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FAESA - FACULDADES INTEGRADAS ESPRITO-SANTENSES

ENGENHARIA ELTRICA

HENRIQUE MONTEIRO YAMAHATA

SIMULAO DE CIRCUITOS COM DIODO

VITRIA

2016

SUMRIO
1. INTRODUO...............................................................................................2
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..........................................................................................................................
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2. ESPECIFICAES DO DIODO....................................................................3
..........................................................................................................................
3. RESULTADOS...............................................................................................4
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3.1. POLARIZAO DIRETA............................................................................4
3.2. POLARIZAO REVERSA.......................................................................6
4. CONCLUSO................................................................................................8
5. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS...........................................................8
.......................................................................................................................
1. INTRODUO

O seguinte relatrio refere-se uma atividade sobre o funcionamento do diodo


quando submetido a uma faixa de tenses e quando polarizado diretamente ou
reversamente, alm da avaliao do componente via datasheet, considerando
as tenses mximas, queda de tenso, correntes mximas e correntes de fuga,
nos dois modos de polarizao.

O objetivo simular o circuito em software, entender o funcionamento do


circuito, analisar os resultados obtidos colocando em prtica os conhecimentos
adquiridos em sala de aula.
2. ESPECIFICAES DO DIODO

Diodo Motorola MUR160 DO-204AC

Vrrm = 600V, Tenso mxima reversa em corrente alternada.

VDC = 600V, Tenso mxima reversa em corrente contnua.

Vf = 1,05V, Queda de tenso no diodo 150C e 1A.

Vf = 1,25V, Queda de tenso no diodo 25C e 1A.

I (av) = 1A, Corrente mdia mxima na polarizao direta.

Ifsm = 35A, Corrente de pico mxima na polarizao direta.

Ir = 5uA, Corrente de fuga quando polarizado inversamente com VDC 25.

Ir = 150uA, Corrente de fuga quando polarizado inversamente com VDC 125.

Temperatura de operao -65C at 175C


3. RESULTADOS

Os experimentos a seguir foram realizados atravs de simulao no Multisim.

3.1 POLARIZAO DIRETA

A polarizao do diodo dependente da polarizao da fonte geradora. A


polarizao direta quando o polo positivo da fonte geradora entra em contato
com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o polo negativo da fonte geradora
entra em contato com o lado do cristal N(chamado de ctodo).

Assim, se a tenso da fonte geradora for maior que a tenso interna do diodo, os
portadores livres se repeliro por causa da polaridade da fonte geradora e
conseguiro ultrapassar a juno P-N, movimentando-os e permitindo a
passagem de corrente eltrica.

O diodo (MUR160), polarizado diretamente, em srie com um resistor (100)


com o objetivo de limitar corrente no circuito e uma fonte de tenso que varia de
0v 5v em intervalos de 0,5v.

O ampermetro XMM1 utilizado para medir a corrente no circuito. Os


voltmetros XMM2 e XMM3 so para medio de tenso no resistor e no diodo
respectivamente.

A Figura 1 abaixo mostra a ligao do circuito no software.


Figura 1 Polarizao direta Multisim.

Tenso na Tenso no diodo Tenso no Corrente no diodo


fonte [V] [V] resistor [V] [A]

0 0 0 0

0,5 431m 68,054m 680,567u

1,0 557,478m 442,522m 4,425m

2,5 633,51m 1,366 13,665m

3,0 669,795m 2,33 23,303m

3,5 682,778m 2,817 28,172m

4,0 693,771m 3,306 33,062m

4,5 703,309m 3,797 37,967m

5,0 711,738m 4,288 42,884m

TABELA 1 - Valores de tenso e corrente na regio DIRETA.

Nota-se que a queda de tenso no diodo tende a 0,7 como especificado no


datasheet do dispositivo e que a corrente comea a circular no circuito com 1V,
quando a queda de tenso no diodo superada.

Figura 2 Corrente de polarizao direta.


3.2 POLARIZAO REVERSA

A polarizao indireta quando ocorre uma atrao das lacunas do anodo


(cristal P) pela polarizao negativa da fonte geradora e uma atrao dos
eltrons livres do ctodo (cristal N) pela polarizao positiva da fonte geradora,
sem existir um fluxo de portadores livres na juno P-N, ocasionando no
bloqueio da corrente eltrica.

Pelo fato de que os diodos fabricados no so ideais, o bloqueio de corrente


eltrica no diodo (polarizao inversa) no total devido novamente pela
presena de impurezas, tendo uma pequena corrente que conduzida na ordem
de microampres, chamada de corrente de fuga, que tambm quase
desprezvel.

O diodo (MUR160), polarizado reversamente, em srie com um resistor (100)


com o objetivo de limitar corrente no circuito e uma fonte de tenso que varia de
0v 1000v.

O ampermetro XMM1 utilizado para medir a corrente no circuito. Os


voltmetros XMM2 e XMM3 so para medio de tenso no resistor e no diodo
respectivamente.

A Figura 3 abaixo mostra a ligao do circuito no software.


Figura 3 Polarizao Reversa Multisim.

Tenso na Tenso no diodo Tenso no Corrente no diodo


fonte [V] [V] resistor [V] [A]

0 0 0 0

50 50 113,01u 0

100 100 118,02u 0

500 500 158,10u -113,687u

1000 800,444 199,556 1,996

TABELA 2 - Valores de tenso e corrente na regio REVERSA.

Nota-se que at o valor de 100v o diodo consegue abrir o circuito, impedindo a


passagem de corrente, a partir de 500v ele comea a apresentar uma corrente
de fuga muito baixa, conforme especificao do fabricante esse dispositivo
suporta at 600v reversamente polarizado DC.

No valor de 1000v o diodo no suporta e permite que uma corrente considervel


passe pelo circuito, abaixo segue a curva de polarizao reversa do diodo.
Figura 4 Corrente de polarizao reversa.

4. CONCLUSO

Considerando os dados no datasheet do diodo MUR160 notou-se que os valores


foram compatveis com os do software de simulao

5. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

MUR140-MUR160 1.0A SUPER-FAST RECTIFIER. Diodes INCORPORATED.


Data da publicao: No disponvel. Acesso em 22/08/2016. Disponvel em:

<http://www.diodes.com/_files/datasheets/ds30112.pdf>.

Diodo semicondutor. Wikipdia. Data da publicao: 1 de agosto de 2016.


Acesso em 22/08/2016. Disponvel em:
<https://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo_semicondutor>.

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