Aplicacion P.circuito Steinmetz

Estudio del Circuito Steinmetz 1
2 Memoria
RESUMEN
El circuito Steinmetz consiste en la conexin de dos reactancias (normalmente una bobina y un
condensador) en tringulo con una carga monofsica, con el objeto de simetrizar las intensidades
consumidas por el conjunto.
El actual proyecto desarrolla una aplicacin informtica para estudiar diversos aspectos
relacionados con este circuito y su interaccin con el sistema elctrico en presencia de armnicos.
En primer lugar, el estudio se centra en el diseo del circuito Steinmetz, es decir, en la
determinacin de las reactancias que permiten simetrizar las corrientes consumidas por la carga
monofsica, tanto en condiciones simtricas como en condiciones no simtricas. Asimismo, se
estudia el error cometido al suponer tensiones simtricas a la hora del diseo del circuito.
Seguidamente, se realiza un anlisis de sensibilidad de la respuesta del circuito frente a la
variacin de parmetros del sistema.
A continuacin, se lleva a cabo un estudio frecuencial del sistema, el cual es efectuado mediante
la observacin desde la red y desde la carga. Se ha estudiado el comportamiento armnico del
circuito simetrizador en presencia de cinco cargas trifsicas no lineales. Se ha analizado, de similar
manera, la respuesta frecuencial del sistema al ser alimentado mediante tensiones distorsionadas.
Finalmente, en los anexos, se presenta un estudio econmico, la planificacin temporal y un
anlisis de impacto ambiental del presente proyecto. Tambin se analiza un ejemplo concreto y se
incluye un manual de la aplicacin informtica programada.
4 Memoria
SUMARIO
RESUMEN............................................................................................................................... 3
SUMARIO ............................................................................................................................... 5
SUMARIO DE LOS ANEXOS...................................................................................................... 7
ANEXO A: PLANIFICACIN Y PRESUPUESTO ..................................................................................................7

ANEXO B: ANLISIS DE IMPACTO AMBIENTAL ..............................................................................................7
ANEXO C: ESTUDIO DE UN EJEMPLO .............................................................................................................7
ANEXO D: UTILIZACIN DEL PROGRAMA ......................................................................................................7
GLOSARIO .............................................................................................................................. 9
1 INTRODUCCIN ............................................................................................................ 11
1.1 PROBLEMAS DE ARMNICOS. ..................................................................................................................11

1.2 PROBLEMAS DE DESEQUILIBRIOS. .............................................................................................................11
1.3 NDICES Y NORMATIVAS..........................................................................................................................12
1.4 ANTECEDENTES DEL PROYECTO. ...............................................................................................................13
1.5 EL PRESENTE PROYECTO. ........................................................................................................................13
2 FUNDAMENTOS TERICOS............................................................................................. 15
2.1 DISTORSIN ARMNICA. ........................................................................................................................15

2.2 DESEQUILIBRIOS. ..................................................................................................................................18
3 MODELIZACIN DE COMPONENTES ............................................................................... 21
3.1 MODELIZACIN DE LA RED......................................................................................................................21

3.2 MODELIZACIN DEL CIRCUITO STEINMETZ. ................................................................................................22
3.3 MODELIZACIN DE LAS CARGAS NO LINEALES. ............................................................................................23
3.3.1 Modelizacin de rectificadores monofsicos no controlados.................................................24
3.3.2 Modelizacin de rectificadores trifsicos no controlados.......................................................26
3.3.3 Modelizacin de lmparas de descarga. ................................................................................29
3.3.4 Modelizacin de rectificadores trifsicos de seis pulsos. ........................................................31
3.3.5 Modelizacin de cargadores de bateras. ...............................................................................33
4DISEO DEL CIRCUITO SIMETRIZADOR ................................................................................ 35
4.1 CLCULO APROXIMADO. ........................................................................................................................35

4.2 CLCULO EXACTO. ................................................................................................................................37
6 Memoria
5 ESTUDIO DE LA RESPUESTA FREC. DEL SISTEMA: LOCALIZACIN DE RESONANCIAS ........ 41
5.1 SISTEMA OBSERVADO DESDE LA CARGA NO LINEAL. ..................................................................................... 41

5.1.1 Influencia de las resistencias en el sistema............................................................................. 46
5.1.2 Influencia del condensador del circuito Steinmetz. ................................................................ 47
5.2 SISTEMA OBSERVADO DESDE LA RED......................................................................................................... 50
5.2.1 Influencia de las resistencias en el sistema............................................................................. 54
5.2.2 Influencia del condensador del circuito Steinmetz. ................................................................ 55
6 ESTUDIO DEL SISTEMA: ANLISIS DE SENSIBILIDAD ........................................................ 57
6.1 ANLISIS DE SENSIBILIDAD DE MI. ............................................................................................................. 58

6.1.1 Variacin de la carga. ............................................................................................................. 58
6.1.2 Variacin de las reactancias simetrizadoras. ......................................................................... 60
6.2 ANLISIS DE SENSIBILIDAD DE X1 Y X2. ...................................................................................................... 62
7 ESTUDIO DEL SISTEMA: CLCULO DE ERROR. ................................................................. 67
7.1 CLCULO DEL ERROR EX1. ....................................................................................................................... 67

7.2 CLCULO DEL ERROR EX2. ....................................................................................................................... 69
8 ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO FRECUENCIAL DEL CIRCUITO STEINMETZ................... 73
8.1 SISTEMA CONECTADO A UNA FUENTE DE TENSIONES DISTORSIONADAS............................................................ 73

8.2 SISTEMA CON UN DISPOSITIVO NO LINEAL.................................................................................................. 78
8.2.1 Determinacin del factor de cambio de referencia. ............................................................... 80
8.2.2 Estudio frecuencial del sistema............................................................................................... 83
9 REALIZACIN DEL PROGRAMA....................................................................................... 87
9.1 SELECCIN DEL PROGRAMA. ................................................................................................................... 87

9.2 ESTRUCTURA DEL PROGRAMA. ................................................................................................................ 90
9.3 DISEO DE LA INTERFAZ. ........................................................................................................................ 94
10 NORMATIVAS ................................................................................................................ 97
10.1 NORMAS SOBRE DISTORSIN ARMNICA. ................................................................................................. 97

10.2 NORMAS SOBRE DESEQUILIBRIOS............................................................................................................. 98
CONCLUSIONES.................................................................................................................. 101
AGRADECIMIENTOS ........................................................................................................... 103
REFERENCIAS ..................................................................................................................... 105

SUMARIO DE LOS ANEXOS

ANEXO A: PLANIFICACIN Y PRESUPUESTO
A PLANIFICACIN Y PRESUPUESTO...................................................................................... 4
A.1 PLANIFICACIN TEMPORAL...............................................................................................................4
A.2 PRESUPUESTO. ..................................................................................................................................5
A.2.1 Coste de los recursos humanos. ................................................................................................5
A.2.2 Coste de los recursos materiales ...............................................................................................5
A.2.3 Coste total. ................................................................................................................................6
ANEXO B: ANLISIS DE IMPACTO AMBIENTAL
ANEXO C: ESTUDIO DE UN EJEMPLO

C ESTUDIO DE UN EJEMPLO ................................................................................................ 5
C.1 DISEO DEL CIRCUITO STEINMETZ. ...................................................................................................5
C.2 ANLISIS DE SENSIBILIDAD. ...............................................................................................................7
C.2.1 Sensibilidad del coeficiente de asimetra. .................................................................................7
C.2.2 Sensibilidad de las resistencias simetrizadoras.........................................................................8
C.3 CLCULO DE ERROR. ........................................................................................................................10
C.4 ESTUDIO DE LA RESPUESTA FRECUENCIAL. .....................................................................................12
C.4.1 Estudio de la respuesta frecuencial: Alimentacin distorsionada. .........................................12
C.4.2 Estudio de la respuesta frecuencial: Adicin de carga no lineal. ............................................18
C.5 REFERENCIAS DEL ANEXO C. ............................................................................................................23
ANEXO D: UTILIZACIN DEL PROGRAMA

D UTILIZACIN DEL PROGRAMA .......................................................................................... 4
D.1 REQUERIMIENTOS DEL SISTEMA. ......................................................................................................4
D.2 UTILIZACIN DEL PROGRAMA. ..........................................................................................................5
D.3 DISEO Y ESTUDIO.............................................................................................................................6
D.3.1 Diseo del circuito. ....................................................................................................................6
D.3.2 Anlisis de sensibilidad. .............................................................................................................9
D.3.3 Estudio del error. .....................................................................................................................10
D.3.4 Barra superior de men ..........................................................................................................14
D.4 RESPUESTA FRECUENCIAL ...............................................................................................................18
D.4.1 Respuesta frecuencial observado desde la red .......................................................................18
D.4.2 Respuesta frecuencial observado desde la carga no lineal. ...................................................27
D.4.3 Barra superior de men ..........................................................................................................36
D.5 HERRAMIENTAS ADICIONALES ........................................................................................................40
D.6 REFERENCIAS DEL ANEXO D.............................................................................................................40
8 Memoria
REFERENCIAS ..................................................................................................................... 105

GLOSARIO
A continuacin se presentan los trminos y variables que tienen mayor aparicin en la presente
memoria.
f: Frecuencia de la red.
i: Nmero imaginario.
j: Nmero imaginario.
k: Armnico.
kp: Localizacin de la resonancia paralelo.
ks: Localizacin de la resonancia serie.
mi: Coeficiente de asimetra de las corrientes.
mu: Coeficiente de asimetra de las tensiones.
R0: Parte resistiva de la carga monofsica.
r0: Resistencia normalizada de la carga monofsica.
rp: Valor normalizado de la impedancia fundamental de la carga lineal trifsica
RS: Parte resistiva de la impedancia de la red.
X0: Parte inductiva de la carga monofsica.
X1: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz.
X1b: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz (clculo aproximado).
X1e: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz (clculo exacto).
X2: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz.
X2b: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz (clculo aproximado).
X2e: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz (clculo exacto).
XC: Reactancia capacitiva simetrizadora del circuito Steinmetz.
XCb: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz (clculo aproximado).
XCe: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz (clculo exacto).
XL: Reactancia inductiva simetrizadora del circuito Steinmetz.
XLb: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz (clculo aproximado).
XLe: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz (clculo exacto).
XS: Parte inductiva de la impedancia de la red.
xS: Reactancia normalizada de la red.
Y0: Admitancia de la carga monofsica.
YBk: Matriz de admitancias del sistema.
YC: Admitancia de la capacidad simetrizadora del circuito Steinmetz.
YL: Admitancia de la bobina simetrizadora del circuito Steinmetz.
YP: Admitancia de la carga lineal trifsica.
YS: Admitancia de la red.
Z0: Impedancia de la carga monofsica.
10 Memoria
Z1: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz.

Z2: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz.
ZBk: Matriz de impedancias del sistema.
ZC: Inductancia de la capacidad simetrizadora del circuito Steinmetz.
ZL: Inductancia de la bobina simetrizadora del circuito Steinmetz.
ZP: Impedancia de la carga lineal trifsica.
ZS: Impedancia de la red.
: Factor de potencia de la carga monofsica.
P: Factor de potencia de la carga lineal trifsica.
1 INTRODUCCIN
El circuito Steinmetz se emplea con el objetivo de evitar o mitigar el principal inconveniente que
se produce al conectar una carga monofsica en una red de alimentacin trifsica: el desequilibrio de
tensiones y corrientes. Este simple circuito, compuesto nicamente por dos reactancias
simetrizadoras (de valores previamente calculados) conectadas en tringulo con la carga monofsica,
permite reducir el desequilibrio de corrientes del conjunto e, incluso, anularlo en condiciones de
diseo.
Sin embargo, el circuito Steinmetz, al estar constituido habitualmente a partir de una reactancia
inductiva y una reactancia capacitiva, puede originar resonancias no deseadas que podran daar el
sistema o provocar un mal funcionamiento del mismo.
Con el objetivo de estudiar el diseo del circuito Steinmetz y analizar su respuesta frecuencial al
ser conectado en el sistema elctrico, ha surgido el presente proyecto: crear una herramienta
informtica de fcil manejo que permita estudiar mltiples aspectos del circuito simetrizador y
examinar su comportamiento frecuencial en presencia de tensiones distorsionadas o cargas trifsicas
no lineales.
1.1 Problemas de armnicos.

Hoy en da, es cada vez ms comn la utilizacin de aparatos que, al ser alimentados con
tensin senoidal, la corriente que consumen no es senoidal. Esta corriente puede descomponerse
mediante un anlisis de Fourier en una onda fundamental y un determinado espectro armnico que es
inyectado por la carga en la red, contaminndola. Estas cargas pueden ser muy diversas; desde un
variador de velocidad de un motor industrial hasta una lmpara fluorescente o un ordenador personal.
Las consecuencias que tienen estos armnicos son varias:
Prdidas de rendimiento y reduccin de la vida til de las mquinas elctricas.
Calentamiento y deterioro de aislamientos de algunos componentes.
Disminucin de la seccin til de los conductores a causa del efecto pelicular.
Errores en los aparatos que utilizan en su funcionamiento el paso por cero de la tensin.
Error de medicin de magnitudes elctricas.
Calentamiento y sobrecarga de conductores neutros.
1.2 Problemas de desequilibrios.

En algunos lugares, sobretodo en pases en vas de desarrollo, es fcil encontrarse con
consumos monofsicos de considerable potencia (por ejemplo, hornos metalrgicos) conectados
entre dos fases de una red trifsica; esto provoca que las corrientes consumidas en cada fase no
sean equilibradas. Tambin en la traccin elctrica se dan este tipo de circuitos. Los principales
problemas que aparecen en este tipo de situaciones son los siguientes:
12 Memoria
Al no ser iguales las cadas de tensin de cada una de las fases, se asimetrizan las
tensiones al final de las lneas, lo que hace que resulten perjudicados los consumidores
alimentados por stas.
Se reduce la potencia mxima que puede transportar una lnea, ya que este lmite se
alcanza cuando por una fase circule la corriente mxima para la que se ha
dimensionado, independientemente de la corriente que estn transportando las otras
fases.
Las mquinas elctricas rotativas sufren un calentamiento excesivo, generan ruido y
vibraciones y disminuyen su rendimiento.
Aparecen problemas en las protecciones e interferencias.
Los dispositivos no lineales, en presencia de desequilibrios, generan armnicos no
caractersticos que pueden aumentar la distorsin de la red.
Reduccin del factor de potencia.
Para evitar estos problemas existe una solucin clsica que consiste en un circuito simetrizador
que se conecta formando un tringulo con la carga monofsica y que intenta equilibrar las corrientes
consumidas sin consumir potencia activa.
El proyecto ofrece una herramienta informtica para el clculo y diseo de las reactancias
simetrizadoras que conforman el circuito Steinmetz, y para el estudio de la respuesta frecuencial del
sistema al conectar dicho circuito.
1.3 ndices y normativas.

La problemtica que implica la existencia de armnicos en la red ha derivado en la definicin de
ndices y normativas cuyo objetivo es cuantificar y limitar la distorsin de las ondas elctricas a niveles
que la red y los receptores puedan tolerar.
Con el fin de poder determinar el contenido armnico de una determinada magnitud del circuito
se emplea la distorsin armnica individual y la distorsin armnica total. Se debe tener presente que,
al tratar con sistemas en los que las corrientes no son iguales en las tres fases, el contenido armnico
de cada una de stas puede ser diferente, y por tanto, estos indicadores se deben referir a cada una
de las fases por separado.
Para evaluar el desequilibrio de las tensiones o las corrientes fundamentales del sistema se
definen los coeficientes de desequilibrio.
Estos ratios son tambin utilizados para limitar el contenido armnico o el desequilibrio de la red;
siendo por tanto tiles para conocer si el sistema en una cierta situacin cumple las normativas o es
necesario introducir alguna solucin.
1.4 Antecedentes del proyecto.

Los aspectos anteriores sobre la calidad en el suministro elctrico han sido y estn siendo
estudiados tanto en la bibliografa como en el Departament d'Enginyeria Elctrica.
El anlisis de la distorsin armnica de la red se inicia con el desarrollo de diversas Tesis
Doctorales [1-4]. A partir de las mismas se han ido sucediendo los estudios en este mbito [5], que
tambin han derivado en numerosas publicaciones internacionales [6].
El anlisis de los desequilibrios y sus soluciones a travs del circuito Steinmetz arranca de una
colaboracin internacional con el Departamento de Electrotecnia de la Universidad Tcnica de Cluj-
Napoca, Rumania, a partir de un curso impartido en el Departament d'Enginyeria Elctrica, de la
Universitat Politcnica de Cataluya [7].
Esa colaboracin ha derivado en el desarrollo de una Tesis Doctoral sobre el diseo del circuito
Steinmetz de la cual han salido diversas publicaciones internacionales [8-10]. De igual manera, el
anlisis del comportamiento frecuencial del circuito simetrizador a dado lugar a numerosas
publicaciones [18, 20, 22].
1.5 El presente proyecto.

