UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

ESPE EXTENSIN LATACUNGA

DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

GUA DE PRCTICA DE LABORATORIO

CDIGO DE LA
CARRERA NOMBRE DE LA ASIGNATURA
ASIGNATURA
Electromecnica
Petroqumica
Automotriz ELEE-15025 ELECTRNICA GENERAL
Mecatrnica
Software

DURACIN
PRCTICA N LABORATORIO DE: Circuitos Electrnicos
(HORAS)
3 TEMA: Circuitos con diodos 1

1 OBJETIVO
Comprobar el funcionamiento de redes de diodos en serie, paralelo y en serie-paralelo.
Determinar voltajes y corrientes en los diodos.
2 INSTRUCCIONES

A. EQUIPO Y MATERIALES NECESARIOS

Fuentes de alimentacin de 5V a 15V / 1A., Multmetro.
2 Diodos 1N4007 y un diodo de germanio a elegir.
Resistencias de 2,2 K, 1 K, 5,6 K.
B. TRABAJO PREPARATORIO
1. Calcular los parmetros indicados para cada circuito.
3 ACTIVIDADES A DESARROLLAR
A. CONFIGURACIN DE DIODOS EN SERIE
1. Arme el circuito de la figura 1.

D1 D2

Figura 1: Red de diodos de Si en serie.

2. Mida los siguientes parmetros y llene la tabla 1. E, VD1, VD2, VR1, ID1, IR1.
3. En el circuito de la figura 1 polarizar inversamente un diodo de silicio y repetir el procedimiento. Anotar
todos los valores en la tabla 2 e indicar cual diodo invirti.

B. CONFIGURACIN DE DIODOS EN PARALELO

1. Arme el circuito de la figura 2.

Figura 2: Red de diodos de Si en paralelo.

 2. Mida los siguientes parmetros y llene la tabla 3. E, VD1, VD2, VR1, IR1, ID1, ID2
3. Para el circuito de la figura 2 polarizar inversamente los diodos y repetir el procedimiento anterior.
Anotar todos los valores en la tabla 4.
4. Arme el circuito de la figura 3.

Figura 3: Red de diodos de Si y Ge en paralelo.

5. Mida los siguientes parmetros y llene la tabla 5. E, VD1, VD2, VR1, IR1, IDSi, IDGe

4 RESULTADOS OBTENIDOS
Tabla 1.

R1 E VD1 VD2 VR1 IR1 ID

Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin Intensidad Intensidad
Magnitud la fuente. el diodo 1. el diodo 2. en R1. en R1. en el diodo.
() (V) (V) (V) (V) (mA) (mA)
Valor medido

Valor calculado

Tabla 2.

R1 E VD1 VD2 VR1 IR1 ID

Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin Intensidad Intensidad
Magnitud la fuente. el diodo 1. el diodo 2. en R1 en R1 en el diodo
() (V) (V) (V) (V) (mA) (mA)
Valor medido

Valor calculado

Tabla 3.

R1 E VD1 VD2 VR1 IR1 ID1 ID2

Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin Intensidad Intensidad Intensidad
Magnitud la fuente. el diodo 1 el diodo 2 en R1 en R1 en el diodo 1 en el diodo
() (V) (V) (V) (V) (mA) (mA) 2
(mA)
Valor
medido
Valor
calculado

Tabla 4.

R1 E VD1 VD2 VR1 IR1 ID1 ID2

Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin Intensidad Intensidad Intensidad
Magnitud la fuente. el diodo 1 el diodo 2 en R1 en R1 en el diodo 1 en el diodo 2
() (V) (V) (V) (V) (mA) (mA) (mA)
Valor
medido
Valor
calculado
Tabla 5.

R1 E VDSi VDGe VR1 IR1 IDSi IDGe

Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin Intensidad Intensidad Intensidad
Magnitud
la fuente. el diodo Si el diodo Ge en R1 en R1
() (V) (V) (V) (V) (mA) (mA) (mA)
Valor
medido
Valor
calculado

5 CONCLUSIONES
Son los nuevos conocimientos que los estudiantes obtienen una vez desarrollada la prctica.

6 RECOMENDACIONES

7 REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS Y DE LA WEB

TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS,BOYLESTAD & NASHELSKY,dcima

edicin, 2009, PEARSON-PRENTICE HALL.
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS, FLOYD THOMAS L, octava edicin, 2007,PEARSON EDUCACIN.