2.

5 Data Hasil Percobaan

2.5.1 Testing kondisi BJT

Tabel 2.4 Resistansi diode BJT

Hambatan
BJT Keterangan
Dioda
Avo
No Basis Basis keterangan
No Meter
Type Emite kolektor baik buruk
Seri
r () ()
Karena
1 BC547 NPN Digital 0,643 0,640 adanya nilai
hambatan
Karena
2 BC557 PNP Digital 0,635 0,640 adanya nilai
hambatan

2.5.2 Konfigurasi BJT

A. Fixed bias

Tabel 2.5 Hasil pengamatan konfigurasi Fixed Bias

No IB (A) IC (A) VCE (V) VBE (V) Keterangan

1 0,00012 0,00008 11,85 11,92 0,666 Transistor BC 557

2 0,00012 0,00008 0,0074 0,622 0,666 Transistor BC 547

B.Voltage divider bias

Tabel 2.6 Hasil pengamatan konfigurasi Voltage Divider bias

No IB (A) IC (A) VCE () VBE () Keterangan

1 0,0048 0,12 0,375 2,97 25 Transistor BC 557

2 0,0048 0,12 3,109 0,755 25 Transistor BC 547

2.6 Analisa Data Percobaan

2.6.1 Testing kondisi BJT

Seperti yang diperlihatkan pada tabel 2.8 ini dapat dijelaskan bahwa
sebuah transistor jika dalam kondisi baik akan mempunyai sebuah nilai
hambatan dengan nilai nol, sebaliknya bila tidak dapat dihitung maka dalam
keadaan rusak. Pada percobaan kali ini kami menggunakan transistor jenis dan
type NPN (BC547) dan PNP (BC557), untuk hasi percobaan dapat dilihat pada
table 2.8 berikut ini.

Tabel 2.8 Hasil pengukuran resistansi diode BJT

Hambatan
BJT Keterangan
Dioda
Avo
No Basis Basis keterangan
No Meter
Type Emite kolektor baik buruk
Seri
r () ()
Karena
1 BC547 NPN Digital 0,643 0,640 adanya nilai
hambatan
Karena
2 BC557 PNP Digital 0,635 0,640 adanya nilai
hambatan

Pada testing kondisi BJT tipe NPN (BC547) yang kami periksa adalah
kondisi transistor, dengan cara memeriksa hambatan (resistansi) pada emitter
dan kolektor dari transistor tersebut. Pada percobaan yang kami lakukan, alat
yang digunakan untuk testing kondisi BJT adalah multimeter digital dimana probe
pada multimeter digital diletakan pada kaki emitter dan kolektor untuk probe
bermuatan positif diletakan pada kaki emitter dan probe negative diletakan pada
kaki kolektor

Dari hasil percobaan didapat nilai hambatan pada kaki emitter dan
kolektor ketika testing kondisi BJT tipe NPN (BC457) didapat 0,643 untuk
basis emitter dan 0,640 untuk basis kolektor. Seperti yang telah dikatakan
pada teori sebelumnya jika transistor dalam keadaan baik maka nilai hambatan
bernilai nol dan bila dalam keadaan buruk nilai hambatan dapat dihitung. Dari
hasil percobaan kami didapat transistor BJT yang digunakan memiliki nilai
hambatan yang kecil yaitu sebesar 0,643 pada basis emitter dan 0,640 pada
basis kolektor, dari hasi tersebut dapat dikatakan transistor dalam keadaan baik
dan dapat disimpulkan percobaan yang kami lakukan sudah sesuai teori.

Selanjutnya percobaan testing kondisi BJT tipe PNP (BC547) yang

diperiksa adalah kondisi transistor, dengan cara memerikasa hambatan
(resistansi) pada kaki emitter dan kaki kolektor dari transistor tersebut. Pada
percobaan yang kami lakukan hanya menggunakan alat ukur multimeter digital
yang dimana probe pada multimeter digital diletakan pada kaki emitter dan
kolektor. Untuk probe bermuatan positif diletakkan pada kaki emitter dan probe
negative pada kaki kolektor.

