse experimento se limitou a determinar o
mdulo de bulk apenas pela regresso linear do software Grace.

4.2. Mdulo bulk do Al

Mais uma vez, devido a algum problema relacionado execuo dos


programas no computador pessoal do aluno, infelizmente, no foi possvel o
estudo e determinao do mdulo de bulk do Al.

5. Concluso

O mtodo de clculos de primeiros princpios mostra-se como um


poderoso meio de simulao de sistemas atmicos, fornecendo resultados
aproximados com os experimentais. Aliado otimizao por simulao
computacional de certos parmetros, possvel assim obter caractersticas
prvias de propriedades fsicas do sistema atmico antes de se aplicar um
projeto cientfico ou de engenharia.