Tema 1

Dispositivos
semiconductores
Contenido
Teora bsica
Diodos
Conduccin elctrica en
semiconductores
Los semiconductores son elementos
del grupo IV de la Tabla Peridica.
Sus propiedades se encuentran
entre las de los conductores y los
aislantes.
 Conduccin elctrica en
semiconductores
Material Conductividad

CONDUCTOR Cobre 0.59 x 106 S/cm

SEMICONDUCTOR Silicio 10-8 - 10-1 S/cm

AISLANTE Vidrio 10-16 - 10-13 S/cm
Conductor Semiconductor

Electrones de la Estructura cristalina

capa de valencia Enlace covalente
con enlace dbil
con el ncleo.
 Conduccin elctrica en
semiconductores
Bandas de energa
conductor
Banda de
semiconductor
Energa

conduccin

Banda de 4 estados/tomo

Energ a
valencia Banda de conduccin

Eg =1,1 eV
aislante Banda prohibida

Banda de conduccin - - 4 electrones/tomo Banda de valencia

300 K (I) - -
Energa

Banda prohibida

--
Banda de valencia
-
 Conduccin elctrica en
semiconductores
En los conductores no hay banda prohibida.

A 0K los e- de la banda de valencia de los

aislantes y de los semiconductores no tienen
energa suficiente para saltar a la de conduccin.

A T ambiente algunos electrones de la banda de

valencia del semiconductor tienen suficiente
energa para saltar a la banda de conduccin y
producir una corriente elctrica.
 Conduccin elctrica en
semiconductores
Representacin del Si a 0K

Enlace covalente - - -
-
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - -
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - -
No
Nohay
hayenlaces
enlacescovalentes
covalentesrotos.
rotos.
 Conduccin elctrica en
semiconductores
Situacin del Si a 300K
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- -
- - - - -
- -
-
Si -
-
Si
+ -
-
Si -
-
Si
-
- - - -

Se
Se rompen
rompen enlaces
enlaces covalentes
covalentes
Un
Un electrn
electrn libre
libre yy una
una carga
carga +
+ por
por cada
cada
enlace
enlace roto.
roto. ATE-UO Sem 10
 Conduccin elctrica en
semiconductores
Al aplicar un campo elctrico:
El
Elelectrn
electrnlibre
librese
semueve
muevepor
poraccin
accindel
delcampo.
campo.
Y
Yla
lacarga
carga+
+?.
?.

La
La carga
carga +
+ se
se mueve
mueve tambin.
tambin. Es
Es un
un nuevo
nuevo
portador
portadorde
decarga, llamado hueco
carga,llamado hueco..

Siempre se estn rompiendo y reconstruyendo

enlaces
Conduccin elctrica en
semiconductores
Los semiconductores vistos hasta ahora
reciben el nombre de semiconductores
intrnsecos o puros.
La corriente producida por la aplicacin
de un campo elctrico es muy pequea.
Su conductividad depende casi
exclusivamente de la T.
 Semiconductores extrnsecos(N)
Introducimos impurezas del grupo V
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - 5
- - -
Tiene 5 - 1
- - - -
electrones - 2
- - -
en la - -
Si Sb
- Si - Si
Sb
ltima - - 4
-
capa 3 -

A T ambiente todos los electrones adicionales del

Sb estn desligados del tomo
 Semiconductores extrnsecos(N)
Las impurezas introducidas se llaman
donadoras.
Estos semiconductores son de tipo N.
En ellos la conduccin es mayoritariamente
por electrones.
A los electrones se les llama portadores
mayoritarios
A los huecos se les llama portadores
minoritarios
 Semiconductores extrnsecos(P)
Introducimos impurezas del grupo III
- - - -
- - - - -
Tiene 3 Si - Si -+ Si - Si
electrones en - - -
la ltima 0K -
- - 1 -
capa
-
2
-
- - - - -
Si Al Si - Si
Al-
-
- - 4 (extra) -
3 -

