EXPERIMENTO DE MILLIKAN

I. INTRODUCCION.

En 1096 Robert A. Millikan inici sus trabajos experimentales sobre la carga

electrnica e. La tcnica consiste en esparcir pequeas gotas de aceite mineral
pulverizado en una cmara cerrada, de tal modo que caen en una regin prxima
a la parte superior de dos placas metlicas polarizadas. La placa superior
(positiva) posee una perforacin a travs de la cual pasar una gota de aceite.
Una vez que ha ingresado la gota a la regin acotada por las placas ser posible
encontrarla en el campo visual.

Estando las placas conectadas a tierra, no se encontraran cargadas. Bajo estas

condiciones la gota cae por accin gravitatoria, por lo que adquiere, en los
primeros instantes de su recorrido una velocidad lmite de tal magnitud que la
fuerza gravitatoria FG es igualada exactamente por la fuerza de oposicin que
correspondera al empuje.

Cuando se mide la velocidad de cada es posible conocer FG y as luego

determinar la masa de la gota de aceite. La velocidad de la gota puede medirse
por medios cinemticas de fcil control.

Cuando la gota se aproxima a la placa inferior, se debe proceder a cargar las

placas, quedando stas polarizadas. La repuesta de la gota ante la presencia
de un campo elctrico puede ser que ascienda hacia la placa positiva y estara
experimentando una fuerza electrosttica hacia arriba FE, por lo tanto, dicha gota
se ha cargado negativamente. El ascenso de la gota lo har con velocidad
constante si la Fuerza FE es mayor que la fuerza FG. Conocida esta velocidad
de ascenso ser posible conocer la Fuerza FE. Por lo que, conociendo la fuerza
y el voltaje entre las placas se puede determinar la carga de la gota. Este
procedimiento de dejar caer por gravedad, manteniendo las placas conectadas
a tierra y consiguiendo que suba al polarizar las placas se puede repetir varias
veces para conseguir medir la velocidad y posteriormente calcular la carga.

1
 II. DESARROLLO EXPERIMENTAL

A finales del siglo XIX, el cientfico britnico Joseph John Thomson haba
demostrado la existencia de lo que hoy conocemos como electrn y pudo
establecer la relacin entre su carga y su masa analizando la desviacin que
estas partculas experimentaban cuando se movan en el seno de un campo
electromagntico:

Relacin entre carga y masa del electrn calculada por Thomson

Sin embargo, aunque lo intent, Thomson no consigui determinar ni la masa ni

la carga del electrn (al menos de forma precisa). Tuvieron que pasar ms de
diez aos hasta que el estadounidense Robert Andrews Millikan, discpulo de
Michelson en la Universidad de Chicago, publicara los resultados de los
experimentos con los que consigui determinar, con bastante exactitud (el error
era del 1 %), la carga del electrn:

Carga del electrn calculada por Millikan

Para llegar a ello, Millikan utiliz una versin de la cmara de niebla que
Thomson, el que fuera su director de tesis en Europa, estaba utilizando con el
mismo propsito. Con este dispositivo se consegua nebulizar e ionizar una
pequea cantidad de agua, de modo que el estudio de su comportamiento en
presencia de campos elctricos permitira calcular la carga de la nube y, en
funcin del nmero de gotas, deducir la carga elemental del electrn. Sin
embargo, tanto Thomson como Millikan fracasaron en sus primeros intentos ya
que el agua se evaporaba con facilidad. La suerte estuvo de la mano de Millikan
cuando ste coincidi con Rutherford en un congreso celebrado en su
universidad, quien le advirti, adems, del inconveniente que supona realizar el
estudio de la nube de agua completa, siendo ms acertado centrar el inters en
el movimiento individual de cada una de las gotas en suspensin.

2
Millikan decidi, entonces, utilizar aceite en lugar de agua, de ah que dicho
experimento sea habitualmente conocido como el experimento de las gotas de
aceite. En la cmara, el aceite se dispersaba en minsculas gotas que
descendan en el seno de un gas ionizado con rayos X. Un cierto nmero de los
electrones formados en la ionizacin se adheran a las gotitas, por lo que
adquiran una carga negativa que era un mltiplo entero de la carga del electrn.
Estas gotitas se hacan pasar entre dos placas entre las cuales se generaba una
diferencia de potencial que provocaba un campo elctrico uniforme (en esencia,
este montaje constituye un condensador plano). En consecuencia, una fuerza
elctrica actuaba sobre las gotitas, frenando su movimiento de descenso, de
manera que del estudio de este equilibrio de fuerzas poda deducirse la carga de
cada gotita. Como sta siempre era un mltiplo entero pequeo de la carga del
electrn, una vez conocida la carga de varias gotitas poda estimarse la carga
correspondiente a un solo electrn.

