Gua de Laboratorio

PRUEBAS ESTTICAS DE LOS

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
 Pruebas Estticas de los Semiconductores de Potencia

Pruebas Estticas de los Semiconductores de Potencia

Objetivos
El alumno ser capaz de:

Identificar tipos de encapsulados de los Semiconductores de Potencia.

Comprobar estado operativo de los Semiconductores de Potencia.
Utilizar la informacin de las hojas de datos dadas por el fabricante.

Introduccin terica
Para las aplicaciones de conversin AC/DC, AC/AC, DC/DC y DC/AC se utilizan los
Semiconductores de Potencia, representados sobre todo por los TIRISTORES y
TRANSISTORES; por lo tanto como primera parte del curso es necesario que los participantes
tengan conocimientos de la presentacin (encapsulados) que dichos semiconductores tienen en
la industria as como de las pruebas necesarias para determinar su estado operativo utilizando
multmetros digitales.

Preparacin
Para un mejor desenvolvimiento de la gua de laboratorio se recomienda la informacin
proporcionada por el profesor en la clase de Semiconductores de Potencia y la lectura del
captulo 2 del Texto.

Equipos y Materiales

Diversos tipos de SCR y Transistores.

01 Multmetro Digital.

Procedimiento
A) DIODOS
1. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Cdigo Elctrico de identificacin:

Smbolo:

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2. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin ( Use el manual ECG, las
hojas de datos dada por el prof. o el Internet):

Fabricante: ............................................................

Parmetro Abreviacin Valor

Voltaje Pico inverso repetitivo: .................. ..................

Voltaje pico inverso no repetitivo: .................. ..................

Corriente Directa Media: .................. ..................

Corriente Directa Eficaz: .................. ..................

Corriente Instantnea no Repetitiva: .................. ..................

3. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la diagramacin de la forma

fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

4. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro Digital.

Lectura del Multmetro:

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Lectura del Multmetro:

Marque el estado del dispositivo:

Operativo:

In operativo:

Conclusiones y Observaciones:

B) TIRISTORES

1. LECTURA DE HOJA DE DATOS

Anote los cdigos de los componentes recibidos (SCR1 a SCR4). Complete la siguientes tablas:

Parmetro Abreviacin
Voltaje Pico inverso repetitivo
Voltaje pico inverso no repetitivo
Corriente Directa Media
Corriente Directa Eficaz
Corriente Instantnea no Repetitiva

CDIGO VDRM IT(AV) IT(RMS) ITSM IH TIPO DE

ORIGINAL (V) (DC) (AC) (A) (mA) ENCAPSUL.
SCR1:
SCR2:
SCR3:
SCR4:

2. MEDIDAS CON EL MULTIMETRO DIGITAL

Ajuste el multmetro para medidas en escala de diodo (debe observarse unidades de voltios en
la pantalla). Complete la siguiente tabla:

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Terminales SCR 1 SCR 2 SCR 3 SCR 4

AK
KA
GK
KG
AG
GA

3. GRFICOS DE TIPOS DE ENCAPSULADOS

Solicite al profesor los SCRs de muestra que servirn para dibujar el encapsulado,
determinar los nombres de cada terminal y efectuar pruebas para detectar su estado.

a)
Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

b)
Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

c)

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Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

d)
Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

e)
Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

B TRANSISTORES

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1. PRUEBA CON MULTMETRO EN ESCALA DE DIODOS

1.1 Transistor BJT (2N3055)

Medida CE EC CB BC BE EB
VALOR

TC = Temperatura de capsula. TA = Temperatura ambiente

Recomendamos leer los Anexos de la presente gua.

Con ayuda del manual ECG o Internet, complete la siguiente tabla:

DESCRIPCIN Y APLICACIN BVCBO BVCEO IC PD ft hFE Encapsulado

1.2. Transistor BJT Darlington (TIP 127)

Medida CE EC CB BC BE EB
VALOR

Con ayuda del manual ECG o Internet, complete la siguiente tabla:

DESCRIPCIN Y APLICACIN BVCBO BVCEO IC PD ft hFE Encapsulado

1.3. Transistor MOSFET (Cdigo ..............................)

Medida DS SD DG GD GS SG
VALOR

Con ayuda del manual o Internet International Rectifier, complete la siguiente tabla:

IR DESCRIPCIN Y APLICACIN V(BR)DSS RDS(ON) ID PD R thJC Encapsulado

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1.4. Transistor IGBT (Cdigo: .....................................)

Medida CE EC CG GC GE EG
VALOR

Con ayuda del manual o internet International Rectifier, complete la siguiente tabla:

IR DESCRIPCIN Y APLICACIN VCES VCE(ON) IC(250C) IC(1000C) PD Encapsulado

2. GRFICOS DE LOS TIPOS DE ENCAPSULADOS

Dibuje los encapsulados de los transistores utilizados as tambin solicite al profesor los
Transistores de muestra; determine los nombres de cada terminal y efecte pruebas para
detectar su estado.

a)
Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

b)
Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

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c)
Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

d)
Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

e)
Encapsulado: Terminales y Smbolo: Tabla de pruebas:

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ANEXOS

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