solusi penggoresan Bahan Tingkat film Temmperat pernyataan

utuk penggoresa ure

penggore n nm/min penggoresa
san n
20 H3PO4 (85%) Aluminiu 220 sputtered 40 Pemilihan
1 HNO3 (65%) m pada SIO2
5 H 2O
76 H3PO4 (85%) Aluminiu sputtered 40 Pemilihan
3 HNO3 (65%) m pada SIO2
15 CH3COOH
(100%)
5 H20 dan
sebagian kecil
NH4F (40%) 160
pada 1 vol% 100
NH4F
pada 5 vol%
NH4F

7 NH4 (40%) Sio2 130 Thermal 30 Buffered

1 HF (49%) 240-800 PSG hy-
drofluoric
acid (BHF) ;
tingkat
pengotoran
SiO2
3 HF (49%) SiO2 1,9 thermal 25 Penggores
2 NHO3 (65%) PSG 3-4 PSG an PSG,
640 H2O penggores
an PSG
dan lapisan
SO2 sangat
tipis
20 H3PO4 (85%) SiO2 5.8 thermal 25 Kemungki
1 NHO3 (65%) PSG 7-41 PSG nan
4 H 2O (tergantun sandaran
g pada penggoresa
kadar n
fosfor) penggores
an PSG
dan lapisan
SO2 sangat
tipis
H3PO4 (85%) SiN4 6,0 LP-CVD 160 Pemilihan
untuk SiO2,
tingkat
penggoresa
n SiO2 0.3-
 0.4 nm/min
2 HF (49%) Si Tergantung CVD poly- 25 proses
15 NHO3 (65%) pengotoran Si penggoresa
5 CH3COOH monocry- n,
(100%) stalline Si pemilihan
untuk
SiO2 ,
isotropic