En ausencia de campo elctrico, el descenso de la gota est provocado por la

fuerza de la gravedad, aunque debe considerarse el empuje que ejerce el aire,
por lo que en realidad debemos tener en cuenta su peso aparente, es decir, el
peso de la gota menos el peso del aire que desaloja:

3
Debido a la resistencia del aire, la partcula alcanza una velocidad terminal que
no vara, es decir, se desplaza sin aceleracin. Si consideramos las gotitas como
partculas esfricas que se mueven a travs de un fluido, la fuerza de friccin
viene descrita por la ley de Stokes:

Igualando ambas fuerzas, podemos obtener sendas expresiones que nos

permiten calcular el radio de la gota o bien la velocidad terminal a la que se
mueve:

Si luego aplicamos un campo elctrico, aparece una fuerza elctrica que se

opone al movimiento de cada de la gota. Si la intensidad del campo es tal que la
fuerza elctrica compensa la fuerza de la gravedad:

Hemos obtenido una expresin que nos permite determinar la carga total
adquirida por la gota (habiendo calculado previamente su radio), ya que las
densidades y la intensidad del campo elctrico son conocidos. Al ser esta carga

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una, dos, tres veces la carga del electrn, realizando mediciones en diferentes
gotas, podemos deducir cual es el valor de la carga elemental.

Otra opcin consiste en aplicar un campo elctrico de mayor intensidad, en cuyo

caso la gota experimentara un movimiento ascendente:

En este caso, la expresin de la velocidad obtenida para el movimiento

ascendente (cuando el campo es lo suficientemente intenso) puede relacionarse
con la que habamos obtenido previamente para la velocidad en el movimiento
descendente (en ausencia de campo elctrico), lo que nos proporciona la
informacin necesaria para estimar su carga, que siempre ser un mltiplo de la
carga del electrn.

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 EFECTO HALL

I. Principios del efecto Hall en semiconductores

El efecto Hall es una consecuencia de la fuerza que se ejerce sobre una carga elctrica en
movimiento cuando se encuentra sometida a la accin de un campo elctrico y un campo
magntico.
Si por una muestra semiconductora circula una densidad de corriente J perpendicular a un
campo magntico B, ste provoca la aparicin de un campo elctrico normal al plano
determinado por B y J. Este mecanismo denominado efecto Hall puede ser usado para
determinar caractersticas del semiconductor tales como: tipo de portador (hueco o
electrn), concentracin o movilidad. Tambin es la base de dispositivos utilizados como
sensores y medidores de campos magnticos.
Supongamos que por una muestra semiconductora circula una corriente elctrica de
intensidad I, el vector de intensidad de campo elctrico E coincide su sentido con I y el
campo magntico B en principio es nulo como se muestra en la Figura 1.

Bz
z
Iy b
y
d x
VH
w a
Figura N1
l

Si el semiconductor es homogneo, la superficie equipotencial que pasa por los contactos

a-b, en la Figura 1, est situada perpendicularmente a la direccin del campo elctrico E y,
por lo tanto, a la corriente I. La diferencia de potencial entre los puntos a y b (VH) es igual
a cero.

Se coloca ahora al semiconductor en un campo magntico de induccin B 0, como se

muestra en la Figura 1. Como se sabe, sobre una carga q que se mueve a una velocidad
v en un campo magntico B, acta una fuerza F, llamada fuerza de Lorentz:
F= q (v x B)

La direccin de esta fuerza F depende del signo de la carga del portador y del producto
vectorial de la velocidad v y del campo B. Por lo tanto, si la velocidad de los portadores es

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perpendicular al campo B, por accin de la fuerza de Lorentz los portadores se desvan en
direccin perpendicular a v y B. Por lo tanto, como los electrones y los huecos tienen tanto
sus velocidades de arrastre como sus cargas de signo contrario, ambos tipos de portadores
tendern a ser acelerados en el mismo sentido por la fuerza F. Se origina una separacin
espacial de las cargas y aparece un campo elctrico, se produce entre los puntos a y b una
diferencia de potencial VH, llamada tensin de Hall.

Para determinar la direccin y sentido de la fuerza pueden usarse varias formas: la regla
de la mano izquierda
producto vectorial (v x B).

En el primer caso, se hace coincidir el dedo ndice de la mano izquierda con la direccin y
sentido del campo B y el dedo medio con la direccin y sentido de la velocidad de la
partcula. El dedo pulgar indicar la direccin y sentido de la fuerza sobre la partcula, como
se muestra en la Figura 2.

