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DEPARTAMENTO DE INGENIERIA
15 Febrero 2012
ELECTRNICA
Laboratorios de
No INTEGRANTES 2 No GRUPO 1 x
Ingeniera
REFERENCIAS
1. Manual National Semiconductor
2. Manual Texas Instruments
3. Datasheet Circuito Integrado XR-2206
4. Sistemas de Comunicaciones electrnicas; Cuarta Edicin, Wayne Tomasi
5. Apuntes del Docente
COMPETENCIAS
Competencia Genrica
Comprende y analiza el problema planteado en el circuito electrnico, enmarca la importancia del
comportamiento de las seales dependiendo de las variables del circuito, realiza un anlisis
cualitativo y cuantitativo de los resultados obtenidos.
Competencia Especfica
Evala y analiza cmo se genera la seal AM por medio de la modulacin AM-DSBFC y como se
comporta dependiendo de la seales moduladora vm(t) y la seal portdora vc(t) que genera
internamente el integrado XR-2206.
ASPECTOS TERICOS
Modulacin AM (DSB-FC)
La modulacin AM o DSBFC consiste en grabar sobre la envolvente de la portadora modulada la forma de la
seal moduladora. Este proceso se lleva a cabo gracias a la realizacin de una multiplicacin entre la seal
portadora y la seal moduladora y luego teniendo una suma de este resultado con la portadora. El resultado
ser tal como se muestra en la Figura 1.
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Figura 1. Seal portadora modulada en amplitud (DSBFC) por parte de una seal moduladora de tipo
sinusoidal.
El proceso de multiplicar y luego sumar vlido para generar una seal modulada en amplitud es equivalente a
sumar un nivel DC a la seal moduladora y luego realizar la multiplicacin entre la seal moduladora con
nivel DC y la seal portadora. Analticamente esto significa:
Figura 2. Espectro de la seal portadora modulada en amplitud (DSBFC) por parte de una seal moduladora
de tipo sinusoidal.
Modulacin DSBFC
La nica diferencia que existe entre la modulacin DSBFC y la modulacin DSBSC es la inclusin mediante
una suma de la seal portadora (suma que equivale a la inclusin de un nivel DC de la seal moduladora)
para obtener esta modulacin solo es necesario suprimir el nivel DC agregado a la seal moduladora. La
ventaja que se tiene con esta tcnica esta en el ahorro de potencia que se tiene dado que no hay potencia
inyectada a la seal portadora.
Figura 3. Seal portadora modulada en amplitud (DSBSC) por parte de una seal moduladora de tipo
sinusoidal.
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DESARROLLO PRCTICO
PROCEDIMIENTO
Para el circuito de la figura anterior comprobar el correcto funcionamiento del circuito mediante la
generacin de una seal modulada en DSBFC observando la misma empleando un osciloscopio. Para la
comprobacin emplear como seal moduladora una seal sinusoidal.
ndice de
Fm Fc Em (in) Ec (in) Vmax Vmin Em(out) Ec(out) Ao
Modulacin
0.33 1 kHz 100KHz 0.5v 0.68v 1.02v 0.51v 0.25v 0.76v 1.11
1 1 kHz 100KHz 1.5v 1.28v 2.32v 0v 1.16v 1.16v 0.90
2.5 1 kHz 100KHz 1v 0.52v 1.08v -0.46v 0.77v 0.31v 0.59
DESARROLLO MATEMATICO
Modulacin<1 [0.33]
GRAFICA 1
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En la GRAFICA 1 se visualiza la modulacin AM-DSBFC con un ndice de modulacin de 0.33, este tipo
modulacin nos permite visualizar en el formato (x,y) la forma de un trapecio, donde el voltaje mnimo
tiende a ser igual al voltaje pico de la seal moduladora.