El presente proyecto tiene por objeto crear una aplicacin informtica que proporcione le al
usuario herramientas suficientes para estudiar los diferentes aspectos que conciernen al diseo,
empleo y comportamiento frecuencial del circuito Steinmetz.
Primeramente, para conseguir esta finalidad, ha sido necesaria una exhaustiva recopilacin de
informacin referente al circuito Steinmetz, basada, mayoritariamente, en artculos.
Tras un anlisis y un estudio de esta informacin, se ha procedido a la modelizacin de cada uno
de los componentes que formarn el sistema a estudiar: la red, el circuito Steinmetz y la carga
trifsica lineal y no lineal.
Seguidamente, tras disear el circuito Steinmetz mediante dos modelos de clculo, se ha
profundizado en la localizacin de las resonancias del circuito, analizando el sistema desde la carga y
desde la red.
Posteriormente, se lleva a cabo un anlisis de sensibilidad de las diferentes variables que
definen el comportamiento del circuito Steinmetz. Tambin se estudian los errores que se cometen al
utilizar los diferentes mtodos de diseo del circuito simetrizador.
Consecutivamente, se procede al comportamiento frecuencial del sistema compuesto por la red,
por el circuito Steinmetz y por una carga trifsica, lineal o no.
Finalmente, se programa un motor interno fundamentado en los puntos anteriores, y se crea una
aplicacin informtica con la que se pueda analizar, de forma rpida y cmoda, todos los estudios
referentes al circuito Steinmetz, anteriormente comentados.
La memoria del proyecto se estructura en nueve captulos:
14 Memoria
En el primer captulo se muestran las bases tericas sobre las que se fundamenta el
presente proyecto.
En el segundo captulo se lleva a cabo la modelizacin de todos los componentes: la
red, el circuito Steinmetz y cada una de las seis cargas no lineales que se estudian.
En el tercer captulo se describen las dos metodologas empleadas para calcular las
reactancias que conforman el circuito simetrizador.
En el cuarto captulo se estudia, analticamente, la localizacin de las resonancias del
sistema compuesto por la red, el circuito Steinmetz y la carga.
En el quinto captulo se realiza un anlisis de sensibilidad para diferentes parmetros
concernientes al circuito Steinmetz.
En el sexto captulo se lleva a cabo un estudio sobre los errores que se cometen al
utilizar los diferentes mtodos de diseo del circuito simetrizador.
En el sptimo captulo se estudia el comportamiento frecuencial del sistema, observado
desde la red y desde la carga no lineal.
En el octavo captulo se detalla la programacin de la aplicacin informtica.
El noveno captulo explica las diferentes normativas sobre distorsin armnica y
desequilibrios.
Finalmente, se muestran las conclusiones y las referencias utilizadas a lo largo de la presente
memoria.
2 FUNDAMENTOS TERICOS
En el presente captulo se revisarn una serie de conceptos que sern necesarios para la
comprensin del resto de temas desarrollados en la presente memoria. Este captulo se centrar,
bsicamente, en dos aspectos: armnicos y desequilibrios.
2.1 Distorsin armnica.

En una red elctrica se pueden encontrar conectadas una gran variedad de cargas de diferentes
potencias y funciones. Todas estas cargas se pueden clasificar en dos tipos:
Cargas lineales: al ser alimentadas mediante una tensin senoidal, la corriente
consumida tambin es senoidal.
Cargas no lineales: consumen corrientes en general peridicas, pero no senoidales al
ser alimentadas con tensiones que s lo son.
Las ondas no senoidales producidas por este segundo tipo de cargas, al ser peridicas, pueden
descomponerse, segn la teora desarrollada por Fourier, en una suma infinita de ondas senoidales,
cuyas frecuencias de oscilacin son un mltiplo de la frecuencia llamada fundamental. Un ejemplo
sencillo de esta descomposicin se puede encontrar en la Figura 2.1.
Onda distorsionada (f1 = 50 Hz) Componentes de la onda

1.5 1.5
Componente fundamental
(f1 = 50 Hz)
1 1
0.5 0.5
magnitud
magnitud
0 0
-0.5 -0.5
-1 -1
Componente armnica
(f2 = 100 Hz)
-1.5 -1.5
0 0.02 0.04 0 0.02 0.04
t [ s] t [ s]
Figura 2.1. Descomposicin de una onda en sus componentes.
La descomposicin de una onda x t se realiza segn la siguiente expresin:
x t X0 2 X k cos k 1t k
(1.1)
k 1
donde:
16 Memoria
X0 es la componente continua de la onda, que en corriente alterna y rgimen permanente suele
tener valor nulo.
X 1 es el valor eficaz de la componente fundamental de la onda.

1 es el ngulo de fase de la componente fundamental de la onda.
X k , con k mayor que la unidad, son los valores eficaces de las componentes armnicas de la
onda.
k es el ngulo de fase del armnico k de la onda.
1 2 f1 es la pulsacin fundamental y f1 es la frecuencia fundamental.

Habitualmente, en los sistemas elctricos, las tensiones e intensidades suelen tener simetra de
semionda, por lo que las componentes correspondientes a los armnicos pares suelen ser nulas
En los sistemas trifsicos simtricos y equilibrados, las tensiones y corrientes tienen otra
propiedad adicional; las ondas de cada fase estn desfasadas 2 radianes, cumplindose por
3
tanto:
xA t xB t 2 xC t 2 (1.2)
3 3
A partir de esta propiedad y realizando las operaciones adecuadas [11] se puede llegar a que, si
el sistema trifsico est en condiciones equilibradas:
Los armnicos mltiplos de 6 ms 1 forman una terna de secuencia directa (la secuencia de
valores mximos en las fases es ABCABC...).
x Ak 2 X k cos k 1t k
x k
2 X k cos k 1t 2 para k 6n 1, n 0,1,2... (1.3)
B k 3
xCk 2 X k cos k 1t 2
k 3
Los armnicos mltiplos de 6 menos 1 forman una terna de secuencia inversa (la secuencia de
mximos en las fases es ACBACB...).
x k
2 X k cos k 1t 2 para k 6n 1, n 1,2,3... (1.4)
B k 3
xCk 2 X k cos k 1t 2
k 3
Los armnicos impares mltiplos de 3 forman una terna de secuencia homopolar (las tres ondas
estn en fase).
x k
B 2 X k cos k 1t k para k 3n, n 1,3,5... (1.5)
xCk 2 X k cos k 1t k
Si el sistema trifsico trabaja en condiciones desequilibradas no se verificar la clasificacin

anterior.
El valor eficaz de una onda que tiene contenido armnico puede definirse de la siguiente manera:
X RMS X k2 (1.6)
k 1
Cuando se trabaja con ondas que contienen componentes armnicas, es preciso enunciar la
definicin de potencia activa y reactiva que se adoptar. La potencia activa se define como:
P Uk Ik cos k
(1.7)
k 1
La definicin de potencia reactiva ser:
Q Uk Ik sin k
(1.8)
k 1
Con estas definiciones se puede comprobar que generalmente no se cumple la igualdad
S 2 P 2 Q2 , lo que hace que se tenga que recurrir a la definicin de potencia distorsionante

D2 S 2 P 2 Q2 (1.9)
En general, es habitual considerar que la aportacin armnica a la potencia es despreciable en
comparacin con la fundamental de forma que se acaba calculando las potencias activa y reactiva,
segn:
P U1I1cos 1 ; Q U1I1sin 1 (1.10)

Para poder medir y comparar el contenido armnico de una determinada onda x(t) se define,
segn el IEEE, el ndice de distorsin armnica total (THD, total harmonic distorsion) como:
X k2
k 2
THDx 100 % (1.11)
X1
donde x(t) puede ser tanto una tensin como una corriente.
Tambin puede ser interesante conocer el contenido de un determinado armnico en la onda,
para ello se define el ndice de distorsin armnica individual (HD, harmonic distorsion) como:
Xk
HDxk 100 % (1.12)
X1
El CEI llama a la expresin (1.12) factor de distorsin (DF, distorsion factor).
18 Memoria
Se debe tener presente que, dado que el sistema con el que se va a trabajar es susceptible de
tener diferentes corrientes o tensiones en sus fases, se debern definir estos dos coeficientes para
cada una de ellas.
2.2 Desequilibrios.
Cuando en un sistema trifsico se conectan cargas que consumen diferentes potencias
aparentes en cada una de las fases o que tienen diferentes impedancias, las corrientes que circulan
por stas pueden ser diferentes y no tener ngulos relativos de 2 radianes.
3
Toda terna de magnitudes senoidales de una misma frecuencia puede ser representada de
forma fasorial, y un fasor X se puede descomponer en la suma de tres componentes X0, X1 y X2,
como se muestra en la Figura 2.2.
X0 X1
X
X2
Figura 2.2 Descomposicin de un fasor en las secuencias directa, inversa y homopolar.
Estas tres componentes se pueden completar de manera que X0 forme parte de una terna
homopolar, X1 pertenezca a una terna de fasores equilibrada y de secuencia directa y X2 forme parte
de una terna de fasores equilibrada y de secuencia inversa. Con las tres ternas de componentes se
puede representar cualquier terna de fasores asimtrica [12]. Un ejemplo es el que se encuentra en la
Figura 2.3.
c
abc
b 120 a
Sistema
+ b
120
+ 120
120 c
homopolar Sistema inverso
Sistema directo a
c
b
Figura 2.3. Descomposicin de tres fasores en las secuencias directa, inversa y homopolar.
Esta descomposicin se puede escribir de la siguiente manera:
Xa X 0a X 1a X 2a
Xb X 0b X 1b X 2b X 0a a 2 X 1a a X 2a (1.13)
2
Xc X 0c X 1c X 2c X 0a a X 1a a X 2a
2
j
3
1 3
donde a e i.
2 2
Si se escribe en forma matricial, se obtiene la siguiente expresin:
Xa 1 1 1 X0
2
Xb FX012 1 a a X1 (1.14)
2
Xc 1 a a X2
donde se ha simplificado la notacin sustituyendo X sa por X s , con s = 0, 1, 2. Esta descomposicin

se puede entender como un cambio de referencia, que suele conocerse como transformacin de
Fortescue-Stokvis.
Puede parecer interesante obtener la terna de componentes simtricas para una terna de
fasores dada, esto se puede conseguir haciendo el recproco de (1.14), con lo que se obtiene la
siguiente expresin:
1
X0 1 1 1 Xa 1 1 1 Xa
1
X1 1 a2 a Xb 1 a a2 X b (1.15)
2 3
X2 1 a a Xc 1 a2 a Xc
Y, al igual que ocurre con lo armnicos, puede ser interesante definir algunos coeficientes que
sean un reflejo del nivel de desequilibrio que tiene una determinada terna de tensiones o corrientes
trifsicas.
Habitualmente se suelen emplear dos coeficientes [7]:
El coeficiente de desequilibrio, que se define como:
X2
m2 100 % (1.16)
X1
El coeficiente de asimetra, que viene definido como:
X0
m0 100 % (1.17)
X1
Como se puede observar, la definicin de estos coeficientes va, en principio, dirigida a medir
desequilibrios en la componente fundamental de la onda. Dicha componente en condiciones
equilibradas es de secuencia directa, por lo que m2 m0 0 . Es decir, si la terna caracterizada es
equilibrada y de secuencia directa m2 m0 0 , y cuanto ms se alejan de cero dichos coeficientes,

mayor ser el desequilibrio de las ondas.
20 Memoria
3 MODELIZACIN DE COMPONENTES
3.1 Modelizacin de la red.

El modelo de red trifsica utilizado est compuesto por un generador trifsico acoplado en serie a
una impedancia. Corresponde, de hecho, al modelo Thevenin de una red elctrica.
Como se comentar en los apartados correspondientes, este generador trifsico estar
implementado de dos diferentes maneras:
Generador trifsico simtrico, equilibrado y sin armnicos: empleado en el estudio de la
respuesta frecuencial observado desde de la carga.
Generador trifsico simtrico, equilibrado y con contenido de armnicos: asignado en el
estudio de la respuesta frecuencial observado desde la red.
En cuanto a la impedancia, se compone de la parte resistiva y de la parte inductiva. Como ya se
comentar, la presencia de la parte resistiva puede despreciarse frente a la inductiva.
Teniendo en cuenta la tipologa elctrica de este modelo de red, tambin es capaz de simular el
efecto equivalente del acople de una lnea elctrica y la red, siempre y cuando la longitud de la lnea
elctrica sea menor a 50 km. Esto se debe a que, tal y como se explica en [14], las lneas elctricas
de corta distancia se pueden modelizar mediante una impedancia, despreciando los efectos
capacitivos.
Cada una de las fuentes de tensin ideales que conforman este elemento, generan una cada de
tensin entre sus bornes (uno de los cuales se conecta al neutro) dada por la expresin (2.1).
ua t 2Uk cos k t k
k
2
ub t 2Uk cos k t k k (2.1)
k 3
2
uc t 2Uk cos k t k k
k 3
En la Figura 3.1 se muestra este modelo de red.
Figura 3.1. Modelo de la red.

22 Memoria
3.2 Modelizacin del circuito Steinmetz.

Como ya se ha descrito anteriormente [[7] y [8]], este consumo est compuesto por una carga
monofsica conectada entre dos fases y dos reactancias simetrizadoras que se conectan formando
un tringulo con la carga monofsica, como se puede observar en la figura (Figura 3.2).
Como ya se comentar en el apartado correspondiente, en la mayora de las ocasiones las
reactancias simetrizadoras se componen de un elemento puramente inductivo y otro puramente
capacitivo. De esta manera, sus parmetros quedarn determinados por el valor de las reactancias XL
y XC. La carga monofsica estar caracterizada por su resistencia, R0, y por su factor de potencia, .
De esta manera, el circuito Steinmetz est formado por tres impedancias conectadas en
tringulo, cuyos valores se obtienen a partir de los parmetros que definen el mismo mediante las
siguientes frmulas:
2
1 1
Z 0, k R0 1 j k ; Z L, k j k X L ; Z C, k j XC ; (2.2)
k
siendo k = fk / f1, donde f1 es la frecuencia fundamental del sistema de estudio (50 Hz) y fk es la
frecuencia correspondiente a cada armnico.
La conexin de los componentes del circuito simetrizador en cada una de las fases es la que se
muestra en la siguiente figura:
a
b
c
ZL,k Z0,k
ZC,k
Figura 3.2. Conexin del circuito Steinmetz
El valor de cada una de estas reactancias se calcular en el apartado 4: Diseo del Circuito
Simetrizador.
3.3 Modelizacin de las cargas no lineales.

El conjunto de cargas no lineales que se estudiar en el presente proyecto est compuesto por:
Cargador de bateras.
Rectificador monofsico no controlado.
Rectificador trifsico no controlado.
Lmpara de descarga.
Rectificador trifsico de seis pulsos.
Estos dispositivos se utilizarn para analizar el comportamiento de la respuesta frecuencial del
sistema compuesto por el circuito Steinmetz y una de estas cargas. A pesar de que algunas de ellas
son monofsicas, todas ellas se implementarn de manera trifsica, conectando en estrella las
monofsicas.
Para realizar la modelizacin de estas cargas, se ha tomado la serie de hiptesis que se
comenta a continuacin:
Las tensiones de alimentacin se asumen sinusoidales, expresadas como:
va 2V cos va
2 2 (2.3)
vb va ; vc va
3 3
en el caso trifsico; y
v 2V cos v
(2.4)
en el caso monofsico. En ambas expresiones, t 2 f t y f es la frecuencia

fundamental de la red (50 Hz). Esta consideracin es razonable para los niveles de
distorsin presentes en los sistemas elctricos (aproximadamente 2-3% como mximo).
A pesar de que las impedancias del sistema de alimentacin alterna estn compuestas
por resistencias y reactancias inductivas, las resistencias no se han considerado en el
estudio ya que su influencia en el comportamiento de la carga no lineal es mucho menor
que la influencia de la reactancia inductiva.
Para cada una de las cargas se han introducido simplificaciones que se comentarn en
los siguientes subapartados.
Se ha supuesto simetra de media onda en el estudio.
A continuacin, en cada uno de los apartados, se comentar la modelizacin llevada a cabo para
cada uno de los dispositivos, basados todos ellos a partir de [15] y [16].
24 Memoria
3.3.1 Modelizacin de rectificadores monofsicos no controlados.

El rectificador monofsico no controlado es una carga monofsica no lineal. No obstante, para
nuestro estudio, se consideran tres de ellas conectadas en estrella entre fase y neutro, de manera
que, globalmente, formen una carga trifsica no lineal.
El modelo que se emplear est compuesto un puente de Graetz, formado por cuatro diodos, el
cual alimenta a una carga puramente resistiva a travs de un condensador de filtrado. Una
impedancia, inductiva pura (se desprecia la resistencia de la alimentacin frente a la inductancia), se
conecta en serie a la entrada del rectificador.
En la Figura 3.3 se muestra el modelo comentado con anterioridad. En este caso, la hiptesis
simplificativa consiste en modelar la carga de continua como un elemento resistivo puro, RD.
Figura 3.3. Modelo del rectificador monofsico no controlado.

En la Figura 3.4 se muestra el comportamiento de la tensin DC y corriente AC de este
dispositivo. Los ngulos de conmutacin (desde 1 hasta 4) deben de determinarse analizando las
topologas del circuito de los cuatro segmentos marcados (I, II, III y IV). Sin embargo, debido a la
hiptesis de simetra de media onda, slo ser necesario estudiar los segmentos I y II, ya que se
verifica la relacin j+2 = j + ( j = 1, 2.).
i
vC
vC I II III IV
0 1 2 3 4 2
(rad)
i
Figura 3.4. Grfica de la tensin y corriente del rectificador monofsico no controlado.
Analizando, por tanto, la Figura 3.3 se deducen las siguientes ecuaciones de comportamiento
para cada uno de los tramos.
i 0
Segmento I ( 1 < < 2 ): 1 dv C vC
0
XC d RD
di (2.5)
XL vC v
d
Segmento II ( 2 < < 3 ):
1 dv C v C
i
XC d RD
Las expresiones de las formas de onda de la tensin y corriente, vC() y i(), se obtienen
resolviendo (2.5).
Para caracterizar el comportamiento del dispositivo a partir de sus invariantes se ha realizado
una normalizacin. Los parmetros base o de referencia tomados en este dispositivo para realizar
dicha normalizacin han sido:
El valor eficaz del armnico fundamental de la tensin de alimentacin, V.
La resistencia DC del rectificador, RD.
Teniendo en cuenta la normalizacin de parmetros, las ecuaciones de (2.5) quedan de la
siguiente manera:
iN 0
Segmento I ( 1 < < 2 ): 1 dv C,N
v C,N 0
xC,N d
di N (2.6)
xL,N vC ,N v N
d
Segmento II ( 2 < < 3 ):
1 dv C,N
v C,N iN
xC ,N d
donde los parmetros normalizados quedan:

iN i IR ; vC,N v C UR ;
vN 2 1 cos( v ); (2.7)
XL XL XC XC
xL,N ; xC,N ;
ZR RD ZR RD
26 Memoria
3.3.2 Modelizacin de rectificadores trifsicos no controlados.

El rectificador trifsico no controlado es una carga trifsica no lineal.
El modelo que se emplear est compuesto un puente, formado por seis diodos, el cual alimenta
a una carga puramente resistiva a travs de un condensador de filtrado. Una impedancia, inductiva
pura (se desprecia la resistencia de la alimentacin frente a la inductancia), se conecta en serie a la
entrada del rectificador.
Figura 3.5. Modelo del rectificador trifsico no controlado.

