UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL

ESCOLA DE ENGENHARIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

ENG04 447
ELETRNICA FUNDAMENTAL I-A

Turma B

RELATRIO DO LABORATRIO 8
Excurso de Sinal de Sada

GRUPO: Bruno Rodriguez Tondin - 161131

Matheus Moro Martins - 159466
Maurcio Kenji Yamawaki - 160966

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 SUMRIO

Lista de figuras.......................................................................................................................... 3

Lista de smbolos........................................................................................................................4

Introduo..................................................................................................................................5

DESCRIO DO EXPERIMENTO........................................................................................6

Regies de operao do TJB-NPN.............................................................................................6

Polarizao do TJB NPN e PNP...............................................................................................11

RESULTADOS........................................................................................................................15

CONCLUSO.........................................................................................................................18

BIBLIOGRAFIA.....................................................................................................................19

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 LISTA DE FIGURAS

- Figura 1 Circuito (1), circuito contendo um transistor NPN polarizado.

- Figura 2 Topologia do transistor NPN mostrando suas correntes e tenses.

- Figura 3 Circuito simplificado do Circuito (1).

- Figura 4 Circuito simplificado do Circuito (1).

- Figura 5 Circuito simplificado do Circuito (1), usado na regio de saturao.

- Figura 6 Comparao da representao topolgica do transistor com o componente real.

- Figura 7 Circuito (2), circuito contendo 1 transistor NPN (Q1) e 1 transistor PNP (Q2).

- Figura 8 Simplificao para a anlise do Circuito (2).

- Figura 9 Simplificao para a anlise do Circuito (2).

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 LISTA DE SMBOLOS

V Tenso em Volts
A Corrente em Amperes
- Resistncia eltrica em Ohm

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INTRODUO

Neste laboratrio teremos o primeiro contato real com um dos componentes mais
importantes da eletrnica, o transistor de juno bipolar.
Apesar de vermos apenas aplicaes bsicas dos transistores, de suma importncia o
bom entendimento de seu funcionamento na situao de polarizao. e suas regies de
atuao. Para que assim, mais adiante, poder ver suas utilidades em projetos mais complexos.

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DESCRIO DO EXPERIMENTO

1. Polarizao visando Mxima excurso de Sinal de Sada sem capacitor de passagem.

1.1 Devemos considerar o circuito representado a seguir:

(Figura 1)

Com as seguintes consideraes:

VBE = 0,6V
tpico do manual

1.2 Deseja-se encontrar os valores de R1 e R3 para que o amplificador opere na regio de

Mxima Excurso Simtrica (MES) de VCE. Logo aps devemos traar esta reta e estimar qual
ser a amplitude mxima que se pode obter em VCE e em Vo. O valor de ICQ dado.

ICQ = 1,5mA

Conforme visto em aula, podemos plotar um grfico em que no eixo das abscissas
teremos os valores de VCE e no eixo das ordenadas os valores de iC. E logo aps traar uma
reta formada pelos vrios pontos onde o transistor pode operar no circuito em questo. Esta
reta chamada reta de carga.

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Teremos a Mxima Excurso de Sinal simplesmente quando o ponto quiescente do transistor
estiver bem no centro da reta de carga, conforme a figura abaixo:

(Figura 2)

Portanto devemos projetar R1 e R3 de modo a colocar o ponto quiescente do transistor

no meio da reta de carga.

J possumos os valores de ICQ (1,5mA) e tambm o de VCEMX(12V), pois analisando o

circuito podemos facilmente ver que vale Vcc.

Portanto, com os valores que j temos, podemos plotar em papel milimetrado o incio
do desenho do grfico:

(Figura 3)

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Como VO diferente de VCE pelo fato de estar com sua referncia no ground, temos que plotar
um grfico que relacione VO com IC. Estes se comportam segundo a equao da malha
destacada na figura A:

V O=V CCI CQ . R3

(Figura A)

Percorrendo a malha indicada na figura a seguir:

(Figura 6)

Chegamos expresso:

12=I CQ . R3 +V CE + I EQ .(R 4 + R5 )

I CQ I EQ
Com = .
+1

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 I CQ I EQ
Como o desse transistor bastante alto podemos considerar simplificando a
equao. Portanto:

12=I CQ . R3 +V CE + I CQ .(R 4 + R5 )

Isolando-se R3:

12V CE
R3= ( R 4 + R5 )
I CQ

Para calcular R1 utilizaremos a malha destacada na figura abaixo:

(Figura)

Fazendo um equivalente Thevenin temos a seguinte malha:

(Figura)

Que pode ser equacionada como:

1800. R 1 I CQ
12.1800
=
(
R ! +1800 1800+ R1
.
)( )
+0,6 + I CQ .(R4 + R5 )

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Utilizaremos a ferramenta numrica da calculadora HP 50G para resolver esta equao de
forma mais simplificada.

1.3 Em seguida, montamos o circuito da figura 1 e medimos o ponto quiescente do transistor

para verificar se estava prximo do valor terico e depois aterramos a entrada Vi para medir as
condies quiescentes.
1.4 Aplicamos um sinal senoidal de 1kHz entrada Vi do circuito e verificamos se a
amplitude mxima que o circuito aceitou, antes de ocorrer um ceifamento do sinal de sada
condizia com o valor terico. Em seguida, a partir das medidas das amplitudes dos sinais,
medimos o ganho do amplificador atravs da equao:

VO
AV =
VI

RESPOSTAS

Porm analisando grfico se possumos o valor de VCEMX, podemos chegar a VCEQ

simplesmente usando a relao que est dita na (Figura 2):

V CEMX
V CEQ =
2
Logo:

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V CEQ = =6 V
2

Assim podemos achar a localizao exata do ponto quiescente no grfico, representado

por QMES:

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 (Figura 4)

Agora j possumos dois pontos da reta de carga (VCEMX e QMES) o que j suficiente
para encontrarmos toda a reta de carga:

(Figura 5)

CONCLUSO

Laboratrio muito proveitoso, pois podemos ter o primeiro contato real com o
transistor, calcular valores de valores de circuitos com ele presente e comparar com o valor
real. Embora ns tivssemos alguns erros mais significativos, chegando a um erro absoluto
11,5%, este valor ainda est bem razovel e dentro do contexto, pois no h muita preciso
nos instrumentos de medida utilizados neste laboratrio.
Tambm foi bom ver o transistor operando em diferentes regies (ativa, corte e
saturao), saber o que necessrio para que ele esteja em cada uma destas regies e tambm
como ele se comporta em cada uma.
Acreditamos que estes conhecimentos adquiridos, apesar de bsicos, so muito
importantes, para mais tarde ver outras finalidades mais complexas deste componente.

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BIBLIOGRAFIA

[1] Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith. Microeletrnica 5 Edio So Paulo: Pearson

Prentice Hall, 2007.

[2] http://chasqueweb.ufrgs.br/~hklimach/; acesso em 16/05/2010.

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