Figura N2

En la regla de la palma, tambin para mano izquierda, las lneas de densidad de flujo
magntico deben atravesar verticalmente la palma de la mano, los dedos ndices, mayor,
anular y meique juntos, se colocan en la direccin y sentido de la corriente. La fuerza
resultante F acta en la direccin y sentido determinado por el dedo pulgar, como se
muestra en la Figura 3.

Figura N3

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En las Figuras 4 a) y 4 b) se muestra la accin de la fuerza de Lorentz para un hueco y
para un electrn. El campo magntico B y la corriente son perpendiculares entre s. En
ambos casos los portadores experimentarn una fuerza (Fm) que los desviar hacia la cara
superior de la muestra. Un voltmetro ubicado en los terminales a-b determinar la
diferencia de potencial de Hall, VH. La simple observacin del sentido de deflexin permite
determinar el tipo de semiconductor.

+ -
Fm = +q vh B Fm = - q ve B
I - VH I VH
B ve B +
vh

Figura N4a) Figura N4b)

A. Determinacin de la tensin de Hall

Tomando como referencia la Figura 1, la expresin de la densidad de corriente J para una

concentracin de portadores n ser:

J Jy q n v y

En estado de equilibrio la fuerza elctrica sobre los portadores se equilibrar con la fuerza
de Lorentz:
Despejando vy de la primera y reemplazando en la anterior, resulta:
q EH q vy Bz
Jy
vy
qn
Como en el material hay dos campos elctricos presentes, uno debido a la corriente I x dado
por:

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 Jy Jy
Ey
qn
y otro debido al efecto Hall:
Jy Bz
EH
qn
el campo resultante formar con la direccin de la corriente un ngulo , llamado : ngulo
de Hall, cuyo valor est dado por:
= arc tg( Bz)

Queremos encontrar una expresin que permita calcular de la tensin de Hall (V H):
Jy Bz
EH
qn

Iy
Jy
dw
Jy Bz d 1 Iy 1 Iy Bz
VH EH d Bz d
qn qn dw qn w
VH
EH
d

Iy Bz
VH RH
w

La magnitud RH se denomina constante o coeficiente de Hall.

1
En el caso de un material de tipo N: RH = -
nq

1
En el caso de un material de tipo P: RH= +
pq

Conociendo el coeficiente de Hall se puede calcular la concentracin de portadores de

carga y determinar su signo. Del mismo modo, conociendo para una muestra el coeficiente
de Hall y la conductividad se puede calcular la movilidad de los portadores de carga debida
al efecto Hall: = RH .

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Hasta ahora no se ha tenido en cuenta la distribucin estadstica de los portadores de carga
segn las velocidades. Considerando el mecanismo de dispersin, la expresin de la
constante de Hall se modifica:
1
RH= - rH.
nq
Por ejemplo al dispersarse los portadores de carga por oscilaciones acsticas de la red cristalina
el factor rH = (3/8). En cambio, en el caso de dispersin por impurezas inicas se tiene r H= 1.93.

Se puede extender el caso del efecto Hall a una muestra de semiconductor donde coexisten
electrones y huecos. En ese caso, el coeficiente de Hall se modificar as:

RH= (1/q) ( p p2 - n n2)

(p p + n n)2

Para un semiconductor intrnseco n = p = ni y el coeficiente se modifica as:

RH= (1/q) ( p - n)
ni (p + n)

B. Aplicaciones
Una de las aplicaciones del efecto Hall en semiconductores consiste en la determinacin
de la concentracin de portadores en una muestra semiconductora, o en la determinacin
de la movilidad de los portadores.
Dado que el potencial de Hall, VH, es para un valor fijo de I proporcional al campo
magntico B, puede utilizarse el efecto Hall para la medicin de campos magnticos.
Tambin es posible fabricar circuitos multiplicadores tipo Hall, ya que la tensin de Hall es
proporcional al producto I.B. De este modo, se puede usar una tensin V1 para generar la
corriente I y otra tensin V2 para generar la intensidad de campo B. La tensin V H que se
desarrolla entre las caras de la muestra es proporcional a I.B y por lo tanto al producto
V1.V2. La desventaja del mtodo consiste en que VH es una tensin en general pequea.
Una aplicacin tpica como multiplicador lineal sera un vatmetro, donde I se tomara
proporcional a la tensin sobre la carga y B se hara proporcional a la corriente en la carga.
En este caso, la salida, el potencial de Hall, ser proporcional a la potencia en la carga.