Dari hasil percobaan didapatkan nilai hambatan pada kaki emitter dan
kolektor ketika testing BJT type PNP (BC557) yaitu 0,635 pada emitter dan
0,640 pada kolektor. Dapat kami simpulkan bahwa transistor tersebut dalam
keadaan baik Karena menurut teori dikatakan bahwa transistor dalam kondisi
baik maka nilai hambatannya adalah nol. Dari hasi percobaan yang kami lakukan
sudah sesuai dengan teori

2.6.2 Konfigurasi BJT Fixed Bias

Fixed bias adalah pemberian tegangan dengan menggunakan tahanan basis dan
tahanan kolektor.
 Gambar 2.7 Konfigurasi BJT PNP dan NPN Fixed Bias
Berdasarkan rangkaian gambar 2.7 tersebut pada BJT PNP (BC 557) dan BJT
NPN (BC547), dengan input DC yang dilakukan saat percobaan maka kapasitor
diganti dengan rangkaian terbuka (open circuit). Pada BJT PNP (BC557)
diperoleh arus pada basis sebesar 12 x 10-5 A dan arus pada kolektor sebesar 8
x 10-2 A, serta tegangan pada basis sebesar 11,92 V dan tegangan pada kolektor
sebesar 11,85 V. Pada BJT NPN (BC547) diperoleh arus pada basis basis 12 x
10-5 A dan arus pada kolektor sebesar 8 x 10-2 A serta tegangan pada basis
sebesar 0,622 V dan tegangan pada kolektor sebesar 0,0074 V. Dalam
perhitungan secara teori dapat menggunakan persamaan 2.1 , 2.2 , dan 2.3
berikut

VCC
IB=
RB

2.1

VCC
IC=
RC ..

2.2

IC
=
IB

2.3
 1. Pada BJT PNP (BC557)
Untuk mencari nilai IB menggunakan persamaan 2.1

VCC 12 V
IB = = =0,00012 A
RB 100000

Untuk menari nilai Ic menggunakan persamaan 2.2

VCC 12 V
IC = = =0,0000 8 A
RC 150000

Untuk mencari nilai , menggunakan persamaan 2.3

I C 0,00008
= = =0,666
IB 0,00012

2. Pada BJT NPN (BC547)

Untuk mencari nilai IB menggunakan persamaan 2.1

VCC 12 V
IB = = =0,00012 A
RB 100000

Untuk menari nilai Ic menggunakan persamaan 2.2

VCC 12 V
IC = = =0,0000 8 A
RC 150000

Untuk mencari nilai , menggunakan persamaan 2.3

I C 0,00008
= = =0,666
IB 0,00012

Untuk hasil keseluruhan dapat dilihat pada tabel 2.8 berikut

Tabel 2.8 hasil pengamatan konfigurasi Fixed Bias BJT

No IB (A) IC (A) VCE (V) VBE (V) Keterangan

1 0,00012 0,00008 11,85 11,92 0,666 Transistor BC 557

2 0,00012 0,00008 0,0074 0,622 0,666 Transistor BC 547

Berdasarkan hasil pengukuran diatas persamaan dan perhitungan antara

transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas
tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus menuju pada emitter
sedangkan pada NPN arah arus menuju pada kolektor

2.6.3 Konfigurasi BJT Voltage Divider Bias

Voltage divider bias atau bas pembagi tegangan merupakan dengan

pembagi tegangan (R1 dan R2) yang terhubung di kaki basis. Rangkaian
pembagi tegangan biasanya digunakan untuk membuat suatu tegangan referensi
dari sumber tegangan yang lebih besar, titik tegangan referensi pada sensor,
untuk memberikan bias pada rangkaian penguat atau untuk memberi bias pada
komponen aktif. Pada transistor jenis NPN tegangan basis dan kolektornya
positif terhadap emitor, sedangkan pada transistor PNP tegangan basis dan
kolektornya negatif terhadap tegangan emitor. Seperti pada gambar 2.8 berikut
 Gambar 2.8 Konfigurasi Voltage Divider Bias
Berdasarkan rangkaian pada gambar 2.8 yaitu BJT PNP (BC557) dan
BJT NPN (BC547),dengan input DC yang dilakukan saat percobaan maka
kapasitor diganti dengan rangkaian terbuka (open circuit). Pada BJT PNP
(BC557) dan BJT NPN (BC547) diperoleh nilai yang sama pada arus, pada basis
dan kolektor serta tegangan pada basis dan kolektor, dimana hasil yang didapat
setelah kami melakukan proses pengukuran adalah 0,0048 A pada arus basis
dan 0,12 A pada arus kolektor. Berdasarkan hasil pengukuran diatas persamaan
dan perhitungan antara transistor PNP dan NPN adalah sama, tapi dengan arah
arus dan polaritas tegangan yang berlawanan. Dimana PNP arah arus menuju
pada emitter sedangkan pada NPN arah arus menuju pada kolektor. Dalam
perhitungan secara teori dapat menggunakan persamaan 2.1, 2.2, 2.3, dan 2.4
berikut