En la Figura 3.6 se muestra el comportamiento de la tensin DC, vC, y las corrientes AC, iA, iB y
iC . Los modos de conduccin continua de corriente y el modo de conduccin discontinua de corriente
son considerados en el anlisis del comportamiento del rectificador.
i
v II IV VI VIII X XII
vC C
I III V VII IX XI 12
MDC
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 2
(rad)
ic ia ib
i ia ib ic
vC
vC
I III V VII IX XI
MCC
6 12
0 1 2 3 4 5 7 8 9 10 11 2
(rad)
II IV VI VIII X XII
Figura 3.6. Grfico de tensiones y corrientes del rectificador trifsico no controlado.
Se ha de tener en cuenta que la consideracin de un sistema de alimentacin simtrico impone
que las corrientes rectificadas verifican: ib() = ia( 2 /3) y ic() = ia( + 2 /3). Los ngulos de
conmutacin (desde 1 hasta 12) deben de determinarse analizando las topologas del circuito de los
doce segmentos marcados (I, II, , XII). Sin embargo, debido a las hiptesis de simetra de media
onda y alimentacin simtrica, slo ser necesario estudiar los segmentos I y II, ya que se verifica la
relacin j+2 = j + /3 ( j = 1, 2, , 10).
Las ecuaciones que caracterizan el comportamiento de este dispositivo, para cada uno de los
modos de funcionamiento, son las que se muestran en (2.8) y (2.9).
di a
2 XL vC v ac
d
Segmento I ( 1 < < 2 ):
1 dv C vC
ia
XC d RD
MCC di a (2.8)
XL v C v ac
d
di
Segmento II ( 2 < < 3 ): X L b v C v bc
d
1 dv C v C
ia ib
XC d RD
di a
2 XL vC v ac
d
Segmento I ( 1 < < 2 ):
1 dv C vC
ia
MCD XC d RD (2.9)
ia 0
Segmento II ( 2 < < 3 ): 1 dv C vC
0
XC d RD
Las expresiones de las formas de onda de la tensin y corriente, vC() y i(), se obtienen
resolviendo (2.8) o (2.9), segn el caso que se analice.
una normalizacin. Los parmetros base o de referencia tomados en este dispositivo han sido:
El valor eficaz del armnico fundamental de la tensin fase-neutro de alimentacin, V.
La resistencia DC del rectificador, RD.
Teniendo en cuenta la normalizacin de parmetros, las ecuaciones de (2.8) y (2.9) quedan de la
siguiente manera:
28 Memoria
di a,N
2 xL,N vC,N v ac ,N
d
Segmento I ( 1 < < 2 ):
1 dvC,N
vC,N i a,N
xC,N d
MCC di a,N (2.10)

xL,N v C,N v ac ,N
d
di b,N
Segmento II ( 2 < < 3 ): xL,N vC,N v bc,N
d
1 dvC,N
vC,N i a,N i b,N
xC,N d
di a,N
2 xL,N vC,N v ac ,N
d
Segmento I ( 1 < < 2 ):
1 dvC,N
vC,N i a,N
MCD xC,N d (2.11)
i a,N 0
Segmento II ( 2 < < 3 ): 1 dvC,N
vC,N 0
xC,N d

i a,N i a IR ; i b,N i b IR ;
v C,N v C UR ;
v ac ,N 3 2 1 cos( 6); (2.12)
va
v bc ,N 3 2 1 cos( va 2);
XL XL XC XC
xL,N ; xC ,N ;
ZR RD ZR RD
3.3.3 Modelizacin de lmparas de descarga.

La lmpara de descarga se trata de una carga monofsica no lineal. No obstante, para nuestro
estudio, se considerarn tres de ellas conectadas en estrella entre fase y neutro, de manera que,
globalmente, formen una carga trifsica no lineal.
El modelo que se emplear est compuesto por una impedancia, inductiva pura (se desprecia la
resistencia de la alimentacin frente a la inductancia), y una fuente de tensin de onda cuadrada que
modela la tensin de arco de la lmpara.
simplificativa consiste en modelar el efecto de tensin de arco mediante una fuente de tensin de
onda cuadrada.
ZL
i +
vA
Figura 3.7. Modelo de la lmpara de descarga.

En la Figura 3.8 se muestra el comportamiento de la tensin de arco, vA, y corriente, i, de este
dispositivo. Los ngulos de conmutacin (desde 1 hasta 2), que definen la lmpara de descarga, se
determinan analizando la topologa del circuito para los dos segmentos marcados en la figura (I y II).
Sin embargo, debido a la hiptesis de simetra de media onda, slo ser necesario estudiar el
segmento I, ya que se verifica la relacin 2 = 1 + .
i VA
vA
vA
i I II
0 1 2 2
(rad)
VA
Figura 3.8. Grfica de la tensin y corriente de la lmpara de descarga.
para el segmento I (2.13).
di
Segmento I ( 1 < < 2 ): XL VA v (2.13)
d
Las expresiones de las formas de onda de la tensin y corriente, vA() y i(), se obtienen
resolviendo (2.13).
30 Memoria
El valor eficaz del armnico fundamental de la tensin de alimentacin, V.

La reactancia de la lmpara, XL.
siguiente manera:
di N
Segmento I ( 1 < < 2 ): v A,N vN (2.14)
d
iN i IR
vN 2 1 cos( ) (2.15)
v
VA VA
v A,N
UR V
3.3.4 Modelizacin de rectificadores trifsicos de seis pulsos.

El rectificador trifsico controlado de seis pulsos se trata de una carga trifsica no lineal.
El modelo que se emplear est compuesto un puente de 6 tiristores, el cual alimenta a una
carga modelada como una fuente ideal de corriente. Una impedancia, inductiva pura (se desprecia la
resistencia de la alimentacin frente a la inductancia), se conecta en serie a la entrada del rectificador.
simplificativa consiste en modelar el consumo, generalmente un motor de continua, como una fuente
de corriente ideal constante, lo que equivale a considerar la inductancia de dicha carga
suficientemente grade como para poder supone de ausencia de rizado en su intensidad consumida.
Figura 3.9. Modelo del rectificador trifsico de 6 pulsos.

En la Figura 3.10 se muestra el comportamiento de la corriente AC de la fase A, ia. No se
considera rizado de la corriente DC en el anlisis del comportamiento del rectificador. Se hace notar
que la suposicin de tensin de alimentacin simtrica impone que la terna de corrientes verifican:
ib()=ia( 2/3) y ic()=ia( + 2/3). En la Figura 3.10 se presentan los ngulos de conmutacin
(desde 1 hasta 8) que definen la corriente AC del rectificador. Estos ngulos de conmutacin deben
de ser determinados analizando las topologas del circuito de los 8 segmentos etiquetados. Sin
embargo, gracias a las hiptesis de simetra de media onda y tensiones simtricas, slo los
segmentos I y II deben de ser analizados, ya que los ngulos de conmutacin verifican las relaciones
j+2 = j + 2 /3, j+4 = j + y j+6 = j + 5 /3 ( j = 1, 2).
ia ID
I III
II IV 5 VI VIII
0 1 2 3 4 6 7 8 2
V VII (rad)
ID
Figura 3.10. Grfica de la tensin y corriente del rectificador trifsico de 6 pulsos.
Analizando la Figura 3.9, por tanto, se observa que las ecuaciones que caracterizan la forma de
la corriente en el segmento consiste en un sistema de ecuaciones diferenciales de segundo orden.
32 Memoria
di a di c
XL v ac
Segmento I ( 1 < < 2 ): d d
(2.16)
ia ic ID
Segmento II ( 2 < < 3 ): ia ID

El valor eficaz de la tensin fase-neutro de alimentacin, V.
La corriente DC del rectificador, ID.
siguiente manera:
di a,N di c ,N
xL,N v ac ,N
Segmento I ( 1 < < 2 ): d d
i a,N i c,N 1
Segmento II ( 2 < < 3 ): i a,N 1 (2.17)
1 1 2
Condicin de pot. activa: pN 3 v a,N i a,N d
2 1

i a,N i a IR ; i c ,N i c IR ;
v a,N 2 1 cos( va );
v ac ,N 3 2 1 cos( 6);
(2.18)
va
XL XL P P
xL,N ; pN ;
ZR V ID SR VID
3.3.5 Modelizacin de cargadores de bateras.

El cargador de bateras es una carga monofsica no lineal. No obstante, para nuestro estudio, se
considerarn tres de ellos conectadas en estrella entre fase y neutro, de manera que, globalmente,
formen una carga trifsica no lineal.
El modelo que se emplear est compuesto un puente de Graetz, formado por cuatro diodos, el
cual alimenta a una carga puramente resistiva y, conectada a ella en paralelo, una fuente de tensin
constante. Una impedancia, inductiva pura (se desprecia la resistencia de la alimentacin frente a la
inductancia), se conecta en serie a la entrada del rectificador.
Figura 3.11. Modelo del cargador de bateras.

En la Figura 3.12 se muestra el comportamiento de corriente AC de este dispositivo. Los ngulos
de conmutacin (desde 1 hasta 4) deben de determinarse analizando las topologas del circuito de
los cuatro segmentos marcados (I, II, III y IV). Sin embargo, debido a la hiptesis de simetra de media
onda, slo ser necesario estudiar los segmentos I y II, ya que se verifica la relacin j+2 = j +
( j = 1, 2.).
I II III IV
0 1 2 3 4 2
(rad)
i
Figura 3.12. Grfica de la corriente del cargador de bateras.
para cada uno de los tramos.
34 Memoria
Segmento I ( 1 < < 2 ): i 0

di (2.19)
Segmento II ( 2 < < 3 ): XL VD v
d
Las expresiones de las formas de onda de la corriente, i(), se obtienen resolviendo (2.19).
El valor eficaz de la tensin fase-neutro de alimentacin, V.
La reactancia de la red, XL.
siguiente manera:
Segmento I ( 1 < < 2 ): iN 0
diN (2.20)
Segmento II ( 2 < < 3 ): v D, N vN
d
iN i IR ;
vN 2 1 cos( v ); (2.21)
VD
v D,N ;
V
4 DISEO DEL CIRCUITO SIMETRIZADOR

Cuando se conectan cargas monofsicas de elevada potencia entre dos fases de un sistema
trifsico, aparecen desequilibrios en la corriente que son indeseables, ya que tienen efectos negativos
sobre el sistema. Para evitar estos desequilibrios, se suele utilizar un circuito simetrizador, tambin
conocido como circuito Steinmetz.
El circuito Steinmetz est formado por dos reactancias que se conectan junto con la carga a
simetrizar, formando un tringulo con sta (ver Figura 4.1). Estas reactancias deben tener un valor tal
que la terna de corrientes absorbida por el conjunto sean una estrella directa.
Figura 4.1. Circuito Steinmetz genrico.
La obtencin del valor de los parmetros de las reactancias que forman el circuito Steinmetz
puede ser realizada de dos maneras:
Mediante el clculo aproximado: suponiendo tensiones simtricas.
Mediante el clculo exacto: teniendo en cuenta la posible no simetra de las tensiones.
4.1 Clculo aproximado.

Las corrientes de lnea consumidas por el conjunto (ver Figura 4.1) se pueden calcular
matricialmente de la siguiente manera:
1
0 0
Z1
Ia 1 0 1 U ab
1 (3.1)
Ib 1 1 0 0 0 U bc
Z0
Ic 0 1 1 U ca
1
0 0
Z2
36 Memoria
donde Z1 = jX1 y Z2 = jX2 son las impedancias de la reactancias simetrizadoras, Z0 = R0+jX0 =
R0(1+m) es la impedancia de la carga monofsica, donde m 1 2

1.
A partir de las corrientes de lnea obtenidas con la expresin (3.1) se pueden determinar las
corrientes de secuencia directa, inversa y homopolar, I1, I2 e I0, mediante la transformacin de
Fortescue (3.2):
1
I0 1 1 1 Ia 1 1 1 Ia
1
I1 1 a2 a Ib 1 a a2 I b (3.2)
2 3
I2 1 a a Ic 1 a2 a Ic
El factor de desequilibrio, mi, se determina analticamente como la relacin entre las corrientes I1
e I2 (3.3).
I2 Ia a 2 I b aI c
mi
I1 Ia aI b a 2 I c
U ab Y 1 1 a 2 U bc Y 0 a 2 a U ca Y 2 a 1
2
(3.3)
U ab Y 1 1 a U bc Y 0 a a U ca Y 2 a 2 1
U ab Y 1 a 2 U ca Y 0 aU ca Y 2 1 a 2

U ab Y 1 aU ca Y 0 a 2 U ca Y 2 1 a
Para simplificar el estudio del diseo del circuito, se supone que las tensiones son simtricas, es
decir, U bc a2 U ab y U ca aU
ab . De esta manera, se obtiene:
2 2
2 2
1 1 1 1
3 2 2 m
I2 X2 X1 R0 X2 X1 R0
mi (3.4)
2 2
I1 2
1 1 2
4 m
R0 X2 X1 R0
Forzando que el mdulo del factor de desequilibrio (3.4) sea cero, se obtiene el sistema de
ecuaciones (3.5).
2
1 1
3 2 0
X2 X1 R0
mi 0 (3.5)
2
1 1
2 m 0
X2 X1 R0
De (3.5) se deduce que los valores de las reactancias simetrizadoras deben de ser de:
aprox
3 R02 X 02 3R0
X 1 2
R0 3 X 0 1 3 m
(3.6)
3 R02 X 02 3R0
X 2aprox
2
R0 3 X 0 1 3 m
donde Z0 = R0 + jX0 es la impedancia de la carga monofsica, es el factor de potencia de esta carga

2
y m 1 1.
De estas expresiones se puede observar que, dependiendo del valor de R0 3 X 0 , se pueden

presentar varios casos:
Si R0 3 X0 0 , es decir, el factor de potencia de la carga monofsica es superior
a 3/2, 3 2 0.866 , la reactancia X2 es capacitiva (X2 < 0).
Si R0 3 X0 0 , es decir, el factor de potencia de la carga monofsica es inferior
a 3/2, 3 2 0.866 , la reactancia X2 es inductiva.
Si R0 3 X0 0 , es decir, el factor de potencia de la carga monofsica es igual a
3/2, 3 2 0.866 , la reactancia X2 es nula, y por tanto, el circuito simetrizador

est compuesto nicamente por la reactancia X1.
Se puede observar que la reactancia X1 siempre es inductiva. Adems, sabiendo que el factor de
potencia de la mayora de cargas supera el valor crtico de 3/2, se continuar este estudio tomando
la reactancia X2 como capacitiva. De esta manera, el circuito simetrizador tendr la representacin
mostrada en la Figura 4.2.
a
b
c
ZL Z0
ZC
Figura 4.2. Circuito Steinmetz.
Es preciso remarcar que, cuando la alimentacin del circuito no es simtrica, este mtodo de
clculo solamente ofrece una aproximacin del valor de las reactancias que reducen el desequilibrio,
pero se debe tener en cuenta que para obtener los valores ptimos es preciso recurrir al mtodo
exacto.
4.2 Clculo exacto.