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 BETATRN

I. CONCEPTO

El acelerador de induccin magntica o betatrn, pertenece al grupo de mquinas ideadas

para acelerar partculas cargadas hasta elevadas energas. Fue inventado en 1941 por
Donald W. Kerst. El betatrn construido en 1945 aceleraba electrones hasta una energa
de 108 eV.

El acelerador consista en un tubo toroidal en el que se haba hecho el vaco, y se situaba

entre las piezas polares de un electroimn. Los electrones, acelerados mediante una
diferencia de potencial de unos 50000 voltios por un can electrnico, entraban
tangencialmente dentro del tubo, donde el campo magntico les haca dar vueltas en una
rbita circular de 5 m de longitud.

Los betatrones se usan para estudiar ciertos tipos de reacciones nucleares y como fuentes
de radiacin para el tratamiento del cncer.

La fuerza que ejerce el campo magntico, como hemos visto ya en el espectrmetro de

masas y en el ciclotrn obliga a las partculas a describir una rbita circular. El problema
que surge en esta situacin, es que a medida que las partculas son aceleradas, se necesita
un campo magntico cada vez mayor para que las partculas describan una rbita circular
de un determinado radio.

II. FUNDAMENTOS FSICOS

Los fundamentos fsicos del betatrn combinan, la ley de Faraday, y el movimiento de

partculas cargadas en un campo elctrico y en un campo magntico.

Ley de Faraday-Henry

En primer lugar, determinaremos el campo elctrico en cada punto del espacio, producido
por un campo magntico que tiene simetra axial (su mdulo depende solamente de la
distancia r al eje Z), pero a su vez, cambia con el tiempo.

El camino cerrado elegido es una circunferencia de radio r, centrada en el eje Z. Como el

flujo vara con el tiempo, se induce una fuerza electromotriz dada por la ley de Faraday

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Debido a la simetra axial, el campo elctrico generado E solamente depende de r, es
constante y tangente en todos los puntos de la circunferencia de radio r, de modo
que VE=E2p r

El flujo del campo magntico es F =<B>p r2. Donde <B> es el campo medio existente en la
regin que cubre el rea S=p r2. Despejando el mdulo del campo elctrico

1. Movimiento de las partculas cargadas

Ya que la partcula describe una trayectoria circular con velocidad variable con el tiempo,
hemos de estudiar el movimiento de la partcula en la direccin tangencial y en la direccin
normal.

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 2. Movimiento en la direccin tangencial

La partcula cargada experimenta una fuerza F= qE, tangente a la circunferencia de radio r.

Si la carga es positiva la fuerza es en el sentido del campo, y si la carga es negativa es en
sentido contrario al campo.

La ecuacin del movimiento de la partcula (masa por aceleracin tangencial igual a la

componente tangencial de la fuerza) ser

(1)

3. Movimiento en la direccin radial

El campo magntico ejerce una fuerza centrpeta (v y B son mutuamente

perpendiculares) Fn = qvB. La ecuacin del movimiento (masa por aceleracin normal igual
a la componente normal de la fuerza que acta sobre la partcula) es

(2)

Para que se cumplan simultneamente las dos condiciones (1) y (2), el campo magntico
a la distancia r del eje Z, tiene que ser igual a la mitad del campo magntico medio <B> en
la regin que cubre el rea S=p r2.

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4. Energa de las partculas cargadas

En general, el campo magntico B es oscilatorio, con frecuencia angular w, pero las

partculas solamente se aceleran cuando el campo magntico est aumentando.

Las partculas se inyectan cuando el campo magntico es cero, por tanto, las partculas se
aceleran solamente durante un cuarto de periodo, de 0 a P/4. Al cabo de este tiempo, se
les proporciona un impulso adicional que las dirige hacia el blanco.

En el instante t=P/4, cuando B adquiere su valor mximo B0, la velocidad de las partculas
es (2)

mvmx=qB0r

y la energa cintica mxima es

Si B=B0sen (w t) la aceleracin tangencial dada por (1) vale

Integrando obtenemos la velocidad de la partcula en cada instante, (suponemos que la

partcula parte del reposo en el instante inicial t=0)

Como vemos para w t=p/2, o cuando t=P/4 se obtiene la mxima velocidad vmx de las
partculas aceleradas. La velocidad mxima es independiente del valor del
periodo P. Dependiendo del valor de P, las partculas tardarn ms o menos tiempo en
alcanzar la velocidad mxima.

