Semestre: 5to Nombre: Ismael Romn Aguilar

Asignatura: Electrnica Industrial Tarea No. 3

Efecto Early
Es la variacin en el grosor de la capa agotamiento, base colector, en un transistor BJT debido a la
variacin del voltaje de base a colector. Mientras exista una mayor polarizacin inversa a travs de la
unin colector-base la capa de agotamiento incrementar de tamao. Disminuyendo la cantidad de los
portadores de carga en la base.es. La tensin VAes conocida como tensi
n Early y suele valer entre 150V y 200V. En la siguiente figura las lneas de trazos muestran dicho
efecto:
Efecto Early
Una vez polarizado el transistor BJT en su zona de funcionamiento se pueden producir variaciones no
deseadas de las corrientes en el mismo debidas a variaciones en la tensin (voltaje) colector-base. Estas
variaciones de corriente son consecuencia de la modulacin de la anchura de la base, tambin
conocida como Efecto Early.
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que aparecen
en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el transistor en
zona activa, en saturacin o en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se
engloba.

En un transistor bipolar, un incremento en la tensin colector-base lleva asociado un incremento en la

anchura de la zona de carga espacial de dicha unin. Este aumento provoca una disminucin de la
anchura efectiva de la base, tal y como se observaen la figura 12 (la anchura efectiva de la base pasa de
WB a WB). Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para la
recombinacin en base. La pendiente positiva de las curvas caractersticas del transistor en zona activa
es debida a este efecto.La tensin tensin Early suele valer entre 150V y 200V.
Fenmenos de avalancha y perforacin
El transistor bipolar, como cualquier dispositivo en cuya estructura existan uniones PN polarizadas,
tiene unas limitaciones fsicas de funcionamiento debidas a los fenmenos de avalancha que se pueden
producir al aplicar tensiones elevadas a las uniones. Concretamente en un transistor bipolar se puede
producir la destruccin del dispositivo mediante dos mecanismos de ruptura diferentes:

Ruptura por entrar en avalancha alguna de las uniones. Si se aplica tensin inversa elevada a las
uniones PN del transistor puede ocurrir que alguna entre en avalancha. La unin base-emisor es
especialmente sensible a la aplicacin de tensiones elevadas debido a su alto dopaje.

Ruptura por perforacin de base. En el apartado anterior se ha hablado de la disminucin de la anchura

de la base debido a la tensin inversa aplicada a la unin colector-base. Puede ocurrir que las tensiones
aplicadas sean tan grandes que desaparezca completamente la anchura de la base del transistor (es
decir, que WB= 0). Este caso se denomina perforacin de la base, y se produce la destruccin del
transistor al circular una corriente muy elevada entre emisor y colector. En la figura 13 observamos el
fenmeno de perforacin de base.

Aplicacin del TBJ

Transistor como amplificador de corriente .Los transistores BJT poseen la capacidad de amplificar la
corriente que pasa entre los terminales emisor y colector, las cuales dependern de la corriente aplicada
a la base del transisto

Para operar como amplificador, el BJT debe estar polarizado en la regin activa.
Se debe establecer una polarizacion que permita contar con una corriente de emisor (o de
colector) en CC que seaconstante.
Corriente predecible e insensible a cambios en la temperatura.
La operacion esta altamente influida por el valor de la orriente de polarizacin
Parmetros importantes de Transistor 2N3903 2N3904