Para los casos en los que las tensiones de alimentacin no son simtricas, si se desea reducir al
mximo el desequilibrio de las corrientes consumidas por una carga monofsica, es preciso recurrir a
38 Memoria
mtodos de clculo basados procesos iterativos o de optimizacin. No obstante, debido a que esta
optimizacin no forma parte de los objetivos del presente proyecto, se buscar un clculo exacto sin
requerimientos de tcnicas iterativas.
El objetivo que se pretende conseguir es minimizar el desequilibrio de la corriente absorbida por
el circuito Steinmetz, al igual que en el caso aproximado. Sin embargo, este mtodo de clculo tendr
en cuenta las posibles asimetras que puedan existir en la tensin de alimentacin para obtener los
valores de las reactancias simetrizadoras que minimizan el desequilibrio de la corriente consumida por
el circuito.
Este desequilibrio de la tensin de alimentacin se puede caracterizar mediante el coeficiente mu,
de clculo similar al desequilibrio de corrientes, tal y como se muestra en (3.7) .
U2 I2
mu 100 mu u ; mi 100 mi i (3.7)
U1 I1
donde la tensin U ser la tensin de alimentacin del circuito simetrizador, y la corriente I har
referencia a la corriente absorbida por el mismo circuito. Los subndices 1 y 2 hacen referencia a las
componentes directa e inversa, explicadas en el captulo de fundamentos tericos. Para poder
considerar la asimetra de las tensiones en la expresin (3.4), se deber expresar dichas tensiones de
otro modo.
As, cualquier terna de tensiones iniciales (Ua1, Ub1 y Uc1), que se llamarn M1, sin tener en
cuenta la componente homopolar (que no afectar al clculo de los factores de desequilibrio, y, por
tanto, al diseo del circuito), se puede representar como una terna M2, compuesta por Ua2, Ub2 y Uc2
(ver Figura 4.3).
U c1
a a
c c
M1 U a1 M1
30 U a2 hU a '2
U c2 aU a '2
M2
U b1 U a '2
30
a'
U b2 a 2 U a '2
b b
Figura 4.3. Obtencin de la terna M2 a partir de la terna M1.
Para obtener M2, se fijan los fasores correspondientes a las fases b y c, formando entre s un
ngulo de 120, y por tanto de 30 con la tensin compuesta bc. A partir de estos fasores, se puede
encontrar Ua2. Como puede observarse en la figura, la terna M2 junto con el fasor Ua2 que forma una
terna equilibrada con Ub2 y Uc2, cumplen las propiedades
U a2 hU a '2 2
a exp j
U b2 2
a U a '2 donde 3 (3.8)
U c2 aU a '2 h c j d
De esta forma, se observa que la terna de fasores M2, que tiene el mismo coeficiente mu que la
terna M1 (no se considera la componente homopolar) puede expresarse a partir de la tensin Ua'2 y del
ndice complejo h.
Como se ver a continuacin, h est relacionado con el factor de desequilibrio de la tensin de
alimentacin del circuito Steinmetz. De esta forma, aplicando a la terna M2 la transformacin de
Fortescue (3.9) para calcular el valor del coeficiente mu (3.7);
1
U0 1 1 1 U a2 1 1 1 U a2
1
U1 1 a2 a U b2 1 a a2 U b2 (3.9)
2 3
U2 1 a a U c2 1 a2 a U c 2
Posteriormente, realizando la sustitucin de las expresiones (3.8) en (3.9), se obtiene:
U a2 a 2 U b 2 aU c 2 U a 2 aU a '2 a 2 U a '2
mu (3.10)
U a2 aU b 2 a 2 U c 2 U a 2 U a '2 U a '2
de donde, teniendo en cuenta que U a2 hU a '2 , se puede obtener la relacin entre el ndice h y el
coeficiente mu :
h a a2 1 2mu
mu h c j d (3.11)
h 1 1 1 mu
El factor de desequilibrio de las corrientes, mi, viene determinado por (3.12), como ya se pudo
ver en (3.3).
I2 Ia a 2 I b aI c
mi
I1 Ia aI b a 2 I c
(3.12)
U a 2b 2 Y 1 1 a 2 U c 2a 2 Y 0 a 2 a U c 2a 2 Y 2 a 1
U a 2b 2 Y 1 1 a U c 2a 2 Y 0 a a 2 U c 2a 2 Y 2 a 2 1
Seguidamente, sobre (3.12) se efecta el cambio (3.8), obteniendo (3.13):
Y 1 h a2 Y 0 a 2 a 2 a Y 2 a a h
mi (3.13)
Y 1 h a2 Y 0 a a 2 a Y 2 a 2 a h
Si se impone que este coeficiente mi sea nulo (equivalente a imponer que las corrientes
absorbidas por el circuito Steinmetz sean una terna de secuencia directa) se obtiene que los valores
de las reactancias simetrizadoras se pueden calcular mediante la expresin (3.14).
40 Memoria
exact
R0 c c 2 d2
X 1
2
c 3 m d 1 3 m 2 m
(3.14)
R0 1 2c c c 2 d2
X 2exact
2
2c 2 3 m c 3 5 m d 2c 1 1 3 m 2 m
donde m 1 2
1 y es el factor de potencia de la carga monofsica del circuito (Z0).
Se puede observar que la expresin anterior es funcin del desequilibrio de la tensin de
alimentacin y de los parmetros de carga monofsica que forma parte del circuito.
Si se introduce la simplificacin utilizada en el mtodo de clculo aproximado, es decir, si se
supone que la tensin de alimentacin del circuito es simtrica,
mu 0 h 1 c 1, d 0 (3.15)
se obtienen, a partir de las expresiones (3.14), el valor de las reactancias calculadas segn el mtodo
aproximado, para una determinada impedancia monofsica del circuito Steinmetz:
3R0 3R0
X1aprox ; X 2aprox (3.16)
2 2
1 3 m 1 3 m
Se puede observar que estas expresiones coinciden con las presentadas en el mtodo de
clculo aproximado (3.6).
Ahora, a partir de (3.14), se calcula el valor de c, es decir, el valor frontera para el factor de
potencia de la carga monofsica que cumple:
Si el factor de potencia de la carga monofsica, , es superior a c: la reactancia X2 es
capacitiva (X2 < 0).
Si el factor de potencia de la carga monofsica, , es inferior a c: la reactancia X2 es
inductiva.
Si el factor de potencia de la carga monofsica, , es igual que c: la reactancia X2 es
nula, y por tanto, el circuito simetrizador est compuesto nicamente por la reactancia
X1.
1 6c 2 3c 2 3cd 3d
c 1 (3.17)
3 2c 2 5c 3d 2 2cd
Posteriormente, en los apartados correspondientes, se estudiar con detalle el circuito Steinmetz

calculado a partir del modo aproximado y del modo exacto. Tambin se cotejarn ambos modos de
clculo a partir del comportamiento del circuito para diferentes casos.
5 ESTUDIO DE LA RESPUESTA FREC. DEL SISTEMA:

LOCALIZACIN DE RESONANCIAS
El estudio llevado a cabo durante la realizacin del presente proyecto ha incluido un anlisis
matemtico (numrico y analtico) de la posicin de la resonancia del sistema compuesto por la red, la
carga y el circuito Steinmetz (mostrado en la Figura 5.1), obteniendo resultados satisfactorios. En los
siguientes apartados se analiza el sistema anterior, con el objetivo de encontrar la expresin analtica
de la resonancia para diversas situaciones.
Figura 5.1.Sistema a estudiar.

Existen dos posibles fuentes contaminantes de armnicos en el sistema de la Figura 5.1: una red
con tensiones de alimentacin distorsionadas con un cierto contenido armnico o una carga no lineal
que inyecte corrientes armnicas en el sistema. As, la respuesta frecuencial del sistema depender
de la impedancia armnica equivalente observada bien desde la red o bien desde la carga no lineal.
5.1 Sistema observado desde la carga no lineal.

De acuerdo con [18], para estudiar el comportamiento armnico observado desde la carga del
sistema formado por la red y el circuito Steinmetz, se ha de analizar el sistema representado en la
Figura 5.2.
42 Memoria
Figura 5.2. Comportamiento armnico del sistema.

Gracias al anlisis de la matriz de impedancias, para cada armnico, del sistema estudiado, se
podr caracterizar su comportamiento frecuencial. Tomando como referencia la tensin del nudo N y
utilizando el mtodo de los nudos [11], se obtiene (4.1).
VAk I Ak Z AA Z AB Z AC I Ak
VBk Z Bk I Bk ZBA ZBB ZBC I Bk
VCk I Ck ZCA ZCB ZCC k I Ck
1
(4.1)
YS YL YC YL YC I Ak
YL YS YL Y0 Y0 I Bk
YC Y0 YS YC Y0 I Ck
k
1 1 1
donde YSk Z Sk RS j k X S es la admitancia de la red, YLk j k XL es la admitancia
1
de la reactancia inductiva simetrizadora, YCk j XC k es la admitancia de la reactancia
1 1
capacitiva simetrizadora e Y0k Z 0k R0 j k X 0 es la admitancia de la carga monofsica
conectada en el circuito Steinmetz.

En este estudio, los parmetros de las reactancias simetrizadoras del circuito Steinmetz sern
calculados considerando las tensiones de alimentacin simtricas, tal y como se describe en el
captulo 4: Diseo del Circuito Simetrizador. Se tiene, por tanto:
3R0 3R0
XL ; XC (4.2)
2 2
1 3 m 1 3 m
2
donde m 1 1.
Operando la expresin (4.1) y observando los trminos resultantes, se obtiene la expresin del
mdulo de cada uno de los trminos que componen la matriz ZBk.
Y 2S Y S Y L YC 2Y 0 Y L Y C Y0 Y C Y 0
k
Z AAk
Y Sk Dk
Y 2S Y S Y L 2Y C Y0 Y L Y C Y0 Y C Y 0
k
ZBBk
Y Sk Dk
Y 2S Y S 2Y L YC Y0 Y L Y C Y0 Y C Y 0
k
ZCCk
Y Sk Dk
(4.3)
Y L Y S YC Y0 Y C Y 0
k
Z ABk ZBAk
Y Sk Dk
Y C Y S YL Y0 Y L Y 0
k
Z ACk ZCAk
Y Sk Dk
Y 0 Y S YL YC Y L Y C
k
ZBCk ZCBk
Y Sk Dk
donde Dk Y 2S 2Y S Y L YC Y0 3 Y L Y L YC Y C Y 0 .
k
Todas las impedancias que componen la matriz ZBk caracterizan directamente el comportamiento
armnico del sistema observado desde la carga no lineal. Las impedancias de la diagonal permiten
calcular la contribucin de las corrientes armnicas de una fase a las tensiones armnicas de esa
misma fase. En cambio, las impedancias restantes permiten calcular la contribucin de las corrientes
armnicas de una fase a las tensiones armnicas de las dos fases restantes. Por esta razn, es
necesario calcular ambos grupos de impedancias, ya que una resonancia paralelo en cualquiera de
estas impedancias podra amplificar las tensiones armnicas generadas y deteriorar la calidad
armnica del subministro.
Llegados a este punto, para simplificar el estudio analtico de estas expresiones, se han de tener
en cuenta dos aspectos:
En primer lugar, se desprecia la parte resistiva del modelo de la red debido a que la
influencia sobre el posicionamiento de la resonancia es nula, como se comentar
-1
posteriormente. Es decir, a partir de ahora, YSk (jkXS) .
Finalmente, se opta por normalizar todas las variables, tomando como valor de
referencia la parte real de la impedancia de la carga monofsica Z0k (es decir,
Re{Z0k}=R0). As, a partir de ahora, en lugar de analizar ZBk, se analizar ZBk/R0.
Si se analiza la expresin del mdulo de la impedancia normalizada |ZAAk|/R0, se obtiene:
Z AAk R02 Y 2S Y S Y L Y C 2Y 0 Y L Y C Y 0 Y C Y 0
k
2
(4.4)
R0 R0 Y Sk R Dk
0
Se observa que la expresin (4.4) slo depende de los trminos R0YSk, R0YLk, R0YCk y R0Y0k, y
estos trminos son:
44 Memoria
2
1 1 3 m
R0 Y Sk j ; R0 Y Lk j ;
k X S R0 k 3
(4.5)
k 2 1 3 m 1
R0 Y Ck j ; R0 Y 0 k ;
3 1 j k m
Analizando las expresiones del resto de las impedancias que componen ZBk se concluye tambin
que slo dependen de R0YSk, R0YLk, R0YCk y R0Y0k.
Se deduce, por tanto, que, para el estudio matemtico, la magnitud normalizada de las
impedancias viene afectada nicamente por tres parmetros:
El armnico, k.
La reactancia normalizada de la red, xS = XS/R0.
El factor de potencia de la carga monofsica, .
Es conveniente anotar que el ratio XS/R0 es igual a la inversa del ratio SS/S0,
((1/)S0/SS = (1/)XS/Z0 = XS/R0), donde SS es la potencia de cortocircuito de la red y S0 es la
potencia aparente de la carga monofsica. De esta manera, considerando el rango usual de los
valores de SS/S0, y los valores del factor de potencia fundamental, = (1, ,0.9), el rango de valores
de XS/R0 utilizado en el estudio es XS/R0 = (0, , 0.2).
En la determinacin numrica de las impedancias de ZBk no se ha despreciado RS, por lo que se
requiere un nuevo parmetro de entrada dado por el ratio RS/XS. Habitualmente, el rango de variacin
de esta variable es RS/XS = (0, , 1).
Para ilustrar estos conceptos mediante grficos, se estudiar el caso concreto definido por los
siguientes parmetros, obtenidos de [18]:
RS/XS = 0.4442;
XS/R0 = 0.036;
= 1;
En la Figura 5.3 se muestra una captura de pantalla del programa cuando se analiza el
comportamiento de este sistema:
En la mitad derecha de la imagen se exponen los 6 grficos correspondientes a los
mdulos de las impedancias de ZBk, obtenidos mediante los valores normalizados de
(4.3). En ellos se sita la localizacin de la resonancia kp calculada analticamente, con
la expresin que se presentar ms adelante.
En la parte izquierda inferior de la imagen se expone el grfico correspondiente a la
localizacin de la resonancia analtica para varios , con expresin que se presentar
ms adelante, calculada analticamente.
Figura 5.3. Grficos de las componentes de ZBk/R0.

Analizando la Figura 5.3, se observan los siguientes aspectos:
La conexin del circuito Steinmetz causa una resonancia paralelo en las impedancias de
ZBk. En este ejemplo, esta resonancia est prxima al quinto armnico para todas las
impedancias.
El comportamiento resonante asimtrico del circuito genera un efecto asimtrico en las
tensiones armnicas, y la resonancia ms crtica se encuentra en las fases A y C, entre
las cuales est conectado el condensador. Ambas fases tienen la mayor impedancia
armnica, y, por tanto, tendrn las mayores tensiones armnicas.
Todas las impedancias referentes a la fase A o fase C tienen una frecuencia de
resonancia, cuyo valor coincide en todas las admitancias que conforman ZBk/R0
(ver Figura 5.3).
El objetivo del estudio es, por tanto, expresar analticamente este valor, que se llamar kp. Para
ello, se tienen en cuenta las observaciones apuntadas en [18]:
La condicin que se ha de imponer para encontrar el punto de resonancia consiste en
minimizar el denominador, ya que la expresin del numerador no es influyente en el
posicionamiento de la kp.
El denominador, de cara a ser analizado para encontrar su mnimo global, puede ser
simplificado a la expresin (4.6).
46 Memoria
Dk Y 2Sk 2Y Sk Y Ck Y 0k 3Y Ck Y 0 k (4.6)
Como se puede observar, los nicos trminos que se han despreciado en (4.6) son los que
acompaan a la admitancia inductiva simetrizadora.

Seguidamente, utilizando el manipulador matemtico Maple 9, se deriva |Dk| y se iguala a cero.
Se obtiene la siguiente expresin:
G1 m 4 G2 G3 m G4
kp ;
3xr G5
2
G1 36 xr2 14 3 2
x r 12 2
1;
2
G2 3 3 xr2 4 4
7.5 2
10.5 xr 3 2
1;
5
G3 216 3 xr4 3
144 4
612 2
756 xr3
3 4 2
128 3 534 3 438 3 xr2
6 5 2
192 505 564 252 xr2
4 2
24 3 48 3 24 3 ;
4 2
G4 216 324 xr4 3 4
48 4
540 2
504 xr3
2 8 6 4 2
256 768 1254 1383 657 xr2
6 4 2
3 64 280 384 168 xr
6 4 2
24 84 96 36;
G5 4 2
3 9 2
x 2
r 12 m x r 4 2
1 ; (4.7)
2
donde m 1 1 , xr = XS/R0 y representa el factor de potencia de la carga monofsica.
Se observa que la posicin de la resonancia paralelo del sistema viene determinada nicamente
por dos parmetros: por y por la XS/R0.
5.1.1 Influencia de las resistencias en el sistema.

En el anterior anlisis matemtico del valor de kp se han despreciado la resistencia de la red y de
la inductancia simetrizadora. En este apartado se estudiar el efecto de estas resistencias en el
comportamiento global del sistema.
En primer lugar se comentar el efecto de la resistencia de la red. En el clculo de la kp se
despreci dicha resistencia, realizando la simplificacin (4.8). En caso de no hacer esta simplificacin,
se ha verificado numricamente en [18] que la modificacin del valor de RS vara la magnitud de las
impedancias de ZBk, pero no altera el valor de kp.
Z S RS j k X S j k X S (4.8)
En el ejemplo de la Figura 5.3 ya se puede observar que a pesar de que RS/XS = 0.4442 la
localizacin analtica de kp coincide con el resultado numrico de |ZBk|/R0.
En segundo lugar, y para finalizar este apartado, se comentar el efecto de la resistencia en la
inductancia simetrizadora. Si se analiza de nuevo el sistema teniendo en cuenta esta parte resistiva
RL de ZL (4.9), se observa que tampoco este cambio influye en el valor de kp. Esto se debe a que en la
aproximacin (4.6) se han podido despreciar los trminos que acompaan a YL y, por tanto, su
resistencia RL tampoco afectar en la localizacin matemtica de kp. Esto es vlido para valores de RL
no superiores a 10XL.
ZL RL j k X L (4.9)
El programa diseado incluye un modo de variacin de parmetros, en el que se puede estudiar
el comportamiento numrico y analtico del sistema frente a la variacin de la resistencia de la red. En
la Figura 5.4 se muestra la variacin desde un 0% hasta un 100% de la RS/XS para el caso
anteriormente comentado. El resultado analtico correspondera, por tanto, al caso de RS/XS = 0.
Figura 5.4. Pantalla del programa en el modo de variacin del parmetro RS/XS.
5.1.2 Influencia del condensador del circuito Steinmetz.

En este apartado se estudiar el efecto de la variacin de la capacidad simetrizadora en el
comportamiento global del sistema [19]. Varias son las causas que podran afectar el parmetro XC,
pero la ms comn es el envejecimiento del grupo de condensadores. En este apartado se designar,
por tanto, un nuevo valor a esta variable, pasndola a llamar XC , con la expresin (4.10). Se aade,
48 Memoria
como se puede observar, una nueva variable denominada grado de desviacin del condensador, dC, y
toma valores en el rango (0 , 1].
1 XC (4.10)
XC YC dC YC
dc C dC
Asimismo, dc = 1 significa que se dispone de todos los condensadores calculados en el diseo;

dc = 0.5 significa que por diversas causas se han perdido el 50% de los condensadores
(C= dcC = 0.5C).
De esta manera, la expresin (4.6) quedara afectada en la siguiente forma:
Dk Y 2Sk 2Y Sk dC Y Ck Y 0k 3dC Y Ck Y 0k (4.11)
Realizando el mismo anlisis numrico que se efectu en el apartado 5.1, segn [3], se obtiene
la siguiente expresin de kp:
G1, G2,
k p, (4.12)
dc xr G3,
El desarrollo analtico de G1,, G2, y G3, para toda es una expresin difcil de manipular
matemticamente y, por tanto, difcil de factorizar. Por esta razn, se han concretado estas
expresiones para diferentes valores de , tal y como se muestra en (4.13), (4.14) y (4.15). En la
aplicacin, se han programado los desarrollos analticos de G1,, G2, y G3,, para toda .
G1, 1 12 3xr2 4xr dc ;

4
G2, 1 108x r 12dc 3xr3 16dc2 xr2 ; (4.13)
2
G3, 1 27x ; r
G1, 0.95 27.62xr2 2.09d c 10.72 xr 1;

4
G2, 195.51x 14.62dc 149.94 xr3
0.95 r
(4.14)
4.37dc2 12.81dc 42.83 xr2 2.10dc 5.39 xr 0.25;
G3, 0.95 14.12xr2 6.18xr 0.67;
G1, 0.9 27.86xr2 0.69d c 15.74 xr 2.17;

4 3
G2, 194.08x 4.87d c 219.32 x
0.9 r r
(4.15)
2 2
0.48d c 6.29dc 92.31 x r 1.52dc 17.14 xr 1.18;
2
G3, 0.9 4.72x r 3.05xr 0.49;

el comportamiento numrico y analtico del sistema frente a la variacin de la capacidad
simetrizadora. En la Figura 5.5 se muestran los grficos de la variacin desde dC = 1 hasta dC = 0.25
para el caso anteriormente comentado.
Figura 5.5. Pantalla del programa en el modo de variacin del condensador.