A T ambiente todos los huecos de los tomos de

Al estn cubiertos con electrones del Si.
 Semiconductores extrnsecos(P)
Las impurezas introducidas se llaman
aceptadoras.
Estos semiconductores son de tipo P.
En ellos la conduccin es mayoritariamente
por huecos.
A los huecos se les llama portadores
mayoritarios.
A los e- se les llama portadores minoritarios.
 Unin PN
(Diodos semiconductores)
La prdida de
electrones crea una
La prdida de huecos zona con carga
crea una zona con Zona de positiva fija en la
carga negativa fija en deplexin red
la red.

Zona P Zona N

Aparece un campo en
la zona de contacto
(deplexin) debido a
Aparece un potencial llamado potencial de las dos zonas de carga
opuesta
contacto o de barrera VT (para el Si vale 0,7 V).
Unin PN (sin polarizar)
Por difusin los e- de la zona N pasan a la zona P y
los huecos de la zona P pasan a la zona N.
Cerca de la unin aparecen tomos que han perdido
el electrn o el hueco que hacan que fueran neutros
(pasan a ser iones positivos en la zona N y negativos
en la zona P)
Aparece una zona con carga fija en la red por lo que
se crea un campo elctrico.
El campo elctrico da lugar a una d.d.p. que se
opone a que los e- de la zona N pasen a la zona P y
los huecos de la zona P pasen a la zona N. Esta
d.d.p. supone una barrera de potencial y vale
aproximadamente 0,7 V para el Si.
 Unin PN polarizada
directamente
ID Vext > VT
LZTO
Si
Si aplicamos
aplicamos
una
una VVext ms
ext ms Zona P ZonaNN
Zona
positiva
-- +
positiva enen PP
que
que en
en NN
Vext

Zona
Zonade
dedeplexin
deplexinms
msestrecha.
estrecha.
Se
Seproduce
produceuna
unagran
grancorriente
corrientede
deportadores
portadores
mayoritarios -
mayoritarios(huecos
(huecosde
dePPaaNNyyee-de
deNNaaP)
P)
 Unin PN polarizada
inversamente
I = IS muy pequea
LZTO
Si
Si aplicamos
aplicamos
una
una VVext ms
ext ms
Zona P - - ++ Zona N
Zona N
positiva
positiva enen NN
que
que en
en PP
Vext
Zona
Zonadededeplexin
deplexinms
msancha.
ancha.
Se
Seproduce
produceuna
unacorriente
corrientemuy
muypequea
pequeadede
portadores -
portadoresminoritarios
minoritarios(huecos
(huecosde
deNNaaPPyyee-de
de
PPaaN)
N)
Unin PN
Con polarizacin directa y Vext > VT se
produce una corriente ID que depende
de la Vext .
Con polarizacin inversa se produce una
corriente muy pequea llamada
corriente inversa de saturacin Is que
depende casi exclusivamente de la T.
Curva caracterstica del diodo
 Ecuacin del diodo
La
La ecuacin
ecuacin que
que define
define el
el comportamiento
comportamiento del
del diodo:
diodo:

qV
I D = I S (e kT
1)
 Diodo ideal

Smbolo En polarizacin directa, la cada

de tensin es nula, sea cual sea i
i el valor de la corriente directa
nodo
+
V
curva caracterstica
Ctodo - V
En polarizacin inversa, la corriente es
nula, sea cual sea el valor de la tensin
inversa aplicada
Diodo ideal
Circuito equivalente
cortocircuito
+ V
A B A B
V 0

+ V
A B A B
V <0

Circuito abierto
Diodo- Caracterstica
aproximada
i
Curva caracterstica
Caracterstica
ideal
aproximada

V
0
VT
Diodo- Circuito equivalente
con la tensin de codo VT
Fuente de tensin

ideal VT
+ V A B

+
A B
V VT

+ V A B
A B
V < VT

Circuito abierto