05semikonduktor PDF
05semikonduktor PDF
05semikonduktor PDF
BAB V
SEMIKONDUKTOR
- -
- -
+ - - + - - + - - +
- -
-
- -
-
+ - - + - - + - - +
Bila diberi sumber DC akan ada arus listrik yaing mengalir di dalam
kristal tsb. Elektron akan bergerak ke kutub positif sumber DC tsb
sedangkan hole akan bergerak berlawanan arah.
Semikonduktor Instrinsik
Pada suhu 0 K, kristal Si atau Ge berkelakuan sebagai isolator, sedang
pada suhu kamar T, beberapa ikatan kovalen putus akibat energi
termal (Eg = 0,72 eV untuk Ge dan 1,1 eV untuk Si), akibatnya ada
elektron bebas dalam kristal dan ada hole yang ditinggalkan oleh
elektron akibat terputusnya ikatan kovalen tsb, seperti diilustrasikan
sbb:
untuk tipe-p a = pq p
ni2
Untuk : tipe-n N A =0 n n N D p n =
ND
ni2
tipe-p N D =0 p n N A n p =
NA
dengan: nn, pn : konsentrasi elektron mobile, dan hole pada tipe-n
np, pp : konsentrasi elektron mobile, dan hole pada tipe-p
nn pn = ni2
np pp = ni2
NA dan ND adalah konsentrasi hole dan elektron inmobile
elektron: pembawa muatan mayoritas pada tipe-n, dan
pembawa muatan minoritas pada tipe-p
hole: pembawa muatan mayoritas pada tipe-p, dan
pembawa muatan minoritas pada tipe-n.
Contoh untuk tipe-p, berlaku N D = 0 diperoleh :
ni 2
p + ND = p = n + N A =
n
p : konsentrasi hole
: konduktivitas
= (n n + p p) q
n = p = ni untuk semikonduktor intrinsik
dengan Ao : konstanta
EGo : energi gap pada T = 0 K
k : konstanta Boltzman.
Difusi
Konsentrasi pembawa muatan dapat tidak homogen, seperti pada
gambar.
Dn Dp kT
= = VT =
n p q
dp
J p = q p p E q Dp (A)
dx
dn
J n = q n n E + q Dn (B)
dx
Persamaan Kontinuitas
Secara umum konsentrasi pembawa muatan sebagai fungsi dari posisi
dan waktu, namun perlu diingat bahwa muatan tidak dapat diciptakan
atau dimusnahkan, berlaku:
p p o p 1 J p
= (C)
t p q x
n n o n 1 J n
= (D)
t n q x
p n p n o p n (p n E) 2pn
= p + Dp .
t p x x 2
Dioda PN
Hubungan pn dapat terjadi dengan mendifusi impuritas tipe-p pada
salah satu ujung kristal tipe-n. Walaupun ada hubungan antara dua
tipe silikon namun sebagai keseluruhan bertidak sebagai kisi kristal
tunggal. Akibatnya elektron bebas dari tipe-n akan bergerak menuju
hole pada tipe-p demikian pula hole pada tipe-p bergerak ke elektron
di tipe-n sehingga terjadi proses rekombinasi. Selanjutnya akan terjadi
lapisan deplesi. Pada dasarnya lapisan ini adalah isolator dengan
kelebihan elektron di sisi tipe-p dan kelebihan hole di sisi tipe-n dan
berakibat timbulnya beda tegangan di hubungan pn, yaitu V , seperti
ditunjukkan pada Gambar 3.
Setelah hubungan PN terbentuk, hole dari tipe-p konsentrasinya lebih
besar dari hole di tipe-n, sehingga hole akan berdifusi, demikian pula
pada elektron juga akan berdifusi dan ber-rekombinasi. Namun proses
ini tidak terjadi terus menerus dan akan berhenti jika terjadi
kesetimbangan antara difusi dan drift. Dalam keadaan seimbang:
1. daerah tipe-p netral
2. daerah muatan ruang tipe-p
3. daerah muatan ruang tipe-n
4. daerah tipe-n netral
Daerah (2) dan (3) daerah muatan ruang/lapisan deplesi/dipole
listrik. Pada daerah ini ada medan listrik walaupun tidak diberi
tegangan.
lapisan deplesi
- +
- +
p - + n
- +
- +
-dp +dp
V?
Gambar 3 Lapisan deplesi dan tegangan deplesi V
dn
Dalam keadaan seimbang, Jn = 0, sehingga: J n = q n n E + q D n
dx
D n 1 dn kT d
= 0. Diperoleh E = = ( ln n ) (Relasi Einstein
n n dx q dx
D n kT
= )
n q
atau:
dn dn
kT d
VB =
dp
E dx = d q dx ( ln n ) dx
p
kT n n kT n n n p kT n A n D
VB = ln = ln 2 = ln 2
q np q ni q ni
EC
?
EF
EV
?
Daerah tipe -p
Daerah tipe -n
A A
C= =
dn + dp d
Kapasitansi ini dikenal sebagai kapasitansi deplesi (kapasitansi
hubungan)
q ( NAd p 2 + N Dd n 2 )
dengan memanfaatkan ND dn = NA dp dan VB =
2
2 VB 1 1
diperoleh d = dn + dp = + . Sebaliknya jika ada
q NA ND
tegangan bias, maka persamaan ini nilai VB diganti dengan VB V,
dengan V tegangan bias yang diberikan ke dioda hubungan, sehingga
2 1 1
d= + ( VB V )
q NA ND
Selanjutnya diperoleh:
A q
C= =A
2 1 1 1 1
+ ( VB V ) 2 N +
N ( VB V )
q NA ND A D