50 Memoria
5.2 Sistema observado desde la red.

De acuerdo con [20], para estudiar el comportamiento armnico observado desde la red del
sistema formado por las impedancias de la red, el circuito Steinmetz y una carga lineal, se ha de
analizar el sistema representado en la Figura 5.6.
En este apartado se considera, como se observa en la citada figura, una carga lineal trifsica
conectada a la red. Debido a la adicin de este nuevo elemento, definido por dos nuevas variables, se
aumentar el nmero de parmetros a considerar en el estudio.

Considerando el punto N como la tensin de referencia, el comportamiento armnico puede ser
caracterizado por el mtodo de los nudos:
II YI Y I-II VI
II-I II

0 k
Y Y k
V II k
IA YS 0 0 YS 0 0 V IA
IB 0 YS 0 0 YS 0 V IB (4.16)
IC 0 0 YS 0 0 YS V I
C

0 YS 0 0 YS YP YL YC YL YC V IIA
0 0 YS 0 YL YS YP YL Y0 Y0 V IIB
0 k 0 0 YS YC Y0 YS YP YC Y0 V IIC
k k
1 1 1
donde: YSk Z Sk RS j k X S es la admitancia de la red, YLk j k XL es la admitancia
1
de la reactancia inductiva simetrizadora, YCk j XC k es la admitancia de la reactancia
1 1
capacitiva simetrizadora, Y0 k Z0 R0 j k X 0 es la admitancia de la carga monofsica
1 1
conectada en el circuito Steinmetz e YPk Z Pk RP j k X P es la admitancia de la carga
lineal trifsica. Esta ltima admitancia se expresar a partir del mdulo de su impedancia fundamental,
ZP1, y su factor de potencia, P.

1 1 2
Y Pk Z Pk RP j k X P 1 ZP 1 P j k 1 P (4.17)
En este estudio, los parmetros de las reactancias simetrizadoras del circuito Steinmetz sern
calculados considerando las tensiones de alimentacin simtricas, tal y como se describe en el
captulo 4: Diseo del Circuito Simetrizador. Se tiene, por tanto:
3R0 3R0
XL ; XC (4.18)
2 2
1 3 m 1 3 m
2
donde m 1 1.
Seguidamente, operando (4.16) como se muestra en (4.19), se consigue obtener la matriz de
admitancias YBk desde el nudo I a estudiar, expresada como (4.20).
I Ik Y kI V kI Y kI-II V kII 1
I Ik I
Y Bk V kI Y kI Y kI-II Y kII Y kII-I V kI (4.19)
0 Y kII-I V kI Y kII-II V kII
IA Y AA Y AB Y AC V IA
IB Y BA Y BB Y BC V IB (4.20)
IC Y CA Y CB Y CC V IC
k k k
Todas las admitancias que componen la matriz YBk caracterizan directamente el comportamiento
armnico del sistema desde la red. Las admitancias de la diagonal permiten calcular la contribucin
de las tensiones armnicas de una fase a las corrientes armnicas de esa misma fase. En cambio, las
admitancias restantes permiten calcular la contribucin de las tensiones armnicas de una fase a las
corrientes armnicas de las dos fases restantes. Por esta razn, es necesario calcular ambos grupos
de admitancias, ya que una resonancia serie en cualquiera de estas admitancias podra amplificar las
corrientes armnicas consumidas y deteriorar la calidad armnica del subministro.
No obstante, las expresiones de cada una de estas admitancias no son manejables debido a su
envergadura. De esta manera, para simplificar el anlisis matemtico, se han de tener en cuenta dos
aspectos:
En primer lugar, se desprecia la parte resistiva del modelo de la red debido a que la
influencia sobre el posicionamiento de la resonancia es nula, como se comentar
-1
posteriormente. Es decir, a partir de ahora, YSk (jkXS) .
Finalmente, se opta por normalizar todas las variables, tomando como valor de
referencia la parte imaginaria de la impedancia de la red ZS (es decir, Im{ZS}=XS). As, a
partir de ahora, en lugar de analizar YBk, se analizar YBkXS.
Seguidamente se observa que las magnitudes de las admitancias normalizadas depende de los
trminos XSYSk, XSYLk, XSYCk, XSY0k y XSYPk, y estos trminos son:
52 Memoria
1 1
X S Y Sk j ; X S Y 0 k ;
k 1 j k m r0
2
1 3 m k 2 1 3 m
X S Y Lk j ; X S Y Ck j ; (4.21)
r0 k 3 r0 3
1
X S Y Pk ;
2
P j k 1 P rP
donde r0 = R0/XS y rP = |ZP1|/XS. Se observa que en (4.21) se ha simplificado la expresin de XSYSk,

obviando la resistencia de la impedancia de la red, ya que su variacin no influyen en la localizacin
de la resonancia, como ya se ver en el Apartado 5.2.1.
Se deduce, por tanto, que, para el estudio matemtico, la magnitud normalizada de las
admitancias viene afectada nicamente por cinco parmetros:
El armnico, k.
La resistencia normalizada de la carga monofsica, r0 = R0/XS.
El valor absoluto normalizado de la impedancia fundamental de la carga trifsica,
rP = |ZP1|/XS.
El factor de potencia de la carga trifsica, P.
Es conveniente anotar que el ratio r0 = R0/XS es igual al ratio SS/S0, (SS/S0 = Z0/XS = R0/XS),
donde SS es la potencia de cortocircuito de la red y S0 es la potencia aparente de la carga
monofsica. Esto mismo es tambin vlido para los ratios rP = |ZP1|/XS y SS/SP, donde SP es la
potencia aparente de la carga lineal. De esta manera, considerando el rango usual de los valores de
los ratios SS/S0 o SS/SP, y los valores del factor de potencia fundamental, = (1, ,0.9), el rango de
valores de r0 y rP utilizado en el estudio es r0 = (5, , 1000) y rP = (5, , 1000).
Tambin en este apartado se presentar un caso concreto para ilustrar todo lo comentado. Este
caso corresponde a los siguientes parmetros, extrados de [20]:
RS/XS = 0.4935
R0/XS = 9.5064
= 0.95
|ZP1|/XS = 199.92
P = 0.95
En la Figura 5.7 se muestra una captura de pantalla del programa cuando se analiza el
comportamiento de este sistema:
En la mitad derecha de la imagen se exponen los 6 grficos correspondientes a los
mdulos de las admitancias normalizadas, YBkXS, obtenidos mediante los valores
normalizados de los clculos de (4.19). En ellos se sita la localizacin de la resonancia
ks calculada analticamente, con la expresin que se presentar ms adelante.
En la parte izquierda inferior de la imagen se expone el grfico correspondiente a la
localizacin de la resonancia analtica para varios , con expresin que se presentar

ms adelante, calculada analticamente.
Figura 5.7. Pantalla del programa mostrando las admitancias normalizadas.

A partir de la Figura 5.7 se puede observar que:
La conexin del circuito Steinmetz causa resonancia en serie y en paralelo en las
admitancias de YBk. No obstante, la que se estudiar es la resonancia en serie, que se
designar como ks.
El sistema tiene un comportamiento resonante asimtrico, y la resonancia serie ms
crtica acontece en las fases A y C, que es donde se conecta el condensador
simetrizador. Ambas fases tienen la mayor magnitud armnica en el punto ks y, por
tanto, tiene las mayores corrientes armnicas.
Esta resonancia serie est localizada aproximadamente en el mismo armnico para
todas las admitancias.
De igual manera que en apartado 5.1, y como se indica en [20], el valor kS minimiza el valor
absoluto del denominador. Para encontrarlo, pues, se ha de derivar su mdulo, e igualar a cero (4.22).
No obstante, las expresiones resultantes son de tal envergadura que se omite su representacin en la
presente memoria, pero s se han implementado en el programa.
d Dk d Re Dk i Im Dk
0 (4.22)
dk dk
54 Memoria
Analizando las variables de las que se compone la expresin de la localizacin de la resonancia

serie, ks, se tienen:
La parte resistiva de la carga monofsica normalizada, r0 = R0/XS.
El factor de potencia de la carga monofsica, (m = f()).
Debido a la complejidad simblica de la expresin de kS, en el siguiente apartado se estudia un
desarrollo simblico aproximado para kS.
5.2.1 Influencia de las resistencias en el sistema.

En el anterior anlisis simblico del valor de kS se han despreciado la resistencia de la red y la
resistiva de la inductancia simetrizadora. En este apartado se estudiar el efecto de estas resistencias
en el comportamiento global del sistema.
En primer lugar se comentar el efecto de la resistencia de la red. En el clculo de la kS se
despreci, realizando la simplificacin (4.23). En caso de no hacer esta simplificain, se ha verificado
numricamente en [20] que la modificacin del valor de RS vara la magnitud de las admitancias de
YBk, pero no altera el valor de kS.
Z S RS j k X S j k X S (4.23)
En segundo lugar, y para finalizar este apartado, se comentar el efecto de la resistencia en la
inductancia simetrizadora. Si se analiza numricamente de nuevo el sistema teniendo en cuenta esta
parte resistiva RL de ZL (4.24), se observa que tampoco este cambio influye en el valor de kS [20].
ZL RL j k X L (4.24)
el comportamiento numrico y analtico del sistema frente a la variacin de la resistencia de la red. En
la Figura 5.8 se muestra la variacin desde un 0% hasta un 100% de la RS/XS para el caso
anteriormente comentado. El resultado analtico correspondera, por tanto, al caso de RS/XS = 0.
Figura 5.8. Pantalla del programa en el modo de variacin del parmetro RS/XS.
5.2.2 Influencia del condensador del circuito Steinmetz.

En este apartado se estudiar el efecto de la variacin de la capacidad simetrizadora en el
comportamiento global del sistema. Varias son las causas que podran afectar el parmetro XC, pero
la ms comn es el envejecimiento del grupo de condensadores. En este apartado se designar, por
tanto, un nuevo valor a esta variable, pasndola a llamar XC , con la expresin (4.25). Se aade,
como se puede observar, una nueva variable denominada grado de desviacin del condensador, dC, y
toma valores en el rango (0 , 1].
XC (4.25)
XC YC dC YC
dC
Asimismo, dc = 1 significa que se dispone de todos los condensadores calculados en el diseo;

dc = 0.5 significa que por diversas causas se han perdido el 50% de los condensadores
(C= dcC = 0.5C).
La expresin de kS con variacin del condensador se calcula siguiendo la metodologa empleada
en el caso anterior, cuando no se tena en cuenta esta variacin. De la misma manera, la expresin
analtica resultante es lo suficientemente amplia como para ser omitida en la memoria, pero s
implementada en el motor interno del programa.
De ella se observa que depende de tres variables:
56 Memoria
La parte resistiva de la carga monofsica normalizada, r0 = R0/XS

El factor de potencia de la carga monofsica, (m = f()).
El parmetro de desajuste del condensador, dC.
el comportamiento numrico y analtico del sistema frente a la variacin de la capacidad
simetrizadora, visto el sistema desde la red. En la Figura 5.9 se muestra este comportamiento para el
caso concreto comentado con anterioridad.
Figura 5.9. Pantalla del programa en el modo variacin de parmetros.

6 ESTUDIO DEL SISTEMA: ANLISIS DE SENSIBILIDAD

Uno de los objetivos del presente proyecto consiste en estudiar la sensibilidad de cada uno de
los parmetros que conforman el sistema frente a las variaciones del resto de los valores.
Tal y como se coment en el captulo correspondiente, el objetivo del circuito Steinmetz consiste
en disminuir o eliminar el desequilibrio en las corrientes consumidas al conectar una carga monofsica
a un sistema de alimentacin trifsico. Para ello, se han de colocar dos reactancias simetrizadoras,
cuyos valores han de calcularse previamente. Muchas son las causas que pueden producir una
variacin en los parmetros que definen la carga o las reactancias, provocando que el
comportamiento del circuito simetrizador se aleje de las condiciones de diseo y se consuman
corrientes que no formen una estrella directa. Forma parte del objeto de estudio de este apartado,
consecuentemente, definir ciertos rangos de variacin de parmetros para los que el circuito consiga
que las corrientes sean una estrella directa de manera satisfactoria.
En primer lugar, se han de definir los parmetros sobre los que se estudiar su sensibilidad. El
coeficiente de desequilibrio de corrientes, mi, caracteriza el buen funcionamiento del circuito
simetrizador, ya que define el grado de desequilibrio de las corrientes consumidas por el circuito. De
esta manera, ser una variable a estudiar.
En la Figura 6.1, se muestra el circuito Steinmetz, el cual es definido unvocamente a partir de
cuatro parmetros: la parte resistiva de la impedancia de la carga monofsica, R0; el factor de
potencia de la carga monofsica, ; y los valores de las reactancias simetrizadoras, X1 y X2. Debido a
que las expresiones que caracterizan los parmetros de diseo de las reactancias simetrizadoras son
dependientes de la carga monofsica a simetrizar, una variacin de la carga monofsica producira
una divergencia entre los parmetros actuales de ambas reactancias (X1 y X2) y los iniciales (X1 y X2).
Se estudiar tambin la variacin de estos valores.

En los siguientes apartados, a modo de ejemplo, se har un anlisis de sensibilidad operando
con tensiones simtricas (mu = 0). Sin embargo, en la aplicacin informtica se implementar este
58 Memoria
estudio habilitando al usuario la edicin de la tensin trifsica, de manera que pueda llevarse a cabo
este mismo estudio, pero con tensiones no simtricas.
6.1 Anlisis de sensibilidad de mi.

Para analizar la sensibilidad del coeficiente de desequilibrio de las corrientes consumidas por el
circuito Steinmetz, se utilizarn dos escenarios:
Variacin de los parmetros que definen la carga.
Variacin de los parmetros que definen las reactancias simetrizadoras.
6.1.1 Variacin de la carga.

La carga monofsica queda definida a partir de la parte resistiva, R0 y del factor de potencia, .
Teniendo en cuenta que los valores iniciales (R0 y ) difieren de los finales (R0 y ), se crea una
nueva variable que relaciona ambos parmetros en el caso de la resistencia:
R0 ' err0 R0 (5.1)
donde err0 es la variacin sufrida por la resistencia de la carga, en pu. En el caso del factor de
potencia, se prefiere no interrelacionar y mediante otra variable, ya que sus rangos de variacin
estaran definidos a partir del valor inicial .
En los grficos mostrados en la Figura 6.2, Figura 6.3 y Figura 6.4, se muestran las superficies
tridimensionales del coeficiente de desequilibrio de corrientes para diferentes valores de . Tambin
se incluyen los grficos de contorno, a partir del cual se pueden establecer los rangos de variacin de
R0 y para no sobrepasar un cierto valor de desequilibrio. En ambos tipos de grfico se puede
observar el punto de diseo, sealado con un marcador circular amarillo.
Figura 6.2. Sensibilidad del coeficiente de desequilibrio ( = 1)
Figura 6.3. Sensibilidad del coeficiente de desequilibrio ( = 0.95)

60 Memoria

Se observa que, a medida que disminuye, las variaciones de y R0 afectan en menor medida
sobre mi, ya que las curvas de contorno en = 0.9 abarcan una mayor superficie. En cuanto a la
variacin de err0, se observa que tiene una respuesta aproximadamente simtrica respecto al valor
unidad, es decir, el comportamiento de mi es similar al aumentar err0 que al disminuirlo.
6.1.2 Variacin de las reactancias simetrizadoras.

Otro posible factor a estudiar en el anlisis de mi es la sensibilidad frente a la variacin de los
valores que definen las reactancias simetrizadoras, es decir, X1 y X2. En este estudio se diferenciarn
los valores de diseo, X1 y X2, frente a los actuales, X1 y X2. Todos estos valores se calcularn de la
manera exacta, es decir, utilizando las expresiones de X1exact y X 2exact . De la misma manera que se
ha operado con anterioridad, se definen dos nuevas variables que reflejan la variacin entre estos
parmetros:
X1 ' err1 X1 ; X2 ' err2 X 2 (5.2)
donde err1 representa la variacin sufrida por la reactancia X1 (en pu), y err2 representa la variacin
sufrida por la reactancia X2 (en pu).
En los grficos mostrados en la Figura 6.5, Figura 6.6 y Figura 6.7 se muestran las superficies
tridimensionales del coeficiente de desequilibrio de corrientes para diferentes valores de . Tambin
se incluyen los grficos de contorno, a partir del cual se pueden establecer los rangos de variacin de
err1 y err2 para no sobrepasar un cierto valor de desequilibrio. En ambos tipos de grfico se puede
observar el punto de diseo, sealado con un marcador rojo. Tambin se muestra, mediante un
marcador circular verde, el punto de diseo aproximado ( X1aprox y X 2aprox ). Debido a que las tensiones
de alimentacin son simtricas en el ejemplo, ambos marcadores se solapan, ya que los valores
obtenidos a partir del clculo exacto son iguales que los logrados a partir del clculo aproximado.
Figura 6.5. Sensibilidad del coeficiente de desequilibrio ( = 1)

62 Memoria

A partir de la observacin de las tres anteriores figuras, se observa que el comportamiento del
coeficiente de desequilibrio de las corrientes tiene un comportamiento casi simtrico con respecto a
los valores unitarios de err1 y err2, es decir, presenta unos valores similares para el caso de un
incremento de err1 que para un decremento de esta misma variable; al igual que con err2.
Tambin se observa que la disminucin del factor de potencia de la carga monofsica, , hace
que la influencia sobre mi de la variacin de la reactancia X2 sea menor, a la vez que la influencia
sobre mi de la variacin de la reactancia X1 sea mayor.
6.2 Anlisis de sensibilidad de X1 y X2.