RB=Rtotal=R 1+ R 2 ...2.4

1. Pada NPN BC 557

Untuk mencari RB menggunakan persamaan 2.4

R 1 X R 2 10000 X 3300
RB = = =2481,2
R1+ R 2 10000+ 3300

Untuk mencari nilai IB menggunakan persamaan 2.1

VCC 12 V
IB = = =0,0048 A
RB 2481,2

Untuk mencari nilai Ic menggunakan persamaan 2.2

VCC 12 V
IC = = =0,12 A
RC 100

Untuk mencari nilai menggunakan persamaan 2.3

IC 0,12
= = =25
IB 0,0048
 2. Pada PNP BC 557

Untuk mencari RB menggunakan persamaan 2.4

R 1 X R 2 10000 X 3300
RB = = =2481,2
R1+ R 2 10000+ 3300

Untuk mencari nilai IB menggunakan persamaan 2.1

VCC 12 V
IB = = =0,0048 A
RB 2481,2

Untuk mencari nilai Ic menggunakan persamaan 2.2

VCC 12 V
IC = = =0,12 A
RC 100

Untuk mencari nilai menggunakan persamaan 2.3

IC 0,12
= = =25
IB 0,0048

Untuk hasil keseluruhan dapat dilihat pada tabel 2.9 berikut

Tabel 2.9 Hasil pengamatan konfigurasi Voltage Divider Bias BJT

No IB (A) IC (A) VCE () VBE () Keterangan

1 0,0048 0,12 0,375 2,97 25 Transistor BC 557

2 0,0048 0,12 3,109 0,755 25 Transistor BC 547

2.7 Jawaban Pertanyaan

2.7.1 Pertanyaan

1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan saturasi?

2. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter, buatlah grafik,

a. IC terhadap VCE

b. VBE terhadap IB

c. hFE terhadap IC.

3. Tentukan titik Q pada BJT, pada tiap konfigurasi!

4. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja BJT!

5. Sebutkan kegunaan dari BJT serta aplikasinya?

6. Apa syarat syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off, aktif
dan saturasi, jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan!

7. Dari keempat jenis bias pada BJT, mana yang paling stabil (pergeseran titik
kerjanya sangat kecil)? Jelaskan!

8. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias?

9. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori, mungkinkah

disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut
data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya!

10. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri

kesimpulannya

11. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan kesimpulan
umumnya pada akhir percobaan.

2.7.2 Jawaban
1. Daerah cut-off

Daerah cut-off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan

transistor menyumbat pada hubungan kolektor dan emitor. Daerah cut-off sering
dinamakan sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak
dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah cut-off transistor
dapat dianalogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor dan emitor.
Daerah aktif
Pada daerah kerja ini transistor biasanya digunakan sebagai penguat
sinyal. Transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif karena transistor selelu
mengalirkan arus dari kolektor ke emitor walaupun tidak dalam proses penguatan
sinyal, hal ini ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat.
Daerah aktif terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (cut-off).
Daerah saturasi
Daerah kerja transistor saat jenuh adalah keadaan dimana transistor
mengalirkan arus secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor
tersebut seolah-olah short pada hubungan kolektor dan emitor. Pada daerah ini
transistor dikatakan menghantar maksimum.

2. Grafik IC terhadapa VCE

Gambar 2.9 Grafik IC terhadapa VCE

Grafik VBE terhadap IB
 Gambar 2.10 Grafik VBE terhadap IB
Grafik hFE terhadap IC

Gambar 2.11 Grafik hFE terhadap IC

3. A.Bias Tetap
Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai maximum dan berpotongan dengan
Vce saturasi.
B. Bias Emiter Terstabilkan
Titik Q point terjadi pada perpotongan garis Ibo dan garis yang menghubungkan
Vcc dan Vcc / Rc+Re.
C. Bias Pembagi Tegangan
Titik Q point terjadi pada pertemuan garis dari k dan Vge.