Voltaje Mximo
Vmax=Ec+ Em
Vmax=0.76 V +0.25 V
Vmax=1.01 V
Vmax= AmaxEc
Vmax=1.470.76 V
Vmax=1.12 V
Voltaje Mnimo
Vmin=EcEm
Vmin=0.76 V 0.25V
Vmin=0.51 V
Amin=Ao(1m)
Amin=1.11(10.33)
Amin=0.74
Vmin= AminEc
Vmin=0.740.76 V
Vmin=0.56 V
ndice de Modulacin
2Vmax 2Vmin
m=
2Vmax+2Vmin
( 21.02 V )( 20.51V )
m=
( 21.02 V ) + ( 20.51V )
m=0.33
Em
m=
Ec
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0.25 V
m=
0.76 V
m=0.32
Ec (out)
Vmax +Vmin
Ec=
2
1.02 V +0.51 V
Ec=
2
Ec= 0.76V
Em (out)
Vmax Vmin
Ec=
2
1.02 V 0.51 V
Ec=
2
Ec= 0.255V
EUSB=ELSB
mEc
EUSB=
2
0.330.76 V
EUSB=
2
EUSB= 0.125V
Potencia
Ec 2
Pc=
2R
2
0.76 V
Pc=
2 ( 600 )
Pc=481.33 W
PUSB=PLSB
m 2 Pc
PUSB=
4
2
0.33 481.33 W
PUSB=
4
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PUSB= 13.1 W
PTX= PC+PUSB+PLSB
PTX= 481.33 W +13.1 W +13.1 W
PTX=507 W
Vam(t)
2 ( fc+ fm) t
cos(2 ( fc fm )) t cos
mEc
(2 fc ) t +
2
V am ( t )=Ec sin
2 (100.000+1.000) t
cos(2 ( 100.0001.000 ) )t cos
0.330.76
( 2 100.000 ) t +
2
Vam ( t )=0.76 sin
2 (101.000)t
cos(2 ( 99.000 ) )tcos
( 2 100.000 ) t +0.125
Vam ( t )=0.76 sin
Modulacin>1 [2.5]
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GRAFICA 2
En la GRAFICA 2 se visualiza la modulacin AM-DSBFC con un ndice de modulacin de 2.5, lo que nos
permite ver en el formato (x,y) la forma de dos tringulos unidos en uno de sus vrtices ya que el voltaje
mnimo pasa a ser negativos o en otras palabras se invierten los voltajes mnimo positivo y mnimo negativo.
Voltaje Mximo
Vmax=Ec+ Em
Vmax=0.31 V +0.77 V
Vmax=1.08 V
Vmax= AmaxEc
Vmax=2.060.31 V
Vmax=0.64 V
Voltaje Mnimo
Vmin=EcEm
Vmin=0.31 V 0.77 V
Vmin=0.46 V
Amin=Ao(1m)
Amin=0.59(12.5)
Amin=0.88
Vmin= AminEc
Vmin=0.880.31V
Vmin=0.27 V
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ndice de Modulacin
2Vmax 2Vmin
m=
2Vmax+2Vmin
( 21.08 v )( 2(0.46 V ) )
m=
( 21.08 V ) + ( 2(0.46 V ) )
m=2.48
Em
m=
Ec
0.77 V
m=
0.31 V
m=2.48
Ec (out)
Vmax +Vmin
Ec=
2
1.08 V +(0.46 V )
Ec=
2
Ec= 0.31V
Em (out)
Vmax Vmin
Ec=
2
1.08 V (0.46 V )
Ec=
2
Ec= 0.77V
EUSB=ELSB
mEc
EUSB=
2
2.50.31 V
EUSB=
2
EUSB= 0.38V
Potencia
Ec 2
Pc=
2R
0.31V 2
Pc=
2 ( 600 )
Pc=80.08 W
PUSB+PLSB
m 2 Pc
PUSB=
4
2.5280.08 W
PUSB=
4
PUSB= 125.12 W
PTX= PC+PUSB+PLSB
PTX= 80.08 W +125.12 W +125.12 W
PTX= 330.32 W
Vam(t)
2 ( fc+ fm) t
cos(2 ( fc fm )) t cos
mEc
(2 fc ) t +
2
Vam ( t )=Ec sin
2 (100.000+1.000) t
cos(2 ( 100.0001.000 ) )t cos
2.50.31
( 2 100.000 ) t +
2
Vam ( t )=0.31 sin
2 (101.000)t
cos(2 ( 99.000 ) )t cos