Las reactancias simetrizadoras se calculan a partir de los parmetros que definen la carga
( y R0) y del factor de desequilibrio de las tensiones de alimentacin (mu). Teniendo en cuenta que
se estn llevando a cabo los anlisis de sensibilidad a partir de tensiones de alimentacin simtricas,
los parmetros que se variarn para este estudio son los referentes a la carga monofsica ( y R0) .
De esta manera, los valores iniciales (R0 y ) difieren de los finales (R0 y ), y se crea una nueva
variable que relaciona ambos parmetros en el caso de la resistencia, al igual que se hizo en el
Apartado 6.1.1:
R0 ' err0 R0 (5.3)

donde err0 es la variacin sufrida por la resistencia de la carga, en pu.
En los grficos mostrados en la Figura 6.8, Figura 6.9 y Figura 6.10, y, se muestran las
superficies tridimensionales de la variacin percentual de X1e y X2e para diferentes valores de .

Tambin se incluyen los grficos de contorno, a partir del cual se pueden establecer los rangos de
variacin de R0 y para no sobrepasar un cierto valor de desequilibrio. En ambos tipos de grfico se
puede observar el punto de diseo, sealado con un marcador circular amarillo.
X1' e X1e
Variacin porcentual de X1' e 100
X1e
(5.4)
'
X 2' e X 2e
Variacin porcentual de X 2e 100
X 2e
' '
donde X1e y X 2e representan los valores de las reactancias simetrizadoras recalculados a partir de
R0 y , y X1e y X 2e representan los valores de las reactancias en el punto de diseo.
Figura 6.8. Sensibilidad de las reactancias simetrizadoras ( = 1)

64 Memoria
Figura 6.9. Sensibilidad de las reactancias simetrizadoras ( = 0.95)
Figura 6.10. Sensibilidad de las reactancias simetrizadoras ( = 0.9)

De los grficos anteriores se observa que la sensibilidad de cada una de las reactancias es
completamente distinta. En cuanto a la sensibilidad de la reactancia X1e se observa que a medida que
se disea a partir de menores, la variacin de y err0 es menos influyente. Se observa que el
comportamiento no es simtrico, ya que las variaciones decrecientes de afectan mucho menos que
las variaciones crecientes de . Se observa tambin que cuando coincide con el de diseo (), el
comportamiento de X1e es simtrico con respecto a la unidad de err0; para el resto de valores de no
ocurre as.
En cuanto a la sensibilidad de la reactancia X2e se observa, en primer trmino, que es muy alta
comparada con las anteriormente vistas: basta observar los valores del escalado vertical de los
grficos. Seguidamente se observa que la influencia de la variacin de err0 es prcticamente nula. Se
observa tambin que a medida que se disea a partir de menores, la variacin de y err0 es menos
influyente.
66 Memoria
7 ESTUDIO DEL SISTEMA: CLCULO DE ERROR.

Existen dos maneras, tal y como se explic en el captulo correspondiente, para calcular los
valores de las reactancias simetrizadoras que conforman el circuito Steinmetz: la exacta y la
aproximada.
El clculo exacto requiere el conocimiento de los parmetros de la carga monofsica cuya
corriente se desea simetrizar y el coeficiente de desequilibrio de las tensiones a las que se alimenta el
circuito. El clculo aproximado, en cambio, slo requiere los valores que definen la carga monofsica,
ya que se parte de la suposicin de simetra de las tensiones. A partir de ambos clculos se obtiene el
mismo resultado slo en el caso de que la tensin de alimentacin sea simtrica.
Generalmente la red elctrica trabaja con un reducido nivel de asimetra, cuyos lmites estn
fijados en los standards [21]. Por esta razn, puede ser razonable calcular los valores de las
reactancias simetrizadoras utilizando el clculo aproximado. De esta manera, a pesar de que tanto la
carga monofsica como ambas reactancias simetrizadoras se encuentren en condiciones de diseo,
puede ser que las corrientes consumidas por el circuito no formen una estrella directa debido a
asimetras en la tensin de alimentacin.
El objetivo de este apartado consiste en analizar los errores cometidos al disear el circuito
Steinmetz suponiendo que la tensin de alimentacin es simtrica (utilizando el mtodo aproximado)
en caso de que se alimente el circuito Steinmetz con tensiones no simtricas.
7.1 Clculo del error ex1.

En este apartado se estudiar el error cometido sobre el valor de X1, al utilizar X1b (clculo
aproximado) en lugar de X1e (clculo exacto). Este error se calcula comparando el resultado de ambas
expresiones [17]:
X1b X1e
ex 1 100 (6.1)
X 1b
A partir de las expresiones de X1b y X1e se puede ver que las variables de las que depende el
error relativo, ex1, son tres:
El mdulo del coeficiente de desequilibrio de las tensiones: mu.
El argumento del coeficiente de desequilibrio de las tensiones: u.
El factor de potencia de la carga monofsica: .
Se observa que, a pesar de que tanto X1e como X1b dependen de la parte resistiva de la
impedancia de la carga monofsica, R0, el error relativo entre ambas no dependen de esta variable.
Esto se debe a que, al depender X1e y X1b linealmente de R0, al hacer la fraccin en (4.4) ambos
trminos se anulan.
Debido a la imposibilidad fsica de dibujar grficos cuatridimensionales, se representan a
continuacin seis grficos donde se muestran los valores de ex1 para diferentes valores de mu, u y .
68 Memoria
Figura 7.1. Grficos de eX1.

De estas grficas (ver Figura 7.1) se observa que, para determinados valores del argumento del
coeficiente de desequilibrio de las tensiones, u, aparece un rango de valores de donde los valores
de ex1 son bajos, para todos los valores de |mu|. Tambin se observa que, en todos los grficos, estas
curvas estn acotadas, y presentan unos valores de ex1 menores al 10%. Finalmente se observa que,
para determinados valores de u, aumentan exponencialmente los valores de ex1 cuando se
aproxima a la unidad.
Si, ahora, se generan los grficos de contorno, fijando , tomando como eje de coordenadas el
argumento del coeficiente de desequilibrio de tensiones, |mu|, y como abscisas el mdulo, u, se
obtienen las siguientes figuras:

En todas estas grficas (Figura 7.2) se pueden observar los mismos comentarios anteriormente
sealados. Se observan amplias zonas de valores de ex1 menores al 1%, lo cual indica que no es
necesario recalcular la reactancia simetrizadora X1 del circuito Steinmetz para estos puntos de trabajo.
7.2 Clculo del error ex2.

En este apartado se estudiar el error cometido sobre el valor de X2, al utilizar X2b (clculo
aproximado) en lugar de X2e (clculo exacto). Este error se calcula comparando el resultado de ambas
expresiones [17]:
X 2b X 2e
ex 2 100 (6.2)
X 2b
A partir de las expresiones de X2b y X2e se puede ver que las variables de las que depende el
error relativo, ex2, son tres:
El mdulo del coeficiente de desequilibrio de las tensiones: mu.
El argumento del coeficiente de desequilibrio de las tensiones: u.
El factor de potencia de la carga monofsica: .
Se observa que, a pesar de que tanto X2e como X2b dependen de la parte resistiva de la
impedancia de la carga monofsica, R0, el error relativo entre ambas no dependen de esta variable, al
igual que en el apartado anterior.
70 Memoria
Debido a la imposibilidad fsica de dibujar grficos cuatridimensionales, se representan a

continuacin seis grficos donde se muestran los valores de ex2 para diferentes valores de mu, u y .

De estas grficas (ver Figura 7.3) se observa que, en todos los grficos, estas curvas no estn
acotadas, debido a que los valores de ex2 presentan una asntota vertical. Tambin se observa que,
por el contrario, para determinados valores del argumento del coeficiente de desequilibrio de las
tensiones, u, aparece un rango de valores de donde los valores de ex2 son bajos, para todos los
valores de |mu|.
Si, ahora, se generan los grficos de contorno, fijando , tomando como eje de coordenadas el
argumento del coeficiente de desequilibrio de tensiones, |mu|, y como abscisas el mdulo, u, se
obtienen las siguientes figuras:

En todas estas grficas (ver Figura 7.4) se pueden observar los mismos comentarios
anteriormente sealados. Se observa que apenas hay zonas donde los valores de ex2 sean menores
que 5%, lo cual indica que es necesario recalcular la reactancia simetrizadora X2 del circuito
Steinmetz para los puntos de trabajo situados fuera de las condiciones de equilibrio de tensiones,
para asegurar un buen funcionamiento del circuito Simetrizador.
72 Memoria
8 ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO FRECUENCIAL DEL

CIRCUITO STEINMETZ.
Uno de los objetivos del presente proyecto consiste en el estudio del comportamiento frecuencial
del sistema compuesto por la red, la carga (lineal o no) y el circuito Steinmetz (Figura 5.1). En este
captulo se desarrollar este estudio, teniendo en cuenta todos los resultados obtenidos anteriormente
en el captulo Estudio de la respuesta frecuencial del sistema: localizacin de resonancias.

Como ya se coment previamente, existen dos posibles fuentes contaminantes de armnicos en
el sistema de la Figura 5.1: una red con tensiones de alimentacin distorsionadas con un cierto
contenido armnico o una carga no lineal que inyecte corrientes armnicas en el sistema. De esta
manera, el estudio del comportamiento frecuencial del sistema ser dividido en dos sub-apartados:
Sistema conectado a una fuente de tensiones distorsionadas.
Conexin de una carga no lineal.
Para el anlisis de estos dos casos, y como ya se comentar, se ha de realizar el estudio de
impedancias observado desde puntos diferentes: desde la red o desde la carga no lineal.
8.1 Sistema conectado a una fuente de tensiones

distorsionadas.
El sistema a estudiar en este apartado estar compuesto por la red, por una carga lineal trifsica
y por el circuito Steinmetz (Figura 8.2). Este sistema se conectar a una fuente de alimentacin cuyas
tensiones estarn distorsionadas. En la aplicacin informtica el usuario podr editar el contenido
armnico, HDk, para cada uno de los armnicos impares.
74 Memoria
Figura 8.2.Sistema de estudio.

Para estudiar este sistema, es preciso obtener la matriz de admitancias, YBk, observando el
sistema desde la red (Figura 5.6).
Figura 8.3. Comportamiento armnico del sistema observado desde la carga.

La matriz que gobierna el comportamiento del sistema viene determinada por (4.16), en la cual
se muestra la correspondencia entre las tensiones y corrientes para los puntos I y II sealados en la
Figura 5.6. En el captulo Estudio de la respuesta frecuencial del sistema: localizacin de
resonancias se detalla, paso a paso, la obtencin de esta matriz, presentada en (4.20).
II YI YI-II VI (7.1)

0 k
YII-I YII k
VII k
IA V IA Y AA Y AB Y AC V IA
IB YBk V IB Y BA Y BB Y BC V IB (7.2)
I I
IC V C Y CA Y CB Y CC V C
k k k k
Todas las admitancias que componen la matriz YBk caracterizan directamente el comportamiento
armnico del sistema desde la red. Las admitancias de la diagonal permiten calcular la contribucin
de las tensiones armnicas de una fase a las corrientes armnicas de esa misma fase. En cambio, las
admitancias restantes permiten calcular la contribucin de las tensiones armnicas de una fase a las
corrientes armnicas de las dos fases restantes.

Al igual que en el captulo referente a la localizacin de las resonancias, se lleva a cabo una
normalizacin de variables. De esta manera, las variables que caracterizan el presente sistema a
estudiar son las que siguen:
La resistencia normalizada de la red, rS = RS/XS.
La resistencia normalizada de la carga monofsica, r0 = R0/XS.
El valor absoluto normalizado de la impedancia fundamental de la carga trifsica,
rP = |ZP1|/XS.
El factor de potencia de la carga trifsica, P.
El espectro armnico de la fuente de alimentacin.
A partir del conocimiento de todos estos datos, se calcula numricamente la matriz de
admitancias YBk utilizando el mtodo de los nudos, tal y como se opera en el captulo anteriormente
citado. Debido a que esta matriz presenta una resonancia serie, kS, a una determinada frecuencia, las
II
tensiones generadas en bornes del circuito Steinmetz (V , o tambin llamado VCN) pueden
distorsionarse ms an en el caso de que las admitancias correspondientes a los armnicos de la
tensin de alimentacin sean elevadas.
Figura 8.4. Circuito Steinmetz, mostrando las tensiones VCN y las corrientes ICN.
El clculo matemtico para conocer las tensiones VCN y las corrientes ICN se muestran a
continuacin (ver Apartado 5.2: Sistema observado desde la red.):
1
I Ik Y kI Y kI-II Y kII-II Y kII-I V kI I

Y Bk V kI
(7.3)
1
II II-II II-I I
VCN , k V k Y k Y V
k k
En el caso de una resonancia serie, las admitancias que componen la matriz YBk aumentan de
I
valor considerablemente, con lo que las corrientes Ik aumentan y las tensiones VCNk, aunque no se
observe directamente de (7.3), tambin aumentan.
76 Memoria
De esta manera, conociendo los parmetros de la carga trifsica, de la carga monofsica, del
circuito Steinmetz y de la red, se puede analizar el comportamiento frecuencial del sistema mediante
(7.3).
Tambin en este apartado se presentar un caso concreto para ilustrar todo lo comentado. Este
caso corresponde a los siguientes parmetros, extrados de [20]:
RS/XS = 0.5
R0/XS = 9.5
= 0.95
|ZP1|/XS = 200
P = 0.95
Si se calcula la localizacin de la resonancia serie, kS, se obtiene un valor de 4.94, es decir, muy
cerca del quinto armnico. Consecuentemente, si seguidamente se alimenta el sistema mediante una
terna de tensiones distorsionadas con un uno por ciento de distorsin armnica en los armnicos
impares 3, 5 y 7, (es decir, HD3 = 1%; HD5 = 1%; HD7 = 1%; HD9 = 0%; HD11 = 0%; HD13 = 0%), se
obtiene la Figura 8.5.
Figura 8.5. Grficos de las tensiones V, VCN, y de la corriente ICN.

Se observa que la distorsin armnica de la tensin en VCN aumenta considerablemente,
sobrepasando los lmites marcados por la norma en el caso del HD5 y del THD. De hecho, si se
utiliza la aplicacin programada para confrontar la distorsin armnica del espectro frecuencial
de las tensiones y corrientes del circuito Steinmetz, se observa lo anteriormente comentado
(ver Figura 8.6).
Figura 8.6. Valores numricos de la tensin VCN, y de la corriente ICN.

78 Memoria
8.2 Sistema con un dispositivo no lineal.

El sistema a estudiar en este apartado estar compuesto por la red, por una carga no lineal
trifsica y por el circuito Steinmetz (Figura 8.7).
Figura 8.7. Sistema con un dispositivo no lineal.

La carga no lineal ser uno de los dispositivos que se implementarn en el programa (ver Figura
8.8). Estos son:
Cargador de bateras.
Rectificador monofsico no controlado.
Rectificador trifsico no controlado.
Lmpara de descarga.
Rectificador de seis pulsos.
Figura 8.8. Tipos de cargas no lineales estudiadas.

Para estudiar el comportamiento armnico al conectar un dispositivo no lineal, se ha de observar
el sistema desde la carga, tal y como se muestra en la Figura 5.2.

80 Memoria
Para llevar a cabo este estudio, se ha de caracterizar el sistema compuesto por la red y el
circuito Steinmetz mediante la matriz de impedancias, ZBk, presentada como (7.4).
VAk Z AA Z AB Z AC I Ak
VBk V Bk Z Bk I Bk ZBA ZBB ZBC I Bk (7.4)
VCk ZCA ZCB ZCC k I Ck
Todas las impedancias que componen la matriz ZBk caracterizan directamente el comportamiento
armnico del sistema observado desde la carga no lineal. Las impedancias de la diagonal permiten
calcular la contribucin de las corrientes armnicas de una fase a las tensionesarmnicas de esa
misma fase. En cambio, las impedancias restantes permiten calcular la contribucin de las corrientes
armnicas de una fase a las tensiones armnicas de las dos fases restantes. De esta manera, y tal
como se explica en el captulo Estudio de la respuesta frecuencial del sistema: localizacin de
resonancias, se obtienen los valores de cada una de las impedancias normalizadas que conforman
ZBk/R0.
De cara a estudiar la influencia de las cargas no lineales sobre el sistema, en primer lugar se ha
de calcular el espectro armnico normalizado de las corrientes consumidas. Teniendo en cuenta que
los parmetros del sistema estn referenciados a unos valores base y los parmetros del dispositivo
no lineal estn referenciados a otros valores base, se ha de determinar la expresin del factor de
cambio de referencia, diferente para cada una de las cargas, que permita interrelacionar ambas
partes del circuito.
8.2.1 Determinacin del factor de cambio de referencia.

En este apartado se pretende determinar el factor de cambio de referencia, FC, que, multiplicado
a la corriente normalizada obtenida por el dispositivo no lineal, ICNL, y a la matriz de impedancias
normalizada, ZBk/R0, resulte la tensin VBk normalizada, vBk = VBk/VS, donde VS es la tensin de
referencia.
1 1
vBk VBk ZBk I CNL,k (7.5)
VS VS
En primer lugar se ha de crear una nueva variable que interrelacione las potencias consumidas
por el dispositivo no lineal y la consumida por todo el sistema. De esta manera, y considerando que
los factores de potencia son prximos a la unidad, se define la expresin (7.6).
SNL SNL
S (7.6)
SNL SST STOT
De (7.6) se deduce fcilmente (7.7):
SNL S
(7.7)
PST 1 S
Cargador de bateras. Este dispositivo no lineal est normalizado a partir de los

parmetros V y XL. De esta forma, la corriente que se obtiene viene multiplicada por el
factor XL/V. Asimismo,
Z
Bk norm.
ICNL , k norm.

1 XL 1 X (7.8)
v 'Bk Z Bk I CNL,k FC Z Bk I CNL,k L FC
R0 V V R0
donde FC es el factor de cambio de referencia, que debe ser R0/XL si se desea que
v'Bk = vBk. Teniendo en cuenta los desarrollos de SNL y PST, se obtiene (7.9):
1
3V ICNL1V
SNL XL R0 XL PST (7.9)
2
ICNL1 ICNL1
PST V 3 XL R0 SNL
R0
A partir de (7.8) y (7.9) se deduce:

S 1
FP (7.10)
1 S I1N
Rectificador monofsico no controlado. Este dispositivo no lineal est normalizado a

partir de los parmetros V y R. De esta forma, la corriente que se obtiene viene
multiplicada por el factor R/V. Asimismo,
Z
Bk norm.
ICNL , k norm.