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 CICLOTRN

I. CONCEPTO

Un ciclotrn es un tipo de acelerador de partculas. El mtodo directo de

acelerar iones utilizando la diferencia de potencial presentaba grandes dificultades
experimentales asociados a los campos elctricos intensos. El ciclotrn evita estas
dificultades por medio de la aceleracin mltiple de los iones hasta alcanzar elevadas
velocidades sin el empleo de altos voltajes.
La mayora de los actuales aceleradores de partculas de alta energa descienden del
primer ciclotrn de protones de 1 MeV construido por Ernest Lawrence y M. Stanley
Livingston en Berkeley (California, EE. UU.). El artculo original publicado en la
revista Physical Review, volumen 40, del 1 de abril de 1932, titulado "Produccin de iones
ligeros de alta velocidad sin el empleo de grandes voltajes", describe este original invento.
El primer ciclotrn en Sudamrica fue construido por el ingeniero argentino Mario Bncora,
quien fue discpulo de Lawrence en Berkeley.

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II. DESCRIPCIN
El ciclotrn consta de dos placas semicirculares huecas, que se montan con sus bordes
diametrales adyacentes dentro de un campo magntico uniforme que es normal al plano de
las placas y se hace el vaco. A dichas placas se les aplican oscilaciones de alta frecuencia
que producen un campo elctrico oscilante en la regin diametral entre ambas. Como
consecuencia, durante un semiciclo el campo elctrico acelera los iones, formados en la
regin diametral, hacia el interior de uno de los electrodos, llamados Ds, donde se les obliga
a recorrer una trayectoria circular mediante un campo magntico y finalmente aparecern
de nuevo en la regin intermedia.
El campo magntico se ajusta de modo que el tiempo que se necesita para recorrer la
trayectoria semicircular dentro del electrodo sea igual al semiperiodo de las oscilaciones.
En consecuencia, cuando los iones vuelven a la regin intermedia, el campo elctrico habr
invertido su direccin y los iones recibirn entonces un segundo aumento de la velocidad al
pasar al interior de la otra 'D'.

Como los radios de las trayectorias son proporcionales a las velocidades de los iones, el
tiempo que se necesita para el recorrido de una trayectoria semicircular es independiente
de sus velocidades. Por consiguiente, si los iones emplean exactamente medio ciclo en una
primera semicircunferencia, se comportarn de modo anlogo en todas las sucesivas y, por
tanto, se movern en espiral y en resonancia con el campo oscilante hasta que alcancen la
periferia del aparato.

III. FUNCIONAMIENTO
El funcionamiento de un ciclotrn se basa en el hecho citado anteriormente (una carga q se
mueve con una velocidad v dentro de un campo magntico uniforme B, describiendo as
una circunferencia). Dicho radio tiene la siguiente expresin:

R= mv/qB
(q en valor absoluto)

El tiempo que tarda en dar una vuelta, es decir, el perodo T es igual a la longitud de la
circunferencia dividida por la velocidad de la carga:

T= 2R/v = 2/v . mv/qB = 2m/qB

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La carga q es introducida en la D1, donde describe una semicircunferencia en un tiempo
T/2. Al salir de D1, es acelerada por una diferencia de potencial V y entra en D2, donde
describe una semicircunferencia de radio mayor en el mismo tiempo T/2.

En el preciso instante en que sale de D2, la diferencia de potencial V cambia de polaridad

y la carga se vuelve a acelerar. Este proceso se repite hasta que la carga q salga del
acelerador.

Por tanto, para que la carga q sea acelerada en el ciclotrn, la diferencia de potencial debe
variar cada semiperodo, T/2. Esta condicin recibe el nombre de condicin de resonancia
del ciclotrn.
En la prctica esto se consigue conectando ambas "des" a un oscilador elctrico cuya
frecuencia de oscilacin es la frecuencia de resonancia del ciclotrn:

f= 1/T ----> f= qB/2m

Dicha frecuencia es la que debe poseer la corriente elctrica alterna entre las "des" del
ciclotrn para que las partculas aceleren entre estas y as se produzca el movimiento
circular.

IV. APLICACIONES
El ciclotrn permite acelerar protones y deuterones hasta conseguir velocidades muy altas.
Dichas partculas se utilizan en la produccin de materiales radiactivos con aplicaciones
mdicas, adems de funcionar como fundamento de los aceleradores de partculas entre
los que destaca el reciente LHC.

V. LIMITACIN
Cuando se alcanzan velocidades muy altas (relativistas), la masa vara junto con frecuencia
del ciclotrn, dejando de estar en resonancia con la de la corriente, por tanto, deja de
funcionar. Este problema llev al desarrollo del SINCROTRN.

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