A Histria do Transistor

Escrito por Newton C. Braga

Sex, 09 de Outubro de 2009 22:12

Entre as 10 invenes mais importantes do milnio, o transistor ocupa um lugar de destaque. Se hoje
temos computadores pessoais, telefones celulares, e muitos outros equipamentos eletrnicos compactos
e baratos graas a inveno deste componente. No entanto, poucos conhecem sua histria real e
quem trabalha com eletrnica no pode deixar de saber como surgiu o mais importante de todos os
componentes eletrnicos.
Os diodos semicondutores (de estado slido) como, por exemplo, os retificadores de xido de cobre j
eram conhecidos antes mesmo de 1920.
Com a inveno da vlvula triodo, a partir da vlvula diodo, muitos pesquisadores passaram a trabalhar
com a possibilidade de se controlar a corrente num retificador de estado slido (um diodo
semicondutor), a partir de algum eletrodo colocado na sua estrutura. Isso permitiria elaborar um
dispositivo de estado slido capaz de amplificar correntes da mesma forma que faz a vlvula triodo. No
entanto, apesar de haver uma certa validade na idia, nenhum dos pesquisadores teve sucesso
justamente porque os materiais usados na fabricao dos diodos semicondutores no eram apropriados.
Foi somente depois da segunda guerra mundial que o germnio e o silcio passaram a ser usados em
diodos detectores de micro-ondas para radares e que se desenvolveu uma teoria completa que permitia
entender os estados qunticos dos portadores de carga nestes materiais.

Foto do primeiro transistor Observe a estrutura elementar, feita de modo bastante improvisado.

Diversos nomes de pesquisadores apareceram ento com trabalhos que permitiram levar a uma
estrutura de materiais semicondutores capazes de realizar funes equivalentes s da vlvula triodo. O
primeiro nome importante foi o de GEORGE CLARKE SOUTHWORTH, nascido em 1890 e morto em
1972. Este pesquisador nasceu numa pequena cidade da Pennsylvania e se formou no Grove City College
indo para a Universidade de Yale onde recebeu seu PhD. Trabalhou depois nos laboratrios da Bell desde
sua fundao em 1934 at se aposentar.
George Southworth trabalhou principalmente com guias de ondas para microondas, com nfase para
suas aplicaes no Radar quando verificou que as vlvulas triodo no funcionavam com frequncias
muito altas como as usadas nesta aplicao. Ele ento teve de apelar para os diodos de cristal
conseguindo estes componentes nas sucatas de rdios antigos das lojas de Manhattan.
O trabalho com diodos semicondutores em circuitos de altas frequncias feitos por este pesquisador
foram importantes para o desenvolvimento da tecnologia que levou ao transistor. Temos a seguir o
pesquisador que considerado o "homem esquecido" na inveno do transistor. Trata-se de RUSSEL
SHOEMAKER OHL que nasceu em 1898 e morreu em 1987.
Russel Ohl foi treinado em eletroqumica e graduado na Penn State University em 1918. Em 1927 ele
foi trabalhar nos laboratrios da Bell em Holmdel. Em 1940 durante a realizao de investigaes sobre
as propriedades dos cristais usados nos detectores para radar, Ohl convocou a ajuda de qumicos da Bell
para preparar silcio com alto grau de pureza. No processo eles foram capazes de produzir lingotes com
regies N e P de silcio na mesma barra. Ohl descobriu ento o fotodetector de silcio (e a juno PN)
quando a uma seo do lingote foi acidentalmente cortada numa fronteira invisvel entre regies P e N.
Este dispositivo foi mostrado a Brattain que admitiu que a retificao estava sendo feita numa superfcie
interna do dispositivo.
Temos a seguir o trabalho de KARL LARK-HOROVITZ que nasceu em 1892 e morreu em 1958. Ele era
um professor assistente da Universidade de Viena indo para os Estados Unidos em 1926 onde se
naturalizou em 1936 tornando-se professor de fsica na Universidade de Purdue. Em 1942, ele e seu
grupo comearam a trabalhar na extrao de cristais purificados de germnio para serem usados em
detectores de micro-ondas de radares. Eles comearam tambm a dopar o germnio com outros
elementos de modo a determinar como as propriedades retificadoras eram afetadas. Em 1943 eles
conseguiram fabricar uma unidade que passou a ser fabricada em massa. Os pesquisadores da Purdue
passaram as informaes para os laboratrios da Bell sem saber que eles tambm trabalhavam no
mesmo projeto. Segundo se acredita, se a Bell no tivesse descoberto o transistor, em poucos meses o
pessoal da Purdue teriam chegado ao transistor por sua conta e os inventores seriam outros!

Chegamos finalmente aos que levaram a fama comeando por WILLIAM BRADFORD SHOCKLEY (foto)
que nasceu em 1910 e morreu em 1989.

William Bradford Shockley (1910-1989) Um dos inventores do transistor

Nascido em Londres, mas criado na Califrnia ele foi educado no Cal Tech e no MIT. Entrou para o
"staff" do Bell Telephone Laboratories em 1936, comeando em 1939. Shockley comeou seu trabalho
procurando um meio de converter um retificador de cristal em um dispositivo amplificador. A guerra
interrompeu seu trabalho, mas ele voltou em 1945 aos laboratrios como co-lder do grupo de pesquisa
de fsica do estado slido. Este grupo inclua os pesquisadores Bardeen e Brattain que juntamente com
ele inventaram o transistor de contacto de ponto.
Shockley inventou o transistor de juno algumas semanadas mais tarde.
WALTER H. BRATTAIN, (foto) nascido em 1902 e morto em 1987, nasceu na China, filho de um
professor de uma escola de Amoy. Foi criado num rancho em Washington tendo recebido sua graduao
no Whitman College na Universidade de Oregon e na Universidade de Minnesota.
Walter H. Brattain (1902 - 1987) O segundo nome do transistor.
Em 1929 foi trabalhar nos laboratrios da Bell investigando o funcionamento dos retificadores cobre-
xido at ser interrompido pela guerra quando foi convocado para ajudar no desenvolvimento de
detectores de silcio para aplicaes no Radar.
Quando voltou ao trabalho normal, passou a integrar o grupo de Shockley e Bardeen onde juntamente
com Bardeen inventou o transistor de contacto de ponto. Brattain era um investigador prtico enquanto
que Bardeen era o terico, mas trabalhavam em perfeita harmonia no laboratrio.
Finalmente temos JOHN BARDEEN que nasceu em 1908 e morreu em 1991 (foto)

John Bardeen (1908-1991) O terceiro nome do transistor.

Filho do Deo da Escola de Medicina da Universidade do Wiscosin ele recebeu seu PhD em fsica -
matemtica na Universidade de Princeton e foi o principal fsico no Naval Ordnance Laboratory durante a
segunda guerra mundial. Depois da guerra ele foi para os laboratrios da Bell para trabalhar em
problemas tericos da fsica do estado slido. O ponto fundamental que permitiu a inveno do transistor
de contacto de ponto ocorreu em 1948 quando Bardeen desenvolveu a teoria dos estados qunticos
superficiais dos eltrons levando a concluso de que uma camada de cargas livres existia na superfcie
dos semicondutores. Bardeen deixou os laboratrios da Bell em 1951 para se tornar professor de
engenharia eltrica e fsica na Universidade do Illinois.
Em 1956 ele compartilhou o prmio Nobel com Shockley e Brattain pela inveno do transistor. Ele
tambm recebeu o prmio Nobel em 1972 por ter desenvolvido juntamente com Cooper e Schrieffer a
teoria da Supercondutividade tendo sido o primeiro a receber duas vezes esta lurea.