1 R 1 R (7.11)
v 'Bk Z Bk I CNL,k FC Z Bk I CNL,k FC
R0 V V R0
donde FC es el factor de cambio de referencia, que debe ser R0/R si se desea que v'Bk = vBk.
Teniendo en cuenta los desarrollos de PNL y PST, se obtiene (7.12):
V2
3 2 1
SNL PNL R V2 R0 1.35V R0 R PNL (7.12)
2
3 2
3 2
1.352
PST PST 3V 3V R 3 V 2 R R0 PST
R0

S 1
FC (7.13)
1 S 1.352
Rectificador trifsico no controlado. Este dispositivo no lineal est normalizado a
partir de los parmetros V y R. De esta forma, la corriente que se obtiene viene
multiplicada por el factor R/V. Asimismo,
Z
Bk norm.
ICNL , k norm.

1 R 1 R (7.14)
R0 V V R0
donde FC es el factor de cambio de referencia, que debe ser R0/R si se desea que v'Bk = vBk.
Teniendo en cuenta los desarrollos de PNL y PST, se obtiene (7.15):
82 Memoria
2
1.35Vs
SNL PNL 3 1.35Vs
2
R0 1.35Vs
2
R0 PNL
1
R R (7.15)
3 3 1.352
PST PST V2 V2 R 2
3 V 2 R R0 PST
R0

S 1
FC (7.16)
1 S 1.352
Lmpara de descarga. Este dispositivo no lineal est normalizado a partir de los
parmetros V y XL. De esta forma, la corriente que se obtiene viene multiplicada por el
factor XL/VS. Asimismo,
Z
Bk norm.
ICNL , k norm.

1 XL 1 X (7.17)
v 'Bk Z Bk I CNL,k FC Z Bk I CNL,k L FC
R0 V V R0
donde FC es el factor de cambio de referencia, que debe ser R0/XL si se desea que
1
3V I1N V 2
SNL XL R0 8v AN R0
2
I1N 2
2 1
PST 3V XL XL
(7.18)
R0
2
XL 8v AN PST
2
2 1
R0 SNL

S 1
FC (7.19)
1 S 8v AN
2
2
2 1

Rectificador de seis pulsos. Este dispositivo no lineal est normalizado a partir de los
parmetros V y ID. De esta forma, la corriente que se obtiene viene multiplicada por el
factor ID. Asimismo,
Z
Bk norm.
ICNL , k norm.

1 1 1 V (7.20)
R0 ID V R0 ID
donde FC es el factor de cambio de referencia, que debe ser IDR0/V si se desea que
3 6
IDV
SNL 6
2
R0 ID
PST 3V V
(7.21)
R0
V 6 PST

R0 ID SNL
S
FC (7.22)
1 S 6
8.2.2 Estudio frecuencial del sistema.

Una vez determinado el factor de cambio de referencia, FC, para cada uno de los dispositivos
lineales, se prosigue el estudio frecuencial del sistema.
Las variables que sern el objeto de este estudio son:
Las tensiones del circuito Steinmetz, VCN (ver Figura 8.10).
Las corrientes del circuito Steinmetz, ICN.
Figura 8.10. Circuito Steinmetz, mostrando las tensiones VCN y las corrientes ICN.
Para ello, se estudiar el caso concreto definido por los siguientes parmetros, obtenidos de [18]:
RS/XS = 0.4442;
XS/R0 = 0.036;
= 1;
Si se calcula la localizacin de la resonancia paralelo, kp, se obtiene un valor de 4.94, es decir,
muy cerca del quinto armnico. Consecuentemente, si la carga no lineal que se conecta al sistema
inyecta corriente en el armnico cercano a kp, las distorsiones armnicas de las tensiones a las que
se somete el circuito Steinmetz aumentarn considerablemente.
Se realizar este estudio para cada uno de los tipos de cargas no lineales, consumiendo estas,
en los cinco casos, un 15% de la potencia consumida entre el circuito Steinmetz y el dispositivo no
lineal; es decir, S = 15%. Se obtienen los grficos siguientes:
84 Memoria
Figura 8.11. Respuesta frecuencial al conectar el cargador de bateras.
Figura 8.12. Respuesta frecuencial al conectar el rectificador monofsico no controlado.

Figura 8.13. Respuesta frecuencial al conectar el rectificador trifsico no controlado.
Figura 8.14. Respuesta frecuencial al conectar la lmpara de descarga.

86 Memoria
Figura 8.15. Respuesta frecuencial al conectar el rectificador de 6 pulsos.

Analizando todos y cada uno de los grficos obtenidos (ver desde la Figura 8.11 a la Figura
8.15), se observa que, para un mismo S, los rectificadores trifsicos son los dispositivos no lineales
que mayor contenido armnico producen en la presente situacin. Esto se debe a que su inyeccin de
corriente en el quinto armnico es muy elevada, pues el HD5 ronda los valores del 80%.
En cambio, la lmpara de descarga apenas produce distorsin armnica en las tensiones del
circuito Steinmetz, ya que los HDk de la corriente inyectada son muy bajos, pues no llegan al 6%.
9 REALIZACIN DEL PROGRAMA

Una vez presentado el sistema que se estudiar, los modelos de elementos que lo forman, los
diseos de componentes, clculos de resonancias y mtodo de resolucin, se contina este estudio
con la programacin de la aplicacin informtica.
En los diversos apartados de este captulo se comentarn todos los aspectos referentes a la
creacin y programacin de esta aplicacin, tanto desde el punto de vista de programacin interna
como el diseo y acabado de la interfaz usuario-aplicacin.
9.1 Seleccin del programa.

En primer lugar, se ha de elegir el paquete matemtico a utilizar. Actualmente, es amplia la gama
de programas y de lenguajes de programacin disponibles en el mercado, por lo que se hace
necesario realizar una seleccin. A continuacin se enumeran las caractersticas que ha de satisfacer
para la aplicacin presente.
Orientado al clculo numrico. La ejecucin de la aplicacin conllevar bastantes
clculos numricos iterativos. Es primordial que el programa est optimizado para este
tipo de clculos, para ofrecer al usuario una interfaz de rpida respuesta. La precisin
numrica en los clculos no es, en este caso, un factor limitante, ya que no se trabajar
en proximidades de indeterminaciones numricas.
Es tambin una caracterstica bsica la posibilidad de trabajar tanto con nmeros reales
como con nmeros complejos, incluyendo todas aquellas operaciones y funciones
matemticas referentes al tratamiento de estos tipos de valores: parte real, parte
imaginaria, mdulo, argumento
Orientado al clculo matricial. La gran mayora de clculos internos que la aplicacin
llevar a cabo ser matricial y vectorial. Es una exigencia bsica la operacin y
manipulacin rpida de expresiones matriciales y/o vectoriales formados a partir de
valores numricos reales o complejos.
Compatibilidad con estructuras de datos y funciones. El programa ha de trabajar,
internamente, sobre una estructura de datos que facilite tanto la programacin inicial
como la supervisin posterior. El paquete ha de permitir al programador,
consecuentemente, crear las estructuras de datos que se consideren ms oportunas
para cada una de las partes de la aplicacin. Tambin es necesario guardar o cargar
variables sobre el directorio del PC.
Tambin el lenguaje de programacin ha de facilitar la programacin de subrutinas,
llamadas a acciones, llamadas a funciones,
Creacin de la interfaz grfica. Tambin es objeto del presente proyecto la creacin de
una interfaz grfica mediante la cual el usuario se relacione de manera sencilla con el
88 Memoria
programa, tanto para la entrada y manipulacin de parmetros como para la adquisicin

de la informacin procesada.
La interfaz a crear, con el objetivo de un fcil manejo para el usuario inexperto, deber
de llamar a las rutinas internas mediante botones, cajas de texto o mens.

Teniendo en cuenta todas estas consideraciones, se ha decidido utilizar el Matlab 7 , que nos
proporciona notables mejoras con respecto a sus versiones anteriores. En la Figura 9.1 se muestra

una captura de pantalla del Matlab en ejecucin.

Figura 9.1.Interfaz del Matlab 7

A continuacin se comentarn las caractersticas principales del Matlab 7 :

Orientado al clculo numrico y matricial. El paquete Matlab (MATrix LABoratory) es
el programa idneo para el clculo matricial y clculo numrico. De hecho, la mayora de
tipos de datos son guardados y operados como matrices.
Editor de interfases grficas: Para la elaboracin de la interfaz grfica con el usuario,
el paquete incorpora una herramienta, GUIDE, que permite la elaboracin de ventanas
de dilogo con controles que permiten el dilogo entre el usuario y el programa. En la
Figura 9.2 se muestra la interfaz que ofrece este editor de formularios.
Figura 9.2. Interfaz del GUIDE

Facilidad de representaciones grficas: Adems, la representacin grfica de los
resultados se facilita considerablemente con las diferentes herramientas que ofrece el
paquete. En las ventanas de dilogo se puede hacer uso de herramientas de edicin de
estos grficos (rotacin de grficos 3D, insercin de texto, edicin del escalado de los
diferentes ejes... ).
Una de las partes del presente proyecto ha consistido en el estudio de las resonancias, para el
cual se ha necesitado de paquetes de manipulacin matemtica. Se ha visto conveniente utilizar el

Maple 9 , ya que ofrece unas posibilidades mucho ms amplias que la toolbox del Matlab llamada
SymbolicMath Toolbox.
90 Memoria
9.2 Estructura del programa.

En este apartado se comentar la estructura interna del programa, de manera que se represente,
de una manera global y a rasgos generales, el funcionamiento interno de la aplicacin.
Debido a que en la aplicacin se distinguen dos partes bien diferenciadas, se ha optado por
separarlas en directorios distintos. De esta manera, el programa se encuentra repartido segn el rbol
de directorios que se muestra en la Figura 9.3.
Figura 9.3. rbol de directorios del programa.

En la Figura 9.4 se muestra la estructura interna del programa, donde se observan los diferentes
tipos de archivo empleados. Estos tipos son:

Archivos *.m. Este archivo es el predeterminado por Matlab para crear funciones o
acciones. En el se encuentran todas las instrucciones codificadas en el lenguaje

caracterstico del Matlab .
Archivos *.fig. No se muestran en la Figura 9.4, ya que tienen el mismo nombre que los
archivos *.m y se encuentran en el mismo directorio. Son los usados por el GUIDE para
presentar la interfaz grfica al usuario. Slo hay cuatro: Inicio.fig, DisyEst.fig,
RespFrec.fig y figarmonicos.fig.
Archivos *.htm. Son los archivos de ayuda del programa, donde se encuentra la
documentacin para las posibles consultas. Se accede a partir del men superior
cuando la aplicacin est ejecutndose.
Archivos *.mat. Esta extensin es la caracterstica de archivos de datos guardados por

Matlab . En este programa se utilizan para guardar parmetros por defecto, imgenes a
presentar o configuracin temporal. Este es el formato de archivo que se crear cuando

el usuario guarde sus propias configuraciones del programa.
Figura 9.4. Estructura interna del programa.

Seguidamente se comentar la funcin y utilidad de cada uno de los archivos *.m:
Inicio.m: Muestra la presentacin inicial, y expone el men principal donde el usuario
debe escoger la aplicacin Diseo y Estudio o Respuesta Frecuencial.
Maximize.m: Esta funcin, utilizada en los tres directorios que conforman el programa,
se utiliza para maximizar la ventana y mostrar la figura actual correctamente.
DisyEst.m: Este archivo, junto con DisyEst.fig, es el que conforma la aplicacin principal
del Diseo y Estudio del circuito Steinmetz. Muestra la ventana principal y acta como
interaccin entre el usuario y la ejecucin de los sub-programas correspondientes a esta
parte de la aplicacin.
mi.m: Esta funcin, dadas las tensiones simples y los parmetros del circuito Steinmetz,
devuelve el coeficiente de desequilibrio de las corrientes consumidas, mi.
mu.m: Esta funcin, dadas una terna de tensiones simples, devuelve el coeficiente de
desequilibrio, mu.
Steinmetz.m: Esta funcin, dada la impedancia de la carga monofsica a simetrizar,
calcula los parmetros de las reactancias puras simetrizadoras, suponiendo condiciones
equilibradas (XL, aprox y XC, aprox).
SteinOpt.m: Esta funcin, dada la impedancia de la carga monofsica a simetrizar y la
terna de tensiones simples, calcula los parmetros de las reactancias puras
92 Memoria
simetrizadoras, calculndolos teniendo en cuenta la condicin de tensiones

desequilibradas (XL, exact y XC, exact).
calculaerror.m: Esta funcin, dado el factor de potencia de la carga monofsica () y el
coeficiente de desequilibrio de tensiones (mu), devuelve el error relativo cometido al
calcular las reactancias simetrizadoras mediante el mtodo Steinmetz aproximado en
lugar de utilizar el Steinmetz exacto.
main2.m: Esta funcin es el motor interno del programa de la parte Diseo y Estudio.
Genera las curvas tridimensionales, las bidimensionales y las de contorno.
RespFrec.m: Este archivo, junto con RespFrec.fig, es el que conforma la aplicacin
principal del Respuesta Frecuencial del circuito Steinmetz. Muestra la ventana principal
y acta como interaccin entre el usuario y la ejecucin de los sub-programas
correspondientes a esta parte de la aplicacin.
maincarga.m: Este archivo es el motor interno del programa de la parte Respuesta
Frecuencia visto desde la carga. Se encarga de realizar los clculos numricos y/o
iterativos, y de interaccionar con RespFrec.fig para graficar los resultados obtenidos.
Internamente est dividido en tres partes: clculo, estudio y variacin.
mainred.m: Este archivo es el motor interno del programa de la parte Respuesta
Frecuencia visto desde la red. Se encarga de realizar los clculos numricos y/o
iterativos, y de interaccionar con RespFrec.fig para graficar los resultados obtenidos.
Internamente est dividido en tres partes: clculo, estudio y variacin.
figarmonicos.m: Este archivo, junto con figarmonicos.fig, se encarga de leer el registro
auxiliar auxiliar.mat en el directorio actual, y presentarlo forma de tabla de datos.
Tambin evala y clasifica estas cantidades, mostrando al usuario si se encuentra
dentro de los lmites de distorsin armnica admitidos para el caso de la tensin.
tablaresonancias.m: Este archivo, junto con tablaresonancias.fig, se encarga de
mostrar en pantalla una tabla de datos consistente en dos columnas y seis filas,
cumplimentada a partir de los argumentos de entrada de esta misma funcin. Esta figura
es llamada para representar la localizacin de la resonancia, en serie o en paralelo,
desde el modo de variacin de parmetros.
Por lo que se refiere a los archivos *.mat, el programa utiliza los siguientes:
datosreset.mat: Este archivo guarda la configuracin establecida al utilizar la orden del
men Archivo > Resetear parmetros.
datosdefault.mat: Este archivo guarda la configuracin establecida al utilizar la orden
del men Archivo > Parmetros por defecto.
datoscnl.mat: En este archivo est guardada la configuracin inicial de cada una de las
cargas no lineales, incluyendo la expresin analtica de los parmetros de normalizacin.
auxiliar.mat: Se trata de un archivo auxiliar generado por la aplicacin RespFrec.m y
utilizado por figarmnicos.m. En l se guarda la transformada de Fourier de la respuesta
tensin-corriente (VCNL y ICNL) del sistema en el caso del estudio visto desde el lado de la
carga.
En el directorio inicial Steinmetz se encuentra una sub-carpeta llamada ArchUsuario. En el se

guardarn por defecto los archivos de configuracin generados por el usuario y las figuras e
imgenes salvadas durante la ejecucin del programa. En el primer caso se trata de archivos *.mat,
no reconocido por el explorador habitual del sistema, pues son archivos de configuracin interna de la
aplicacin. En el segundo caso se trata de archivos *.emf, *.jpg,*.bmp o *.tiff, los cuales s que son
reconocidos por cualquier explorador o editor de imgenes.
En los dos directorios principales (DisyEst y RespFrec) que forman el programa se encuentran
dos sub-carpetas llamadas Dibujos. En ellas se encuentran la figuras empleadas en la ejecucin del
programa, archivadas con extensin *.mat. Ha sido necesario, pues, realizar una conversin de
formato: de *.jpg o *.bmp a *.mat.
En la carpeta RespFrec se encuentra un sub-directorio llamado CNL, donde se encuentran las
sub-rutinas, correspondientes a cada una de las cargas no lineales, requeridas durante la ejecucin
de la aplicacin cuando se analiza la respuesta frecuencial del sistema observado desde la carga. Los
archivos pertenecientes a cada una de estas carpetas no se comentarn, ya que no han sido creados
ni modificados substancialmente por el autor de la aplicacin principal, y se saldra de los objetivos
marcados en el presente proyecto.
94 Memoria
9.3 Diseo de la interfaz.

A parte de optimizar el motor de clculo para que el trabajo con el programa sea de respuesta
rpida, es fundamental buscar el diseo ptimo de la interfaz (ver Figura 9.5) ya que, al fin y al cabo,
ser la parte de este proyecto que estar ms tiempo en contacto con el usuario final.
A pesar de que una interfaz grfica requiere ms tiempo de clculo de CPU y mayores
requerimientos de memoria, se incrementa el rendimiento del usuario, decrementando su trabajo
mental y el nmero de errores producidos en la utilizacin de la aplicacin.
Figura 9.5. Interfaz del programa.

