nica Ana

Electro loga I
2016-I
Facultad de Ingeniera
Departamento de Ingeniera Ele
ctrica y Electro
nica

El Diodo: Caracterizaci
on de su respuesta y par
ametros
de variaci
on (tiempo y temperatura)

1. Objetivos
1.1. Objetivo general
Identificar las caractersticas b
asicas de los diodos semiconductores, incluyendo la curva de corriente vs. tensi
on (i
vs. v ), la tensi
on de polarizacion directa y el tiempo de recuperacion.

1.2. Objetivos especficos

Determinar experimentalmente la relaci
on corriente - tension (curva caracterstica i-v ) del diodo.

Caracterizar la tensi
on de polarizaci
on directa del diodo y otros parametros asociados a la curva caracterstica
en funci
on de la temperatura de operacion del diodo.
Visualizar y determinar los tiempos de respuesta de diferentes tipos de diodos.

2. Materiales e instrumentos requeridos

Osciloscopio de dos canales.
Generador de se
nales.
Multmetro digital.

Fuente DC dual.
Tres sondas.
Varias resistencias (seg
un c
alculos).

Diodos 1N4004 y 1N4148.

3. Pr
actica
La pr
actica est
a dise
nada para desarrollarse en una sesion de laboratorio y se divide en dos partes. Cada una de
ellas implica trabajo previo al da de la pr
actica y durante el da de la practica.

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3.1. Curva caracterstica del diodo en polarizaci

on directa
El comportamiento est atico del diodo puede ser descrito mediante la ecuacion 1, la cual es una funcion de variables
fsicas y constructivas del diodo.

 V 
d
I = Is e VT
1 (1)

En donde IS es la corriente de saturaci on inversa, es un parametro constante llamado coeficiente de emisi

on
(siempre esta en entre 1 y 2), VT es el llamado voltaje termico y es igual a K T /q, en donde K es la constante de
Boltzman (1,38 1023 J/K), T es la temperatura en grados Kelvin, y q es la carga del electron (1,6 1019 C). En
la regi
on de conduccion, el termino exponencial de la ecuacion del diodo se hace mucho mayor que 1, debido a que
(Vd  VT ), por lo cual la anterior ecuacion puede ser aproximada por:

 Vd

I = Is e VT
(2)

3.1.1. Previo al da de la pr
actica
Implemente en baquela universal dos circuitos utilizando diodos 1N4004. Cada circuito debe estar compuesto por
una fuente variable (0 25 VDC ) en serie con una resistencia limitadora de corriente y el diodo a la temperatura
requerida (Temperatura ambiente ( 20 C) y temperatura superior a 50 C, la cual puede ser lograda acercando
lentamente el diodo a un cautn). Realice la eleccion del valor de la resistencia para que la corriente m
axima
del circuito sea 250 mA cuando este sea alimentado con 25 V .
Verifique que los valores de potencia disipada por la resistencia y por el diodo, se encuentren dentro de los
margenes establecidos por los respectivos fabricantes. Recuerde consignar en la bitacora la hoja de datos
(Datasheet) del diodo.

Realice las simulaciones necesarias para corroborar el funcionamiento del circuito dise
nado.
Investigue c
omo se ve afectada la curva caracterstica del diodo (i-v ), ante las variaciones de temperatura y a
que se debe este fen
omeno.
Consulte la definici
on de resistencia dinamica del diodo y el procedimiento para obtener su valor a partir de una
gr
afica de la curva caracterstica del mismo (ver figura 2).

3.1.2. El da de la pr
actica
Usando los montajes implementados de acuerdo a la figura 1 realice las siguientes pruebas:

Figura 1: Circuito de polarizacion del diodo

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Variando lentamente la tensi on de la fuente DC (desde 0 V), obtenga un n umero considerable de parejas de
valores (Vd ,Id ) hasta llegar a I = Imax (corriente maxima dada por el dise
no inicial, recuerde que este valor debe
ser menor a 250 mA). Por ejemplo, una forma de hacerlo es haciendo incrementos de 15 mA.
Grafique los datos adquiridos en un papel milimetrado de Id (eje y) contra Vd (eje x).
Obtenga de manera aproximada a partir de las curvas trazadas con los datos (ver figura 2): La tension polarizaci
on
umbral directa y la resistencia din
amica del diodo. Compare los resultados con los valores consignados por el
fabricante en la hoja de datos.
Grafique los datos adquiridos en un papel semi-logartmico de Id (eje log) contra Vd (eje decimal) y obtenga los
par
ametros de la ecuaci
on lineal Y = Y0 + K V . Se dara cuenta que con la grafica sera facil obtener los valores
de Y0 y K, y por lo tanto, calcular los parametros Is y presentes en la ecuacion caracterstica.