4. Cara kerja BJT

Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif
atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal.Ketiga terminal tersebut
adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B). Perubahan arus listrik dalam
jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik
 dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari
penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.

5. Kegunaan dari BJT

Diantaranya berfungsi sebagai saklar. Satu contoh di mana transistor

dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian elektronika digital. Dalam
elektronika digital biasanya hanya terdapat dua keadaan, yaitu voltase ada dan
voltase nol atau dengan kata lain hanya terdapat keadaan on dan off.
Kegunaan dari JFET salah satunya adalah penguat pemotong. Membangun
sebuah penguat tergandeng langsung dengan mangambil kapasitor
penggandeng dan bypass kapasitor serta manghubungkan keluaran tiap
tingkatan langsung pada input dari tingkatan berikutnya. dengan cara ini
tegangan dc digandeng, seperti tegengan ac. Rangkaian yang dapat
menguatkan sinyal ac dinamakan dengan penguat dc. Keuntungan utama dari
penggandengan langsung adalah drift yaitu, pergeseran rendah tempat tegangan
keluaran dc akhir dihasilkan dengan perubahan kecil pada tegangan catu,
parameter transistor, dan variasi suhu.

1. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor kecil, maka
titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban. Titik cut-off menyatakan
tegangan kolektor emitter maksimum yang mungkin dalam rangkaian. VCE
maksimum yang mungkin sekitar 15 V, yaitu tengangan catu kolektor.
Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan basis yang
menghasilkan gain arusnya 10. Karena di sana lebih dari cukup arus basis untuk
menjenuhkan transistor.
Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier (IC =
B * IB). Beta adalah salah satu dari parameter transistor, bagian dari base
transistor. Dimana nilainya berkisar dari 50 200, tapi bisa

2. Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias pembagi
tegangan. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter disebut dengan bias
pembagi teganyan. Kita dapat mengenalinya dengan adanya pembagi tegangan
pada rangkaian basis.
3. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang
dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban tipe-n dan
pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. Reverse Bias adalah hubungan
yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungkan pada sisi-dan pusat positif
baterai dihubungkan dengan sisi-n.

4. Jika hasil yang didapat setelah percobaan tak sesuai dengan teori, dapat
dikarenakan oleh karena rusaknya transistor. Kerusakan ini diakibatkan oleh
kurangnya perawatan yang baik atau mungkin kerusakan ini disebabkan oleh
faktor umur alat yang sudah lama. Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena
transistor telah melewati daerah breakdown.

5. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan memberikan
hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan teori yang ada. Hal ini
kemungkinan disebabkan oleh kesalahan didalam pembacaaan skala pada alat
ukur multimeter.

6. A. Testing kondisi BJT

BJT dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau hambatan
diodenya dapat dihitung
B. Konfigurasi BJT
Nilai IB, Ic, VBE, dan tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu akan
tetapi pada VCE dan VBE mengalami perubahan nilai

2.8 Kesimpulan
Berdasarkan Analisi yang kami lakukan dapat disimpulkan, bahwa :
1. BJT merupakan komponen elektronika yang bergantung pada arus
2. BJT mempunyai 3 kaki yaitu : basis, emitor, kolektor
3. Pada testing kondisi BJT dapat disimpulkan bahwa BJT yang kami
gunakan dalam kondisi yang baik Karena resistansi / hambatan yang
sangat kecil
4. Pada pengujian fixed bias BJT tipe PNP dan NPN memiliki nilai IB, I, dan
yang sama akan tetapi pada tipe PNP memiliki tegangan basis dan kolektor
lebih besar dari NPN.
5. Pada pengujian Voltage Divider Bias tipe PNP dan NPN memiliki nilai IB, I,
 dan yang sama akan tetapi pada BJT tipe PNP memiliki tegangan basis
yang tinggi dan tegangan kolektor yang rendah, sedangkan untuk tipe NPN
memiliki tegangan colektor yang tinggi dan tegangan basis yang rendah.

2.9 Daftar Refrensi Buku

http://mohamadramdhani.staff.telkomuniversity.ac.id/files/2015/03/Bab-4-Bipolar-
Junction-Transistor.ppt

https://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-transistor-bjt/

http://tiyaranofitasari.blogspot.co.id/2013/05/bjt-dan-fet.html