A continuacin se enumerarn una serie de consideraciones que se han tenido en cuenta a la
hora del diseo de cada una de las figuras y formularios.
Simplicidad. Es fundamental que el diseo est orientado a facilitar la utilizacin del
programa por parte de un usuario inexperto. Para ello, se han tenido en cuenta
consideraciones tales como:
o Ejecucin alternativa: en el programa se han duplicado las llamadas de los
botones de mayor importancia en la barra de men superior, de manera que el
usuario pueda ejecutar las principales funciones desde la barra de men o
mediante el teclado.
o Advertencias al usuario: el programa, cuando lo considere oportuno, generar
ventanas emergente de informacin, aviso o error, que ayudan al usuario a
utilizar de manera correcta el programa. No obstante, se han programado de
manera dosificada, evitando su exceso.
o Botones habilitados/deshabilitados: a lo largo de la ejecucin del programa,
ciertas caractersticas estarn deshabilitadas hasta que el usuario rellene todos
los campos requeridos. Para que el usuario sea consciente de esto, los botones
se mostrarn inactivos con letras de color gris.
Agradable y atractivo. Gracias a actuales herramientas de diseo grfico, tales como

Photoshop CS y M.Office 2007 , se han diseado figuras e imgenes que le resulten
agradables y atractivas al usuario, sin perder la formalidad y rectitud caractersticas de
un proyecto tcnico. De esta manera, mediante animaciones y degradados, el usuario se
encuentra frente a una interfaz ms amena y ms similar a la de los entornos actuales.
Tambin se han incorporado las llamadas barras de espera (Figura 9.6) en las partes
de la aplicacin donde los clculos son ms complejos, de manera que el usuario
conozca que la aplicacin, al demorarse, sigue operativa.
Figura 9.6. Ejemplo de barra de espera

Flexibilidad. Se ha intentado, en la medida de lo posible, ofrecer un entorno flexible al
usuario, en los siguientes aspectos:
o Facilidad a la hora de guardar/abrir configuraciones y datos, de manera similar a

cualquier programa sobre plataforma Windows .

o Barra de herramientas caracterstica de Matlab 7 . Gracias a esta caracterstica,
el usuario podr fcilmente acercarse/alejarse en las grficas presentadas.
Tambin podr girar los ejes tridimensionales y, sobretodo, conocer la posicin
de las coordenadas de cada uno de los puntos que forman el grfico.
o Barra de men. Gracias al men superior, el usuario podr acceder a las
funciones generales. Podr abrir/guardar parmetros, volver a la configuracin
inicial, guardar como imagen el formulario presentado, volver a la pantalla
principal o salir de la aplicacin.
o Minimizar las situaciones de error. El programa, antes de ejecutar el motor de
clculo, comprueba si los parmetros de entrada se encuentran dentro de unos
mrgenes prefijados, avisando al usuario en caso de que as no fuera. De esta
96 Memoria
manera, se anulan las situaciones en las que el programa pueda dar resultados
errneos.
Informacin relevante. Muchas son las grficas que se muestran a lo largo de la
ejecucin de la aplicacin. No obstante, se ha evitado presentar aquellas que no aportan
informacin relevante de cara al estudio que se analiza. De esta manera, no slo se
optimiza mejor el espacio til de la pantalla, sino que el usuario centrar ms la atencin
en las que realmente son importantes.
Ms informacin. Para cada una de las partes del programa se han ido colocando
botones de ms informacin para que el usuario avanzado profundice ms en los
resultados obtenidos. La ejecucin de estos botones es optativa, y su funcionalidad
vara, generalmente aportando informacin en los siguientes aspectos:
o Mostrar una imagen auxiliar con la topologa del circuito analizado.
o Mostrar un grfico tridimensional o de contorno auxiliar que complementa la
informacin mostrada por pantalla.
o Mostrar una tabla de valores que muestre la representacin numrica de las
grficas de la pantalla.
Ayuda. La aplicacin presente cuenta con un manual accesible a partir de la etiqueta
ayuda en el men superior. De esta manera, el usuario podr acceder al contenido del
manual mediante el navegador de ayuda predeterminado. Adems, tal y como se
muestra en la Figura 9.7, cada uno de los botones y etiquetas de las que se compone la
aplicacin est dotado de mens contextuales, en el que se detalla su funcionalidad.
Figura 9.7. Men contextual.

10 NORMATIVAS
Como se detalla en la introduccin, tanto la inyeccin de componentes armnicas de la corriente
como los consumos desequilibrados, tienen influencias negativas sobre los elementos que forman
parte de los sistemas elctricos. Por este motivo, existen una serie de normas que regulan estos
consumos.
10.1Normas sobre distorsin armnica.

Para mantener un nivel de compatibilidad electromagntica adecuado, se limita tanto la
distorsin armnica total (THD) como la individual (HDk) de las tensiones y las corrientes del sistema.
Sobre este tema existen diferentes normativas, dependiendo de los pases. En la tabla (Tabla
10.1), se muestra un resumen de la norma, donde se limita la distorsin armnica total e individual de
la tensin en el punto de conexin:
Tabla 10.1. Lmites de la distorsin armnica de tensin.
Distorsin armnica de la tensin en el punto de conexin
Tensin nominal del sistema [kV] < 0.9 kV 0.9-69 kV 69-138 kV > 138 kV
HDku [%] depende de k 3.0% 1.5% 1%
THDu [%] 5% 5.0% 2.5% 1.5%
En baja tensin, los lmites de la distorsin armnica individual, se especifican en [23]; un

resumen de esta especificacin se muestra en la tabla (Tabla 10.2).
Tabla 10.2. Lmites de la distorsin armnica individual de tensin en BT.
Armnicos impares no mltiplos de tres Armnicos impares mltiplos de tres
k HDku [%] k HDku [%]
5 6.0 3 5.0
7 5.0 9 1.5
11 3.5 15 0.3
Tambin existen normas que limitan distorsin armnica de la corriente consumida por los
dispositivos no lineales. En la norma, aplicable a consumos de corrientes inferiores a 16 A, se realiza
una clasificacin de las cargas no lineales en cuatro tipos: A, B, C y D, donde, por ejemplo, las cargas
de iluminacin corresponden a la clase C, los aparatos de televisin y los ordenadores, a la clase D...
98 Memoria
Para cada clase se limita la inyeccin de cada componente armnica. Un resumen de estos lmites se
muestra en la tabla (Tabla 10.3).
Tabla 10.3. Lmites de la distorsin armnica individual de la corriente.
Clase A Clase B Clase C Clase D

k
Ik [A] Ik [A] HDki [%] Ik/P [mA/W]
2 1.08 1.62 2
3 2.30 3.45 30FP 3.4
4 0.43 0.65
5 1.44 2.16 10 1.9
6 0.30 0.45
7 0.77 1.12 7 1
8 0.23 0.35
9 0.40 0.60 5 0.5
10 0.18 0.28
11 0.33 0.50 3 0.35
12 0.15 0.23
13 0.21 0.32 3 0.296
14-40 (pares) 1.84/k 2.76/k
15-39 (impares) 2.25/k 3.38/k 3 3.85/k
Se puede observar que para los componentes de las clases A y B, se limitan directamente las
componentes de corriente inyectadas, mientras que para la clase C se limita el coeficiente de
distorsin armnica individual (en algunos de los armnicos, dependiendo del factor de potencia del
consumo, FP), y para la clase D se limita la relacin entre la componente de corriente inyectada y la
potencia del consumo.
10.2Normas sobre desequilibrios.

Para asegurar una determinada calidad de servicio de la tensin de alimentacin, las normas [21]
y [24] establecen los lmites de los desequilibrios de la tensin de alimentacin. Estas normas
establecen el mximo desequilibrio admisible en la tensin de alimentacin, caracterizado mediante el

coeficiente m2, en un rango del 2 al 3%. A modo de orientacin, un 3% de desequilibrio en la tensin
de alimentacin puede provocar una prdida de rendimiento del 10% en un motor de induccin.
100 Memoria
CONCLUSIONES
Gracias a la realizacin del presente proyecto, se han estudiado ciertos aspectos sobre el diseo
y estudio del circuito Steinmetz.
Mediante el estudio terico llevado a cabo al inicio del proyecto, se han podido corroborar
numerosas expresiones analticas de artculos recientemente publicados por el departamento, y se
han comenzado a estudiar ciertos campos de investigacin sobre el circuito Steinmetz y su
interaccin con las instalaciones elctricas, de los cuales actualmente no existen publicaciones.
De esta manera, se ha creado y desarrollado una aplicacin informtica que permite:
Estudiar el diseo del circuito Steinmetz:
o Determinacin de las reactancias simetrizadoras mediante dos mtodos: clculo
exacto y clculo aproximado.
o Clculo de los errores referentes a los dos mtodos anteriores.
o Anlisis de la influencia de los diferentes parmetros del circuito simetrizador y
sus tensiones de alimentacin en el diseo del circuito.
Estudiar el comportamiento frecuencial del sistema elctrico en presencia del circuito
Steinmetz. De esta manera, se calcula la localizacin de la resonancia que se
establecen entre el condensador del circuito Steinmetz y las inductancias de la red.
o El estudio permite analizar dos escenarios: alimentacin del sistema mediante
tensiones distorsionadas e incorporar en el sistema una carga trifsica no lineal.
o Anlisis de influencia sobre la localizacin de la resonancia para los diferentes
parmetros del circuito simetrizador.
o Estudio de situaciones particulares: alimentacin mediante una fuente de
tensiones distorsionadas y aplicacin de dispositivos no lineales (rectificador
monofsico no controlado, rectificador trifsico no controlado, cargador de
bateras, lmpara de descarga y rectificador de seis pulsos).
Todo el trabajo anterior se enmarca dentro de la lnea de investigacin sobre la calidad del
suministro elctrico, sub-lneas de armnicos y desequilibrios, sobre la que se trabaja en el
Departament d'Enginyeria Elctrica (Seccin de Barcelona). En este sentido, la herramienta
informtica desarrollada debe permitir completar los estudios que se desarrollan sobre el circuito
Steinmetz en general, y ms en particular sobre el estudio de su diseo y el anlisis de su
comportamiento en condiciones no senoidales.
102 Memoria
AGRADECIMIENTOS
En primer lugar, deseo mostrar mi agradecimiento al profesor Luis Sainz, cuya dedicacin y
ayuda han sido indispensables para la elaboracin del presente proyecto.
Y al acabar esta memoria, como sntesis y culmen de los aos transcurridos en la ETSEIB,
deseo expresar el agradecimiento hacia mis padres, cuyo apoyo y nimo han jugado un papel
fundamental durante estos cinco aos de carrera universitaria.
104 Memoria
REFERENCIAS
[1] PEDRA, J., "El problema del flujo de cargas en redes con armnicos", Tesis Doctoral,
UPC, Barcelona, 1986.
[2] SAINZ, L., "Estudio de la formulacin y resolucin del problema del flujo armnico de
cargas", Tesis Doctoral, UPC, Barcelona, 1995.
[3] BOIX O., "Estudio y modelizacin en rgimen permanente de cargas no lineales para el
anlisis armnico de redes elctricas", Tesis Doctoral, UPC, Barcelona, 1996.
[4] HERRAIZ, S., "Aportaciones al estudio del flujo armnico de cargas". Tesis Doctoral,
UPC, Barcelona, 2002.
[5] CARO, M, Desarrollo de un programa para el estudio de sistemas elctricos trifsicos
con presencia de desequilibrios y armnicos, Proyecto Final de Carrera, UPC,
Barcelona, 2002.
[6] SAINZ, L. [et al.], "Load modelling for analysis of power system harmonics under
unbalanced conditions", ETEP Vol. 11 (5), 2001, p. 49-56
[7] CHINDRIS, M., "Unbalanced power systems under non-sinusoidal conditions", Course
of Socrates-Erasmus program, Barcelona, 1999, p. 1-15.
[8] JORDI, O. [et al.], "Steinmetz system calculation by optimization methods", 7th
International Conference on Optimization of Electrical and Electronic Equipments
OPTIM 2000,Brasov (Romania) , 2000, Vol I p. 297-301.
[9] JORDI, O. [et al.], "Study of the Steinmetz system design", IASTED International
Conference PES 2000, Marbella, 2000, p. 106111.
[10] SAINZ, L. [et al.], "Steinmetz system study under non-sinuoidal conditions", IASTED
International Conference PES 2001, Rhodes (Greece), 2001, p. 106-111.
[11] PEDRA, J., "Circuitos monofsicos y trifsicos", Barcelona, Edicions UPC, 1999, p.
142-144, 153-175.
[12] ROEPER, R., "Corrientes de cortocircuito en redes trifsicas", Barcelona, Ed.
Marcombo, 1985, p. 50-52.
[13] JORDI, O. [et al.], "Steinmetz system calculation by optimization methods", 7th
International Conference on Optimization of Electrical and Electronic Equipments
OPTIM 2000,Brasov (Romania) , 2000, Vol I p. 297-301.
[14] MARTNEZ, J. A., "Sistemas Elctricos de Potencia", Barcelona, CPDA, 2000,
p. 76-83.
[15] MESAS, J.J., Characterization of the Non-Linear Load Behavior, Proyecto Final de
Carrera, UPC, Barcelona, 2003
[16] BOIX, O. Modelizacin por circuitos lineales a tramos, Tesis doctoral, 1996. p. 183-
186.
106 Memoria
[17] CHINDRIS, M., "Unbalanced power systems under non-sinusoidal conditions", Course
of Socrates-Erasmus program, Barcelona, 1999, p. 1-15.
[18] CARO, M. [et al.], Study of the power system harmonic response in the presence of
the Steinmetz circuit, Electric Power System Research, num. 76, 2006.
[19] SAINZ, L. [et al.], Influence of the Steinmetz Circuit Capacitor Failure on the Electric
System Harmonic Response, IEEE Trans. on Power Delivery, Vol 22, No. 2, April
2007, pp. 960-967.
[20] SAINZ, L. [et al.], Background Voltage Distorsion Influence on the Power Electric
Systems in the Presence of the Steinmetz Circuit, Enviado para su publicacin al IEEE
Trans. on Power Delivery.
[21] Compatibility levels for low-frequency conducted disturbances and signalling in public
low-voltage power systems. IEC 1000-2-2, 1990.
[22] SAINZ, L. [et al.], Study of the power system harmonic response in the presence of the
Steinmetz Circuit, IEEE Trans. on Power Delivery, Vol. 21, No. 3, July 2006, pp.
1466-1476.
[23] CENELEC, "Limits for rated harmonic current < 16 A per phase emitted by appliances",
EN 61000-3-2, Brussels, 2001.
[24] IEC, "Compatibility levels in industrial plants for low-frequency conducted disturbances",
IEC 1000-2-4, Geneva, 1994.

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Estudio del Circuito Steinmetz 1

SUMARIO DE LOS ANEXOS...................................................................................................... 7

ANEXO A: PLANIFICACIN Y PRESUPUESTO ..................................................................................................7

1.1 PROBLEMAS DE ARMNICOS. ..................................................................................................................11

2.1 DISTORSIN ARMNICA. ........................................................................................................................15

3 MODELIZACIN DE COMPONENTES ............................................................................... 21

3.1 MODELIZACIN DE LA RED......................................................................................................................21

4DISEO DEL CIRCUITO SIMETRIZADOR ................................................................................ 35

4.1 CLCULO APROXIMADO. ........................................................................................................................35

5 ESTUDIO DE LA RESPUESTA FREC. DEL SISTEMA: LOCALIZACIN DE RESONANCIAS ........ 41

5.1 SISTEMA OBSERVADO DESDE LA CARGA NO LINEAL. ..................................................................................... 41

6 ESTUDIO DEL SISTEMA: ANLISIS DE SENSIBILIDAD ........................................................ 57

6.1 ANLISIS DE SENSIBILIDAD DE MI. ............................................................................................................. 58

7 ESTUDIO DEL SISTEMA: CLCULO DE ERROR. ................................................................. 67

7.1 CLCULO DEL ERROR EX1. ....................................................................................................................... 67

8 ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO FRECUENCIAL DEL CIRCUITO STEINMETZ................... 73

8.1 SISTEMA CONECTADO A UNA FUENTE DE TENSIONES DISTORSIONADAS............................................................ 73

9 REALIZACIN DEL PROGRAMA....................................................................................... 87

9.1 SELECCIN DEL PROGRAMA. ................................................................................................................... 87

10.1 NORMAS SOBRE DISTORSIN ARMNICA. ................................................................................................. 97

AGRADECIMIENTOS ........................................................................................................... 103

REFERENCIAS ..................................................................................................................... 105

SUMARIO DE LOS ANEXOS

ANEXO B: ANLISIS DE IMPACTO AMBIENTAL

ANEXO C: ESTUDIO DE UN EJEMPLO

ANEXO D: UTILIZACIN DEL PROGRAMA

REFERENCIAS ..................................................................................................................... 105

Z1: Reactancia simetrizadora del circuito Steinmetz.

1.1 Problemas de armnicos.

1.2 Problemas de desequilibrios.

1.3 ndices y normativas.

1.4 Antecedentes del proyecto.

1.5 El presente proyecto.

2.1 Distorsin armnica.

Onda distorsionada (f1 = 50 Hz) Componentes de la onda

La descomposicin de una onda x t se realiza segn la siguiente expresin:

X0 es la componente continua de la onda, que en corriente alterna y rgimen permanente suele

tener valor nulo.

X 1 es el valor eficaz de la componente fundamental de la onda.

1 2 f1 es la pulsacin fundamental y f1 es la frecuencia fundamental.

Si el sistema trifsico trabaja en condiciones desequilibradas no se verificar la clasificacin

La definicin de potencia reactiva ser:

Con estas definiciones se puede comprobar que generalmente no se cumple la igualdad

S 2 P 2 Q2 , lo que hace que se tenga que recurrir a la definicin de potencia distorsionante

P U1I1cos 1 ; Q U1I1sin 1 (1.10)

donde se ha simplificado la notacin sustituyendo X sa por X s , con s = 0, 1, 2. Esta descomposicin

equilibradas es de secuencia directa, por lo que m2 m0 0 . Es decir, si la terna caracterizada es

equilibrada y de secuencia directa m2 m0 0 , y cuanto ms se alejan de cero dichos coeficientes,

3.1 Modelizacin de la red.

Figura 3.1. Modelo de la red.

3.2 Modelizacin del circuito Steinmetz.

3.3 Modelizacin de las cargas no lineales.

en el caso monofsico. En ambas expresiones, t 2 f t y f es la frecuencia

3.3.1 Modelizacin de rectificadores monofsicos no controlados.

Figura 3.3. Modelo del rectificador monofsico no controlado.

donde los parmetros normalizados quedan:

3.3.2 Modelizacin de rectificadores trifsicos no controlados.

Figura 3.5. Modelo del rectificador trifsico no controlado.

MCC di a,N (2.10)

donde los parmetros normalizados quedan:

3.3.3 Modelizacin de lmparas de descarga.

Figura 3.7. Modelo de la lmpara de descarga.

El valor eficaz del armnico fundamental de la tensin de alimentacin, V.