31
( 2 100.000 ) t +
80
Vam ( t )=0.28 sin
Modulacin=1 [1]
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GFRAFICA 3
En la GRAFICA 3 se visualiza la modulacin AM-DSBFC con un ndice de modulacin igual a 1, lo que nos
permite ver en el formato (x,y) un triangulo equiltero ya que el voltaje mnimo tiende a ser 0
Voltaje Mximo
Vmax=Ec+ Em
Vmax=1.16 V +1.16 V
Vmax=2.32 V
Vmax= AmaxEc
Vmax=1.81.16 V
Vmax=2.08 V
Voltaje Mnimo
Vmin=EcEm
Vmin=1.16 V 1.16 V
Vmin=0 V
Amin=Ao(1m)
Amin=0.9(11)
Amin=0
Vmin= AminEc
Vmin=01.16 V
Vmin=0 V
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ndice de Modulacin
2Vmax 2Vmin
m=
2Vmax+2Vmin
( 22.32 V )( 20 V )
m=
( 22.32 V ) + ( 20V )
m=1
Em
m=
Ec
1.16 V
m=
1.16 V
m=1
Ec (out)
Vmax +Vmin
Ec=
2
2.32 V +0 V
Ec=
2
Ec= 1.16V
Em (out)
Vmax Vmin
Ec=
2
1.16 V 0 V
Ec=
2
Ec= 1.16V
EUSB=ELSB
mEc
EUSB=
2
11.16V
EUSB=
2
EUSB= 0.58V
Potencia
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2
Ec
Pc=
2R
2
1.16V
Pc=
2 ( 600 )
Pc=1.12mW
PUSB=PLSB
m 2 Pc
PUSB=
4
121.12 mW
PUSB=
4
PUSB= 280 W
PTX= PC+PUSB+PLSB
PTX= 1.12 mW +280 W +280 W
PTX=1.68 mW
Vam(t)
2 ( fc+ fm) t
cos(2 ( fcfm )) tcos
mEc
(2 fc ) t+
2
Vam ( t )=Ec sin
2 (100.000+1.000) t
cos(2 ( 100.0001.000 ) )tcos
11.16
( 2 100.000 ) t+
2
Vam ( t )=1.16 sin
2 (101.000)t
cos(2 ( 99.000 ) )tcos
29
( 2 100.000 ) t+
50
Vam ( t )=1.16 sin
Rta/ Cuando el ndice de modulacin es mayor que 1, se dice que la seal AM esta SOBRE-
MODULADA que tiene como resultado la transmisin de frecuencias fuera del ancho de banda
permitido lo que causa una seal que presenta distorsiones o interferencias.
Cuando el ndice de modulacin es menor que 1, se dice que la seal AM esta SUB-MODULADA que
tiene como resultado la transmisin de frecuencias dentro de ancho de banda permitido, lo ideal sera
tener un ndice de modulacin muy cercano a 1 para que la transmisin sea lo mejor posible.
2. Qu diferencias se tienen desde el punto de vista del ancho de banda y potencia para una
modulacin DSBSC?
Rta/ En la Modulacin AM-DSB/SC consiste en suprimir la seal portadora sin perjudicar la seal de
informacin lo que genera un menor desperdicio de potencia en comparacin a DSB-FC utilizando el
mismo ancho de banda.
3. Realice la distribucin de voltaje de las seales de entrada y salida en el dominio del tiempo y
frecuencia en cada uno de los casos del ndice de modulacin.
ndice de Modulacin=1
ndice de Modulacin>1
INDICE DE MODULACION<1
INDICE DE MODULACION=1
INDICE DE MODULACION>1