Figura 2: Curva caracterstica del diodo en polarizacion directa (azul), recta de carga y punto de polarizaci
on para el
c
alculo de resistencia din
amica.

3.2. Tiempo de recuperaci

on inversa del diodo
El tiempo de recuperaci on inversa (trr ) es el tiempo que tarda el diodo en recuperar su funcion de corte despues de
haber estado en conducci on, es decir, es el tiempo que tarda la senal en rectificarse tras el cruce por cero en el flanco
negativo de la senal de entrada.
Considere que por un circuito circula una corriente IF en cual, mediante la aplicacion de una tension inversa,
forzamos la anulacion de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultara que despues del paso por cero de la corriente,
existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido
inverso durante un instante, dando lugar a una peque na corriente inversa IR . La tension inversa entre el
anodo y el
c
atodo no se establece hasta despues del tiempo ts llamado tiempo de almacenamiento, debido a la capacidad de
difusi
on. La intensidad todava tarda un tiempo tf llamado tiempo de cada, debido a la capacidad de transici on, para
pasar de un valor pico negativo a un valor despreciable, mientras van desapareciendo el exceso de portadores.
Tiempo de almacenamiento (ts ): Es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la corriente hasta llegar
al pico negativo.
Tiempo de cada (tf ): Es el tiempo transcurrido desde el momento en que la corriente empieza a tender a cero,
hasta el momento en que esta se anula totalmente. En la practica se suele considerar hasta el instante en que la
corriente alcanza 10 % IR .

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Tiempo de recuperaci
on inversa (trr ): Es la suma de ts y tf
Los tiempos anteriormente descritos son ilustrados en la figura 3

Figura 3: Visualizaci
on del tiempo de recuperacion de un diodo.

3.2.1. Previo al da de la pr
actica
Tiempo de almacenamiento (ts ), el tiempo de cada (tf ) y el tiempo de recuperacion inversa (trr ) del diodo,
mediante la medicion de la tensi
on en la resistencia R1 (ver figura 3). Realice la simulacion para diferentes valores
de frecuencia, (mnimo 2 frecuencias bajas, por ejemplo 100 Hz y 1000 Hz y dos frecuencias altas, por ejemplo
20 kHz y 200 kHz).
Identifique en la simulacion la corriente de recuperacion inversa IR que circula durante el tiempo de almace-
namiento (ts ), a partir de la medici
on de la tension sobre la resistencia R1 .
Repita el procedimiento anterior con un diodo 1N4148.

3.2.2. El da de la pr
actica
Simule el circuito de la figura 1 utilizando una se
nal cuadrada de 10 Vpp como tension de entrada, R1 = 1 k y
un diodo 1N4004.
Implemente el circuito propuesto y por medio de las mediciones realizadas identifique el tiempo de almace-
namiento, el tiempo de cada, el tiempo de recuperacion inversa y la corriente de recuperacion inversa.
Compare los resultados obtenidos experimentalmente con los obtenidos mediante simulacion y las especificaciones
dadas por el fabricante.

4. Preguntas sugeridas
1. Cuales cambios obtuvo al incrementar la temperatura en el montaje implementado en la primera parte de la
pr
actica?
2. En que tipo de aplicaciones se utilizan diodos como el DN4004?
3. Para que tipo de aplicaciones es recomendable utilizar diodos como el DN4148?
4. Cual es el rango de frecuencia m
as apropiado para visualizar el tiempo de recuperacion inversa de cada uno de
los diodos?
5. Los resultados obtenidos concuerdan con los valores suministrado por el fabricante?

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Referencias
Para el desarrollo de esta pr
actica se sugiere consultar:

D. Neamen, Mircoelectronics: Circuit Analysis and Design, 4th ed, New York, McGraw-Hill Higher Education,
2009.
A. S. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits Revised Edition, 5th ed. New York, Oxford University
Press, Inc., 2007.
M. N. Horenstein, Circuitos y Dispositivos Microelectr
onicos, 2a ed, Mexico, Prentice Hall Hispanoamericana,
1997.